CN117425115B - 一种多层金刚石振膜及其制备方法与应用 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及声学膜材料技术领域，具体公开了一种多层金刚石振膜及其制备方法与应用。本申请提供的多层金刚石振膜层级结构如A(BC)n所示；A为基底层，晶体粒度为0.5μm‑2μm；B为生长层，晶体粒度为5μm‑20μm；C为填充层，晶体粒度为5nm‑50nm；所述n为1‑5；所述多层金刚石振膜的表面粗糙度为0.5μm‑1μm；所述金刚石振膜在100‑1000hz频段下的声压级≥105dB，在1000‑10000hz频段下的声压级≥95dB；本申请还提供了上述多层金刚石振膜的制备方法。本申请提供的多层金刚石振膜厚度均匀、表面粗糙度低、谐振与气动阻尼小，因此具备优异的声音传播速度与传播质量。
Description
技术领域
本申请涉及声学膜材料技术领域，具体涉及一种多层金刚石振膜及其制备方法与应用。
背景技术
在蓝牙耳机、小型音响等产品领域，声音传播速度和薄膜的发声清晰度是关键性指标，而薄膜的刚度、内阻尼、重量是影响薄膜品质的关键因子。目前传统的耳机薄膜材料主要有两类，一类是聚合物材料，主要包括聚醚醚酮材料、聚氨酯材料等，其质量较轻、加工较低、并且具备良好的阻尼性能，但是此类材料均存在刚性比较差、杨氏模量较低、传音质量较差的缺点；另一类是金属材料，主要包括铝、镁和钛等金属，但由于金属材料的刚性强，导致加工难度大，而且金属材料的阻尼较低，很容易造成耳机失真比较严重。
近年来，由于金刚石薄膜具有较高的声传播速度和硬度，其能够减少声音传播过程中的能量损耗和失真，因此已有技术采用金刚石薄膜这一特殊材料作为耳机产品的振膜，并且在声音传播速度和发声清晰度方面取得一定效果。然而，目前的多晶金刚石薄膜还存在表面不光滑、厚度不均匀、谐振以及气动阻尼等问题，依然影响声音的传播速度与传播质量。
因此，目前需要提供一种表面光滑、厚度均匀性好、谐振与气动阻尼小的金刚石薄膜，来满足耳机、音响对声音的传播速度与质量的要求。
发明内容
为了提高声音的传播速度与传播质量，本申请提供一种多层金刚石振膜及其制备方法与应用。
第一方面，本申请提供一种多层金刚石振膜，采用如下的技术方案：
一种多层金刚石振膜，所述多层金刚石振膜的层级结构如A(BC)n所示；
A为基底层，晶体粒度为0.5μm-2μm；B为生长层，晶体粒度为5μm-20μm；C为填充层，晶体粒度为5nm-50nm；所述n为1-5；
所述多层金刚石振膜的表面粗糙度为0.5μm-1μm；
所述多层金刚石振膜在100-1000hz频段下的声压级≥105dB，在1000-10000hz频段下的声压级≥95dB。
本申请提供一种多层结构的金刚石振膜，该金刚石振膜由基底层、生长层和填充层构成，其主要通过纳米填充层来填充生长层的缝隙，从而改善金刚石振膜的内部均匀性，显著提高金刚石振膜的声音传播速度与传播质量。此外，本申请通过对金刚石振膜进行表面加工处理，使得金刚石振膜表面粗糙度低至0.5μm-1μm，上述表面粗糙度的金刚石振膜能够进一步减少声音传播过程中的谐振现象以及振膜运动时的气动阻尼，进而提高声音传播质量。
本申请的金刚石振膜与相关技术中的振膜相比，在低、中、高频段下均具备较高的声压级，尤其是在100-1000hz频段下的声压级≥105dB，在1000-10000hz频段下的声压级≥95dB，因此，说明本申请提供的金刚石振膜的声音传播质量好，能够满足更高质量耳机、音响振膜的使用要求。
本申请中，术语“晶体粒度”指的是金刚石晶体粒度。
可选地，所述生长层B的厚度为5μm-20μm，填充层C的厚度为2μm-10μm。
可选地，所述基底层A的厚度为5μm-10μm。
可选地，所述多层金刚石振膜的厚度为20μm-40μm。
可选地，所述多层金刚石振膜的形状为球冠形、圆环形或平面形。
第二方面，本申请提供一种多层金刚石振膜的制备方法，包括以下步骤：生长台预处理、化学气相沉积、脱模、减薄与表面抛光处理；
