JP2014218728A - 絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板およびその製造方法 - Google Patents

絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014218728A
JP2014218728A JP2013100592A JP2013100592A JP2014218728A JP 2014218728 A JP2014218728 A JP 2014218728A JP 2013100592 A JP2013100592 A JP 2013100592A JP 2013100592 A JP2013100592 A JP 2013100592A JP 2014218728 A JP2014218728 A JP 2014218728A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
less
stainless steel
oxide film
thermal expansion
expansion coefficient
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013100592A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6392501B2 (ja
Inventor
秦野 正治
Masaharu Hatano
正治 秦野
石丸 詠一朗
Eiichiro Ishimaru
詠一朗 石丸
服部 憲治
Kenji Hattori
憲治 服部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Stainless Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel and Sumikin Stainless Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2013100592A priority Critical patent/JP6392501B2/ja
Application filed by Nippon Steel and Sumikin Stainless Steel Corp filed Critical Nippon Steel and Sumikin Stainless Steel Corp
Priority to PCT/JP2014/062152 priority patent/WO2014181768A1/ja
Priority to CN201480025682.XA priority patent/CN105209651B/zh
Priority to US14/888,860 priority patent/US9837567B2/en
Priority to KR1020157032186A priority patent/KR101773277B1/ko
Priority to EP14794499.5A priority patent/EP2995697B1/en
Priority to TW103116251A priority patent/TWI518189B/zh
Publication of JP2014218728A publication Critical patent/JP2014218728A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6392501B2 publication Critical patent/JP6392501B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D1/00General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
    • C21D1/74Methods of treatment in inert gas, controlled atmosphere, vacuum or pulverulent material
    • C21D1/76Adjusting the composition of the atmosphere
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00Heat treatment of ferrous alloys
    • C21D6/002Heat treatment of ferrous alloys containing Cr
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/04Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips to produce plates or strips for deep-drawing
    • C21D8/0478Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips to produce plates or strips for deep-drawing involving a particular surface treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/04Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips to produce plates or strips for deep-drawing
    • C21D8/0478Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips to produce plates or strips for deep-drawing involving a particular surface treatment
    • C21D8/0484Application of a separating or insulating coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D9/00Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor
    • C21D9/46Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for sheet metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/001Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing N
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/002Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing In, Mg, or other elements not provided for in one single group C22C38/001 - C22C38/60
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/004Very low carbon steels, i.e. having a carbon content of less than 0,01%
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/005Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing rare earths, i.e. Sc, Y, Lanthanides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/008Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing tin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/02Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/04Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing manganese
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/06Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/22Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with molybdenum or tungsten
