JPS62152299A - スピ−カ用振動板の製造方法 - Google Patents
スピ−カ用振動板の製造方法Info
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- JPS62152299A JPS62152299A JP29641185A JP29641185A JPS62152299A JP S62152299 A JPS62152299 A JP S62152299A JP 29641185 A JP29641185 A JP 29641185A JP 29641185 A JP29641185 A JP 29641185A JP S62152299 A JPS62152299 A JP S62152299A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、スピーカ用振動板の製造方法に関づるもので
ある。
ある。
スピーカ用振動板の材料としては、Ｖング率Ｆが大きく
、かつ、密度ρが小さい材料、占い換えると、比弾性率
Ｅ／ρ（合速（τ−７ｂ］が大さい材料が良く、そして
、これに加えて、（’Ｍ 早で、適当な内部損失を右す
る材１′；１が良いことは周知である。
、かつ、密度ρが小さい材料、占い換えると、比弾性率
Ｅ／ρ（合速（τ−７ｂ］が大さい材料が良く、そして
、これに加えて、（’Ｍ 早で、適当な内部損失を右す
る材１′；１が良いことは周知である。
このうち、比弾性率Ｅ／ρが大きいＮ ｔ’ｌどしては
、ダイヤモンドの２８．５５１、ボロンの１９ ！ｉ
Ｇ ５、ベリリウムの１４．６７４等があるが、これら
の＋Ａ ＄１は、従来から振動板の材料として用いられ
てぎたアルミニコウムやチタン等のように、圧延で薄板
を作ったり、プレスで所定の振動板形状に成形したりす
ることが不可能なため、中休で振動板に使用することが
困テ■であった。
、ダイヤモンドの２８．５５１、ボロンの１９ ！ｉ
Ｇ ５、ベリリウムの１４．６７４等があるが、これら
の＋Ａ ＄１は、従来から振動板の材料として用いられ
てぎたアルミニコウムやチタン等のように、圧延で薄板
を作ったり、プレスで所定の振動板形状に成形したりす
ることが不可能なため、中休で振動板に使用することが
困テ■であった。
そこで、近年では、アルミニコウムやチタン等で所定の
振動板形状に成形した基板の表面に、ダイヤモンド、ボ
ロン、ベリリウム等の比弾性率Ｅ／ρが大きい月利を、
真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の
手段によりイ」看させてコーティング層を形成した多層
構造の振動板が開発されている。
振動板形状に成形した基板の表面に、ダイヤモンド、ボ
ロン、ベリリウム等の比弾性率Ｅ／ρが大きい月利を、
真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の
手段によりイ」看させてコーティング層を形成した多層
構造の振動板が開発されている。
しかしながら、上述したような多層構造の振動板では、
基板とコーティング層の膨張係数の相違によって、基板
とコーティング層の境界面に内部応力を生じ、これが振
動板の変形を招いて名賀上の正みの原因となり、しかも
、基板自体も、音のＭＩ：Ｆｌという観点からみると、
積極的な役割は果たさず、逆に、全体の質量増加をＩＧ
いて能率低下の原因となっていた。
基板とコーティング層の膨張係数の相違によって、基板
とコーティング層の境界面に内部応力を生じ、これが振
動板の変形を招いて名賀上の正みの原因となり、しかも
、基板自体も、音のＭＩ：Ｆｌという観点からみると、
積極的な役割は果たさず、逆に、全体の質量増加をＩＧ
いて能率低下の原因となっていた。
本発明は、このような点に鑑みなされてもので、比弾性
率Ｅ／ρが大きいダイヤモンドやダイヤモンドに近い炭