所述化学气相沉积步骤中，生长层B与填充层C的沉积层数N为3-8；化学气相沉积获得的振膜整体生长总厚度为50μm-70μm；
所述减薄与表面抛光使用冷激光错位阵列加工技术，功率为10W，脉冲＜10ps，频率为200khz-5000khz。
在一些实施方案中，所述化学气相沉积步骤中，生长层B与填充层C的沉积层数N为可以为3-5或5-8。
在一个具体的实施方案中，所述化学气相沉积步骤中，生长层B与填充层C的沉积层数N为还可以为3、5或8。
本申请的发明人通过试验探究发现，首先将化学气相沉积步骤中，振膜整体生长总厚度控制在50μm-70μm范围内，能够避免多层金刚石振膜在后续减薄及抛光的过程中发生碎裂，然后再对金刚石振膜进行减薄及抛光，并将表面抛光的条件控制在上述范围内，能够获得厚度为20μm-40μm、表面光滑、厚度均匀性好、不易碎裂的多层金刚石振膜。
可选地，所述化学气相沉积的微波功率为4KW-5.3KW，压力为120Torr-165Torr。
可选地，所述减薄与表面抛光的功率为10W，脉冲为5ps-8ps，频率为1000khz-5000khz。
在一个具体的实施方案中，所述减薄与表面抛光的脉冲为5ps或8ps。
在一些实施方案中，所述减薄与表面抛光的频率为500khz-1000khz、500khz-3000khz、1000khz-3000khz、1000khz-5000khz或3000khz-5000khz。
在一个具体的实施方案中，所述减薄与表面抛光的频率为500khz、1000khz、3000khz或5000khz。
可选地，所述脱模步骤采用超高精密激光环形切割，功率为10W，脉冲为14ns-18ns，频率为20khz -200khz。
第三方面，本申请提供的多层金刚石振膜在耳机、音响中的应用。
本申请提供的多层金刚石振膜在低频、中频和高频段下均具备优异的声音传播质量，因此能够满足耳机、音响等声学电子产品对振膜的使用要求，具有很好的应用前景。
综上所述，本申请具有以下有益效果：
1. 本申请提供一种多层金刚石振膜，该金刚石振膜由晶体粒度为0.5μm-2μm的基底层、晶体粒度为5μm-20μm的生长层、晶体粒度为5nm-50nm的填充层构成。本申请收下通过化学气相沉积获得整体厚度为50μm-70μm的振膜，然后通过减薄及表面抛光，从而获得了厚度为20μm-40μm、表面光滑、厚度均匀性好、不易碎裂的多层金刚石振膜。
2. 本申请提供的金刚石振膜表面粗糙度低、厚度均匀性好。因此，本申请提供的金刚石振膜在声音传播的过程中能够减少能量损耗与失真，具有优异的声音传播质量，将其用于耳机、音响等，能够提高声音的传播质量与发声清晰度。
3. 本申请通过调整减薄与表面抛光处理的脉冲与频率，并将减薄与表面抛光处理的脉冲控制在≤10ps，频率控制在500khz-5000khz之间，能够获得表面粗糙度0.683-0.714μm的金刚石振膜；进一步地，将减薄与表面抛光处理的脉冲控制为5ps-8ps，频率控制在1000khz-5000khz之间，能够获得表面粗糙度更低（＜0.7μm）、声音传播质量更好的金刚石振膜。
附图说明
图1是本申请获得的金刚石振膜的检测频响曲线；（曲线①为实施例1的金刚石振膜；曲线②为实施例2的金刚石振膜；曲线③为实施例3的金刚石振膜；曲线④为市售振膜）；
图2为实施例1获得的金刚石振膜的照片；
图3为实施例1获得的金刚石振膜的SEM结果；
图4为市售振膜的SEM结果；
图5为实施例1获得的金刚石振膜的三维形貌图。
具体实施方式
本申请提供一种多层金刚石振膜。
上述金刚石振膜的制备方法包括以下步骤：
（1）生长台预处理：对生长台表面抛光，并进行氢气刻蚀去除杂质；然后将生长台放入金刚石微粉溶液中，使用超声波清洗、烘干；再将金刚石微粉（粒度为0.5μm-2μm）均匀涂抹在生长台上，并将生长台放入MPCVD生长设备腔体。
（2）化学气相沉积：
