JPWO2015199180A1 - ダイヤモンド基板の製造方法、ダイヤモンド基板、及び、ダイヤモンド複合基板 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
以下、本発明の実施形態(以下「本実施形態」と記す)についてさらに詳細に説明する。なお、図面において、同一の参照符号は、同一部分又は相当部分を表すものである。また、長さ、幅、厚さ、深さ等の寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表すものではない。
図1(A)〜(C)は、本実施形態のダイヤモンド基板50の製造方法を工程順に示す断面図である。本実施形態のダイヤモンド基板50の製造方法は、ダイヤモンド種基板10の主面11にイオンを注入することによりダイヤモンド種基板10の主面11側にイオン注入層15を形成する工程(以下、イオンの注入工程ともいう)と、イオンを注入した後にダイヤモンド種基板10の主面11にダイヤモンド成長層20を気相合成法により成長させることによりダイヤモンド構造体30を作製する工程(以下、ダイヤモンド成長層の成長工程ともいう)と、ダイヤモンド構造体30に対して熱処理を行う工程(以下、熱処理工程ともいう)とを備える。これにより、大面積のダイヤモンド基板を短時間且つ低コストで製造できる。本実施形態のダイヤモンド基板50の製造方法は、以下に特別に言及する場合を除き、ダイヤモンド基板が単結晶であっても多結晶であっても、好適に適用される。
イオンの注入工程では、ダイヤモンド種基板10の主面11にイオンを注入する。これにより、ダイヤモンド種基板10の主面11側にはイオン注入層15が形成される(図1(A))。
ダイヤモンド種基板10は、単結晶であっても多結晶であっても良い。単結晶のダイヤモンド基板を製造する場合は単結晶のダイヤモンド種基板を用いることが好ましい。多結晶のダイヤモンド基板を製造する場合は多結晶のダイヤモンド種基板を用いることが好ましい。単結晶のダイヤモンド種基板10としては、例えばIb型のダイヤモンド基板、IIa型のダイヤモンド基板、気相合成法(例えばCVD(化学気相堆積)法)により形成されたダイヤモンド基板が挙げられる。多結晶のダイヤモンド種基板10としては、気相合成法(例えばCVD法)により形成されたダイヤモンド基板が挙げられる。
上記のように、ダイヤモンド成長層20の成長温度は非常に高いために、ダイヤモンド成長層20の成長中に、イオンが注入されたダイヤモンド種基板10において局部的に剥離が始まり、クラックが発生して、ダイヤモンド基板50を形成した後に、イオン注入層15からきれいにダイヤモンド基板50を分離できないことがある。そこで、ダイヤモンド成長層20の成長温度以下では、剥離が始まらないようにするため、ダイヤモンドの結合を切らないようにイオン注入条件を特定するとともに、原子半径が小さく炭素を結合を切らない、あるいは炭素と結びつきやすい親和性の高い原子をイオン注入原子として選定することが好ましい。
イオンの注入工程後のダイヤモンド成長層の成長工程では、ダイヤモンド種基板10の主面11にダイヤモンド成長層20を気相合成法により成長させる。気相成長法により、単結晶のダイヤモンド種基板10の主面11上に単結晶のダイヤモンド成長層20がエピタキシャル成長し、多結晶のダイヤモンド種結晶の主面11上に多結晶のダイヤモンド成長層20がエピタキシャル成長する。これにより、単結晶または多結晶のダイヤモンド構造体30を作製できる。
ダイヤモンド成長層の成長工程後の熱処理工程では、ダイヤモンド構造体30に対して熱処理を行う。この熱処理により、注入されたイオンは、イオン注入層15内において平面状に集合し、気泡となる。
熱処理温度は、1000℃以上2000℃以下であることが好ましい。熱処理温度が1000℃以上であれば、注入されたイオンは、イオン注入層15内において平面状に集合し易くなり、また、気泡となり易くなる。これにより、イオン注入層15では、微小な空隙が二次元的に広がって形成され易くなる。また、熱処理温度が1000℃以上であれば、ダイヤモンド結晶構造を構成する炭素原子間の結合が切断され易くなる。これらのことから、ダイヤモンド基板50の剥離が起こり易くなる。
以下では、本実施形態のダイヤモンド基板50の製造方法(上述)にしたがって製造されたダイヤモンド基板50について説明する。上述の製造方法にしたがって製造されたダイヤモンド基板50は、結晶品質が高い。なお、以下に示す構造及び特性を有する限り、本実施形態のダイヤモンド基板50は上述の方法とは異なる方法にしたがって製造されたものであっても良い。