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/24Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with vanadium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/26Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with niobium or tantalum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/28Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with titanium or zirconium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/30Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with cobalt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/32Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/38Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with more than 1.5% by weight of manganese
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/40Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with nickel
    • C22C38/42Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with nickel with copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/40Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with nickel
    • C22C38/48Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with nickel with niobium or tantalum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/40Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with nickel
    • C22C38/50Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with nickel with titanium or zirconium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C38/00Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/40Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with nickel
    • C22C38/58Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with nickel with more than 1.5% by weight of manganese
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/10Oxidising
    • C23C8/12Oxidising using elemental oxygen or ozone
    • C23C8/14Oxidising of ferrous surfaces
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/10Oxidising
    • C23C8/16Oxidising using oxygen-containing compounds, e.g. water, carbon dioxide
    • C23C8/18Oxidising of ferrous surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541CuInSe2 material PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Heat Treatment Of Sheet Steel (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Abstract

【課題】コーティングやメッキによらず太陽電池の変換効率を高位に持続する絶縁性表面を形成し、熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板を提供する。
【解決手段】質量%にて、Cr:9〜25%、C:0.03%以下、Mn:2%以下、P:0.05%以下、S:0.01%以下、N:0.03%以下、Al:0.005〜5.0%、Si:0.05〜4.0%を含み、残部がFeおよび不可避的不純物からなり、Al:0.5%以上、及び/又は、Si:0.4%以上を含み、下記(1)式を満たす組成を有するステンレス鋼材の表面に、(i)Alを50%以上含む、または(i)と(ii)SiOとの合計を50%以上含む酸化皮膜が形成されているステンレス製太陽電池用基板とする。Cr+10Si+Mn+Al>24.5 ・・・(1)但し、(1)式中の元素記号は、当該元素の鋼中における含有質量%を意味する。
【選択図】なし

Description

本発明は、コーティングによらずに表面に形成された絶縁性酸化皮膜を有する熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池基板およびその製造方法に関する。
従来、絶縁性基板には、熱膨張係数の小さいセラミックスやガラスに加えて、安価で耐熱性に優れるステンレス鋼の適用が検討されている。
たとえば特許文献1,2には、平滑なステンレス鋼板の表面にアルミナや酸化シリコンあるいは窒化シリコン膜をコーティングした絶縁性材料が開示されている。素材には、汎用のフェライト系ステンレス鋼SUS430(17Cr鋼)が使用されている。
さらに、特許文献3には、成膜性が良好なステンレス表面として、表面粗さパラメータのRzとRskの両者を規定した材料が開示されている。素材には、NbとCuを添加したSUS430J1L(18Cr−0.4Cu−0.4Nb)と汎用のオーステナイト系ステンレス鋼SUS304(18Cr−8Ni)が使用されている。
近年、太陽光発電は、化石燃料に替わる主要なエネルギーの一つに発展しつつあり、太陽電池の技術開発が加速している。中でも、CIS系太陽電池は、低コストと高効率を両立した太陽電池として、将来の普及が期待されている。CIS系太陽電池は、基板上にMo層からなる電極層を形成し、その上に光吸収層としてカルコパイライト型化合物層を形成してなるものである。カルコパイライト型化合物とは、Cu(InGa)(SeS)に代表される5元系合金である。
古くから、太陽電池基板には、絶縁体で熱膨張係数の小さいガラスが広く使用されてきた。しかしながら、ガラスは脆くて重いため、ガラス表面に光吸収層を形成した太陽電池基板を大量生産することは容易でない。そこで、近年、軽量化と大量生産を指向するうえで、耐熱性と強度・延性バランスに優れるステンレス鋼を用いた太陽電池基板の開発も進められている。
たとえば特許文献4には、0.2mm以下のステンレス箔に対して、アルミナ被膜からなる絶縁被膜を形成し、その上にMo層からなる電極を形成し、その上に光吸収層としてCu(In1−xGa)Seの被膜を形成する太陽電池基板材の製造方法が開示されている。ステンレス箔の素材には、SUS430、SUS444(18Cr−2Mo)、SUS447J1(30Cr−2Mo)が用いられている。
また、特許文献5及び6には、Cu被覆層を有するCu被覆鋼板において、Cu被覆層上にMo被膜を形成し、その上にCu(InGa)(SeS)型化合物層を形成したCIS太陽電池用電極基板が開示されている。特許文献5及び6には、Cu被覆鋼板の基材として、C:0.0001〜0.15%、Si:0.001〜1.2%、Mn:0.001〜1.2%、P:0.001〜0.04%、S:0.0005〜0.03%、Ni:0〜0.6%、Cr:11.5〜32.0%、Mo:0〜2.5%、Cu:0〜1.0%、Nb:0〜1.0%、Ti:0〜1.0%、Al:0〜0.2%、N:0〜0.025%、B:0〜0.01%、V:0〜0.5%、W:0〜0.3%、Ca、Mg、Y、REM(希土類元素)の合計:0〜0.1%、残部Feおよび不可避的不純物からなるフェライト系ステンレス鋼を使用することが開示されている。但し、実施例で使用されるフェライト系ステンレス鋼はSUS430に限定されている。
特許文献7には、耐熱性の良い絶縁皮膜を形成したステンレス鋼材およびその製造方法について開示されている。特許文献7では、基材となるステンレス鋼として、C:0.0001〜0.15%、Si:0.001〜1.2%、Mn:0.001〜2.0%、P:0.001〜0.05%、S:0.0005〜0.03%、Ni:0〜2.0%,Cu:0〜1.0%、Cr:11.0〜32.0%、Mo:0〜3.0%、Al:1.0〜6.0%、Nb:0〜1.0%、Ti:0〜1.0%、N:0〜0.025%、B:0〜0.01%,V:0〜0.5%、W:0〜0.3%、Ca、Mg、Y、REM(希土類元素)の合計:0〜0.1%、残部Feおよび不可避的不純物からなるものを用い、その基材表面上に、Al酸化物層を介して、厚さ1.0μm以上のNiOとNiFeの混合層を形成している。実施例で使用されている鋼は、Si:0.4%未満のAl含有フェライト系ステンレス鋼である。また、特許文献7には、鋼のSi含有量は0.5%以下に管理しても良いことが記述されている。また、NiO等の混合層とAl酸化物層は、電気メッキによりNiめっき層を形成した後、大気中の熱処理により鋼とNiめっき層との界面にAl酸化物層を形成させかつNiめっき層を酸化物層へ変質させることにより生成している。