（2-1）基底层：调整MPCVD生长设备的微波频率为2.45GHz，微波功率为4-5.3KW，压力为120-165Torr；然后向设备中充入氢气和甲烷进行基底层生长，使基底层生长至厚度为5μm-20μm。其中，氢气的体积流量为480-520 sccm，甲烷的体积流量为55-65sccm。
（2-2）生长层：向设备中充入气体，气体选自氢气、氧气、甲烷、氮气和氩气中的多种；此时生长层开始沉积，直至生长层的厚度为5μm-20μm，停止通气。
（2-3）填充层：然后更换气体配方，向设备中充入氢气、甲烷和氩气，此时填充层开始沉积，直至填充层的厚度为2μm-10μm，停止通气；其中，氢气的体积流量为10-30 sccm，甲烷的体积流量为2-5sccm，氩气的体积流量为45-55sccm。
（2-4）重复进行上述（2-2）~（2-3）步骤，使得生长层与填充层的层数N为3-8。
（3）脱模：通过超高精密冷激光沿生长台周边进行环形切割，使金刚石振膜从生长台上无损脱模，切割功率为10W，脉冲为14ns-18ns，频率为20kHz-200khHz。
（4）表面抛光处理：采用冷激光错位阵列加工技术对金刚石振膜进行减薄与抛光处理，功率为10W，脉冲＜10ps，频率为200kHz-5000kHz。
本申请中，各原料、试剂、溶剂等均可通过商购获得。
以下结合实施例、性能检测试验及附图说明对本申请作进一步详细说明。
实施例1
实施例1提供一种金刚石振膜。
上述金刚石振膜的层级结构为A(BC)3，A基底层的晶体粒度为1-2μm，B生长层的晶体粒度为5-10μm，C填充层的晶体粒度为5-20nm。
上述金刚石振膜的制备方法，包括以下步骤：
（1）生长台预处理：对生长台表面抛光，并进行氢气刻蚀去除杂质；然后将生长台放入金刚石微粉溶液中，使用超声波清洗、烘干；再将金刚石微粉（粒度为1-2μm）均匀涂抹在生长台上，并将生长台放入MPCVD生长设备腔体。
（2）化学气相沉积：
（2-1）基底层：调整MPCVD生长设备的微波频率为2.45GHz，微波功率为5KW，压力为140Torr；然后向设备中充入氢气和甲烷进行基底层生长，使基底层生长至厚度为5μm。其中，氢气的体积流量为500 sccm，甲烷的体积流量为60 sccm。
（2-2）生长层：向设备中充入氢气、甲烷和氩气，此时生长层开始沉积，直至生长层的厚度为10μm，停止通气；其中，氢气的体积流量为300 sccm，甲烷的体积流量为15 sccm，氩气的体积流量为7.5sccm。
（2-3）填充层：然后更换气体配方，向设备中充入氢气、甲烷和氩气，此时填充层开始沉积，直至填充层的厚度为5μm，停止通气；其中，氢气的体积流量为10 sccm，甲烷的体积流量为2sccm，氩气的体积流量为50sccm。
（2-4）重复进行上述（2-2）~（2-3）步骤，使得生长层与填充层的层数N为3，金刚石振膜的厚度为50μm。
（3）脱模：通过超高精密冷激光沿生长台周边进行环形切割，使金刚石振膜从生长台上无损脱模，切割功率为10W，脉冲12ns，频率100khz。
（4）表面抛光处理：对金刚石振膜进行减薄与抛光处理，功率为10W，脉冲8ps，频率3000khz，最终获得厚度为25.35μm的金刚石振膜。
实施例2
实施例2提供一种金刚石振膜。
上述实施例与实施例1的不同之处在于：金刚石振膜的层级结构为A(BC)3，A基底层的晶体粒度为1-2μm，B生长层的晶体粒度为10-15μm，C填充层的晶体粒度为20-30nm。
实施例2的金刚石振膜的制备方法中，沉积生长层与填充层时的气体体积流量分别如下：
（2-2）生长层：向设备中充入氢气、氧气、甲烷、氮气和氩气，此时生长层开始沉积，直至生长层的厚度为10μm，停止通气；其中，氢气的体积流量为500 sccm，氧气的体积流量为2 sccm，甲烷的体积流量为20 sccm，氮气的体积流量为0.2 sccm，氩气的体积流量为25sccm。