第1面51は、ダイヤモンド成長層20の成長により形成された面である。第2面52は、ダイヤモンド基板50の剥離により形成された面である。そのため、第2面52における第1原子の濃度CHの方が、第1面51における第1原子の濃度よりも高い。なお、上述したように、実際には、ダイヤモンド基板50には第1原子のイオンが以下に示すように分布している。以下に示すような第1原子の分布は、単結晶および多結晶のいずれのダイヤモンド基板50についてもあてはまる。
上述の製造方法、すなわち、イオン注入層を熱処理することで微小な気泡を多数発生させ、そのガス乖離圧により剥離することによりダイヤモンド基板50を製造する時、形成される気泡部分が平坦な領域に、その周辺で強制的に剥離した領域に1nm以上50nm以下の高さを有する凹凸が形成され、網目構造が形成される。この気泡径が3μmより小さいと剥離に必要なガス乖離圧が得られない。そして、気泡径が30μmより大きい場合も、気泡領域は部分的に剥離するが、気泡密度が低くなり、気泡周辺の気泡がない領域が広がるため、剥離が困難となる。従って、この平坦領域の大きさは3μm以上30μm以下であることが好ましい。
図4には、7K以上83K以下の温度範囲で、315nm以上335nm以下の波長範囲にピーク波長を有する励起光を単結晶のダイヤモンド基板50に照射したことにより得られた単結晶のダイヤモンド基板50のフォトルミネッセンス(PL)・スペクトルを模式的に示す。図4に示すように、単結晶のダイヤモンド基板50のフォトルミネッセンス・スペクトルは、第1発光ピーク101と、第2発光ピーク102とを含む。
(第1発光ピーク101のピーク高さI1)
=(頂点Pにおける発光強度)−(第1発光ピーク101の裾野における発光強度)。
(第2発光ピーク102のピーク高さI2)
=(頂点Qにおける発光強度)−(頂点Qにおける波長での第1発光ピーク101の発光強度)。
図5には、横軸を波長とし縦軸を吸収係数とする単結晶のダイヤモンド基板50の吸収スペクトルを模式的に示す。図5に示すように、単結晶のダイヤモンド基板50の吸収スペクトルは、265nm以上275nm以下の波長範囲に吸収ピーク波長を有する第1吸収ピーク111と、370nm以上390nm以下の波長範囲に吸収ピーク波長を有する第2吸収ピーク112とを含む。第2吸収ピーク112のピーク高さα2は、第1吸収ピーク111のピーク高さα1よりも低く、好ましくはピーク高さα1の0.5倍(1/2倍)未満である。
上述したように、ダイヤモンド構造体30が導電性を有していても、ダイヤモンド構造体30に対して上述の熱処理を行えばダイヤモンド基板50を剥離できる。そのため、ダイヤモンド基板50は、導電性を示す10-5Ω・cm以上10-2Ω・cm以下、絶縁性を示す106Ω・cm以上109Ω・cm以下、若しくはその中間の抵抗率を有する層を備えることができる。また、ダイヤモンド基板50全体が、導電性を示す10-5Ω・cm以上10-2Ω・cm以下、絶縁性を示す106Ω・cm以上109Ω・cm以下、若しくはその中間の抵抗率を有することができる。どちらの場合であっても、後述の熱処理を行うことによってダイヤモンド基板50を剥離できる。
ダイヤモンド基板50をデバイス用基板として用いることができる。例えば、ダイヤモンド基板50の第1面51又は第2面52に、不純物がドープされたダイヤモンド成長層又は表面が水素原子で終端されたダイヤモンド層を形成する。その後、電極等を形成する。これにより、電子デバイス(例えば、パワー半導体素子又は高周波半導体素子等の半導体装置、紫外線発光装置、電子放出源、磁気センサー、又は、生体センサー等)を製造できる。
図6は、本実施形態のダイヤモンド複合基板70の断面図である。ダイヤモンド複合基板70は、ダイヤモンド基板50と、ダイヤモンド基板50の第2面52に形成されたエピタキシャル層60とを備える。エピタキシャル層60の形成方法及びその材料は特に限定されない。ダイヤモンド基板50を低コスト且つ短時間で製造できるので、ダイヤモンド基板50を含むダイヤモンド複合基板70を低コスト且つ短時間で製造できる。ここで、ダイヤモンド複合基板70のダイヤモンド基板50は、単結晶であっても、多結晶であっても良い。
まず、ダイヤモンド種基板を作製した。具体的には、高温高圧法によって作製されたIb型のダイヤモンド基板(厚さが0.3mm)を準備した。そのダイヤモンド基板の上面に、CVD法によって単結晶CVDダイヤモンド層(厚さが0.2mm)を形成した。ここで、上述のダイヤモンド基板の上面は、面方位(001)に対するオフ角が5度以下である面であった。その後、ダイヤモンド砥粒を用いて、形成された単結晶CVDダイヤモンド層の表面を研磨した。このようにしてCVDダイヤモンド基板(ダイヤモンド種基板)が得られた。得られたCVDダイヤモンド基板では、Ib型のダイヤモンド基板の厚さは0.3mmであり、単結晶CVDダイヤモンド層の厚さは0.2mmであった。
(イオン注入の条件)
