KR102400579B1 - 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법 - Google Patents

형광 나노 다이아몬드의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 평균 입경이 10 nm 이하의 나노 다이아몬드를 준비하는 제1 단계; 상기 나노 다이아몬드에 플라즈마 이온을 주입하는 제2 단계; 상기 플라즈마 이온이 주입된 나노 다이아몬드를 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서 열처리하는 제3 단계; 상기 열처리한 나노 다이아몬드를 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서 열처리하여, 나노 다이아몬드 표면을 산소처리하는 제4 단계; 상기 산소처리된 나노 다이아몬드를 산처리하는 제5 단계; 상기 산처리된 나노 다이아몬드를 원심 분리하여 세척하는 제6 단계; 및 상기 세척된 나노 다이아몬드를 건조하는 제7 단계를 포함하고, 상기 제 2단계는, 1013 이온/cm2 이상, 1020 이온/cm2 이하의 입사 이온 밀도로 플라즈마 이온을 주입하는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 형광 나노 다이아몬드는, 세포 독성이 없어 바이오 이미징, 약물 전달 등 생물 분야에서 자유롭게 사용 가능하고, 크기 10 nm 이하의 폭발 나노 다이아몬드를 기초재료로 사용하므로 복잡한 분쇄과정이 필요 없으며, 대면적 시료에 효과적으로 공공을 형성하는 플라즈마 이온주입 공정을 적용하여 생산성을 높일 수 있다.

Description

형광 나노 다이아몬드의 제조 방법{Method for Producing Fluorescent Nanodiamonds}
본 발명은, 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명의 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법은, 대량생산에 적합하고, 별도의 분쇄 과정이 불필요하여 경제적이며, 광안정성이 우수하고, 세포독성이 없는 형광 나노 다이아몬드를 제공할 수 있다.
종래 바이오 이미징용 형광물질로는 유기염료, 형광단백질, 반도체 양자점 등이 이용되고 있으나, 낮은 광안정성 및 생체 부적합성 등의 단점을 지니고 있으며, 이러한 문제를 해결할 새로운 형광 물질로서 광안정성이 우수하고 세포 독성이 없는 형광 나노 다이아몬드가 부각되고 있다(Hui, Y. Y. et al. (2010). Nanodiamonds for optical bioimaging. Journal of Physics D: Applied Physics, 43(37), 374021.).
나노 다이아몬드는 크기 100 nm 이하의 다이아몬드로, 다이아몬드의 구조, 경도와 내구성, 화학적 불활성을 그대로 갖고 있다. 나노 다이아몬드에는 빛을 흡수 및 방출하는 다양한 결함이 존재하는데, 그 중에서도 질소-공공(nitrogen-vacancy) 센터가 가장 많이 주목받고 있다. 질소-공공 센터는 중립(neutral) 상태인 nv0와 음전하로 대전 된 상태인 nv- 등 두 가지 상태를 갖고 있으며, 532 nm 파장의 레이저로 조사되었을 때 각각 575 nm, 638 nm에서 빛을 방출한다. 보통 생체 분자는 300 내지 500 nm의 파장에서 빛을 흡수하고 400 내지 550 nm에서 자발적 형광(auto-fluorescence)을 내는데, 해당 파장과 간섭하지 않으며 광표백(photo-bleaching) 현상을 보이지 않는 질소-공공 센터 함유 나노 다이아몬드는 우수한 바이오 이미징용 형광물질이라 할 수 있다(Fu, C.-C. et al. (2007). Characterization and application of single fluorescent nanodiamonds as cellular biomarkers. Proceedings of the National Academy of Sciences, 104(3), 727-732.).
현재 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법은 질소를 함유한 수십 마이크론 이상 크기의 type-Ib HPHT 합성 다이아몬드에 고가의 입자가속기를 이용하여 전자 또는 이온을 수 MeV의 높은 에너지로 가속하여 입사시켜 공공(vacancy)을 형성한 후 열처리하여 질소-공공(nitrogen-vacancy) 컬러 센터를 만들고, 이후 크기를 줄이기 위하려 여러 단계로 분쇄하는 공정을 거친다(Boudou, J.-P. et al. (2009). High yield fabrication of fluorescent nanodiamonds. Nanotechnology, 20(35), 359801.). 그러나, 이러한 방식은 낮은 경제성 및 생산성으로 인하여 가격이 매우 높고, 크기를 35 nm 이하로 줄이기 어렵다.