一方、特許文献8及び9には、塗料のコーティングによらずにステンレス鋼表面に絶縁性を付与する製造方法が開示されている。特許文献8には、2%以上のAl含有フェライト系ステンレス鋼板を850℃以上に加熱して酸化アルミニウム層を形成する方法が記載されている。但し、実施例ではCやNの不純物を含むSUS430にAl添加した鋼への60分の熱処理に限定されている。また、特許文献9には、1000℃で1時間以上の酸化処理を施し、全表面が等軸晶および/または柱状晶からなるα−Alで被覆されたステンレス鋼が示されている。但し、実施例で使用されるステンレス鋼は20Cr−5Alに限定されている。
特開平6−299347号公報 特開平6−306611号公報 特開2011−204723号公報 特開2012−169479号公報 特開2012−59854号公報 特開2012−59855号公報 特開2012−214886号公報 特開昭63−155681号公報 特開2002−60924号公報
上述した通り、軽量化と大量生産を指向して太陽電池を普及するうえで、ステンレス鋼の基板への適用は有効である。将来、主要な太陽光発電としてCIS系太陽電池の普及を拡大していくには、コーティング等の煩雑な表面処理を省略したコストダウンが重要な課題である。
前記した課題の解決には、基板に使用するステンレス鋼の絶縁性が関与する。
すなわち、上記課題に対しては、コーティングやメッキによらず太陽電池の変換効率を損なわない絶縁性表面を達成することが望まれる。この点に関しては、特許文献1〜7で開示されている通り、これまで、コーティングやメッキによるステンレス鋼の適用技術が主流である。さらに、コーティングによらない絶縁性を付与する技術については、現状、特許文献8に開示されているSUS430にAl添加したステンレス鋼への850℃以上60分の熱処理または、特許文献9に開示されている20Cr−5Alのステンレス鋼に対して、1000℃以上,1時間以上の熱処理を施す方法に限定されている。
そこで本発明の目的は、太陽電池の変換効率を高位に持続できる絶縁性に優れた酸化皮膜が表面に形成されているステンレス製太陽電池用基板および、コーティングによらずに表面に絶縁性に優れた酸化皮膜を形成できる太陽電池用基板の製造方法を提供することにある。
本発明者らは、前記した課題を解決するために、熱処理によってフェライト系ステンレス鋼の表面に形成される酸化皮膜の絶縁性に対する合金元素(Cr、Si、Al等)の作用効果に着眼して鋭意実験と検討を重ね、本発明を完成させた。以下に本発明で得られた知見について説明する。
(a)Alは、熱処理を行うことにより、ステンレス鋼表面にアルミナ(Al)皮膜を形成して絶縁性を付与する有効な元素である。アルミナ被膜からなる絶縁性表面を形成するには、素材として、SUH21(18Cr−3Al)や20Cr−5Alに代表される3〜6%Al含有フェライト系ステンレス鋼の適用が考えられる。しかしながら、これら高Al含有フェライト系ステンレス鋼の熱膨張係数は、CIS系太陽電池の電極層及び光吸収層を成膜する際の温度上昇時において必ずしも小さいものでなく、成膜性と電池の耐久性には課題がある。特に、Al含有量が2.0%以上であるステンレス鋼では、熱膨張係数が顕著に大きいものとなる。また、不純物の多いSUS430へのAl添加は、熱膨張係数を含む材質面の課題に加えて、アルミナ皮膜を形成する熱処理条件(850℃、1時間以上)にも制約がある。
本発明者は、過度なAl添加によらず、Si添加とCr量を調整したステンレス鋼とすることにより、熱膨張係数が小さく、太陽電池の耐久性向上に好適な表面絶縁性を有する酸化皮膜を熱処理により形成できるものになるという顕著な効果が得られることを見出した。このような熱膨張係数の小さいSi添加Al含有フェライト系ステンレス鋼の表面に、熱処理により形成される酸化皮膜の絶縁性の向上作用については、未だ不明なところも多いものの、以下に述べるような検討結果に基づいて、その作用機構を推察している。
(b)Crに加えてSiは、フェライト系ステンレス鋼の熱膨張係数低下に効果的な元素である。特に、Alを2.0%以上含有するステンレス鋼に、Siを0.3%以上含有させることで、Alを含有させることによる熱膨張係数の上昇を効果的に抑制できる。また、Siは、熱膨張係数の低下に加えて、絶縁性酸化皮膜の形成に対しても有効に作用する。Si添加したステンレス鋼では、熱処理することによりSiO連続皮膜が表面に形成される。このSiO連続皮膜は、絶縁性を付与するに至らないまでも、半導体であるCrの電気抵抗を著しく上昇させるとともに、絶縁性のあるAl皮膜の形成を促進する作用を持つ。このようなSiによる酸化皮膜の改質効果は、Siを0.4%以上含有させることにより発現することを見出した。
(c)上記のSi添加Al含有フェライト系ステンレス鋼を熱処理することにより表面に形成された酸化皮膜の詳細な表面分析から、太陽電池の基板に好適な絶縁性は、(i)Alを50%以上含む、または(i)と(ii)SiOとの合計を50%以上含む酸化皮膜により、付与できるという新たな知見を見出した。また、上記の酸化皮膜が(i)、または(i)と(ii)に加えて、さらに(iii)Al含有スピネル酸化物(MgAl)を含む場合、より優れた絶縁性が得られるという新たな知見を見出した。なお、従来は、(i)の厚みや健全性(γ、θ→α化)の性状を最適化するためにメッキや長時間の熱処理が施されている。これに対して上記の酸化皮膜において(iii)を皮膜中に内在する場合、(i)の性状によらず表面の絶縁性を高める顕著な効果を発現する。
(d)上述した(i)を含む酸化皮膜、または(i)と(ii)および/または(iii)とを含む酸化皮膜の形成を促進する効果を得るには、Cr、Si、Mn、Alの各元素の含有量を限定するとともに、Cr+10Si+Mn+Al>24.5(但し、式中の元素記号は、当該元素の鋼中における含有質量%を意味する。)を満たす合金組成に調整することが有効であることを見出した。Mnは、ステンレス鋼の熱処理時におけるFeの酸化を抑制してAlを含む酸化物およびSiを含む酸化物を含有する絶縁性酸化皮膜の形成を促進する。
Cr、Si、Mn、Alの主構成元素に加えて、微量のMgはAl系スピネル酸化物の生成を促進して絶縁性を高める作用を持つ。更に、SnならびにZrを複合添加した場合に(i)〜(iii)の形成は促進される。また、上記合金組成の調整は、酸化皮膜の形成に加えて、Al含有フェライト系ステンレス鋼の熱膨張係数の上昇抑制にも効果的であることを知見した。
(e)前記した酸化皮膜による表面絶縁性の向上効果を高めるには、C、N、P、Sの低減により鋼の高純度化を図り、更に、安定化元素としてNbやTiを添加することが効果的である。
(f)(c)で述べた酸化皮膜を形成するには、公知の焼鈍と酸洗や研磨で得られた上記合金組成を有するステンレス鋼材を、さらに水蒸気及び酸素を含む雰囲気中において300〜1000℃で熱処理することが好ましい。特に、(i)に加えて、(iii)の生成を促進するには、雰囲気の露点を40℃以上に高めて熱処理を行うことが有効である。
上記(a)〜(f)の知見に基づいて成された本発明の要旨は、以下の通りである。
(1) 質量%にて、Cr:9〜25%、C:0.03%以下、Mn:2%以下、P:0.05%以下、S:0.01%以下、N:0.03%以下、Al:0.005〜5.0%、Si:0.05〜4.0%を含み、残部がFeおよび不可避的不純物からなり、Al:0.5%以上、及び/又は、Si:0.4%以上を含み、下記(1)式を満たす組成を有するステンレス鋼材の表面に、(i)Alを50%以上含む、または(i)と(ii)SiOとの合計を50%以上含む酸化皮膜が形成されていることを特徴とする絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板。
Cr+10Si+Mn+Al>24.5 ・・・(1)
但し、(1)式中の元素記号は、当該元素の鋼中における含有質量%を意味する。
(2) 前記ステンレス鋼材が、Al:2.0%以上及びSi:0.3%以上を含むものであることを特徴とする(1)に記載の絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板。
(3) 前記ステンレス鋼材が、質量%にて、更にSn:1%以下、Zr:0.5%以下、Mg:0.005%以下、Ni:1%以下、Cu:1%以下、Co:0.5%以下、Mo:2%以下、V:0.5%以下、B:0.005%以下、Ca:0.005%以下、La:0.1%以下,Y:0.1%以下,Hf:0.1%以下,REM:0.1%以下、Nb:1%以下、Ti:1%以下の1種または2種以上を含有していることを特徴とする(1)または(2)に記載の絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板。
(4) 前記酸化皮膜が(iii)MgAlを含むことを特徴とする(3)に記載の絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板。
(5) 前記酸化皮膜中の(iii)MgAlの含有量が5%以上であることを特徴とする(4)に記載の絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板。