イオンの種類:水素イオン(H+)
イオンの注入エネルギー:90keV
イオンの注入量:7×1017cm-2。
(剥離の条件)
処理温度:1000℃
処理時間:1時間
処理雰囲気:真空雰囲気(1×10-3Pa)
酸素ガスの分圧:1×10-8Pa
その後、硝酸と硫酸とを1:3の割合(体積比)で混合し、得られた混酸を用いた200℃でのエッチングを単結晶ダイヤモンド基板の剥離面に対して2時間、行った。これにより、剥離面の算術平均粗さRaが5nm以下である単結晶ダイヤモンド基板が得られた。
ダイヤモンド種基板の種類、主面の大きさ若しくは主面における窒素濃度、注入されるイオンの種類、イオンの注入エネルギー、イオンの注入量、または剥離の方法若しくは条件を表1に示すように変更したことを除いては上記実施例1と同様の方法にしたがって単結晶ダイヤモンド基板を製造した。
上記実施例1で用いたIb型のダイヤモンド基板をダイヤモンド種基板として準備した。
(イオン注入の条件)
イオンの種類:炭素イオン(C+)
イオンの注入エネルギー:350keV,280keV
イオンの注入量:1.2×1016cm-2,4×1015cm-2。
主面の直径が2インチ(50.8mm)であるIb型のダイヤモンド基板をダイヤモンド種基板として用いたことを除いては上記比較例1に記載の方法にしたがって、単結晶ダイヤモンド基板を製造した。
結果を表1に示す。表1において「Ib型+CVD層」とは単結晶のCVDダイヤモンド種基板を表す。
まず、ダイヤモンド種基板を作製した。具体的には、下地基板として、熱フィラメントCVD法によって作製された多結晶ダイヤモンド基板(直径が152.4mm(6インチ径)、厚さが0.3mm、主面における多結晶の各結晶の平均粒径が30μm)を準備した。その多結晶ダイヤモンド基板の上面に、マイクロ波プラズマCVD法によって多結晶CVDダイヤモンド層(厚さが0.2mm)を形成した。その後、ダイヤモンド砥粒を用いて、形成された多結晶CVDダイヤモンド層を表面から0.1mmの深さまで研磨した。このようにして多結晶のCVDダイヤモンド基板(ダイヤモンド種基板)が得られた。得られた多結晶のCVDダイヤモンド基板の厚さは0.4mmであった。多結晶ダイヤモンドCVD層側の主面における多結晶の各結晶の平均粒径は、SEMにより測定したところ、30μm以上であった。
(イオン注入の条件)
イオンの種類:水素イオン(H+)
イオンの注入エネルギー:90keV
イオンの注入量:7×1017cm-2。
(剥離の条件)
処理温度:1000℃
処理時間:1時間
処理雰囲気:真空雰囲気(1×10-2Pa)
酸素ガスの分圧:1×10-5Pa。
ダイヤモンド種基板の主面の大きさ、主面における多結晶の各結晶の平均粒径若しくは主面における窒素濃度、注入されるイオンの種類、イオンの注入エネルギー、イオンの注入量、または剥離の方法若しくは条件を表2に示すように変更したことを除いては上記実施例1と同様の方法にしたがって多結晶ダイヤモンド基板を製造した。
上記実施例8で用いた多結晶のCVDダイヤモンド基板をダイヤモンド種基板として準備した。
(イオン注入の条件)
イオンの種類:炭素イオン(C+)
イオンの注入エネルギー:350keV,280keV
イオンの注入量:1.2×1016cm-2,4×1015cm-2。
結果を表2に示す。表2において「下地+CVD層」とは多結晶のCVDダイヤモンド種基板を表す。
Claims (22)
- ダイヤモンド種基板の主面にイオンを注入することにより、前記ダイヤモンド種基板の主面側にイオン注入層を形成する工程と、
前記イオンを注入した後に前記ダイヤモンド種基板の前記主面にダイヤモンド成長層を気相合成法により成長させることにより、ダイヤモンド構造体を作製する工程と、
前記ダイヤモンド構造体に対して熱処理を行う工程と、を備え、
前記熱処理を行うことにより、前記ダイヤモンド構造体は、前記イオン注入層において、前記ダイヤモンド成長層を含まないが前記ダイヤモンド種基板を含む第1構造体と、前記ダイヤモンド成長層を含むダイヤモンド基板とに分離されるダイヤモンド基板の製造方法。 - 前記イオンは、水素原子、ヘリウム原子、窒素原子、酸素原子およびアルゴン原子からなる群から選ばれる1種類の原子のイオンを含む請求項1に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記イオンの注入は、イオン注入エネルギーが10keV以上500keV以下で、イオン注入深さが3μm以下である請求項1または請求項2に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記イオンの注入量は、1×1016cm-2以上1×1018cm-2以下である請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記熱処理は、酸素ガスを10ppm以上1000ppm以下の濃度で含有する不活性ガス雰囲気下および酸素ガスを1×10-8Pa以上1×10-5Pa以下の分圧で含有する1×10-8Pa以上1×10-2Pa以下の真空雰囲気下のいずれかにおいて行なう請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記ダイヤモンド種基板の前記主面における窒素濃度が100ppm以下である請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記ダイヤモンド種基板は、気相合成法により成長されたものである請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記ダイヤモンド種基板は前記イオン注入層を除く部分に10-5Ω・cm以上109Ω・cm以下の抵抗率を有する層を備える、又は、前記ダイヤモンド種基板の抵抗率が10-5Ω・cm以上109Ω・cm以下である請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記ダイヤモンド種基板は単結晶であり、前記ダイヤモンド成長層は単結晶である請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記ダイヤモンド種基板は多結晶であり、前記ダイヤモンド成長層は多結晶である請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 前記ダイヤモンド種基板の前記主面における前記多結晶の各結晶の平均粒径は30μm以上である請求項10に記載のダイヤモンド基板の製造方法。
- 請求項1〜請求項11のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板の製造方法にしたがって製造されたダイヤモンド基板。
- 単結晶のダイヤモンド基板であって、
7K以上83K以下の温度範囲で、315nm以上335nm以下の波長範囲にピーク波長を有する励起光を前記ダイヤモンド基板に照射したことにより得られた前記ダイヤモンド基板のフォトルミネッセンス・スペクトルは、450nm以上650nm以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する第1発光ピークと、570nm以上580nm以下の波長範囲に発光ピーク波長を有する第2発光ピークとを含み、
前記第1発光ピークは、50nm以上の半値全幅を有し、
前記第2発光ピークは、10nm以下の半値全幅を有し、
前記第1発光ピークのピーク高さは、前記第2発光ピークのピーク高さの0.1倍以上であるダイヤモンド基板。 - 単結晶のダイヤモンド基板であって、
横軸を波長とし縦軸を吸収係数とする前記ダイヤモンド基板の吸収スペクトルは、265nm以上275nm以下の波長範囲に吸収ピーク波長を有する第1吸収ピークと、370nm以上390nm以下の波長範囲に吸収ピーク波長を有する第2吸収ピークとを含み、
前記第2吸収ピークのピーク高さは、前記第1吸収ピークのピーク高さよりも低いダイヤモンド基板。 - 多結晶のダイヤモンド基板であって、
前記ダイヤモンド基板は気相合成法で得られたものであり、
前記ダイヤモンド基板の前記多結晶の各結晶の平均粒径は30μm以上であるダイヤモンド基板。 - 第1面と、
前記第1面とは反対側に位置する第2面と、を備えるダイヤモンド基板であって、
前記第2面は、前記第1面よりも、ダイヤモンド結晶構造を構成する原子とは異なる第1原子の濃度が高く、
前記第1原子の濃度は、前記第2面から前記ダイヤモンド基板の厚さ方向に沿って前記ダイヤモンド基板の内部へ進むにつれて減少し、
前記第2面における前記第1原子の濃度は、前記ダイヤモンド基板の内部における前記第1原子の濃度の100倍以上である請求項13〜請求項15のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板。 - 前記第2面の少なくとも一部には、1nm以上50nm以下の高さを有する凹凸が平坦な領域を囲むことにより形成された網目構造が形成されており、
前記第2面における前記平坦な領域の大きさは、3μm以上30μm以下である請求項16に記載のダイヤモンド基板。 - 前記第2面は、物理的に研磨されている請求項13〜請求項15のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板。
- 厚さが100μm以上1500μm以下である請求項13〜請求項18のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板。
