JPH03145900A - スピーカー用振動板 - Google Patents
スピーカー用振動板Info
- Publication number
- JPH03145900A JPH03145900A JP1285783A JP28578389A JPH03145900A JP H03145900 A JPH03145900 A JP H03145900A JP 1285783 A JP1285783 A JP 1285783A JP 28578389 A JP28578389 A JP 28578389A JP H03145900 A JPH03145900 A JP H03145900A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diamond
- diaphragm
- intermediate layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 41
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 19
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 carbon ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
- H04R7/12—Non-planar diaphragms or cones
- H04R7/127—Non-planar diaphragms or cones dome-shaped
-
- G—PHYSICS
- G10—MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
- G10K—SOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G10K13/00—Cones, diaphragms, or the like, for emitting or receiving sound in general
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
- H04R7/12—Non-planar diaphragms or cones
- H04R7/122—Non-planar diaphragms or cones comprising a plurality of sections or layers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2307/00—Details of diaphragms or cones for electromechanical transducers, their suspension or their manufacture covered by H04R7/00 or H04R31/003, not provided for in any of its subgroups
- H04R2307/023—Diaphragms comprising ceramic-like materials, e.g. pure ceramic, glass, boride, nitride, carbide, mica and carbon materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はダイヤモンド状物質からなるスピーカー用振
動板に関し、振動板を三層構層とし、その中間層をポー
ラス状のダイヤモンド状物質から構成することにより、
音響変換能率を高めるとともに高音域での共振を抑える
ようにしたものである。
動板に関し、振動板を三層構層とし、その中間層をポー
ラス状のダイヤモンド状物質から構成することにより、
音響変換能率を高めるとともに高音域での共振を抑える
ようにしたものである。
いわゆるダイヤモンド製スピーカー用振動板としては、
特公昭55−33237号公報や特開昭59−1434
98号公報などに開示されたものがある。
特公昭55−33237号公報や特開昭59−1434
98号公報などに開示されたものがある。
前者のダイヤモンド製振動板は、炭素イオンのイオンビ
ーム蒸着法によって得られたもので、結晶構造や物理的
性質がダイヤモンドに近い炭素成形膜からなるものであ
る。また、後者のダイヤモンド製振動板はCVD法で得
られたダイヤモンド状炭素膜からなるものである。
ーム蒸着法によって得られたもので、結晶構造や物理的
性質がダイヤモンドに近い炭素成形膜からなるものであ
る。また、後者のダイヤモンド製振動板はCVD法で得
られたダイヤモンド状炭素膜からなるものである。
これらのダイヤモンド製振動板は、そのヤング率が大き
いことから数IQkHzに至る中・高音域において優れ
た音響特性を有するものであるが、一方においては、比
重が大きいため音響変換能率が低く、また内部損失が小
さいため高音域での共振があり、聴感上好ましくない音
色を出す不都合がある。
いことから数IQkHzに至る中・高音域において優れ
た音響特性を有するものであるが、一方においては、比
重が大きいため音響変換能率が低く、また内部損失が小
さいため高音域での共振があり、聴感上好ましくない音
色を出す不都合がある。
よって、この発明における課題は、いわゆるダイヤセン
ド製スピーカー用振動板において、音響変換能率を高め
るとともに高音域での共振を抑えることにある。
ド製スピーカー用振動板において、音響変換能率を高め
るとともに高音域での共振を抑えることにある。
かかる課題は、振動板を三層構層とし、その中間層をポ
ーラス状のダイヤモンド状物質から構成することにより
解決される。
