JP2016063198A - 貼合せSiCウェーハの製造方法及び貼合せSiCウェーハ - Google Patents
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Abstract
Description
(1)第1シリコンウェーハ上に第1SiC層を気相成長させる第1工程と、
第2シリコンウェーハ上に第2SiC層を気相成長させる第2工程と、
前記第1又は第2SiC層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1SiC層と前記第2SiC層との間に前記絶縁膜が位置するように、前記第1シリコンウェーハと前記第2シリコンウェーハとを貼り合せて、貼合せウェーハを得る工程と、
該貼合せウェーハから前記第1シリコンウェーハを除去する工程と、
前記貼り合わせの前又は後に、前記第2シリコンウェーハを除去する工程と、
を有し、前記第1SiC層を活性層、前記第2SiC層を支持基板とした貼合せSiCウェーハを得ることを特徴とする貼合せSiCウェーハの製造方法。
該β型単結晶SiC層を前記活性層とした貼合せSiCウェーハを製造する、上記(1)に記載の貼合せSiCウェーハの製造方法。
前記貼合せウェーハから前記第1シリコンウェーハを除去した後、引き続き前記β型単結晶SiC層を除去して、前記α型単結晶SiC層を前記活性層とした貼合せSiCウェーハを製造する、上記(1)に記載の貼合せ単結晶SiCウェーハの製造方法。
前記第1工程で、前記第1シリコンウェーハのβ型単結晶SiC層上にα型単結晶SiC層を気相成長させることにより、
該α型単結晶SiC層を前記活性層とした貼合せSiCウェーハを製造する上記(1)に記載の貼合せSiCウェーハの製造方法。
該β型単結晶SiC層又は多結晶SiC層を前記支持基板とした貼合せSiCウェーハを製造する、上記(1)〜(4)のいずれか1項に記載の貼合せSiCウェーハの製造方法。
チャンバ内のウェーハ固定台に前記第1又は第2シリコンウェーハを固定し、
前記チャンバ内を減圧後、前記チャンバ内に前記原料ガスを導入し、
前記第1又は第2シリコンウェーハを加熱した後に、前記第1又は第2シリコンウェーハにパルス電圧を印加することにより、前記原料ガスのプラズマを生成しつつ、該プラズマ中の前記イオンを前記第1又は第2シリコンウェーハに向けて加速する上記(1)〜(6)のいずれか1項に記載の貼合せSiCウェーハの製造方法。
前記支持基板及び前記活性層が、ともにSiC層からなることを特徴とする直径200mm以上の貼合せSiCウェーハ。
図1を参照して、本発明の第1の実施形態を説明する。まず第1工程では、第1シリコンウェーハ10上にβ型単結晶SiC層12を気相成長させる(図1(A),(B))。次に、第2工程では、第2シリコンウェーハ20上に第2のβ型単結晶SiC層22を気相成長させる(図1(C),(D))。次に、第2のβ型単結晶SiC層22上に絶縁膜24を形成する(図1(E))。
図2を参照して、本発明の第2の実施形態を説明する。まず第1工程では、第1シリコンウェーハ10上にβ型単結晶SiC層12を気相成長させ、引き続きβ型単結晶SiC層12上にα型単結晶SiC層14を気相成長させる(図2(A)〜(C))。次に、図2(D)〜(F)は、第1の実施形態の図1(C)〜(E)と同じなので説明を省略する。
図3を参照して、本発明の第3の実施形態を説明する。本実施形態では、第1工程(第1シリコンウェーハ10への単結晶SiCの気相成長工程)に先立ち、第1シリコンウェーハ10を炭化処理して、第1シリコンウェーハ10の表層部をβ型単結晶SiC層10Aとする(図3(A),(B))。次に、第1工程で、第1シリコンウェーハ10のβ型単結晶SiC層10A上にα型単結晶SiC層14を気相成長させる(図3(C))。次に、図3(D)〜(F)は、第1の実施形態の図1(C)〜(E)と同じなので説明を省略する。
図1(A),(C)、図2(A),(D)、図3(A),(D)において用意する第1及び第2シリコンウェーハ10,20は、チョクラルスキ法(CZ法)や浮遊帯域溶融法(FZ法)により育成された単結晶シリコンインゴットをワイヤーソー等でスライスしたものを使用することができる。また、ウェーハ製造工程内において高いゲッタリング能力を得るために、第1及び第2シリコンウェーハ10,20に炭素及び/又は窒素を添加してもよい。さらに、プラズマ処理時の電圧制御のために、第1及び第2シリコンウェーハ10,20に任意のドーパントを所定濃度添加して、いわゆるn型又はp型の基板としてもよい。
図1(H)、図2(J)及び図3(J)を参照して、本発明の一実施形態による貼合せSiCウェーハ100,200,300は、支持基板22と、この支持基板22上に形成された絶縁膜24と、この絶縁膜24上に形成された活性層と、を有する。活性層は、貼合せSiCウェーハ100ではβ型単結晶SiC層12からなり、貼合せSiCウェーハ200,300ではα型単結晶SiC層か14からなる。支持基板22は、いずれもβ型単結晶SiC層からなる。このような貼合せSiCウェーハ100,200,300は、デバイス工程の自由度が高く、しかも、素子分離領域を作製した際のリーク電流が少ない。
図1の手順に従い、単結晶SiC層の気相成長工程では図4の装置を用いて、直径300mmの絶縁層埋め込み型貼合せSiCウェーハを作製した。