素結晶等から成る！１１層構造のダイヤモンド質のスピ
ーカ用振動板、あるいは、ダイヤモンド質の振動板層を
備えた各層間の境界面がはっきりしない、言い換えると
各層間の継目が無い多層構造のスピーカ用振動板を製造
しようとするものである。
率Ｅ／ρが大きいダイヤモンドやダイヤモンドに近い炭
素結晶等から成る！１１層構造のダイヤモンド質のスピ
ーカ用振動板、あるいは、ダイヤモンド質の振動板層を
備えた各層間の境界面がはっきりしない、言い換えると
各層間の継目が無い多層構造のスピーカ用振動板を製造
しようとするものである。
第１の発明のスピーカ用振動板の製造方法は、所定の形
状に形成した型材１の表面に炭素Ｃをイオンプレーティ
ングして、型材１の表面にダイヤモンド質の炭素振動板
層２を形成し、ついで、上記型材１を化学的に除去する
ものである。
状に形成した型材１の表面に炭素Ｃをイオンプレーティ
ングして、型材１の表面にダイヤモンド質の炭素振動板
層２を形成し、ついで、上記型材１を化学的に除去する
ものである。
第２の発明のスピーカ用振動板の製造方法は、所定の形
状に形成した型材１の表面に炭素Ｃをイオンプレーティ
ングして、型材１の表面にダイヤモンド質の炭素振動板
層２ａを形成し、ついで、イオンプレーティングする炭
素Ｃの量を減らしながらチタン７−ｉをイオンプレーテ
ィングした後、チタンエ１のみのイオンプレーティング
を行なって、ダイヤモンド質の炭素振動板層２ａの表面
に、ダイヤモンド質の炭素Ｃと炭化チタンＴｉＣとチタ
ンＴ１から成る中間Ｊｉ［４ａを介して、チタン振動板
層５を形成し、ついで、イオンプレーティングするブタ
ン丁１のＭを減らしながら炭素Ｃをイオンプレーティン
グした後、炭素Ｃのみのイオンプレーティングを行なっ
て、チタン振動板層５の表面に、チタンＴ１と炭化チタ
ンＴｉＣとダイヤモンド質の炭素Ｃから成る中間１４ｂ
を介して、ダイヤＩ七ンド質の炭素振動板層２ｂを形成
し、ついで、−り記型材１を化学的に除去するものであ
る。
状に形成した型材１の表面に炭素Ｃをイオンプレーティ
ングして、型材１の表面にダイヤモンド質の炭素振動板
層２ａを形成し、ついで、イオンプレーティングする炭
素Ｃの量を減らしながらチタン７−ｉをイオンプレーテ
ィングした後、チタンエ１のみのイオンプレーティング
を行なって、ダイヤモンド質の炭素振動板層２ａの表面
に、ダイヤモンド質の炭素Ｃと炭化チタンＴｉＣとチタ
ンＴ１から成る中間Ｊｉ［４ａを介して、チタン振動板
層５を形成し、ついで、イオンプレーティングするブタ
ン丁１のＭを減らしながら炭素Ｃをイオンプレーティン
グした後、炭素Ｃのみのイオンプレーティングを行なっ
て、チタン振動板層５の表面に、チタンＴ１と炭化チタ
ンＴｉＣとダイヤモンド質の炭素Ｃから成る中間１４ｂ
を介して、ダイヤＩ七ンド質の炭素振動板層２ｂを形成
し、ついで、−り記型材１を化学的に除去するものであ
る。
（作用）
第１の発明の方法によると、比弾性率Ｅ／ρが大きいダ
イヤモンド等からなる単層構造のダイＮ７モンド質のス
ピーカ用振動板３を１ｑることができ、第２の発明の方
法によると、両面にグイＳ７ Ｔ：ンド質の炭素振動板
層２ａ、 ２ｂ、中央にチタン振動板層５を備え、これ
らの間をダイＮ７モンド質の炭素Ｃと炭化チタンＴｉＣ
とチタンＴｉから成る中間層４ａ、 ４ｂで継目無く連
結した各層間の境界面がはっきりしない多層構造のスピ
ーカ用振動板６を得ることができる。
イヤモンド等からなる単層構造のダイＮ７モンド質のス
ピーカ用振動板３を１ｑることができ、第２の発明の方
法によると、両面にグイＳ７ Ｔ：ンド質の炭素振動板
層２ａ、 ２ｂ、中央にチタン振動板層５を備え、これ
らの間をダイＮ７モンド質の炭素Ｃと炭化チタンＴｉＣ
とチタンＴｉから成る中間層４ａ、 ４ｂで継目無く連
結した各層間の境界面がはっきりしない多層構造のスピ
ーカ用振動板６を得ることができる。
第１の発明のスピーカ用振動板の製造方法を説明する。