ーラス状のダイヤモンド状物質から構成することにより
解決される。
振動板全体の比重が小さくなるので、音響変換能率が向
上する。また、適度の内部損失を持つようになるので、
高音域で共振が抑えられる。
上する。また、適度の内部損失を持つようになるので、
高音域で共振が抑えられる。
以下、この発明の詳細な説明する。
第1図は、この発明のスピーカー用振動板の一例を示す
もので、図中符号lは、この発明にかかるドーム型のス
ピーカー用振動板である。このスピーカー用振動板lは
、表面層2、中間層3および裏面層4からなる三層構造
となっている。
もので、図中符号lは、この発明にかかるドーム型のス
ピーカー用振動板である。このスピーカー用振動板lは
、表面層2、中間層3および裏面層4からなる三層構造
となっている。
表面層2および裏面層4はともにダイヤモンド状物質の
薄膜から構成されている。
薄膜から構成されている。
この発明におけるダイヤモンド状物質とは、炭素からな
る成形物であって、天然ダイヤモンドと同等のものまた
はその結晶構造がダイヤモンドに近いものあるいはヤン
グ率、密度、誘電率、屈折率、比抵抗などの物理的性質
がダイヤモンドに近い性質を有するものを言い、メタン
ガスなどの炭化水素を原料としてCVD法によって得ら
れる多結晶構造のものやイオンビーム蒸着法、11子ビ
一ム蒸着法、スパッタ法などによって得られるものを示
す。
る成形物であって、天然ダイヤモンドと同等のものまた
はその結晶構造がダイヤモンドに近いものあるいはヤン
グ率、密度、誘電率、屈折率、比抵抗などの物理的性質
がダイヤモンドに近い性質を有するものを言い、メタン
ガスなどの炭化水素を原料としてCVD法によって得ら
れる多結晶構造のものやイオンビーム蒸着法、11子ビ
一ム蒸着法、スパッタ法などによって得られるものを示
す。
また、表面層2および裏面層4は、いずれも中実であっ
て、その内部には空間や空隙がないダイヤモンド状物質
からなっている。さらに、表面層2および裏面層4は、
いずれも1層からなる必要はなく、結晶構造や物理的性
質が若干具なる2層以上のダイヤモンド状物質の薄膜か
らなっていてもよい。表面層2および裏面層4の厚さは
、通常1μm〜20μm程度とされるが、この範囲に限
られることは、ない。
て、その内部には空間や空隙がないダイヤモンド状物質
からなっている。さらに、表面層2および裏面層4は、
いずれも1層からなる必要はなく、結晶構造や物理的性
質が若干具なる2層以上のダイヤモンド状物質の薄膜か
らなっていてもよい。表面層2および裏面層4の厚さは
、通常1μm〜20μm程度とされるが、この範囲に限
られることは、ない。
また、中間層3は、ポーラス状のダイヤモンド状物質の
薄膜から構成されている。ここでのポーラス状とは、中
間層3をなすダイヤモンド状物質になんらかの空間ある
いは空隙が存在するものを示し、多孔質状態、ハニカム
状態、列柱状態などの種々の形態をとるものを言う。そ
して、この中間層3での空隙率は5〜95体積%とする
ことが好ましい。空隙率が5体積%未満では振動板l全
体としての比重を小さくする効果が少なく、ま−た内部
損失を増大させる効果も不十分である。また、空隙率が
95体積%を越えると振動板1としての機械的強度等が
不足し、振動板lとはなり得ない。
薄膜から構成されている。ここでのポーラス状とは、中
間層3をなすダイヤモンド状物質になんらかの空間ある
いは空隙が存在するものを示し、多孔質状態、ハニカム
状態、列柱状態などの種々の形態をとるものを言う。そ
して、この中間層3での空隙率は5〜95体積%とする
ことが好ましい。空隙率が5体積%未満では振動板l全
体としての比重を小さくする効果が少なく、ま−た内部
損失を増大させる効果も不十分である。また、空隙率が
95体積%を越えると振動板1としての機械的強度等が
不足し、振動板lとはなり得ない。
この中間層3は、同様に1層である必要はなく、空隙率
、結晶構造、空間形態などの異なった2層以上の複層構
造であってもよい。中間層3の厚さは、通常5〜50μ
mの範囲とされるが、これに限られることはない。
、結晶構造、空間形態などの異なった2層以上の複層構
造であってもよい。中間層3の厚さは、通常5〜50μ
mの範囲とされるが、これに限られることはない。
この中間層3は、中実のダイヤモンド状物質からなる薄
膜を一旦形成しておき、これを水、水素、酸素などのプ
ラズマでドライエツチングすることにより製造すること
ができる。この際、プラズマエツチングの条件を変化さ
せたり、あるいは中実のダイヤモンド状物質の形成条件
を変化させたりすることにより、種々の空間形態を持ち
、空隙率の異なる中間層3を得ることができる。
膜を一旦形成しておき、これを水、水素、酸素などのプ
ラズマでドライエツチングすることにより製造すること
ができる。この際、プラズマエツチングの条件を変化さ
せたり、あるいは中実のダイヤモンド状物質の形成条件
を変化させたりすることにより、種々の空間形態を持ち
、空隙率の異なる中間層3を得ることができる。
また、この発明のスピーカー用振動板においては、この
振動板lを適宜の基体上に設けたものであってもよい。
振動板lを適宜の基体上に設けたものであってもよい。
この基体としては、アルミニウム、チタン、ベリリウム
などの金属が用いられる。
などの金属が用いられる。
このようなスピーカー用振動板を製造するには、シリコ
ンなどからなる振動板形状の基板を用意し、この基板上
にCVD法、プラズマCVD法、イオンビーム蒸着法な
どによって、ダイヤモンド状物質からなる膜を形成した
のち、この膜の厚さ方向の一部をプラズマエツチングし
てポーラス状として中間層を形成し、さらにこの上に再
び上記の方法でダイヤモンド状物質の膜を形成し、つい
で基板を溶解して除去する方法などが用いられる。また