또한, 현재 상용화된 크기 10 nm 이하의 형광 나노 다이아몬드는 형광 컬러센터의 농도가 매우 낮다.
본 발명의 목적은, 바이오 이미징용 형광물질의 낮은 광안정성, 생체 부적합성 및 세포 독성 문제를 해결하고, 입자가속기 사용과 분쇄 공정으로 인한 낮은 경제성 및 생산성을 해결하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 크기 10 nm 이하의 형광 나노 다이아몬드의 낮은 형광 컬러 센터 농도 문제를 해결하기 위한 것이다.
본 발명의 일 실시상태는, 평균 입경이 10 nm 이하의 나노 다이아몬드를 준비하는 제1 단계; 상기 나노 다이아몬드에 플라즈마 이온을 주입하는 제2 단계; 상기 플라즈마 이온이 주입된 나노 다이아몬드를 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서 열처리하는 제3 단계; 상기 열처리한 나노 다이아몬드를 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서 열처리하여, 나노 다이아몬드 표면을 산소처리하는 제4 단계; 상기 산소처리된 나노 다이아몬드를 산처리하는 제5 단계; 상기 산처리된 나노 다이아몬드를 원심 분리하여 세척하는 제6 단계; 및 상기 세척된 나노 다이아몬드를 건조하는 제7 단계를 포함하고, 상기 제 2단계는, 1013 이온/cm2 이상, 1020 이온/cm2 이하의 입사 이온 밀도로 플라즈마 이온을 주입하는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 제조 방법은, 대면적 시료에 이온 주입이 가능한 플라즈마 이온 주입 기술을 사용하여 입자 가속기보다 효율적으로 공공(vacancy)을 형성할 수 있다. 따라서, 입자 가속기의 낮은 생산성 문제를 해결할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 제조 방법은, 생체 친화적인 나노 다이아몬드를 사용하여 유기염료와 형광단백질, 반도체 양자점이 갖고 있는 세포 독성 및 생체 부적합성 등의 단점을 해결함으로써 생물학적 분야에 자유롭게 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 제조 방법은, 복잡한 별도의 분쇄 공정이 필요없다. 따라서, 별도의 분쇄 공정이 필요한 고온 고압(HPHT)의 합성 다이아몬드 기반의 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법에 비하여 경제성 및 효율성이 높다.
본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된, 형광 나노 다이아몬드는 낮은 광발광 광도 (photoluminescence intensity) 문제를 해결할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조 방법의 흐름도이다.
도 2는, 본 발명의 플라즈마 이온 주입 장비의 개략적인 구성도이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드에 532 nm 파장의 레이저를 방사하였을 때의 광방출을 나타낸 그래프이다.
도 4는, 본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드의 X선 회절(XRD)를 나타낸 도이다.
도 5는, 본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드의 원자 힘 현미경(AFM; atomic force microscope)을 나타낸 도이다.
도 6은, 본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드의 전자 상자성 공명 (EPR; electron paramagnetic resonance)의 스펙트럼을 나타낸 도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서, 공공(vacancy)은, 다이아몬드의 격자 자리에서 원자가 빠짐으로서 야기되는 결함을 의미할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 질소-공공(nitrogen-vacancy) 센터는, 상기 공공과 질소 원자가 결합함으로서 형성될 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시상태는, 평균 입경이 10 nm 이하의 나노 다이아몬드를 준비하는 제1 단계; 상기 나노 다이아몬드에 플라즈마 이온을 주입하는 제2 단계; 상기 플라즈마 이온이 주입된 나노 다이아몬드를 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서 열처리하는 제3 단계; 상기 열처리한 나노 다이아몬드를 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서 열처리하여, 나노 다이아몬드 표면을 산소처리하는 제4 단계; 상기 산소처리된 나노 다이아몬드를 산처리하는 제5 단계; 상기 산처리된 나노 다이아몬드를 원심 분리하여 세척하는 제6 단계; 및 상기 세척된 나노 다이아몬드를 건조하는 제7 단계를 포함하고, 상기 제 2단계는, 1013 이온/cm2 이상, 1020 이온/cm2 이하의 입사 이온 밀도로 플라즈마 이온을 주입하는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법을 제공한다.