(6) (1)〜(3)のいずれか一項に記載の組成を有するステンレス鋼材を、水蒸気を含む雰囲気中で300〜1000℃の温度範囲で熱処理することにより、前記ステンレス鋼材の表面に酸化皮膜を形成する形成皮膜工程を有することを特徴とする絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板の製造方法。
(7) 前記形成皮膜工程において、露点40℃以上の水蒸気を含む雰囲気中で前記熱処理を行うことを特徴とする(6)に記載の絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板の製造方法。
本発明のステンレス製太陽電池用基板は、Al:0.5%以上、及び/又は、Si:0.4%以上を含み、上記(1)式を満たす組成を有するステンレス鋼材の表面に、(i)Alを50%以上含む、または(i)と(ii)SiOとの合計を50%以上含む酸化皮膜が表面に形成されているものであり、コーティングやメッキによらず太陽電池の変換効率を高位に持続する絶縁性表面が形成されているものである。したがって、本発明のステンレス製太陽電池用基板は、太陽電池基板として好適である。
また、本発明のステンレス製太陽電池用基板のステンレス鋼材が、Al:2.0%以上及びSi:0.3%以上を含む場合、熱処理時にAlとSiとによる絶縁性酸化皮膜の形成を促進させる相乗効果が得られるとともに、SiによってAlを含有させることによる熱膨張係数の上昇が効果的に抑制される。その結果、より一層絶縁性に優れた酸化皮膜を有し、しかも熱膨張係数が小さい太陽電池基板に好適なステンレス製太陽電池用基板となる。
以下、本発明の各要件について詳しく説明する。なお、各元素の含有量の「%」表示は「質量%」を意味する。
本発明のステンレス製太陽電池用基板は、ステンレス鋼材の表面に、上記(i)を含む酸化皮膜、または(i)と(ii)および/または(iii)とを含む酸化皮膜が形成されているものである。
本発明のステンレス製太陽電池用基板に含まれるステンレス鋼材は、以下に示す組成を有しているため、熱処理を行うことにより、上記(i)を含む酸化皮膜、または(i)と(ii)および/または(iii)とを含む酸化皮膜が表面に形成されるものとなっている。
(I)ステンレス鋼材の成分の限定理由を以下に説明する。
本発明のステンレス製太陽電池用基板に含まれるステンレス鋼材は、フェライト系ステンレス鋼である。Crは、本発明において用いるフェライト系ステンレス鋼の主構成元素である。Crは、SiおよびAlとともに添加することにより、(i)を含む酸化皮膜、または(i)と(ii)および/または(iii)とを含む上記絶縁性酸化皮膜の形成を促進し、熱膨張係数を低下させる必須の元素である。上記効果を得るために、Cr含有量の下限は9%とし、10%以上とすることが好ましく、11%以上とすることがより好ましい。Cr含有量の上限は、SiおよびAlの添加による鋼の靭性や加工性の低下を抑制する観点から25%とし、好ましくは20%以下、より好ましくは18%以下とする。
Cは、耐食性に加えて上記絶縁性酸化皮膜の形成を阻害する。このため、Cの含有量は少ないほど良く、上限を0.03%とし、0.02%以下とすることが好ましい。但し、過度の低減は精錬コストの増加に繋がるため、C含有量の下限は0.001%とすることが好ましく、0.002%以上とすることが好ましい。
Mnは、ステンレス鋼の熱処理時にFeの酸化を抑制して、上記絶縁性酸化皮膜の形成を促進する。上記絶縁性酸化皮膜の形成を促進する効果を得るために、Mn含有量を0.06%以上とすることが好ましく、0.3%以上とすることがより好ましく、0.4%以上とすることがさらに好ましい。一方、過度なMnの添加は耐食性や耐酸化性の低下ならびに熱膨張係数の上昇を招くことから、上限を2%とし、好ましくは1.5%以下、より好ましくは1.0%以下とする。
Pは、製造性や溶接性を阻害する元素であるため、その含有量は少ないほど良い。製造性や溶接性の低下を抑制するためP含有量の上限を0.05%とし、0.04%以下とすることが好ましい。但し、過度の低減は精錬コストの増加に繋がるため、P含有量の下限を0.005%とすることが好ましく、より好ましくは、0.01%以上とする。
Sは、上記絶縁性酸化皮膜の生成を阻害するため、その含有量は少ないほど良い。そのため、S含有量の上限は0.01%とし、0.002%以下とすることが好ましい。但し、過度の低減は精錬コストの増加に繋がるため、S含有量の下限を0.0001%とすることが好ましく、より好ましくは、0.0002%以上とする。
Nは、Cと同様に上記絶縁性酸化皮膜の形成を阻害するため、その含有量は少ないほど良い。このため、N含有量の上限を0.03%とし、0.015%以下とすることが好ましい。但し、過度の低減は精錬コストの増加に繋がるため、N含有量の下限を0.001%とすることが好ましく、より好ましくは、0.005%以上とする。
Siは、脱酸元素としての作用を得るために、0.05%以上含有され、0.10以上含有させることが好ましい。
一方、過度なSi添加は鋼の靭性と加工性の低下を招く。このため、Si含有量の上限は4.0%とし、3.5%以下とすることが好ましく、2.0%以下とすることがより好ましい。
Alは、Siと同様に脱酸元素としての作用を得るために、0.005%以上含有され、0.010%以上含有させることが好ましい。
一方、過度なAl添加は、鋼の熱膨張係数を上昇させて熱処理により得られる酸化皮膜の耐久性を阻害する。このため、Al含有量の上限は5.0%であり、3.5%以下とすることが好ましく、2.5%以下とすることがより好ましい。Al含有量が5.0%を超えると、熱膨張係数が大きいために太陽電池基板として実用できない。
SiおよびAlは、上記絶縁性酸化皮膜の形成を促進し、熱処理によって得られる酸化皮膜の絶縁性を向上させる元素である。このため、本発明において用いるステンレス鋼材は、0.4%以上のSi及び/または0.5%以上のAlを含有している。Si:0.4%以上と、Al:0.5%以上のいずれか一方の条件を満たすステンレス鋼材とすることで、熱処理により、太陽電池基板として使用可能な絶縁性を有する酸化皮膜が得られる。また、0.4%以上のSi及び0.5%以上のAlを含有するステンレス鋼材とすることで、熱処理時に、AlやAl含有スピネル酸化物の生成を極めて効果的に促進できる。
Siは0.4%以上含有させることで、上記の絶縁性酸化皮膜の形成を促進する作用が得られるとともに、ステンレス鋼材の熱膨張係数を低下させる作用が得られる。Si含有量は、上記絶縁性酸化皮膜の形成を促進する作用を得るためには、0.5%以上とすることが好ましく、1.0%以上とすることがより好ましい。
Alは、0.5%以上含有させることで、上記の絶縁性酸化皮膜の形成を促進する作用が得られる。Al含有量は、絶縁性酸化皮膜の形成を促進する作用を得るためには、1.0%以上とすることが好ましく、1.5%以上とすることがより好ましい。
上記、Cr、Mn、Si、Alの含有量に加えて、本発明では目的とする低熱膨張係数を維持しつつ、熱処理を行うことによる上記絶縁性酸化皮膜の形成を促進するために、Cr+10Si+Al+Mn>24.5(但し、式中の元素記号は、当該元素の鋼中における含有質量%を意味する。)とする。Crを主構成元素とするフェライト系ステンレス鋼において、絶縁性酸化皮膜の形成と熱膨張係数の低下にはSi添加が有効に機能し、SiとAlの複合添加が好適である。更に、Mn添加も熱膨張係数を上昇させずに、これら酸化皮膜の形成を助長する。絶縁性酸化皮膜の形成を促進する点から、Cr+10Si+Al+Mnは27以上であることが好ましい。上限は、特に規定するものではないが、SiおよびAl添加による鋼の製造性への影響を考慮して40とすることが好ましく、35以下であることがより好ましい。
また、本発明において用いるステンレス鋼材は、Al:2.0%以上及びSi:0.3%以上を含むものであってもよい。
Alを2.0%以上含有する場合、熱処理によって得られる酸化皮膜の絶縁性が、より一層向上する。しかし、Alの含有量を増加させるほど、熱膨張係数が大きくなる。このため、Alを2.0%以上含有させる場合、Si含有量を0.3%以上とすることが好ましい。Siを0.3%以上含有させることで、Alを2.0%以上含有させることによる熱膨張係数の上昇を抑制できる。Alを2.0%以上含有させる場合のSi含有量は、熱膨張係数の上昇を効果的に抑制するために、0.4%以上とすることがより好ましい。熱膨張係数が十分に小さいステンレス鋼材は、太陽電池基板として用いた場合に、基板とMo電極およびCIS光吸収層との密着性が高いものとなり、優れた耐久性が得られる。
また、Alを2.0%以上含有させるとともに、Siを0.3%以上含有させることにより、AlとSiとによる絶縁性酸化皮膜の形成を促進させる相乗効果が得られる。その結果、熱処理によって、より一層絶縁性に優れた酸化皮膜が得られるステンレス鋼材となる。
なお、Alの含有量が2.0%未満である場合には、Si含有量が0.3%未満であっても、熱膨張係数の十分に小さいステンレス鋼材となる。また、Alの含有量が5.0%を超える場合、Siを含有させることにより熱膨張係数の上昇を抑制しても、熱膨張係数が十分に低いステンレス鋼材は得られない。
また、本発明において用いるステンレス鋼材は、必要に応じて、更にSn:1%以下、Zr:0.5%以下、Mg:0.005%以下、Ni:1%以下、Cu:1%以下、Co:0.5%以下、Mo:2%以下、V:0.5%以下、B:0.005%以下、Ca:0.005%以下、La:0.1%以下,Y:0.1%以下,Hf:0.1%以下,REM:0.1%以下、Nb:1%以下、Ti:1%以下の1種または2種以上を含有しているものであってもよい。