まず、第１図に示すように、酸性あるいはアルカリ性の
溶液により化学的に溶解可能な銅あるいはアルミニュウ
ム等の２０〜６０μｍの箔を所定のドーム型の振動板形
状に形成した型材１を用意し、この型材１の表面に炭素
Ｃをイオンプレーティングして、型材１の表面にダイヤ
モンドやダイヤモンドに近い炭素結晶を生成し、イオン
プレーティングを所定時間待なうことにより、第２図に
示ｉｌｉにうに、型材１の表面に所定の厚さのダイヤモ
ンド質の炭素撮動板層２を形成し、ついで、塩化第２鉄
水溶液（を祠１が銅の場合）あるいは水酸化ナトリウム
水溶液（を材１がアルミニュウムの場合）で上記型材１
を化学・的に溶解して除去することにＪ：す、第３図に
示すように、ダイヤモンド質の炭素振動板層２のみを残
し、これによって、単層描造のダイヤモンド質のスピー
カ用振動板３を製造する。
溶液により化学的に溶解可能な銅あるいはアルミニュウ
ム等の２０〜６０μｍの箔を所定のドーム型の振動板形
状に形成した型材１を用意し、この型材１の表面に炭素
Ｃをイオンプレーティングして、型材１の表面にダイヤ
モンドやダイヤモンドに近い炭素結晶を生成し、イオン
プレーティングを所定時間待なうことにより、第２図に
示ｉｌｉにうに、型材１の表面に所定の厚さのダイヤモ
ンド質の炭素撮動板層２を形成し、ついで、塩化第２鉄
水溶液（を祠１が銅の場合）あるいは水酸化ナトリウム
水溶液（を材１がアルミニュウムの場合）で上記型材１
を化学・的に溶解して除去することにＪ：す、第３図に
示すように、ダイヤモンド質の炭素振動板層２のみを残
し、これによって、単層描造のダイヤモンド質のスピー
カ用振動板３を製造する。
ここで、イオンプレーティングを行なう装置を第４図を
参照して説明する。
参照して説明する。
１１は排気管１２を備えたベースプレート、１３はベー
スプレート１１上に気密状に装着されるベルジャで、図
示しない冷却水管が配設されている。１４はベルジャ１
３内にＪ５いて加工対象物つまり上記型材１を支持する
取付台、１５は取付台１４を介して型材１に電圧を印加
する付勢用電源、１６は取付台１４を回転させて型材１
に均一な皮膜を形成するための回転駆動機構、１７はベ
ルジャ１３内において皮膜材料つまり炭素Ｃを蒸発させ
るるつぼで、加熱用の図示しない電子ビーム装置あるい
は抵抗加熱装置を備えている。１８はベルジャ１３内に
アルゴンその他のガスをコンスタントに導入するガス導
入装置、１９はベルジャ１３内においてガス及び蒸発物
を励゛起状態にする熱電子放射電源、２０はベルジャ１
３内において蒸発物のイオン化を促進するイオン化電源
である。
スプレート１１上に気密状に装着されるベルジャで、図
示しない冷却水管が配設されている。１４はベルジャ１
３内にＪ５いて加工対象物つまり上記型材１を支持する
取付台、１５は取付台１４を介して型材１に電圧を印加
する付勢用電源、１６は取付台１４を回転させて型材１
に均一な皮膜を形成するための回転駆動機構、１７はベ
ルジャ１３内において皮膜材料つまり炭素Ｃを蒸発させ
るるつぼで、加熱用の図示しない電子ビーム装置あるい
は抵抗加熱装置を備えている。１８はベルジャ１３内に
アルゴンその他のガスをコンスタントに導入するガス導
入装置、１９はベルジャ１３内においてガス及び蒸発物
を励゛起状態にする熱電子放射電源、２０はベルジャ１
３内において蒸発物のイオン化を促進するイオン化電源
である。
そして、取付台１４に上記型材１を支持するとともに、
るつぼ１７にダイヤモンドと同様に炭素Ｃの同素体の１
つであるグラファイトＣの高純度のものを入れ、ベルジ
ャ１３をベースプレート１１上に装着し、排気管１２を
介してベルジャ１３内の排気を行なって１ Ｘ １０″
５ ｔｏｒｒ以下にする。
るつぼ１７にダイヤモンドと同様に炭素Ｃの同素体の１
つであるグラファイトＣの高純度のものを入れ、ベルジ
ャ１３をベースプレート１１上に装着し、排気管１２を