나노 다이아몬드에 플라즈마 이온을 주입하는 제2 단계에서, 입사 이온 밀도가 1013/cm2 미만인 경우, 효과적인 질소-공공 컬러센터의 형성이 어렵다. 또한, 상기 플라즈마 이온을 주입하는 제2 단계에서, 입사 이온 밀도가 1020/cm2 를 초과하는 경우, 이온 주입 공정으로 인한 나노 다이아몬드의 결함이 생성되어, 형광 특성이 저하되며, 이온주입 공정시간이 길어짐에 따라 경제성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명의 일 실시상태의 제조 방법에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드는, 생체 친화적인 나노 다이아몬드를 사용하여, 유기염료와 형광단백질, 반도체 양자점이 갖고 있는 세포 독성 및 생체 부적합성 등의 단점을 해결함으로써 생물학적 분야에 자유롭게 적용될 수 있다. 또한, 평균 입경이 10 nm 이하 형광 나노 다이아몬드의 낮은 광 발광 광도(photoluminescence intensity) 문제를 해결할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 단계의 평균 입경이 10 nm 이하의 나노 다이아몬드는, 폭발법에 의하여 제조될 수 있다. 본 발명의 일 실시상태에 따라, 폭발법에 의하여 제조된 나노 다이아몬드를 사용하는 경우, 복잡한 별도의 분쇄 과정, 마스킹 및 플라즈마 에칭이 필요없다. 따라서, 분쇄 공정이 별도로 필요한 고온 고압(HPHT) 합성 다이아몬드 기반의 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법에 비하여 경제성 및 효율성이 높다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 제조 방법은, 상기 준비된 평균 입경이 10 nm 이하의 나노 다이아몬드에 플라즈마 이온을 주입하는 제2 단계를 이용하여, 나노 다이아몬드에 공공(vacancy)을 형성한다. 본 발명의 일 실시상태에 따라, 플라즈마 이온 주입 기술을 사용하는 경우, 대면적 시료에 이온을 주입할 수 있고, 입자가속기보다 효율적으로 공공(vacancy)을 형성할 수 있어, 입자가속기의 낮은 생산성 문제를 해결할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 단계는 -10 kV 이상, -40 kV 이하의 플라즈마 이온 주입 전압으로 수행된다. 상기 제2 단계가 -10 kV 미만의 플라즈마 이온 주입 전압으로 수행되는 경우, 질소-공공 컬러센터의 형성이 어렵고, 상기 제 2단계가 -40 kV를 초과하는 플라즈마 이온 주입 전압으로 수행되는 경우, 고전압 펄스 발생 장치의 난이도가 높아지고, 그에 따라 경제성이 저하될 수 있다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 제2 단계는 헬륨(He), 질소(N), 네온(Ne) 및 아르곤(Ar)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 공정 가스로 수행된다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 단계는, 0.5 mTorr 이상, 10 mTorr 이하의 압력에서 수행된다. 상기 제2 단계의 공정 가스 압력이 0.5 mTorr 미만의 낮은 압력에서는 플라즈마 발생이 어려운 반면, 공정 가스 압력이 10 mTorr를 초과하는 높은 압력에서는 플라즈마 이온주입시 가속되는 플라즈마 이온과 주위 가스 입자들과의 빈번한 충돌로 인하여 가속되는 플라즈마 이온의 에너지 손실이 매우 심할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제2 단계는, 5 μs 이상, 100 μs 이하의 고전압 펄스 폭으로 수행된다. 상기 제2 단계가 5 μs 미만의 펄스 폭으로 수행되는 경우, 플라즈마 이온주입이 효과적으로 이루어지지 않으며, 제2 단계가 100 μs를 초과하는 긴 펄스 폭으로 수행되는 경우, 플라즈마가 꺼질 우려가 있으며, 또한 고전압이 인가되는 시간이 길어짐에 따라 시료에 아크가 발생하여 플라즈마 이온주입 공정 수행이 어려워질 수 있다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 제2 단계는 1 Hz 이상, 1,000 Hz 이하의 공정 주파수로 수행된다. 상기 제2 단계가 1 Hz 미만의 낮은 공정 주파수로 수행되는 경우, 플라즈마 이온주입 공정 시간이 너무 많이 소요되므로 경제적인 가치가 감소하고, 상기 제2 단계가 1,000 Hz를 초과하는 높은 주파수로 수행되는 경우 작동하는 고전압 펄스 발생장치의 제작에 어려움이 있다.