Snは、本発明において用いるフェライト系ステンレス鋼において、Feの酸化を抑制してSiおよび/またはAlが濃化した絶縁性酸化皮膜の形成を促進するため、必要に応じて添加する。Snを添加する場合は、その効果が発現する0.01%以上とすることが好ましく、0.05%以上とすることが好ましく、0.1%以上とすることがより好ましい。但し、過度な添加は、鋼の製造性低下や合金コストの上昇を招くため、Sn含有量の上限を1%とし、好ましくは0.5%以下とし、さらに好ましくは0.3%以下とする。
Zrは、SiおよびAlとの相乗効果により絶縁性酸化皮膜の形成を促進するため、必要に応じて添加する。Zrを添加する場合は、その効果が発現する0.005%以上とすることが好ましく、0.01%以上とすることが好ましく、0.05%以上とすることがより好ましい。但し、過度な添加は、鋼の製造性低下や合金コストの上昇を招くため、Zr含有量の上限を0.5%とし、好ましくは0.3%以下とし、さらに好ましくは0.15%以下とする。
Mgは、熱間加工性や凝固組織微細化に有効な元素であることに加えて、熱処理を行うことによりAl系スピネル酸化物(MgAl)の形成を促進する作用を持つ。Mgを添加する場合は、これら効果を発現する0.0001%以上とすることが好ましく、0.0003%以上とすることがより好ましい。しかし、過度の添加は、製造性を阻害するため、Mg含有量の上限を0.005%とし、好ましくは0.0015%以下とする。
Ni、Cu、Co、Mo、Vは、SiやAlとの相乗効果により、上記絶縁性酸化皮膜の形成を促進したり耐食性を高めたりするのに有効な元素であり、必要に応じて添加する。Ni、Cu、Moは、添加する場合、それぞれその効果が発現する0.1%以上とすることが好ましい。V、Coは、添加する場合、それぞれその効果が発現する0.01%以上とすることが好ましい。但し、過度な添加は合金コストの上昇や熱膨張係数の上昇に繋がるため、Ni、Cuの上限は1%とし、V、Coの上限は0.5%とする。Moは熱膨張係数の低下に有効な元素でもあることから、上限は2%とする。いずれの元素もより好ましい含有量の下限は0.1%であり、上限は0.5%である。
B、Caは、熱間加工性や2次加工性を向上させる元素であり、フェライト系ステンレス鋼への添加は有効である。Bおよび/またはCaを添加する場合は、B、Caそれぞれの含有量の下限をこれらが効果を発現する0.0003%以上とすることが好ましく、0.0005%以上とすることがより好ましい。しかし、Bおよび/またはCaの過度の添加は、伸びの低下をもたらすため、B、Caそれぞれの含有量の上限を0.005%とし、好ましくは0.0015%以下とする。
La、Y、Hf、REMは、熱間加工性や鋼の清浄度を向上させ、熱処理により得られる酸化皮膜の密着性向上に有効な元素であり、必要に応じて添加しても良い。La、Y、Hf、REMを添加する場合は、それぞれその効果が発現する0.001%以上とすることが好ましい。しかし、過度の添加は、合金コストの上昇と製造性の低下に繋がるため、La、Y、Hf、REMの含有量の上限をそれぞれ0.1%とし、より好ましくは、0.05%以下とする。ここで、REMは原子番号57〜71に帰属する元素であり、例えば、Ce、Pr、Nd等である。
Nbは、C,Nを固定する安定化元素の作用による鋼の高純度化を通じて、上記絶縁性酸化皮膜の生成を促進するため、必要に応じて添加する。Nbを添加する場合は、その効果が発現する0.03%以上とすることが好ましく、0.05%以上とすることが好ましく、0.1%以上とすることがより好ましい。但し、過度な添加は合金コストの上昇や再結晶温度上昇に伴う製造性の低下に繋がるため、Nb含有量の上限を1%とし、好ましくは0.5%以下とし、さらに好ましくは0.3%以下とする。
Tiは、C,Nを固定する安定化元素の作用による鋼の高純度化に加えて、上記絶縁性酸化皮膜の生成も促進するため、必要に応じて添加する。Tiを添加する場合は、その効果が発現する0.01%以上とすることが好ましく、0.02%以上とすることが好ましく、0.05%以上とすることがより好ましい。但し、過度な添加は合金コストを上昇させたり、Al系酸化物およびSiOの生成を阻害したりするため、Ti含有量の上限を1%とし、より好ましくは0.35%以下であり、さらに好ましくは0.2%以下である。
(II)ステンレス鋼材の表面に形成されている酸化皮膜について以下に説明する。
本発明のステンレス製太陽電池用基板では、前記(I)項に記載する成分を有するステンレス鋼材の表面に、本発明の目的とする太陽電池用基板に好適な絶縁性表面を付与するため、以下に示す酸化皮膜が形成されている。
本発明のステンレス製太陽電池用基板の表面には、(i)Alを50%以上含む、または(i)と(ii)SiOとの合計を50%以上含む酸化皮膜が形成されている。本発明のステンレス製太陽電池用基板は、このような酸化皮膜がステンレス鋼材の表面に形成されているものであるので、太陽電池用基板に好適な絶縁性表面を有するものとなっている。
また、前記酸化皮膜は、(i)と(iii)MgAl(Al含有スピネル系酸化物)とを含むものであってもよいし、(i)と(ii)に加えて、さらに(iii)MgAl(Al含有スピネル系酸化物)を含むものであってもよい。酸化皮膜が(iii)を含む場合、(i)の性状によらず絶縁性を向上させることができ好ましい。
酸化皮膜が(ii)SiOまたは(iii)MgAlを含まない場合、(i)Alの含有量は、より優れた絶縁性を得るために、55%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましい。酸化皮膜中の(i)Alの含有量の上限は、特に限定されるものではない。なお、酸化皮膜が(i)とともに(iii)MgAlを含む場合、(iii)を含有することにより一層優れた絶縁性が得られるように、酸化皮膜中の(i)Alの含有量の上限は、95%以下であることが好ましく、80%以下であることがより好ましい。
また、酸化皮膜が(ii)SiOを含むものである場合、酸化皮膜中の(ii)SiOの含有量は5%以上であることが好ましく、15%以上であることがより好ましい。酸化皮膜中の(ii)SiOの含有量が5%以上である場合、(ii)を形成することによって(i)Alの形成が十分に促進されたものとなる。また、酸化皮膜が(ii)SiOを含むものである場合、酸化皮膜中の(i)Alの含有量を確保して、絶縁性を確保するため、酸化皮膜中の(ii)SiOの含有量は30%以下であることが好ましく、25%以下であることがより好ましい。
また、酸化皮膜が(iii)を含む場合、(iii)による絶縁性を向上させる効果が十分に得られるように、酸化皮膜中の(iii)MgAlの含有量は5%以上であることが好ましく、10%以上であることがより好ましい。酸化皮膜中の(iii)MgAlの含有量の上限は、特に規定するものでないが、酸化皮膜中の(i)Alの含有量を確保して優れた絶縁性を得るために、50%以下であることが好ましく、30%以下であることがより好ましい。
酸化皮膜の厚さは、絶縁性表面を維持するために、0.01μm以上とすることが好ましい。皮膜厚さの上限は、特に規定するものでないが、後述する熱処理の効率を考慮して5μmとすることが好ましい。また、本発明では、前記(iii)を含む酸化皮膜を形成することにより、膜厚が1μm以下と薄い場合においても表面の絶縁性を確保することができる。
(III)ステンレス製太陽電池用基板の製造方法について以下に説明する。
本発明の製造方法においては、(I)項に記載する成分のステンレス鋼材の表面に(II)項に記載した酸化皮膜を形成するために、水蒸気を含む雰囲気中で300〜1000℃の温度範囲で熱処理を行う(形成皮膜工程)ことが好ましい。
なお、熱処理されるステンレス鋼材は、(I)項に記載する成分を有するものであり、従来公知の製造方法で得られたものである。熱処理されるステンレス鋼材は、ステンレス製太陽電池用基板として使用可能な形状であれば、如何なる形状を有するものであってもよい。また、熱処理されるステンレス鋼材の表面性状については特に規定するものでなく、JIS準拠したBA、2B、2D、No.4、研磨等とすることができる。
(II)項に記載した絶縁性に有効な酸化皮膜を形成するには、300℃以上で熱処理することが好ましく、400℃以上で熱処理することがより好ましい。熱処理温度が過度に高い場合、酸化皮膜中のAl濃度やSi濃度が低下し、Fe濃度が上昇して、酸化皮膜の絶縁性や密着性が阻害される。このため、熱処理温度の上限は1000℃とすることが好ましく、900℃以下とすることがより好ましい。
熱処理時間は特に規定するものでなく、例えば、1分〜72時間とすることができる。熱処理は、10分以下の連続焼鈍もしくは24〜72時間のバッチ式タイプの熱処理とすることが好ましい。
酸化皮膜を形成する熱処理は、水蒸気を含む雰囲気中で行うことが好ましい。水蒸気を含む雰囲気中で熱処理を行うことにより、ステンレス鋼材の表面におけるAlおよびSiの酸化が促進される。水蒸気を含む雰囲気としては、例えば、乾燥空気(20%酸素−80%窒素)を加湿して水蒸気を含ませた雰囲気が挙げられる。また、酸化皮膜を形成する熱処理は、純酸素ガス中に5%以上の水蒸気を含有させた雰囲気中で行うことがより好ましい。このような雰囲気中で熱処理を行うことにより、本発明の目的とする酸化皮膜を容易に形成できる。
酸化皮膜を形成する熱処理は、露点40℃以上の水蒸気を含む雰囲気中で行うことが更に好ましい。このような雰囲気中で熱処理を行うことにより、(iii)MgAlが効率よく形成される。露点の上限は、特に規定するものでないが、熱処理の作業性を考慮して90℃とする。
酸化皮膜に含まれる(i)〜(iii)それぞれの含有量は、上記範囲内で組成を変更するとともに、上記の熱処理雰囲気および熱処理温度の範囲内で、熱処理条件を変更することにより制御できる。