介してベルジャ１３内の排気を行なって１ Ｘ １０″
５ ｔｏｒｒ以下にする。
ついで、型材１を図示しないヒータにより１００〜３０
０に加熱し、この状態で、るつぼ１７を加熱してグラフ
フィトＣを蒸発させる。一方、ガス導入装置１８により
アルゴン及び他の活性化用のガスをベルジャ１３内に導
入して熱雷子ＩＪ！ｉ射電源１９により励起状態にし、
蒸発したグラファイトＣの炭素Ｃを、励起状態になった
アルゴンとイオン化電源２０によりイオン化し、付勢用
電源１５によりマイナスに印加された型材１に］−ティ
ングする。
０に加熱し、この状態で、るつぼ１７を加熱してグラフ
フィトＣを蒸発させる。一方、ガス導入装置１８により
アルゴン及び他の活性化用のガスをベルジャ１３内に導
入して熱雷子ＩＪ！ｉ射電源１９により励起状態にし、
蒸発したグラファイトＣの炭素Ｃを、励起状態になった
アルゴンとイオン化電源２０によりイオン化し、付勢用
電源１５によりマイナスに印加された型材１に］−ティ
ングする。
このように、導入ガスにアルゴン等の不活性ガスを用い
た金属のイオンプレーティングによると、純粋な金属皮
膜を形成することができることは一般に周知であるが、
この場合には、ダイヤモンドやダイヤモンドに近い炭素
結晶が生成し、型材１の表面にダイヤモンド質の皮膜を
形成することができ、これがダイヤモンド質の炭素振動
板層２となる。
た金属のイオンプレーティングによると、純粋な金属皮
膜を形成することができることは一般に周知であるが、
この場合には、ダイヤモンドやダイヤモンドに近い炭素
結晶が生成し、型材１の表面にダイヤモンド質の皮膜を
形成することができ、これがダイヤモンド質の炭素振動
板層２となる。
次に、第２の発明のスピーカ用振動板の製造方法を説明
する。
する。
まず、第１の発明の場合と同様な型材１を用意し、第５
図に示すように、この型材１の表面に炭素Ｃをイオンプ
レーティングして、型４４１の表面にダイヤモンドやダ
イヤモンドに近い炭素結晶を生成し、イオンプレーティ
ングを所定時間ｔｊなうことにより、型材１の表面にダ
イヤ［ンド質の炭素振動板層２ａを形成し、ついで、ダ
イヤモンド質の炭、ａ振動板層２ａが所定の厚さに達し
たら、チタンＴ１のイオンプレーティングを開始して、
イオンプレーティングする炭−ＭＣの吊を減らしながら
イオンプレーティングするチタンＴｉのｆｉｌを増やし
、グイヤ七ンド′ζ丁の炭素振動板層２ａの表面に、ダ
イヤモンド質の炭素Ｃと炭素ｃ及びチタンＴｉの反応性
イオンプレーティングによる炭化チタンＴｉＣとチタン
Ｔｉから成る中間層４ａを形成し、その後、チタンＴｉ
のみをイオンプレーティングして、中間層４ａの表面に
チタン振動板層５を形成する。
図に示すように、この型材１の表面に炭素Ｃをイオンプ
レーティングして、型４４１の表面にダイヤモンドやダ
イヤモンドに近い炭素結晶を生成し、イオンプレーティ
ングを所定時間ｔｊなうことにより、型材１の表面にダ
イヤ［ンド質の炭素振動板層２ａを形成し、ついで、ダ
イヤモンド質の炭、ａ振動板層２ａが所定の厚さに達し
たら、チタンＴ１のイオンプレーティングを開始して、
イオンプレーティングする炭−ＭＣの吊を減らしながら
イオンプレーティングするチタンＴｉのｆｉｌを増やし
、グイヤ七ンド′ζ丁の炭素振動板層２ａの表面に、ダ
イヤモンド質の炭素Ｃと炭素ｃ及びチタンＴｉの反応性
イオンプレーティングによる炭化チタンＴｉＣとチタン
Ｔｉから成る中間層４ａを形成し、その後、チタンＴｉ
のみをイオンプレーティングして、中間層４ａの表面に
チタン振動板層５を形成する。
上記中間層４ａには、ダイヤモンドやダイヤモンドに近
い炭素結晶等から成るダイヤモンド質の炭素Ｃと、炭素
Ｃ及びチタンＴｉの反応性イオンプレーティングによる
炭化チタンＴｉＣの結晶と、金属チタンＴ１が存在する
が、上述したような炭素ＣとチタンＴｉのイオンプレー
ティング吊の制御により、ダイヤモンド７′Ｉの炭素振