도 2는, 본 발명의 플라즈마 이온 주입 장비의 개략적인 구성도이다. 도 2를 구체적으로 살피면, 본 발명의 일 실시상태에 따른 플라즈마 이온의 주입 장비는 진공챔버(1)과 상기 진공챔버(1)를 진공상태로 만들기 위한 진공 펌프(8)와, 상기 진공챔버(1) 내에 플라즈마원 기체를 만들기 위한 공정 가스(12), 가스 유량계(11), 및 계기용 변류기(14)와, 상기 안테나(2)에 플라즈마를 발생시키기 위한 RF 전력을 공급하는 RF 전력 공급장치(3)와, 상기 안테나(2)에 상기 RF 전력 공급장치(3)를 매칭시키기 위한 매칭 네트워크(4)와 이온을 가속시켜 이온주입을 시키기 위하여 음의 고전압 펄스가 인가되고 나노 다이아몬드 샘플을 지지하기 위한 시료대(6)와 상기 시료대(6)에 고전압 펄스를 공급하기 위한 고전압 펄스 발생장치(13), 고전압 측정을 위한 고전압 분배기(15)를 구비하고 있다. 미설명 부호 (5)는 플라즈마, (7)은 시료, (9)는 이온게이지, (10)은 랑뮤어 프로브, (16)은 오실로스코프, (17)은 자석, (18)은 납 차폐벽, (19)는 진공챔버의 접지부를 나타낸 것이다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 제조 방법은, 상기 플라즈마 이온이 주입된 나노 다이아몬드를 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서 열처리하는 제3 단계를 통하여, 공공(vacancy)이 움직이게 되고, 질소 원자와 만나서, 질소-공공(nitrogen-vacancy) 센터를 형성하고, 다이아몬드의 격자가 재배치된다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제3 단계는, 나노 다이아몬드 표면에서의 산화를 피하기 위하여, 진공 또는 불활성 분위기 하에서 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제3 단계에서 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리 온도는, 600 ℃ 이상, 1100 ℃ 이하일 수 있다. 상기 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리 온도가 600 ℃ 미만인 경우, 공공의 낮은 확산 속도로 인하여 질소-공공 컬러센터의 형성이 어렵고, 상기 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리 온도가 1100 ℃를 초과하는 경우, 나노 다이아몬드의 결정이 파괴되어 흑연화가 일어날 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제3 단계에서 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리 시간은, 10초 이상, 10 시간 이하의 시간 동안 수행될 수 있다. 구체적으로, 상기 제3 단계의 열처리 시간은, 1 시간 미만일 수 있다. 상기 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리 시간이 10초 미만인 경우, 공공의 확산이 충분치 못하여 질소-공공 컬러센터의 형성이 어려우며, 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리시간이 10 시간을 초과하는 경우, 장시간 열처리할 때는 나노 다이아몬드의 결정이 파괴되어 흑연화가 심각해질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 따른 상기 열처리한 나노 다이아몬드를 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서 열처리하여, 나노 다이아몬드 표면을 산소처리하는 제4 단계를 통하여, 나노 다이아몬드 표면의 sp2를 제거한다. 본 발명에서 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서 열처리란, 산소를 포함하는 가스 분위기이면 족하고, 공기 중에서 수행될 수 있으며, 이를 구체적으로 한정하지 않는다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제4 단계에서 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서의 열처리 온도는, 350 ℃ 이상, 600 ℃ 이하이다. 