図2の手順に従い、単結晶SiC層の気相成長工程では図4の装置を用いて、直径300mmの絶縁層埋め込み型貼合せSiCウェーハを作製した。
図3の手順に従い、単結晶SiC層の気相成長工程では図4の装置を用いて、直径300mmの絶縁層埋め込み型貼合せSiCウェーハを作製した。
昇華法で作製した直径150mmのα型単結晶SiCウェーハ(比較例)と、実施例1〜3の貼合せSiCウェーハに対して素子分離領域を作製し、素子分離領域におけるリーク特性を比較した。縦方向の素子分離は、比較例1のSiCウェーハではpn接合により形成し、実施例1〜3の貼合せウェーハでは埋め込み酸化膜により形成した。横方向の素子分離は、全てのサンプル(実施例1〜3,比較例)においてSTIにより形成した。
10A β型単結晶SiC層
12 β型単結晶SiC層(第1SiC層)
14 α型単結晶SiC層(第1SiC層)
20 第2シリコンウェーハ
22 第2のβ型単結晶SiC層(第2SiC層)
24 絶縁膜
30,32,34 貼合せウェーハ
100,200,300 貼合せSiCウェーハ
40 プラズマイオン照射装置
41 プラズマチャンバ
42 ガス導入口
43 真空ポンプ
44 パルス電圧印加手段
45 ウェーハ固定台
46 ヒーター
Claims (11)
- 第1シリコンウェーハ上に第1SiC層を気相成長させる第1工程と、
第2シリコンウェーハ上に第2SiC層を気相成長させる第2工程と、
前記第1又は第2SiC層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記第1SiC層と前記第2SiC層との間に前記絶縁膜が位置するように、前記第1シリコンウェーハと前記第2シリコンウェーハとを貼り合せて、貼合せウェーハを得る工程と、
該貼合せウェーハから前記第1シリコンウェーハを除去する工程と、
前記貼り合わせの前又は後に、前記第2シリコンウェーハを除去する工程と、
を有し、前記第1SiC層を活性層、前記第2SiC層を支持基板とした貼合せSiCウェーハを得ることを特徴とする貼合せSiCウェーハの製造方法。 - 前記第1工程で、前記第1シリコンウェーハ上にβ型単結晶SiC層を気相成長させることにより、
該β型単結晶SiC層を前記活性層とした貼合せSiCウェーハを製造する、請求項1に記載の貼合せSiCウェーハの製造方法。 - 前記第1工程で、前記第1シリコンウェーハ上にβ型単結晶SiC層を気相成長させ、引き続き該β型単結晶SiC層上にα型単結晶SiC層を気相成長させ、
前記貼合せウェーハから前記第1シリコンウェーハを除去した後、引き続き前記β型単結晶SiC層を除去して、前記α型単結晶SiC層を前記活性層とした貼合せSiCウェーハを製造する、請求項1に記載の貼合せSiCウェーハの製造方法。 - 前記第1工程に先立ち、前記第1シリコンウェーハを炭化処理して、前記第1シリコンウェーハの表層部をβ型単結晶SiC層とし、
前記第1工程で、前記第1シリコンウェーハのβ型単結晶SiC層上にα型単結晶SiC層を気相成長させることにより、
該α型単結晶SiC層を前記活性層とした貼合せSiCウェーハを製造する請求項1に記載の貼合せSiCウェーハの製造方法。 - 前記第2工程で、前記第2シリコンウェーハ上にβ型単結晶SiC層又は多結晶SiC層を気相成長させることにより、
該β型単結晶SiC層又は多結晶SiC層を前記支持基板とした貼合せSiCウェーハを製造する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の貼合せSiCウェーハの製造方法。 - 前記第1工程又は前記第2工程の気相成長では、前記第1又は第2シリコンウェーハの温度をシリコンの融点未満の温度に維持しつつ、炭素及びケイ素を含む原料ガスをイオン化し、該イオンを加速して前記第1又は第2シリコンウェーハに照射する請求項1〜5のいずれか1項に記載の貼合せSiCウェーハの製造方法。
- 前記第1工程又は前記第2工程の気相成長では、
チャンバ内のウェーハ固定台に前記第1又は第2シリコンウェーハを固定し、
前記チャンバ内を減圧後、前記チャンバ内に前記原料ガスを導入し、
前記第1又は第2シリコンウェーハを加熱した後に、前記第1又は第2シリコンウェーハにパルス電圧を印加することにより、前記原料ガスのプラズマを生成しつつ、該プラズマ中の前記イオンを前記第1又は第2シリコンウェーハに向けて加速する請求項1〜6のいずれか1項に記載の貼合せSiCウェーハの製造方法。 - 支持基板と、該支持基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成された活性層と、を有し、
前記支持基板及び前記活性層が、ともにSiC層からなることを特徴とする直径200mm以上の貼合せSiCウェーハ。 - 前記活性層が、β型単結晶SiC層からなる請求項8に記載の貼合せSiCウェーハ。
- 前記活性層が、α型単結晶SiC層からなる請求項8に記載の貼合せSiCウェーハ。
- 前記支持基板が、β型単結晶SiC層又は多結晶SiC層からなる請求項8〜10のいずれか1項に記載の貼合せSiCウェーハ。
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