以下、本発明の実施例について説明する。
表1に示す成分を有するフェライト系ステンレス鋼を溶製し、熱間圧延と焼鈍を実施した後、冷間圧延を経て板厚0.5mmの冷延鋼板とした。ここで、鋼の成分は、本発明で規定する範囲とそれ以外とした。冷延鋼板は、いずれも再結晶が完了する800〜1000℃の範囲で仕上げ焼鈍・酸洗を行った。
これら鋼板を、適時、乾燥空気を表2に示す露点に加湿して水蒸気を含ませた雰囲気中で表2に示す熱処理条件(温度・保持時間・露点)で熱処理を行った。得られた鋼板は、表面の絶縁性評価と熱膨張係数の測定に供した。また、得られた鋼板の表面に形成された酸化皮膜中に含まれる下記(i)〜(iii)の各成分の比率(%)を算出した。その結果を表2に示す。
表面に形成された酸化皮膜を構成する酸化物は、X線回折(CuKα線使用)により下記に示す回折ピークを測定することにより、各酸化物の存在を確認し、その比率を求めた。
(i)Al:(104)面、2θ=35.15°
(ii)SiO:(101)面、2θ=26.64°
(iii)MgAl:(311)面、2θ=36.85°
(iv)Cr:(110)面、2θ=36.16°/(104)面、2θ=33.6°
まず、X線回折により測定した上記(i)〜(iii)それぞれの回折ピークの高さ(cps)をカウントした。そして、酸化皮膜が上記(i)〜(iv)からなるものであるとみなし、下記の(i)Alの存在比率の算出方法に準じて、(i)〜(iii)の各酸化物の存在比率を算出した。
酸化物の存在比率は、例えば、Alの場合、
(i)/{(i)+(ii)+(iii)+(iv)}×100により算出した。
(iv)は(110)面をメイン回折ピークとして採用した。(iv)の存在は、(i)と識別するために、(104)面の回折ピークが存在することを確認した。
表2において「比率%」は(i)〜(iii)の存在比率の合計を示す。
鋼板表面の絶縁性は、表面にアルミ膜(10mm角×0.2μm)を電極として蒸着した後、電極上にテスターの測定子を置いて電気抵抗を測定することにより評価した。測定面積において10回測定し、その平均値を測定値とした。本発明の目標とする絶縁性は、CIS系太陽電池基板として好適な電気抵抗値1kΩ以上であり、それが得られた鋼板を「○」とし、より高い抵抗値(10KΩ以上)を安定して示す場合を「◎」とした。
熱膨張係数は、1mm厚×10mm幅×50mm長さの試験片を作成し、押棒式熱膨張測定により求めた。測定の雰囲気はAr、スプリング圧縮荷重は50g以下で行い、熱膨張係数はCIS系太陽電池の成膜を想定して、50℃から600℃まで温度を上げたときの熱膨張を測定することにより算出した。本発明の目標とする熱膨張係数は、50℃を基点とし、600℃まで温度を上げたときの平均線膨張係数が、CIS系太陽電池基板に形成した成膜の耐久性を持続するうえで好適な12.5×10−6/℃以下であり、それが得られた鋼板を「○」とした。
表2に熱処理条件と各評価結果をまとめて示す。
試験番号No.1〜10は、本発明で規定する組成を有するステンレス鋼材の表面に、熱処理により(i)Alを50%以上含む、または(i)と(ii)SiOとの合計を50%以上含む酸化皮膜が形成されているものである。
試験番号1〜10の鋼板は、本発明の目標とする表面絶縁性と熱膨張係数が得られた。中でも、鋼C、D、F、G、H、Iを用いて露点40℃以上の熱処理条件で熱処理したNo.3、4、6〜9は、(iii)を含む酸化皮膜が形成されているものであり、表面絶縁性が「◎」であった。
試験番号No.11〜13、15、16は、本発明で規定する組成もしくは(1)式のいずれか一方もしくは両者とも外れる鋼を用いたものである。
試験番号No.12、15、16の鋼板は、表2に示す熱処理条件で熱処理を行うことにより、酸化皮膜が形成されているものの、(i)Alを50%以上含む、または(i)と(ii)SiOとの合計を50%以上含む酸化皮膜ではなく、本発明で目標とする表面絶縁性が得られなかった。
また、試験番号No.11、13は、絶縁性は良好であったが、熱膨張係数が非常に大きいため太陽電池基板として好ましくないものであった。
試験番号No.14は、本発明で規定する成分から外れる低Cr鋼で、本発明で規定する(1)式は満足する鋼を用いたものである。試験番号No.14は、本発明の目標とする熱膨張係数が得られず、表2に示す熱処理条件で熱処理を行うことにより、酸化皮膜が形成されているものの、(i)Alを50%以上含む、または(i)と(ii)SiOとの合計を50%以上含む酸化皮膜ではなく、本発明で目標とする表面絶縁性が得られなかった。
以上の結果から、フェライト系ステンレス鋼板において、表面絶縁性を付与するには、表面に本発明で規定する(i)Alを50%以上含む、または(i)と(ii)SiOとの合計を50%以上含む酸化皮膜が形成されていることが必要である。ここで、表面絶縁性を高めるには、ステンレス鋼材の表面に(i)、または(i)と(ii)に加えて、さらに(iii)MgAlを含む酸化皮膜を形成させることが効果的である。さらに、本発明の目標とする熱膨張係数との両立を図るには、本発明で規定する成分と(1)式の成分調整が有効である。
Figure 2014218728
Figure 2014218728
本発明によれば、コーティングやメッキによらず太陽電池の変換効率を高位に持続する絶縁性表面を有し、熱膨張係数の小さい太陽電池基板に好適なステンレス製太陽電池用基板を得ることができる。特に、本発明は、絶縁性基板上に電極および光吸収層を形成したCIS系太陽電池基板に好適である。

Claims (7)

  1. 質量%にて、Cr:9〜25%、C:0.03%以下、Mn:2%以下、P:0.05%以下、S:0.01%以下、N:0.03%以下、Al:0.005〜5.0%、Si:0.05〜4.0%を含み、残部がFeおよび不可避的不純物からなり、Al:0.5%以上、及び/又は、Si:0.4%以上を含み、下記(1)式を満たす組成を有するステンレス鋼材の表面に、(i)Alを50%以上含む、または(i)と(ii)SiOとの合計を50%以上含む酸化皮膜が形成されていることを特徴とする絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板。
    Cr+10Si+Mn+Al>24.5 ・・・(1)
    但し、(1)式中の元素記号は、当該元素の鋼中における含有質量%を意味する。
  2. 前記ステンレス鋼材が、Al:2.0%以上及びSi:0.3%以上を含むものであることを特徴とする請求項1に記載の絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板。
  3. 前記ステンレス鋼材が、質量%にて、更にSn:1%以下、Zr:0.5%以下、Mg:0.005%以下、Ni:1%以下、Cu:1%以下、Co:0.5%以下、Mo:2%以下、V:0.5%以下、B:0.005%以下、Ca:0.005%以下、La:0.1%以下,Y:0.1%以下,Hf:0.1%以下,REM:0.1%以下、Nb:1%以下、Ti:1%以下の1種または2種以上を含有していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板。
  4. 前記酸化皮膜が(iii)MgAlを含むことを特徴とする請求項3に記載の絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板。
  5. 前記酸化皮膜中の(iii)MgAlの含有量が5%以上であることを特徴とする請求項4に記載の絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板。
  6. 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の組成を有するステンレス鋼材を、水蒸気を含む雰囲気中で300〜1000℃の温度範囲で熱処理することにより、前記ステンレス鋼材の表面に酸化皮膜を形成する形成皮膜工程を有することを特徴とする絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板の製造方法。
  7. 前記形成皮膜工程において、露点40℃以上の水蒸気を含む雰囲気中で前記熱処理を行うことを特徴とする請求項6に記載の絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板の製造方法。
JP2013100592A 2013-05-10 2013-05-10 絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板およびその製造方法 Active JP6392501B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013100592A JP6392501B2 (ja) 2013-05-10 2013-05-10 絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板およびその製造方法
CN201480025682.XA CN105209651B (zh) 2013-05-10 2014-05-02 绝缘性优异且热膨胀系数小的不锈钢制太阳能电池用基板及其制造方法
US14/888,860 US9837567B2 (en) 2013-05-10 2014-05-02 Stainless steel substrate for solar cell having superior insulating properties and low thermal expansion coefficient and method of producing the same