、アルミニウムやニッケルなどの易成形性の金属からな
る振動板形状の基板を用意し、この基板上にシリコン膜
を蒸着して形成し、この上に上述のような三層構造を形
成してもよい。
ンなどからなる振動板形状の基板を用意し、この基板上
にCVD法、プラズマCVD法、イオンビーム蒸着法な
どによって、ダイヤモンド状物質からなる膜を形成した
のち、この膜の厚さ方向の一部をプラズマエツチングし
てポーラス状として中間層を形成し、さらにこの上に再
び上記の方法でダイヤモンド状物質の膜を形成し、つい
で基板を溶解して除去する方法などが用いられる。また
、アルミニウムやニッケルなどの易成形性の金属からな
る振動板形状の基板を用意し、この基板上にシリコン膜
を蒸着して形成し、この上に上述のような三層構造を形
成してもよい。
以下、実施例によって具体的に説明する。
2 、45 G I−(zのマイクロ波を用いるマイク
ロ波プラズマCVD装置内に、シリコン基板を置き、基
板温度800°C1真空度30トールとし、メタンと水
素ガスを原料ガスとしてシリコン基板上に次の工程でダ
イヤモンド状物質の膜を生成させた。
ロ波プラズマCVD装置内に、シリコン基板を置き、基
板温度800°C1真空度30トールとし、メタンと水
素ガスを原料ガスとしてシリコン基板上に次の工程でダ
イヤモンド状物質の膜を生成させた。
(イ)最初にメタン濃度を0.5体積%として20時間
成膜し、 (ロ)次にメタン濃度を3.5体積%に高めて60時間
成膜し、 (ハ)メタン濃度を1.5体積%として10時]用1戊
脱したのち、 (ニ)−旦装置を真空に排気し、改めて酸素ガスを導入
し、30トールで膜をプラズマエツチングした。
成膜し、 (ロ)次にメタン濃度を3.5体積%に高めて60時間
成膜し、 (ハ)メタン濃度を1.5体積%として10時]用1戊
脱したのち、 (ニ)−旦装置を真空に排気し、改めて酸素ガスを導入
し、30トールで膜をプラズマエツチングした。
(ホ)こののち、装置を再び真空に排気し、メタンガス
と水素ガスを導入し、メタン濃度を0.5体積%として
20時間成膜した。
と水素ガスを導入し、メタン濃度を0.5体積%として
20時間成膜した。
かくして得られた膜の断面を第2図に示す。第2図中符
号AおよびDで示した層は、多結晶ダイヤモンドのラン
ダム成長膜で膜厚は各3μmであった。符号Bで示した
層は、プラズマエツチングされたランダム成長の多結晶
ダイヤモンド膜で、膜厚が2μm、空隙率が30体積%
であった。また、符号Cで示した層は(110)方位の
異方性中空構造のダイヤモンド膜で、膜厚が178m1
空隙率50体積%であった。
号AおよびDで示した層は、多結晶ダイヤモンドのラン
ダム成長膜で膜厚は各3μmであった。符号Bで示した
層は、プラズマエツチングされたランダム成長の多結晶
ダイヤモンド膜で、膜厚が2μm、空隙率が30体積%
であった。また、符号Cで示した層は(110)方位の
異方性中空構造のダイヤモンド膜で、膜厚が178m1
空隙率50体積%であった。
上記成膜工程のうち、(ハ)の工程は、プラズマエツチ
ングを(110)異方性膜中に進行させつつ膜の構造を
保つためと後工程でのランダム成長多結晶ダイヤモンド
膜を均一に成長させるためのものである。
ングを(110)異方性膜中に進行させつつ膜の構造を
保つためと後工程でのランダム成長多結晶ダイヤモンド
膜を均一に成長させるためのものである。
この成膜方法を用いて、径25.5mm、曲率半径17
.5mm、膜厚25μmの振動膜を作製しその周波数特
性を測定したところ、第3図中11jJ線Aに示すよう
な結果が得られた。
.5mm、膜厚25μmの振動膜を作製しその周波数特
性を測定したところ、第3図中11jJ線Aに示すよう
な結果が得られた。
第3図には゛、比較のため、従来のダイヤモンド膜(厚
さ25μm)の振動板(曲線B)およびべIJ IJウ
ム膜(厚さ30μm)の振動板(曲線C)の周波数特性
を示しである。
さ25μm)の振動板(曲線B)およびべIJ IJウ
ム膜(厚さ30μm)の振動板(曲線C)の周波数特性
を示しである。
第3図から明らかなように、ベリリウム振動板に比べよ
り高音域まで再生が可能であり、また従来の単なるダイ
ヤモンド振動板に比べて、音圧レベルが向上しており、
高音域での共振も小さくなっていることがわかる。
り高音域まで再生が可能であり、また従来の単なるダイ
ヤモンド振動板に比べて、音圧レベルが向上しており、
高音域での共振も小さくなっていることがわかる。
以上説明したように、この発明のスピーカー用振動板は
、三層構層を有し、その中間層がポーラス状のダイヤモ
ンド状物質からなり、この中間層をはさむ二層かダイヤ
モンド状物質からなるものであるので、高音域までの再
生が可能であるとともに音響変換能率が高く、高音域で
の共振も微かなものとなる。
、三層構層を有し、その中間層がポーラス状のダイヤモ
ンド状物質からなり、この中間層をはさむ二層かダイヤ
モンド状物質からなるものであるので、高音域までの再
生が可能であるとともに音響変換能率が高く、高音域で
の共振も微かなものとなる。
第1図は、この発明のスピーカー用振動板の例を示す概
略断面図、 第2図は、実施例で得られた振動板の断面構造′を示す
断面図、第3図は同じ〈実施例で得られた振動板の周波
数特性を示すグラフである。 l・・・・・・スピーカー用振動板、 2・・・・・表面層、 3・・・・・・中間層、 4・・・・・・裏面層。
略断面図、 第2図は、実施例で得られた振動板の断面構造′を示す
断面図、第3図は同じ〈実施例で得られた振動板の周波
数特性を示すグラフである。 l・・・・・・スピーカー用振動板、 2・・・・・表面層、 3・・・・・・中間層、 4・・・・・・裏面層。
Claims (2)
- (1)三層構層を有し、その中間層がポーラス状のダイ