（2-3）填充层：然后更换气体配方，向设备中充入氢气、甲烷和氩气，此时填充层开始沉积，直至填充层的厚度为5μm，停止通气；其中，氢气的体积流量为20 sccm，甲烷的体积流量为3.5sccm，氩气的体积流量为50sccm。
实施例3
实施例3提供一种金刚石振膜。
上述实施例与实施例1的不同之处在于：金刚石振膜的层级结构为A(BC)3，A基底层的晶体粒度为1-2μm，B生长层的晶体粒度为15-20μm，C填充层的晶体粒度为30-50nm。
实施例3的金刚石振膜的制备方法中，沉积生长层与填充层时的气体体积流量分别如下：
（2-2）生长层：向设备中充入氢气、氧气、甲烷和氮气，此时生长层开始沉积，直至生长层的厚度为10μm，停止通气；其中，氢气的体积流量为500 sccm，氧气的体积流量为2sccm，甲烷的体积流量为20 sccm，氮气的体积流量为0.2 sccm。
（2-3）填充层：然后更换气体配方，向设备中充入氢气、甲烷和氩气，此时填充层开始沉积，直至填充层的厚度为5μm，停止通气；其中，氢气的体积流量为30sccm，甲烷的体积流量为5sccm，氩气的体积流量为50sccm。
实施例4
实施例4提供一种金刚石振膜。
上述实施例与实施例1的不同之处在于：金刚石振膜的层级结构为A(BC)5，A基底层的晶体粒度为1-2μm，B生长层的晶体粒度为5-10μm，C填充层的晶体粒度为5-20nm。
该实施例中，基底层的厚度为5μm，单层生长层的厚度为8μm；单层填充层的厚度为3μm，通过化学气相沉积获得的金刚石振膜的厚度为60μm，通过表面抛光处理后的金刚石振膜的厚度为25μm。
实施例5
实施例5提供一种金刚石振膜。
上述实施例与实施例1的不同之处在于：金刚石振膜的层级结构为A(BC)8，A基底层的晶体粒度为1-2μm，B生长层的晶体粒度为5-10μm，C填充层的晶体粒度为5-20nm。
该实施例中，基底层的厚度为6μm，单层生长层的厚度为6μm；单层填充层的厚度为2μm，通过化学气相沉积获得的金刚石振膜的厚度为70μm，通过表面抛光处理后的金刚石振膜的厚度为25μm。
实施例6
实施例6提供一种金刚石振膜。
上述实施例与实施例1的不同之处在于：金刚石振膜的基底层的厚度为3μm。
实施例7-10
实施例7-10分别提供一种金刚石振膜。
上述实施例与实施例1的不同之处在于：减薄与表面抛光处理的脉冲与频率，具体如下表1所示。
表1 实施例7-10的金刚石振膜的减薄与表面抛光处理参数
对比例1
对比例1提供一种金刚石振膜。
上述对比例与实施例1的不同之处在于：金刚石振膜的层级结构中不包含基底层。
上述金刚石振膜的层级结构为(BC)3，B生长层的晶体粒度为5-10μm，C填充层的晶体粒度为5-20nm。
上述金刚石振膜的制备方法，包括以下步骤：
（1）生长台预处理：对生长台表面抛光，并进行氢气刻蚀去除杂质；然后将生长台放入金刚石微粉溶液中，使用超声波清洗、烘干；再将金刚石微粉（粒度为1-2μm）均匀涂抹在生长台上，并将生长台放入MPCVD生长设备腔体。
（2）化学气相沉积：
（2-1）生长层：调整MPCVD生长设备的微波频率为2.45GHz，微波功率为5KW，压力为140Torr；然后向设备中充入氢气、甲烷和氩气；其中，氢气的体积流量为300 sccm，甲烷的体积流量为15 sccm，氩气的体积流量为7.5sccm。结果发现，生长台上无法生长出金刚石层。
对比例2
对比例2提供一种金刚石振膜。
上述对比例与实施例1的不同之处在于：化学气相沉积步骤中，生长层与填充层的层数N为2。
对比例2的金刚石振膜的层级结构为A(BC)2，A基底层的晶体粒度为1-2μm，B生长层的晶体粒度为5-10μm，C填充层的晶体粒度为5-20nm。
该对比例中，基底层的厚度为5μm，单层生长层的厚度为10μm；单层填充层的厚度为5μm，生长层与填充层的层数N为2，通过化学气相沉积获得的金刚石振膜的厚度为35μm，在进行表面抛光时，该振膜发生破裂。
对比例3
对比例3提供一种金刚石振膜。
上述对比例与实施例1的不同之处在于：金刚石振膜的层级结构。