KR1020157032186A KR101773277B1 (ko) 2013-05-10 2014-05-02 절연성이 우수한 열팽창 계수가 작은 스테인리스제 태양 전지용 기판 및 그 제조 방법
PCT/JP2014/062152 WO2014181768A1 (ja) 2013-05-10 2014-05-02 絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板およびその製造方法
EP14794499.5A EP2995697B1 (en) 2013-05-10 2014-05-02 Stainless steel substrate for solar cell having superior insulating properties and low thermal expansion coefficient, and method for producing same
TW103116251A TWI518189B (zh) 2013-05-10 2014-05-07 具優異絕緣性且熱膨脹係數小之不鏽鋼製太陽電池用基板及其製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013100592A JP6392501B2 (ja) 2013-05-10 2013-05-10 絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014218728A true JP2014218728A (ja) 2014-11-20
JP6392501B2 JP6392501B2 (ja) 2018-09-19

Family

ID=51867248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013100592A Active JP6392501B2 (ja) 2013-05-10 2013-05-10 絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板およびその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9837567B2 (ja)
EP (1) EP2995697B1 (ja)
JP (1) JP6392501B2 (ja)
KR (1) KR101773277B1 (ja)
CN (1) CN105209651B (ja)
TW (1) TWI518189B (ja)
WO (1) WO2014181768A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016152854A1 (ja) * 2015-03-26 2016-09-29 新日鐵住金ステンレス株式会社 ろう付け性に優れたステンレス鋼
JP2017043831A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 新日鐵住金ステンレス株式会社 耐硫化腐食性に優れたAl含有フェライト系ステンレス鋼およびその製造方法
WO2017043417A1 (ja) * 2015-09-08 2017-03-16 ソーラーフロンティア株式会社 化合物系薄膜太陽電池基板用ステンレス鋼およびその製造方法並びに化合物系薄膜太陽電池
JP2017088977A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 Jfeスチール株式会社 フェライト系ステンレス鋼
JP2017172027A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 新日鐵住金ステンレス株式会社 Al含有フェライト系ステンレス鋼およびその製造方法
JP2018076555A (ja) * 2016-11-09 2018-05-17 株式会社クボタ 表面にアルミナバリア層を有する鋳造品及びその製造方法
JP2019516015A (ja) * 2016-04-22 2019-06-13 サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ フェライト合金
CN112375989A (zh) * 2020-10-29 2021-02-19 温州欧迪家居用品有限公司 一种耐腐蚀浴室挂件及其表面处理方法
US11313022B2 (en) 2019-01-11 2022-04-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method for manufacturing soft magnetic member
JP7450423B2 (ja) 2020-03-23 2024-03-15 日鉄ステンレス株式会社 フェライト系ステンレス鋼板およびその製造方法ならびに基板

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3130688B1 (en) * 2014-04-08 2021-02-17 JFE Steel Corporation Ferritic stainless-steel foil and process for producing same
EP3176277B1 (en) * 2014-07-29 2020-05-06 Nippon Steel & Sumikin Stainless Steel Corporation Ferritic stainless steel material for fuel cell, and method for producing same
CN108179260B (zh) * 2014-11-17 2019-08-13 郭啸晨 一种高温精密合金宽板带材及其生产工艺
JP6016987B1 (ja) * 2015-05-29 2016-10-26 日新製鋼株式会社 電池外装用ステンレス箔、およびその製造方法
JP7133917B2 (ja) * 2016-10-28 2022-09-09 日鉄ステンレス株式会社 表面性状と耐硫化腐食性に優れたAl含有フェライト系ステンレス鋼板およびその製造方法
TWI761482B (zh) * 2017-03-31 2022-04-21 日商大阪瓦斯股份有限公司 合金構件之製造方法、合金構件、電化學元件、電化學模組、電化學裝置、能源系統及固態氧化物型燃料電池
RU2651074C1 (ru) * 2017-09-18 2018-04-18 Юлия Алексеевна Щепочкина Сталь
KR102602916B1 (ko) * 2018-12-12 2023-11-15 현대자동차주식회사 내식성과 내충격성이 우수한 페라이트계 스테인리스강
EP3783119A1 (de) 2019-08-20 2021-02-24 ThyssenKrupp Steel Europe AG Stahlflachprodukt mit ausgezeichneter oxidations- und heissgas-korrosionsbeständigkeit sowie verfahren zur herstellung eines solchen stahlflachprodukts
CN212618600U (zh) * 2020-01-17 2021-02-26 天津雨昌环保工程有限公司 一种新型钢结构节能地暖设备
CN118186312A (zh) * 2024-05-16 2024-06-14 山东瑞泰新材料科技有限公司 一种合金锭、表面具有绝缘性能的合金及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011162896A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Goldwin Inc 連結具を有する、上衣及び下衣を含む衣服
JP2011162863A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Nippon Steel & Sumikin Stainless Steel Corp 耐酸化性と電気伝導性に優れたAl含有フェライト系ステンレス鋼

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63155681A (ja) 1986-12-18 1988-06-28 Kawasaki Steel Corp 太陽電池基板用母板の製造方法
JP2710000B2 (ja) 1991-07-10 1998-02-04 新日本製鐵株式会社 被膜特性と磁気特性に優れた一方向性珪素鋼板
JPH06299347A (ja) 1993-04-08 1994-10-25 Nippon Steel Corp 電気絶縁性板状材料の製造方法
JPH06306611A (ja) 1993-04-16 1994-11-01 Nippon Steel Corp 表面性状の優れた絶縁材料の製造方法
JP3901224B2 (ja) 1994-05-27 2007-04-04 新日鉄マテリアルズ株式会社 触媒メタル担体
KR100227571B1 (ko) * 1996-05-29 1999-11-01 고지마 마타오 오존함유수용 스테인리스 강재 및 그 제조방법
JP4554794B2 (ja) 2000-08-23 2010-09-29 日本冶金工業株式会社 絶縁層を有するステンレス鋼
JP2005254688A (ja) 2004-03-12 2005-09-22 Nippon Steel Corp 耐剥離性に優れた絶縁体被覆基材
