JP6569605B2 - 積層基板の製造方法および積層基板 - Google Patents
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Description
(1)シリコン基板の表層部に、3C−SiCからなる改質層を形成する改質層形成工程と、前記シリコン基板の前記改質層側の表面に、酸化マグネシウム層を形成する酸化マグネシウム層形成工程と、前記酸化マグネシウム層の上に、単結晶ダイヤモンド層を形成する単結晶ダイヤモンド層形成工程と、を含むことを特徴とする積層基板の製造方法。
初めに、図1を参照して、本発明の一実施形態に従う積層基板100の製造方法を説明する。本実施形態に従う積層基板100の製造方法は、シリコン基板10の表層部に、3C−SiCからなる改質層12を形成する改質層形成工程(図1(A),(B))と、シリコン基板10の改質層12側の表面10Aに、酸化マグネシウム層20を形成する酸化マグネシウム層形成工程(図1(C))と、酸化マグネシウム層20の上に、単結晶ダイヤモンド層40を形成する単結晶ダイヤモンド層形成工程(図1(D))と、を含む。以下、各工程の詳細を順次説明する。
改質層形成工程(図1(A),(B))では、シリコン基板10の表層部に、3C−SiC(「β−SiC」とも呼ばれる)からなる改質層12を形成する。なお、ここで言うシリコン基板10の表層部とは、シリコン基板10の表面10Aから、3C−SiCが検出される部分までの厚み範囲を指すものとする。シリコン基板10の表層部における3C−SiCは、例えばX線回折により確認することができる。本工程の技術的意義の詳細については後述する。
改質層形成工程に続き、本実施形態では、シリコン基板10の改質層12側の表面10Aに、酸化マグネシウム(MgO)層20を形成する酸化マグネシウム層形成工程を行う(図1(C))。
最後に、酸化マグネシウム層形成工程に続き、酸化マグネシウム層20の上に、単結晶ダイヤモンド層40を形成する単結晶ダイヤモンド層形成工程を行う(図1(D))。こうして、単結晶ダイヤモンド層40を有する積層基板100を製造することができる。
次に、本発明の好適実施形態に従う積層基板200の製造方法について、図2を用いて説明する。なお、前述の積層基板100の製造方法に従う実施形態と同一の構成要素には原則として同一の参照番号を付して、説明を省略する。以降も、同様に、同一の構成要素には原則として同一の参照番号を付して、説明を省略する。
本発明の一実施形態に従う積層基板100は、前述の積層基板100の実施形態により作製することができる。この積層基板100は、図1(D)に示すように、シリコン基板10と、シリコン基板10の表面に設けられた酸化マグネシウム層20と、酸化マグネシウム層20の上に設けられた単結晶ダイヤモンド層40と、を有する。そして、この積層基板100において、シリコン基板10は、酸化マグネシウム層20が設けられる表面側の表層部に、3C−SiCからなる改質層12を有する。
図2に示したフローチャートに従って、発明例1に係る積層基板を製造した。まず、CZ法により製造した、COPフリーの直径200mmの単結晶シリコンインゴットから、p型のシリコンウェーハを用意し、シリコン基板とした。このシリコンウェーハの主面の面方位は(100)面であり、酸素濃度は1.2×1018atoms/cm3であり、抵抗率は10Ω・cmである。
発明例1におけるシリコンウェーハに替えて、4インチの3C−SiC基板を用い、3C−SiC基板の表層部は改質層を形成しなかった以外は、発明例1と同様にして、従来例1に係る積層基板を作製した。
発明例1における改質層の形成に替えて、スパッタ成膜法により酸化ストロンチウム(SrO)層を形成した以外は、発明例1と同様にして、比較例1に係る積層基板を作製した。なお、酸化ストロンチウム層の成膜にあたり、基板温度を800℃に維持した状態で、チャンバ内を10.2Paとし、ArによりSrOターゲットをスパッタリングして酸化ストロンチウム層を成膜した。
発明例1における改質層の形成に替えて、スパッタ成膜法により酸化カルシウム層(CaO)を形成した以外は、発明例1と同様にして、比較例2に係る積層基板を作製した。なお、酸化カルシウム層の成膜にあたり、基板温度を800℃に維持した状態で、チャンバ内を10.3Paとし、ArによりCaOターゲットをスパッタリングして酸化カルシウム層を成膜した。
発明例1において改質層を形成しなかった以外は、発明例1と同様にして、比較例3に係る積層基板を作製した。
発明例1、従来例1および比較例1〜3のそれぞれの積層基板に対して、ラマン分光法により分光分析を行った。発明例1、従来例1および比較例1〜2のいずれも、sp3構造を示すDバンドが検出され、単結晶ダイヤモンドが形成されていることを確認した。一方、比較例3では、sp2構造を示すGバンド(1580cm−1)のスペクトルが検出された。
発明例1、従来例1および比較例1〜2のそれぞれの積層基板に対して、膜厚均一性を評価するために、図3に示すP1〜P5のそれぞれの位置における単結晶ダイヤモンド層の膜厚を分光エリプソ法を用いて測定した。なお、図3におけるP1はウェーハのノッチ側のエッジ(すなわち、切り欠きがないと仮定した場合のウェーハエッジ位置)から、ウェーハの中心方向へ1mm内側の位置である。そして、P2〜P4は、P1をウェーハ中心位置から反時計回りに90度ずつ回転させた位置であり、P5はウェーハ中心位置である。結果を、下記の表1に示す。なお、比較例3に関しては、単結晶ダイヤモンド膜を形成できなかったため、膜厚測定を実施しなかった。そのため、表中には「−」(測定不可)と記載している。