動板層２ａ側にはダイヤモンド質の炭素Ｃ、チタン振動
板層５側にはチタンＴ１、中央部には炭化ブタンＴｉＣ
が多くなり、ダイヤモンド買の炭素振動板層２ａ側から
チタン撮動板層５側にかけて、始めはＣが主体で、この
Ｃが次第に減少するとともに丁ＩＣが次第に増加してＴ
ｉＣが主体となり、次にこのＴｉＣが次第に減少すると
としにＴ１が次第に１１１加してＴｉが主体となるとい
うように、この中間層４ａは、ダイヤモンド質の炭素振
動板層２ａどチタン振動板層５を継目無く連結し、ダイ
ヤ［ンド質の炭素振動板層２ａどチタン振動板層５の間
の内部１芯力を分散する。
い炭素結晶等から成るダイヤモンド質の炭素Ｃと、炭素
Ｃ及びチタンＴｉの反応性イオンプレーティングによる
炭化チタンＴｉＣの結晶と、金属チタンＴ１が存在する
が、上述したような炭素ＣとチタンＴｉのイオンプレー
ティング吊の制御により、ダイヤモンド７′Ｉの炭素振
動板層２ａ側にはダイヤモンド質の炭素Ｃ、チタン振動
板層５側にはチタンＴ１、中央部には炭化ブタンＴｉＣ
が多くなり、ダイヤモンド買の炭素振動板層２ａ側から
チタン撮動板層５側にかけて、始めはＣが主体で、この
Ｃが次第に減少するとともに丁ＩＣが次第に増加してＴ
ｉＣが主体となり、次にこのＴｉＣが次第に減少すると
としにＴ１が次第に１１１加してＴｉが主体となるとい
うように、この中間層４ａは、ダイヤモンド質の炭素振
動板層２ａどチタン振動板層５を継目無く連結し、ダイ
ヤ［ンド質の炭素振動板層２ａどチタン振動板層５の間
の内部１芯力を分散する。
ついで、チタン振動板層５が所定の厚さに達しｌこら、
炭素Ｃのイオンプレーティングを開始して、イオンプレ
ーティングするブタンＴｉの■を減らしながらイオンプ
レーティングする炭素Ｃの吊を増ヤし、チタン１般動板
層５の表面に、チタンＴｉとチタンＴ１及び炭素Ｃの反
応性イオンプレーティングによる炭化チタンＴｉＣとダ
イヤモンド質の炭素Ｃから成る中間ｆｉ４ｂを形成し、
その後、炭素Ｃのみをイオンプレーティングして、中間
１９４ｂの表面にダイヤモンド質の炭素振動板層２ｂを
形成する。
炭素Ｃのイオンプレーティングを開始して、イオンプレ
ーティングするブタンＴｉの■を減らしながらイオンプ
レーティングする炭素Ｃの吊を増ヤし、チタン１般動板
層５の表面に、チタンＴｉとチタンＴ１及び炭素Ｃの反
応性イオンプレーティングによる炭化チタンＴｉＣとダ
イヤモンド質の炭素Ｃから成る中間ｆｉ４ｂを形成し、
その後、炭素Ｃのみをイオンプレーティングして、中間
１９４ｂの表面にダイヤモンド質の炭素振動板層２ｂを
形成する。
上記中間層４ｂには、金属チタンＴｉ と、チタンＴ１
及び炭素Ｃの反応性イオンプレーティングによる炭化チ
タンＴｉＣの結晶と、ダイヤモンドやダイヤモンドに近
い炭素結晶等から成るダイヤ［ンド質の炭素Ｃが存在す
るが、上述したようなチタンＴｉと炭素Ｃのイオンプレ
ーティング吊の制御により、チタン振動板層５側にはチ
タンＴｉ 、ダイヤモンド質の炭素振動板層２り側には
ダイヤモンド質の炭素Ｃ１中央部には炭化チタンＴｉＣ
が多くなり、チタン振動板層５側からダイヤモンド質の
炭素振動板層２ｂ側にかりて、始めはＴｉが主体で、こ
のＴｉが次第に減少するとともにＴｉＣが次第に増加し
てＴｉＣが主体となり、次にこのＴｉＣが次第に減少す
るととらにＣが次第に増加してＣが主体となるというよ
うに、この中間層４ｂは、チタン振動板層５とダイヤモ
ンド質の炭素振動板層２ｂを継目無く連結し、チタン振
動板Ｖｉ５とダイヤモンド質の炭素振動板層２ｂの間の
内部応力を分散する。
及び炭素Ｃの反応性イオンプレーティングによる炭化チ
タンＴｉＣの結晶と、ダイヤモンドやダイヤモンドに近
い炭素結晶等から成るダイヤ［ンド質の炭素Ｃが存在す
るが、上述したようなチタンＴｉと炭素Ｃのイオンプレ
ーティング吊の制御により、チタン振動板層５側にはチ
タンＴｉ 、ダイヤモンド質の炭素振動板層２り側には