상기 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서의 열처리 온도가 350 ℃ 미만인 경우, 표면의 sp2 제거가 불충분하여 형광 특성이 저하될 수 있고, 상기 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서의 열처리 온도가 600 ℃를 초과하는 경우, 나노 다이아몬드 자체가 산화되어 수율이 저하될 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제4 단계에서 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서의 열처리 시간은 1 시간 이상, 70 시간 이하의 시간 동안 수행된다. 상기 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서의 열처리 시간이 1 시간 미만인 경우, 표면의 sp2 제거가 불충분하여 형광 특성이 저하되고, 상기 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서의 열처리 시간이 70 시간을 초과하는 경우, 나노 다이아몬드 자체가 산화되어 수율이 저하될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 산소처리된 나노 다이아몬드를 산처리하는 제5 단계를 이용하여, 금속 불순물과 나노 다이아몬드 표면의 잔류 sp2를 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제5 단계의 산은, 불화 수소(HF) 및 질산(HNO3)의 혼합물을 사용할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 산처리하는 제5 단계는, 40 ℃ 이상, 150 ℃ 이하의 온도에서 수행될 수 있다. 상기 산처리 온도가 40 ℃ 미만인 경우, 처리 시간이 너무 길어져 경제성이 저하될 수 있고, 상기 산처리 온도가 150 ℃ 를 초과하는 경우, 산이 빨리 증발하여 산처리 효과가 감소할 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 산처리된 나노 다이아몬드를 원심 분리하여 세척하는 제6 단계를 이용하여, 제5 단계에서의 산을 씻어(rinsing)낼 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제6 단계의 원심 분리는, 1,000 g 이상, 60,000 g 이하의 원심 가속도로 수행된다. 상기 원심 분리의 원심 가속도가 1,000 g 미만인 경우, 산 세척 효과가 저하될 수 있고, 상기 원심 분리의 원심 가속도가 60,000 g를 초과하는 경우, 고가의 대형 원심분리기를 이용해야 하므로 경제성이 떨어질 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제6 단계의 원심 분리는, 10분 이상, 10 시간 이하의 시간 동안 수행될 수 있다. 상기 원심 분리 시간이 10분 미만인 경우, 산 세척 효과가 저하될 수 있고, 상기 원심 분리 시간이 10 시간을 초과하는 경우, 경제성이 떨어질 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 세척된 나노 다이아몬드를 건조하는 제7 단계는, 40 ℃ 이상, 200 ℃ 이하의 온도에서 수행된다. 상기 건조 온도가 40 ℃ 미만인 경우, 건조 시간이 증가되어 경제성이 저하될 수 있고, 상기 건조 온도가 200 ℃를 초과하는 경우, 비등 현상으로 인하여 시료의 회수가 어려워질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제7 단계는, 10-1 Torr 이상, 770 Torr 이하의 압력에서 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 제조 방법으로 제조된 형광 나노 다이아몬드를 제공한다. 상기 형광 나노 다이아몬드는, 평균 입경이 10 nm 이하이고, 종래의 형광 나노 다이아몬드에 비하여, 높은 농도의 형광 컬러 센터를 포함한다.
상기 형광 나노 다이아몬드는, 전술한 제조 방법으로 제조된 것을 제외하고 당업계에서 알려져 있는 형광 나노 다이아몬드와 동일한 분야에 적용될 수 있다. 구체적으로, 바이오 이미징, 약물전달, 생물지표, 유전자 전달 등 다양한 생체 분야뿐만 아니라, 양자 통신, 양자 계산 등 양자정보 과학 분야에도 적용이 가능할 수 있다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 기술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
실시예
도 1은, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조 방법의 흐름도이다.