- 直径が50.8mm以上である請求項13〜請求項19のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板。
- 10-5Ω・cm以上109Ω・cm以下の抵抗率を有する層を有する、又は、10-5Ω・cm以上109Ω・cm以下の抵抗率を有する基板である請求項13〜請求項20のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板。
- 請求項13〜請求項15のいずれか1項に記載のダイヤモンド基板と、
前記ダイヤモンド基板の第1面および前記第1面とは反対側に位置する第2面のうちの少なくとも1つの面にエピタキシャル成長により形成されたエピタキシャル層と、を備えたダイヤモンド複合基板。
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JP6679022B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2020-04-15 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド基板の製造方法 |
JP7161158B2 (ja) * | 2016-07-14 | 2022-10-26 | アダマンド並木精密宝石株式会社 | ダイヤモンド基板層の製造方法 |
EP3373052A1 (de) * | 2017-03-06 | 2018-09-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Halbzeug, verfahren zu dessen herstellung und damit hergestellte komponente |
WO2020067292A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 日本ラボグロウンダイヤモンド株式会社 | 多色ダイヤモンド及びその製造方法 |
CN109461656A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-03-12 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 半导体器件制造方法 |
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CN113260506A (zh) | 2019-01-09 | 2021-08-13 | 瓦林格创新股份有限公司 | 生产单板元件的方法和单板元件 |
GB201904435D0 (en) * | 2019-03-29 | 2019-05-15 | Element Six Tech Ltd | Single crystal synthetic diamond material |
GB201904434D0 (en) * | 2019-03-29 | 2019-05-15 | Element Six Tech Ltd | Polycrystalline synthetic diamond material |
CA3163682C (en) * | 2019-12-08 | 2024-01-02 | Plasmability, Llc | Method of growing single crystal diamond assisted by polycrystalline diamond growth |
JP2020073447A (ja) * | 2020-01-21 | 2020-05-14 | 信越化学工業株式会社 | ダイヤモンド基板及びダイヤモンド自立基板 |
KR102400579B1 (ko) * | 2020-05-29 | 2022-05-23 | 한국과학기술연구원 | 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법 |
CN113314634A (zh) * | 2020-07-23 | 2021-08-27 | 中天光伏材料有限公司 | 一种具有下转换功能的太阳能电池背板及其制备方法 |
TWI760145B (zh) * | 2021-03-12 | 2022-04-01 | 合晶科技股份有限公司 | 供磊晶成長的複合基板及其製作方法 |
JP2023071085A (ja) * | 2021-11-10 | 2023-05-22 | 信越化学工業株式会社 | 下地基板及び単結晶ダイヤモンド積層基板並びにそれらの製造方法 |
WO2024053384A1 (ja) * | 2022-09-07 | 2024-03-14 | 信越化学工業株式会社 | 下地基板及び単結晶ダイヤモンド積層基板並びにそれらの製造方法 |