ヤモンド状物質からなり、この中間層をはさむ二層がダ
イヤモンド状物質からなることを特徴とするスピーカー
用振動板。 - (2)中間層の空隙率が5〜95%であることを特徴と
する請求項(1)記載のスピーカー用振動板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1285783A JPH03145900A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | スピーカー用振動板 |
US07/606,310 US5241140A (en) | 1989-11-01 | 1990-10-31 | Speaker diaphragm |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1285783A JPH03145900A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | スピーカー用振動板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03145900A true JPH03145900A (ja) | 1991-06-21 |
Family
ID=17696013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1285783A Pending JPH03145900A (ja) | 1989-11-01 | 1989-11-01 | スピーカー用振動板 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5241140A (ja) |
JP (1) | JPH03145900A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008527880A (ja) * | 2005-01-14 | 2008-07-24 | エレメント シックス リミテッド | 被覆された剛い3次元構成部材 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0638295A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | スピ−カ−用振動板及びその製造方法 |
EP0632675B1 (en) * | 1993-06-28 | 2001-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diaphragm-edge integral moldings for speakers, acoustic transducers comprising same and method for fabricating same |
JP3774904B2 (ja) * | 1994-01-27 | 2006-05-17 | 住友電気工業株式会社 | 平坦なダイヤモンド膜の合成法とダイヤモンド自立膜及びダイヤモンド膜の研磨方法 |
DE69503285T2 (de) * | 1994-04-07 | 1998-11-05 | Sumitomo Electric Industries | Diamantwafer und Verfahren zur Herstellung eines Diamantwafers |
EP0684106B1 (en) * | 1994-05-23 | 2000-04-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method to produce a hard material coated wafer |
DE69508679T2 (de) * | 1994-06-09 | 1999-08-12 | Sumitomo Electric Industries | Wafer und Verfahren zur Herstellung eines Wafers |
JP3644259B2 (ja) * | 1998-03-24 | 2005-04-27 | 株式会社村田製作所 | スピーカ装置 |
GB9909535D0 (en) * | 1999-04-27 | 1999-06-23 | New Transducers Ltd | Loudspeakers |
GB2413234B (en) * | 2004-04-15 | 2007-09-12 | B & W Loudspeakers | Diaphragms for loudspeaker drive units or microphones |
TWI633194B (zh) | 2017-05-24 | 2018-08-21 | Ming Chi University Of Technology | 聲學振膜及含此的揚聲裝置 |
GB201919158D0 (en) | 2019-12-23 | 2020-02-05 | Element Six Tech Ltd | Non-planner diamond body |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5763996A (en) * | 1980-10-07 | 1982-04-17 | Noritake Co Ltd | Diaphragm for plane-type speaker and its production |
JPS6143899A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Trio Kenwood Corp | スピ−カ用振動板 |