구체적으로 제1 단계에서, 기초 원재료인 폭발법으로 제조된 나노 다이아몬드 DND(detonation nanodiamond) 파우더를 금속 그릇에 고르게 담아 에탄올을 넣고 말렸다. 에탄올이 증발하며 그릇에 DND 층이 생성되었다. 이 금속 그릇을 플라즈마 이온주입 챔버에 넣었다.
제2 단계에서, 플라즈마 이온주입 챔버가 고진공인 상태에서 질소 가스를 주입하고 공정 압력은 2 mTorr로, 플라즈마 이온주입 주파수는 50 Hz로 설정하였다. 이 조건에서 DND 층이 생성된 금속 그릇에 -20 kV의 고전압을 15 μs 펄스폭으로 인가하여 1016 이온/cm2 의 입사 이온 밀도로 플라즈마 이온주입 공정을 진행하였다. 플라즈마 이온주입 공정을 통해 공공(vacancy)이 형성된 DND 파우더를 알루미나 그릇에 옮겨 담은 후 진공 급속 열처리장치에 넣었다.
제3 단계에서, 플라즈마 이온이 주입된 DND 파우더를 진공 급속 열처리장치에 장입하여, 900 ℃ 온도의 진공 분위기 하에서 30분 동안 열처리하였다.
제4 단계에서, 진공 급속 열처리장치에 200 sccm의 산소를 공급하며 공정 압력을 15 Torr로 고정한 후 450 ℃에서 산소처리하였다. 산소처리 공정은 8시간 가량 진행하였다. 해당 공정에선 플라즈마 이온주입과 진공 열처리에 의해 생성된 나노 다이아몬드 표면의 sp2가 제거되었다.
제5 단계에서, 산소처리된 나노 다이아몬드 분말을 불화 수소(HF) 및 질산(HNO3)의 혼합물에 넣고 95 ℃에서 12 시간가량 산처리를 진행하였다.
제 6 단계에서, 산처리가 완료된 이후에 나노 다이아몬드 분말에 초순수 정제수를 첨가하고, 30 분간 초음파 처리한 후 원심분리 하는데, 원심분리는 9605 g에서 3 시간 가량 진행하였다. 원심분리 후 나노 다이아몬드는 바닥에 침전되고 상부의 나머지 산 상청액을 폐기하였다. 여기서 침전된 나노 다이아몬드에 다시 정제수를 부어 초음파 처리한 후 상기 원심분리 조건에서 이차적으로 원심분리하여 산 상청액을 또다시 폐기하였다. 이러한 과정을 통해 나노 다이아몬드의 sp2와 금속 불순물, 잔여 산을 제거하였다.
제7 단계에서, 원심분리된 나노 다이아몬드를 진공 오븐에 넣고 80 ℃에서 건조하여, 최종 형광 나노 다이아몬드를 수득하였다.
도 3은, 본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드에 532 nm 파장의 레이저를 방사하였을 때의 광방출을 나타낸 그래프이다. 구체적으로, 도 3은 상기 실시예에 따라, 제조된 형광 나노 다이아몬드와 제1 단계에서의 준비되었던 처리 전 나노 다이아몬드의 532 nm 파장에서의 형광 발광 스펙트럼을 비교한 도이다.
도 3을 구체적으로 살피면, 제1 단계에서의 준비되었던 처리 전 나노 다이아몬드의 발광 스펙트럼은, 650 nm에서 낮은 강도의 물 라만(Raman) 피크만 보이지만, 본 발명의 실시예에 따라 제조된 나노 다이아몬드의 경우에는 550 nm에서부터 800 nm까지 폭이 넓은 처리 전 대비 매우 높은 강도의 피크가 보이는 것을 확인할 수 있다.