ダイヤモンド質の炭素Ｃ１中央部には炭化チタンＴｉＣ
が多くなり、チタン振動板層５側からダイヤモンド質の
炭素振動板層２ｂ側にかりて、始めはＴｉが主体で、こ
のＴｉが次第に減少するとともにＴｉＣが次第に増加し
てＴｉＣが主体となり、次にこのＴｉＣが次第に減少す
るととらにＣが次第に増加してＣが主体となるというよ
うに、この中間層４ｂは、チタン振動板層５とダイヤモ
ンド質の炭素振動板層２ｂを継目無く連結し、チタン振
動板Ｖｉ５とダイヤモンド質の炭素振動板層２ｂの間の
内部応力を分散する。
ついで、塩化第２鉄水溶液（型材１が銅の場合）あるい
は水酸化ナトリウム水溶液（型材１がアルミニュウムの
場合）で上記型材１を化学的に溶解して除去することに
より、第６図に示すように、両面のダイヤエンド質の炭
素振動板層２ａ、 ２ｂ、中央のチタン振動板層５、及
びこれらを継目無く連結したダイヤモンド質の炭素Ｃと
炭化チタンＴｉＣとチタンＴ１から成る中間ＦｆＪ４ａ
、 ４ｂのみを残し、これによって、各層間の境界面が
はっぎりしない多層横這のスピーカ用振動板６を製造す
る。
は水酸化ナトリウム水溶液（型材１がアルミニュウムの
場合）で上記型材１を化学的に溶解して除去することに
より、第６図に示すように、両面のダイヤエンド質の炭
素振動板層２ａ、 ２ｂ、中央のチタン振動板層５、及
びこれらを継目無く連結したダイヤモンド質の炭素Ｃと
炭化チタンＴｉＣとチタンＴ１から成る中間ＦｆＪ４ａ
、 ４ｂのみを残し、これによって、各層間の境界面が
はっぎりしない多層横這のスピーカ用振動板６を製造す
る。
ここで、イオンプレーティングを行なう装置は、第４図
に示した装ごと基本的に同じであり、第７図に示づよう
に、るつぼ１７を２つ設け、この各る゛つぼ１７に対し
て、それぞれ、ガス５９人装置１８、熱雷子放用電源１
９及びイオン化電源２０を設けた２ガンタイプの６ので
ある。そして、一方のるっぽ１７に高純度のグラフアイ
ｌ−Ｃを入れ、他方のるっぽ１７に１３純１良のチタン
Ｔｉを入れて、グラファイトＣ及びチクン王ｉの然ｉ
吊を制御することにより、ダイヤエンド質の炭素振動板
層２ａ、ダイヤ［ンドＭｌの炭素Ｃと炭化チタンＴｉＣ
とチタンＴｉがら成る中間層４ａ、ブタン振動板層５、
チタンＴｉど炭化チタンＴｉＣとダイＦ ｔンド買の炭
素Ｃから成る中間層４ｂ、グイヘラセンドＴ１の炭素振
動板）、’／ｉ２ｂを順次に形成ツる。
に示した装ごと基本的に同じであり、第７図に示づよう
に、るつぼ１７を２つ設け、この各る゛つぼ１７に対し
て、それぞれ、ガス５９人装置１８、熱雷子放用電源１
９及びイオン化電源２０を設けた２ガンタイプの６ので
ある。そして、一方のるっぽ１７に高純度のグラフアイ
ｌ−Ｃを入れ、他方のるっぽ１７に１３純１良のチタン
Ｔｉを入れて、グラファイトＣ及びチクン王ｉの然ｉ
吊を制御することにより、ダイヤエンド質の炭素振動板
層２ａ、ダイヤ［ンドＭｌの炭素Ｃと炭化チタンＴｉＣ
とチタンＴｉがら成る中間層４ａ、ブタン振動板層５、
チタンＴｉど炭化チタンＴｉＣとダイＦ ｔンド買の炭
素Ｃから成る中間層４ｂ、グイヘラセンドＴ１の炭素振
動板）、’／ｉ２ｂを順次に形成ツる。
なＪ３、炭化チタンＴｉｃコーティングに際しては、グ
ラファイトＣを蒸発さぜる代わりに、アセチレン０２
ＨｚガスやメタンガスＣＨ４を導入してもよい。
ラファイトＣを蒸発さぜる代わりに、アセチレン０２
ＨｚガスやメタンガスＣＨ４を導入してもよい。
（発明の効果）
上）ホしたように、第１の発明によれば、基板の無いダ
イヤモンド質のみの単層構造のスピーカ用振動板を製造
でき、したがって、・高ヤング率Ｅ、高比弾性率Ｅ／ρ
（音速ｆＥ／ρ）で、しかも、無駄な質品増加が無い高
能率のスピーカ用振動板を提供できる。
イヤモンド質のみの単層構造のスピーカ用振動板を製造
でき、したがって、・高ヤング率Ｅ、高比弾性率Ｅ／ρ
（音速ｆＥ／ρ）で、しかも、無駄な質品増加が無い高