JPS63226198A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | Kenwood Corp | 音響用振動板 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4725345A (en) * | 1985-04-22 | 1988-02-16 | Kabushiki Kaisha Kenwood | Method for forming a hard carbon thin film on article and applications thereof |
US4935303A (en) * | 1987-10-15 | 1990-06-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Novel diamond-like carbon film and process for the production thereof |
US5031720A (en) * | 1987-12-01 | 1991-07-16 | Kabushiki Kaisha Kenwood | Speaker diaphragm |
-
1989
- 1989-11-01 JP JP1285783A patent/JPH03145900A/ja active Pending
-
1990
- 1990-10-31 US US07/606,310 patent/US5241140A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5763996A (en) * | 1980-10-07 | 1982-04-17 | Noritake Co Ltd | Diaphragm for plane-type speaker and its production |
JPS6143899A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Trio Kenwood Corp | スピ−カ用振動板 |
JPS63226198A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | Kenwood Corp | 音響用振動板 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008527880A (ja) * | 2005-01-14 | 2008-07-24 | エレメント シックス リミテッド | 被覆された剛い3次元構成部材 |
JP4861993B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2012-01-25 | エレメント シックス リミテッド | 被覆された剛い3次元構成部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5241140A (en) | 1993-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH03145900A (ja) | スピーカー用振動板 | |
KR20070089134A (ko) | 금속 또는 금속 합금 기질에 매립된 초경질 입자를포함하는 복합 재료 및 이것으로 제조된 다이어프램 | |
US5556464A (en) | Vibration plate of a speaker and method for producing same | |
WO2021248838A1 (zh) | 振膜、发声装置、麦克风组件及振膜制作方法 | |
US4470479A (en) | Method of making metal coated foil speaker diaphragm | |
EP1839462B1 (en) | Coated speaker dome | |
KR100592100B1 (ko) | 마이크로 스피커의 진동판 | |
US20220369038A1 (en) | Non-planar polycrystalline diamond body | |
JPS60177798A (ja) | 同軸平板スピ−カ | |
CN113315488A (zh) | 一种fbar谐振器及其制备方法与应用 | |
CN211047202U (zh) | 一种振膜 | |
CN219068364U (zh) | 一种振膜结构及mems麦克风 | |
JPS61244195A (ja) | 音響用振動板 | |
JPS58161495A (ja) | スピ−カ用振動板 | |
JPS59143498A (ja) | スピ−カ−用振動板およびその製造法 | |
JPH06276596A (ja) | スピ−カ−用振動板及びその製造方法 | |
CN117177150B (zh) | 一种发声单元及其制备方法、数字式扬声器 | |
CN209030172U (zh) | 一种基于soi结构的薄膜声波滤波器 | |
KR20060008875A (ko) | 고성능 스피커 캐비닛의 스피커를 위한 복수 물질로 구성된다층 멤브레인 | |
JPH04287498A (ja) | 音響機器用振動板 | |
JPS5936498A (ja) | スピ−カ用振動板およびその製造方法 | |
JPS59143499A (ja) | スピ−カ−振動板 | |
JPS62152299A (ja) | スピ−カ用振動板の製造方法 | |
US20210112355A1 (en) | Dimensional Consistency of Miniature Loudspeakers | |
JPS61161897A (ja) | スピ−カ−振動板 |