통상적인 형광 나노 다이아몬드의 스펙트럼은 532 nm 와 637 nm에서 영 포논(zero-phonon) 라인을 보여주지만, 크기 50 nm 이하의 나노 다이아몬드는 영 포논 라인의 형태가 뚜렷하지 않으며, 포토루미네선스 (photoluminescence) 피크의 위치가 낮은 파장 쪽으로 이동하는 현상이 일어난다(Wilson, E. R. et al. (2019). The effect of particle size on nanodiamond fluorescence and colloidal properties in biological media. Nanotechnology, 30(38), 385704.). 본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된 평균 입경이 10 nm 이하인 형광 나노 다이아몬드의 경우에도 영 포논 라인이 뚜렷하지 않고 피크의 위치가 낮은 파장 쪽으로 움직이는 현상이 일어나는 것을 알 수 있다.
도 4는, 본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드의 X선 회절(XRD; (X-Ray Diffractometry)를 나타낸 도이다. 구체적으로, 도 4는 상기 실시예에 따라, 제조된 형광 나노 다이아몬드와 제1 단계에서의 준비되었던 처리 전 나노 다이아몬드의 X선 회절을 비교한 도이다.
본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드와 제1 단계에서 준비되었던 처리 전 나노 다이아몬드 모두 (111), (220), (311) 다이아몬드 결정면에서 결정성이 좋은 피크가 나오는데, 이를 통해 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조 방법으로 제조된 형광 나노 다이아몬드는, 상기 제1 단계 내지 제7 단계를 거친 후에도 다이아몬드 결정이 유지되는 것을 확인할 수 있다. 또한 쉐러(Scherrer) 공식으로 계산한 실시예에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드와 제1 단계에서 준비되었던 처리 전 나노 다이아몬드의 결정 크기는 각각 4.0 nm, 4.2 nm로, 모두 10 nm 이하인 것을 알 수 있었다.
도 5는, 본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드의 원자 힘 현미경(AFM; [atomic force microscope)을 나타낸 도이다. AFM으로 측정한 실시예에 따라 제조된 나노 다이아몬드의 평균 크기는 약 5 nm로, 샘플 준비과정에서 뭉친 큰 덩어리들은 이 값에 포함되지 않았으며, 앞서 도 4에서 계산된 값과 유사한 것을 확인할 수 있다.
도 6은, 본 발명의 일 실시상태에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드의 전자 상자성 공명 (EPR; electron paramagnetic resonance)의 스펙트럼을 나타낸 도이다. 구체적으로, 도 6은 상기 실시예에 따라, 제조된 형광 나노 다이아몬드와 제1 단계에서의 준비되었던 처리 전 나노 다이아몬드의 전자 상자성 공명 (EPR; electron paramagnetic resonance)의 공명 흡수선을 비교한 도이다. 시료의 전자 상자성 공명 측정은 주파수를 9.45 GHz에 고정하고, 자장의 세기를 0에서 300 mT까지 증가시키며 진행하였다. 제1 단계에서 준비되었던 처리 전 나노 다이아몬드의 스펙트럼에서는 nv-에서 나오는 EPR 시그널이 보이지 않는 반면에 상기 실시예에 따라 제조된 형광 나노 다이아몬드의 스펙트럼에서는 nv-에 해당하는 시그널을 확인할 수 있다.
상기 도 6의 결과로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조 방법으로 제조된, 형광 나노 다이아몬드는 질소-공공(nitrogen-vacancy) 컬러 센터가 형성되었음을 확인할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시상태에 따른 제조 방법은 평균 입경 10 nm 이하의 크기를 가짐과 동시에 형광 컬러 센터의 농도가 높은 형광 나노 다이아몬드를 제공할 수 있는 것을 확인하였다.