能率のスピーカ用振動板を提供できる。
また、第２の発明によれば、両面にダイヤモンド質の炭
素振動板層、中央にチタン振動板層を備え、これらの間
を順次に比率が変化するダイ％ｙ Ｅンド質の炭素と炭
化チタンとチタンから成る中間層で継目無く連結した各
層間の境界面がはっきりしない多層構造のスピーカ用振
動板を製造でき、したがって、従来の多層５ｉ 漬に比
較して内部応力による変形や音質上の歪みを低減した、
高Ａ７ング率Ｅ、ｉｎ＋比弾１率Ｅ／ρ（３ｄ７Ｅ／ρ
） 、１ｇ１ｌ性のスピーカ用振動板を提供できる。
素振動板層、中央にチタン振動板層を備え、これらの間
を順次に比率が変化するダイ％ｙ Ｅンド質の炭素と炭
化チタンとチタンから成る中間層で継目無く連結した各
層間の境界面がはっきりしない多層構造のスピーカ用振
動板を製造でき、したがって、従来の多層５ｉ 漬に比
較して内部応力による変形や音質上の歪みを低減した、
高Ａ７ング率Ｅ、ｉｎ＋比弾１率Ｅ／ρ（３ｄ７Ｅ／ρ
） 、１ｇ１ｌ性のスピーカ用振動板を提供できる。
第１図ないし第３図は第１の発明のスピーカ用振動板の
製造方法の工程を示す縦断面図、第４図はそのイオンプ
レーティングを行なう装置の説明図であり、また、第５
図及び第６図は第２の発明のスピーカ用振動板の製造方
法の工程を示す縦断面図、第７図はそのイオンプレーテ
ィングを行なう装置の説明図である。 １・・型材、２．２ａ、 ２ｂ・・グイ八７モンド質の
炭素振動板図、３・・スピーカ用振動板、４ａ、 ４ｂ
・・ダイヤモンド質の炭素と炭化チタンとチタンから成
る中間層、５・・チタン振動板層、６・・スピーカ用振
動板、Ｃ・・炭素、Ｔｉ ・・チタン。 朱■濫
製造方法の工程を示す縦断面図、第４図はそのイオンプ
レーティングを行なう装置の説明図であり、また、第５
図及び第６図は第２の発明のスピーカ用振動板の製造方
法の工程を示す縦断面図、第７図はそのイオンプレーテ
ィングを行なう装置の説明図である。 １・・型材、２．２ａ、 ２ｂ・・グイ八７モンド質の
炭素振動板図、３・・スピーカ用振動板、４ａ、 ４ｂ
・・ダイヤモンド質の炭素と炭化チタンとチタンから成
る中間層、５・・チタン振動板層、６・・スピーカ用振
動板、Ｃ・・炭素、Ｔｉ ・・チタン。 朱■濫
Claims (2)
- （１）所定の形状に形成した型材の表面に炭素をイオン
プレーティングして、型材の表面にダイヤモンド質の炭
素振動板層を形成し、ついで、上記型材を化学的に除去
することを特徴とするスピーカ用振動板の製造方法。 - （２）所定の形状に形成した型材の表面に炭素をイオン
プレーティングして、型材の表面にダイヤモンド質の炭
素振動板層を形成し、ついで、イオンプレーティングす
る炭素の量を減らしながらチタンをイオンプレーティン
グした後、チタンのみのイオンプレーティングを行なっ
て、ダイヤモンド質の炭素振動板層の表面にダイヤモン
ド質の炭素と炭化チタンとチタンから成る中間層を介し
てチタン振動板層を形成し、ついで、イオンプレーティ
ングするチタンの量を減らしながら炭素をイオンプレー
ティングした後、炭素のみのイオンプレーティングを行
なって、チタン振動板層の表面にチタンと炭化チタンと
ダイヤモンド質の炭素から成る中間層を介してダイヤモ
ンド質の炭素振動板層を形成し、ついで、上記型材を化
学的に除去することを特徴とするスピーカ用振動板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29641185A JPS62152299A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | スピ−カ用振動板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29641185A JPS62152299A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | スピ−カ用振動板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62152299A true JPS62152299A (ja) | 1987-07-07 |