さらに、発明例1および従来例1の単結晶ダイヤモンド層の結晶性を、ラマン分光法により評価した。ラマンスペクトルにおける1333cm−1の位置での半値幅(FWHM)を発明例1と従来例1とで比較したところ、発明例1の半値幅は従来例1より狭く、結晶性が良いことが確認された。この結果は、単結晶ダイヤモンド層の下方の3C−SiC領域における欠陥密度の違いが反映したと考えられる。すなわち、COPフリーのシリコンウェーハに形成した3C−SiCからなる改質層は、3C−SiC基板よりも欠陥が少ないからであると考えられる。
12 改質層
20 酸化マグネシウム層
30 イリジウム層
40 単結晶ダイヤモンド層
100 積層基板
200 積層基板
Claims (5)
- シリコン基板の表層部に、3C−SiCからなる改質層を形成する改質層形成工程と、
前記シリコン基板の前記改質層側の表面に、酸化マグネシウム層を形成する酸化マグネシウム層形成工程と、
前記酸化マグネシウム層の上に、単結晶ダイヤモンド層を形成する単結晶ダイヤモンド層形成工程と、を含み、
前記改質層形成工程において、前記シリコン基板を炭化水素ガス雰囲気下にて、1000℃以上1300℃以下の温度で30分以上炭化処理することにより前記改質層を形成することを特徴とする積層基板の製造方法。 - 前記単結晶ダイヤモンド層形成工程に先立ち、前記酸化マグネシウム層の上にイリジウム層を形成するイリジウム層形成工程を更に含む、請求項1に記載の積層基板の製造方法。
- シリコン基板と、
該シリコン基板の表面に設けられた酸化マグネシウム層と、
該酸化マグネシウム層の上に設けられた単結晶ダイヤモンド層と、を有する積層基板であって、
前記シリコン基板は、前記表面側の表層部に、3C−SiCからなる改質層を有することを特徴とする積層基板。 - 前記酸化マグネシウム層と、前記単結晶ダイヤモンド層との間に、イリジウム層を有する、請求項3に記載の積層基板。
- 前記シリコン基板は、COPを含まないシリコンウェーハである請求項3または4に記載の積層基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016123745A JP6569605B2 (ja) | 2016-06-22 | 2016-06-22 | 積層基板の製造方法および積層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016123745A JP6569605B2 (ja) | 2016-06-22 | 2016-06-22 | 積層基板の製造方法および積層基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017226573A JP2017226573A (ja) | 2017-12-28 |
JP6569605B2 true JP6569605B2 (ja) | 2019-09-04 |
Family
ID=60890983
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6569605B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7487702B2 (ja) | 2021-04-26 | 2024-05-21 | 信越半導体株式会社 | 単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0658891B2 (ja) * | 1987-03-12 | 1994-08-03 | 住友電気工業株式会社 | 薄膜単結晶ダイヤモンド基板 |
JP2895179B2 (ja) * | 1990-08-04 | 1999-05-24 | 財団法人ファインセラミックスセンター | ダイヤモンド単結晶薄膜の気相合成方法 |
JPH05213695A (ja) * | 1992-02-03 | 1993-08-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド薄膜の堆積方法 |
JP2011079683A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
JP5377212B2 (ja) * | 2009-10-13 | 2013-12-25 | 信越化学工業株式会社 | 単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 |
-
2016
- 2016-06-22 JP JP2016123745A patent/JP6569605B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017226573A (ja) | 2017-12-28 |
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