上述金刚石振膜的层级结构仅包括基底层和填充层，所述基底层的晶体粒度为1-2μm，填充层的晶体粒度为5-20nm。
对比例3的金刚石振膜的制备方法，包括以下步骤：
（1）生长台预处理：对生长台表面抛光，并进行氢气刻蚀去除杂质；然后将生长大宝山区台放入金刚石微粉溶液中，使用超声波清洗、烘干；再将金刚石微粉（粒度为1-2μm）均匀涂抹在生长台上，并将生长台放入MPCVD生长设备腔体。
（2）化学气相沉积：
（2-1）基底层：调整MPCVD生长设备的微波频率为2.45GHz，微波功率为5KW，压力为140Torr；然后向设备中充入体积比为2.82：3.18：94的氢气、甲烷和氩气进行基底层生长，使基底层生长至厚度为5μm。
（2-2）填充层：调整MPCVD生长设备的微波频率为2.45GHz，微波功率为5KW，压力为140Torr；然后向设备中充入氢气、甲烷和氩气，此时填充层开始沉积，直至填充层的厚度为45μm，停止通气，获得厚度为50μm的金刚石振膜；其中，氢气的体积流量为10 sccm，甲烷的体积流量为2sccm，氩气的体积流量为50sccm。
（3）脱模：通过超高精密冷激光沿生长台周边进行环形切割，使金刚石振膜从生长台上无损脱模，切割功率为10W，脉冲12ns，频率100khz。
（4）表面抛光处理：采用冷激光错位阵列加工技术对金刚石振膜进行减薄与抛光处理，功率为10W，脉冲8ps，频率3000khz，最终获得厚度为25μm的金刚石振膜。
对比例4
对比例4提供一种金刚石振膜。
上述对比例与实施例1的不同之处在于：对比例4的表面抛光处理的脉冲为13ns。
对比例5
对比例5提供一种金刚石振膜。
上述对比例与实施例1的不同之处在于：对比例5的表面抛光处理的频率为6000khz。
性能检测试验
对实施例1-10及对比例1-5获得的金刚石振膜进行使用性能检测，结果如下表2所示。
（1）表面粗糙度：对实施例1的金刚石振膜与市售的耳机振膜（型号为TC378-B165001）进行SEM扫描电镜，实施例1金刚石振膜的SEM结果如图3所示；市售振膜的SEM结果如图4所示。
（2）采用alicona三维形貌测量仪对金刚石振膜的表面粗糙度进行检测。实施例1的金刚石振膜的表面粗糙度为0.687μm，三维形貌如图5所示；其他检测结果如表2所示。
（3）声压级测试：利用吉高CRY6151的频响曲线测试仪对本申请的金刚石振膜以及市售振膜的声音传播质量进行检测；根据测试仪显示的频响曲线，分别获取低频50Hz、中频500Hz与1000hz、高频6000Hz与9000hz下响应的声压级SPL。
表2 实施例1-10、对比例1-5获得的金刚石振膜及市售振膜的性能检测结果
根据表2的检测结果可知，本申请实施例1-10获得的金刚石振膜的表面粗糙度低，为0.5μm-1μm，并且其在低频、中频和高频下均具有较高的响应声压级；而市售振膜的表面粗糙度高达1.204μm，并且其9000hz高频下响应的声压级仅为93dB。因此，说明本申请提供的金刚石振膜具备更加优异的表面粗糙度与声音传播质量，能够满足高端耳机、音响等电子产品对振膜的使用要求。
实施例1-5、对比例1-3的检测结果可知，实施例1-5能够获得表面粗糙度低、声音传播质量好的金刚石振膜；而对比例1直接在生长台沉积生长层时，由于生长台表面光滑，生长层的工艺条件导致生长台表面无法生长金刚石。而对比例2将化学沉积获得的金刚石振膜的总厚度控制为35μm，然后再对其进行减薄时，金刚石振膜发生破裂。对比例3是直接在基底层表面生长纳米金刚石层，也就是获得的金刚石振膜为全纳米结构，但是该金刚石振膜在减薄与表面抛光处理过程中发生碎裂。因此，说明本申请的金刚石振膜需要同时包含基体层、生长层与填充层，并且在化学气相沉积后，其振膜的整体总厚度需要控制在50μm-70μm范围内，才能避免金刚石振膜在后续减薄及表面抛光的过程中发生碎裂，保证金刚石振膜的完整性。