Family
ID=17833195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29641185A Pending JPS62152299A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | スピ−カ用振動板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62152299A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5556464A (en) * | 1992-07-15 | 1996-09-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vibration plate of a speaker and method for producing same |
| JP2010109601A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Digital Do Main Inc | Ｂｅ薄膜振動板の製造方法、同方法により製造されたＢｅ薄膜振動板及び同Ｂｅ薄膜振動板を組み込んだスピーカ |
| JP4861993B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2012-01-25 | エレメント シックス リミテッド | 被覆された剛い３次元構成部材 |
| GB2587482A (en) * | 2019-07-12 | 2021-03-31 | Element Six Tech Ltd | Non-planar diamond body |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29641185A patent/JPS62152299A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5556464A (en) * | 1992-07-15 | 1996-09-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Vibration plate of a speaker and method for producing same |
| JP4861993B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2012-01-25 | エレメント シックス リミテッド | 被覆された剛い３次元構成部材 |
| JP2010109601A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Digital Do Main Inc | Ｂｅ薄膜振動板の製造方法、同方法により製造されたＢｅ薄膜振動板及び同Ｂｅ薄膜振動板を組み込んだスピーカ |
| GB2587482A (en) * | 2019-07-12 | 2021-03-31 | Element Six Tech Ltd | Non-planar diamond body |
| GB2587482B (en) * | 2019-07-12 | 2022-05-25 | Element Six Tech Ltd | Non-planar diamond body |
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