1: 진공챔버
2: 안테나
3: RF전력공급장치
4: 매칭네트워크
5: 플라즈마
6: 시료대
7: 시료
8: 진공 펌프
9: 이온게이지
10: 랑뮤어 프로브
11: 가스 유량계
12: 공정 가스
13: 고전압 펄스 발생장치
14: 계기용 변류기
15: 고전압 분배기
16: 오실로스코프
17: 자석
18: 납 차폐벽
19: 진공챔버 접지부

Claims (17)

  1. 평균 입경이 10 nm 이하의 나노 다이아몬드를 준비하는 제1 단계;
    상기 나노 다이아몬드에 플라즈마 이온을 주입하는 제2 단계;
    상기 플라즈마 이온이 주입된 나노 다이아몬드를 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서 열처리하는 제3 단계;
    상기 열처리한 나노 다이아몬드를 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서 열처리하여, 나노 다이아몬드 표면을 산소처리하는 제4 단계;
    상기 산소처리된 나노 다이아몬드를 산처리하는 제5 단계;
    상기 산처리된 나노 다이아몬드를 원심 분리하여 세척하는 제6 단계; 및
    상기 세척된 나노 다이아몬드를 건조하는 제7 단계를 포함하고,
    상기 제 2단계는, 1013 이온/cm2 이상, 1020 이온/cm2 이하의 입사 이온 밀도로 플라즈마 이온을 주입하는 것이고,
    상기 제2 단계는 1 Hz 이상, 1,000 Hz 이하의 공정 주파수로 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 단계의 평균 입경이 10 nm 이하의 나노 다이아몬드는, 폭발법에 의하여 제조되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 단계는 -10 kV 이상, -40 kV 이하의 플라즈마 이온 주입 전압으로 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 단계는 헬륨(He), 질소(N), 네온(Ne) 및 아르곤(Ar)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 공정 가스로 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 단계는, 0.5 mTorr 이상, 10 mTorr 이하의 압력에서 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 단계는, 5 μs 이상, 100 μs 이하의 고전압 펄스 폭으로 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 단계에서 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리 온도는, 600 ℃ 이상, 1100 ℃ 이하인 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 제3 단계에서 진공 또는 불활성 가스 분위기 하에서의 열처리 시간은, 10초 이상, 10 시간 이하의 시간 동안 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제4 단계에서 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서의 열처리 온도는, 350 ℃ 이상, 600 ℃ 이하인 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제4 단계에서 산소를 포함하는 가스 분위기 하에서의 열처리 시간은 1 시간 이상, 70 시간 이하의 시간 동안 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 제5 단계의 산은, 불화 수소(HF) 및 질산(HNO3)의 혼합물인 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 제5 단계는, 40 ℃ 이상, 150 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 제6 단계의 원심 분리는, 1,000 g 이상, 60,000 g 이하의 원심 가속도로 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 제6 단계의 원심 분리는, 10분 이상, 10 시간 이하의 시간 동안 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 제7 단계는, 40 ℃ 이상, 200 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 제7 단계는, 10-1 Torr 이상, 770 Torr 이하의 압력에서 수행되는 것인 형광 나노 다이아몬드의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010526746A (ja) 2007-05-10 2010-08-05 アンセルム（アンスチチュ ナショナル ドゥ ラ サンテ エ ドゥ ラ ルシェルシュ メディカル） 発光ダイヤモンドナノ粒子を製造する方法
WO2014058012A1 (ja) * 2012-10-12 2014-04-17 独立行政法人科学技術振興機構 ナノダイヤモンド粒子およびその製造方法ならびに蛍光分子プローブおよびタンパク質の構造解析方法
WO2015199180A1 (ja) * 2014-06-25 2015-12-30 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド基板の製造方法、ダイヤモンド基板、及び、ダイヤモンド複合基板
JP2017202940A (ja) 2016-05-09 2017-11-16 株式会社ダイセル ナノダイヤモンド製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010526746A (ja) 2007-05-10 2010-08-05 アンセルム（アンスチチュ ナショナル ドゥ ラ サンテ エ ドゥ ラ ルシェルシュ メディカル） 発光ダイヤモンドナノ粒子を製造する方法
WO2014058012A1 (ja) * 2012-10-12 2014-04-17 独立行政法人科学技術振興機構 ナノダイヤモンド粒子およびその製造方法ならびに蛍光分子プローブおよびタンパク質の構造解析方法
WO2015199180A1 (ja) * 2014-06-25 2015-12-30 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド基板の製造方法、ダイヤモンド基板、及び、ダイヤモンド複合基板
JP2017202940A (ja) 2016-05-09 2017-11-16 株式会社ダイセル ナノダイヤモンド製造方法

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