实施例1、实施例7-10、对比例4-5的检测结果可知，减薄与表面抛光处理的脉冲与频率会影响金刚石振膜的表面粗糙度，进而影响金刚石振膜的声音传播质量。实施例1、实施例7-10将减薄与表面抛光处理的脉冲控制在≤10ps，频率控制在500khz-5000khz之间，能够获得表面粗糙度0.683-0.714μm的金刚石振膜；而对比例4-5分别采用脉冲为13ns、频率为6000khz的条件进行减薄与表面抛光处理，结果金刚石振膜发生碎裂。因此，说明本申请将减薄与表面抛光处理的脉冲控制在≤10ps，频率控制在500khz-5000khz之间，能够获得表面粗糙度优异的金刚石振膜。进一步对比发现，实施例1、实施例7、实施例9-10将减薄与表面抛光处理的脉冲控制为5ps-8ps，频率控制在1000khz-5000khz之间，获得的金刚石振膜的表面粗糙度＜0.7μm，并且低频、中频、高频下响应的声压级均≥115dB。而实施例8的减薄与表面抛光处理的频率为500khz时，所得金刚石振膜的表面粗糙度为0.714μm，中频500Hz下响应的声压级仅为114dB。因此，说明本申请进一步将减薄与表面抛光处理的脉冲控制为5ps-8ps，频率控制在1000khz-5000khz之间，能够获得表面粗糙度更低、声音传播质量更好的金刚石振膜。
虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
Claims (10)
1.一种多层金刚石振膜，其特征在于，所述多层金刚石振膜的层级结构如A(BC)n所示；
A为基底层，金刚石晶体粒度为0.5μm-2μm；B为生长层，金刚石晶体粒度为5μm-20μm；C为填充层，金刚石晶体粒度为5nm-50nm；所述n为1-5；
所述多层金刚石振膜的表面粗糙度为0.5μm-1μm；
所述多层金刚石振膜在100-1000hz频段下的声压级≥105dB，在1000-10000hz频段下的声压级≥95dB。
2.根据权利要求1所述的多层金刚石振膜，其特征在于，所述生长层B的厚度为5μm-20μm，填充层C的厚度为2μm-10μm。
3.根据权利要求1所述的多层金刚石振膜，其特征在于，所述基底层A的厚度为5μm-10μm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的多层金刚石振膜，其特征在于，所述多层金刚石振膜的厚度为20μm-40μm。
5.一种如权利要求1-4中任一项所述的多层金刚石振膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：生长台预处理、化学气相沉积、脱模、减薄与表面抛光处理；
所述化学气相沉积步骤中，生长层B与填充层C的沉积层数N为3-8；化学气相沉积获得的振膜整体生长总厚度为50μm-70μm；
所述减薄与表面抛光使用冷激光错位阵列加工技术，功率为10W，脉冲＜10ps，频率为200khz-5000khz。
6.根据权利要求5所述的多层金刚石振膜的制备方法，其特征在于，所述气相沉积步骤中，生长层B与填充层C的沉积层数N为5-8。
7.根据权利要求5所述的多层金刚石振膜的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积的微波功率为4KW-5.3KW，压力为120Torr-165Torr。
8.根据权利要求5所述的多层金刚石振膜的制备方法，其特征在于，所述减薄与表面抛光的功率为10W，脉冲为5ps-8ps，频率为1000khz-5000khz。
9.根据权利要求5所述的多层金刚石振膜的制备方法，其特征在于，所述脱模步骤采用超高精密激光环形切割，功率为10W，脉冲为14ns-18ns，频率为20khz-200khz。
10.一种如权利要求1-4中任一项所述的多层金刚石振膜以及权利要求5-9中任一项所述的多层金刚石振膜的制备方法获得的多层金刚石振膜在耳机或音响中的应用。
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