CN117425115B (zh) * | 2023-12-19 | 2024-02-27 | 北京沃尔德金刚石工具股份有限公司 | 一种多层金刚石振膜及其制备方法与应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006210660A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP2007112637A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの加工方法 |
JP2008526682A (ja) * | 2005-01-11 | 2008-07-24 | アポロ ダイヤモンド,インク | ダイヤモンド製医療装置 |
JP2010222252A (ja) * | 2001-12-14 | 2010-10-07 | Element Six Ltd | ホウ素ドーピングされたダイヤモンド |
JP2011061084A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 貼り合わせ基板の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2034361A (en) * | 1929-03-23 | 1936-03-17 | Roy C Sutton | Alkaline detergent powder and method of making the same |
JPH08757B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1996-01-10 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンドおよびその気相合成法 |
US5127983A (en) | 1989-05-22 | 1992-07-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing single crystal of high-pressure phase material |
US4981818A (en) * | 1990-02-13 | 1991-01-01 | General Electric Company | Polycrystalline CVD diamond substrate for single crystal epitaxial growth of semiconductors |
GB0130004D0 (en) * | 2001-12-14 | 2002-02-06 | Diamanx Products Ltd | Coloured diamond |
WO2005080645A2 (en) * | 2004-02-13 | 2005-09-01 | Apollo Diamond, Inc. | Diamond structure separation |
US8316797B2 (en) * | 2008-06-16 | 2012-11-27 | Board of Trustees of Michigan State University Fraunhofer USA | Microwave plasma reactors |
JP5621291B2 (ja) | 2010-03-23 | 2014-11-12 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンドの剥離方法及び剥離装置 |
JP2012086988A (ja) | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの剥離方法 |
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JP2008526682A (ja) * | 2005-01-11 | 2008-07-24 | アポロ ダイヤモンド,インク | ダイヤモンド製医療装置 |
JP2006210660A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP2007112637A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの加工方法 |
JP2011061084A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 貼り合わせ基板の製造方法 |
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