JP5544106B2 (ja) 2009-03-24 2014-07-09 新日鐵住金ステンレス株式会社 燃料電池用Al含有耐熱フェライト系ステンレス鋼およびその製造方法
JP5487783B2 (ja) 2009-07-31 2014-05-07 Jfeスチール株式会社 ステンレス箔およびその製造方法
JP2011176266A (ja) 2010-01-29 2011-09-08 Fujifilm Corp Se化合物半導体用基板、Se化合物半導体用基板の製造方法および薄膜太陽電池
JP5837284B2 (ja) 2010-03-24 2015-12-24 日新製鋼株式会社 太陽電池基板材用ステンレス鋼板およびその製造方法
JP2012059855A (ja) 2010-09-08 2012-03-22 Nisshin Steel Co Ltd Cigs太陽電池用基板および電池
JP5566227B2 (ja) 2010-09-08 2014-08-06 日新製鋼株式会社 Cigs太陽電池用電極基板および電池
JP5625765B2 (ja) 2010-11-05 2014-11-19 Jfeスチール株式会社 太陽電池基板用クロム含有フェライト系鋼板
JP5970796B2 (ja) 2010-12-10 2016-08-17 Jfeスチール株式会社 太陽電池基板用鋼箔およびその製造方法、並びに太陽電池基板、太陽電池およびその製造方法
JP5170479B2 (ja) 2011-02-15 2013-03-27 Jfeスチール株式会社 ステンレス箔製太陽電池基板材およびその製造方法
JP2012182287A (ja) 2011-03-01 2012-09-20 Sharp Corp 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JP5967997B2 (ja) 2011-03-25 2016-08-10 日新製鋼株式会社 絶縁性に優れたステンレス鋼材およびその製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011162896A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Goldwin Inc 連結具を有する、上衣及び下衣を含む衣服
JP2011162863A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Nippon Steel & Sumikin Stainless Steel Corp 耐酸化性と電気伝導性に優れたAl含有フェライト系ステンレス鋼

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101990725B1 (ko) 2015-03-26 2019-06-18 닛폰 스틸 앤드 스미킨 스테인레스 스틸 코포레이션 브레이징성이 우수한 스테인리스강
WO2016152854A1 (ja) * 2015-03-26 2016-09-29 新日鐵住金ステンレス株式会社 ろう付け性に優れたステンレス鋼
US10669606B2 (en) 2015-03-26 2020-06-02 Nippon Steel & Sumikin Stainless Steel Corporation Stainless steel having excellent brazeability
KR20170130528A (ko) * 2015-03-26 2017-11-28 닛폰 스틸 앤드 스미킨 스테인레스 스틸 코포레이션 브레이징성이 우수한 스테인리스강
JPWO2016152854A1 (ja) * 2015-03-26 2017-12-21 新日鐵住金ステンレス株式会社 ろう付け性に優れたステンレス鋼
JP2017043831A (ja) * 2015-08-28 2017-03-02 新日鐵住金ステンレス株式会社 耐硫化腐食性に優れたAl含有フェライト系ステンレス鋼およびその製造方法
WO2017038705A1 (ja) * 2015-08-28 2017-03-09 新日鐵住金ステンレス株式会社 Al含有フェライト系ステンレス鋼およびその製造方法
WO2017043417A1 (ja) * 2015-09-08 2017-03-16 ソーラーフロンティア株式会社 化合物系薄膜太陽電池基板用ステンレス鋼およびその製造方法並びに化合物系薄膜太陽電池
JP2017054874A (ja) * 2015-09-08 2017-03-16 新日鐵住金ステンレス株式会社 化合物系薄膜太陽電池基板用ステンレス鋼およびその製造方法並びに化合物系薄膜太陽電池
JP2017088977A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 Jfeスチール株式会社 フェライト系ステンレス鋼
JP2017172027A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 新日鐵住金ステンレス株式会社 Al含有フェライト系ステンレス鋼およびその製造方法
JP2019516015A (ja) * 2016-04-22 2019-06-13 サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ フェライト合金
JP2022046521A (ja) * 2016-04-22 2022-03-23 サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ フェライト合金
JP7059198B2 (ja) 2016-04-22 2022-04-25 サンドビック インテレクチュアル プロパティー アクティエボラーグ フェライト合金
WO2018088070A1 (ja) * 2016-11-09 2018-05-17 株式会社クボタ 高温雰囲気で使用される管体及び管体の内表面に金属酸化物層を形成する方法
JP6355813B1 (ja) * 2016-11-09 2018-07-11 株式会社クボタ 高温雰囲気で使用される管体及び管体の内表面に金属酸化物層を形成する方法
JP2019065376A (ja) * 2016-11-09 2019-04-25 株式会社クボタ 高温雰囲気で使用される管体及び管体の内表面に金属酸化物層を形成する方法
JP2018076555A (ja) * 2016-11-09 2018-05-17 株式会社クボタ 表面にアルミナバリア層を有する鋳造品及びその製造方法
US11313022B2 (en) 2019-01-11 2022-04-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method for manufacturing soft magnetic member
JP7450423B2 (ja) 2020-03-23 2024-03-15 日鉄ステンレス株式会社 フェライト系ステンレス鋼板およびその製造方法ならびに基板
CN112375989A (zh) * 2020-10-29 2021-02-19 温州欧迪家居用品有限公司 一种耐腐蚀浴室挂件及其表面处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105209651A (zh) 2015-12-30
WO2014181768A1 (ja) 2014-11-13
US9837567B2 (en) 2017-12-05
EP2995697B1 (en) 2019-12-18
KR101773277B1 (ko) 2017-08-31
EP2995697A4 (en) 2017-01-18
TW201504456A (zh) 2015-02-01
KR20150140809A (ko) 2015-12-16
EP2995697A1 (en) 2016-03-16
TWI518189B (zh) 2016-01-21
CN105209651B (zh) 2018-10-16
JP6392501B2 (ja) 2018-09-19
US20160079455A1 (en) 2016-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6392501B2 (ja) 絶縁性に優れた熱膨張係数の小さいステンレス製太陽電池用基板およびその製造方法
JP6832999B2 (ja) フェライト系ステンレス鋼と、その鋼板及びそれらの製造方法
JP5716054B2 (ja) 酸化皮膜の電気伝導性と密着性に優れたフェライト系ステンレス鋼板
JP6653606B2 (ja) Al含有フェライト系ステンレス鋼およびその製造方法
JP6444320B2 (ja) 酸化皮膜の電気伝導性と密着性に優れたフェライト系ステンレス鋼板
JP2012138571A (ja) 太陽電池基板用鋼箔およびその製造方法、並びに太陽電池基板、太陽電池およびその製造方法
TWI526546B (zh) Solar cell substrate with fat iron stainless steel foil
JP6159571B2 (ja) 絶縁性に優れた熱膨張係数の小さい太陽電池基板用ステンレス鋼材
TWI531664B (zh) 太陽能電池基板用肥粒鐵系不鏽鋼箔
KR101929138B1 (ko) 고체 산화물형 연료 전지용 강 및 그 제조방법
JP5652568B1 (ja) 太陽電池基板用フェライト系ステンレス箔の製造方法
JP7133917B2 (ja) 表面性状と耐硫化腐食性に優れたAl含有フェライト系ステンレス鋼板およびその製造方法
JP6504973B2 (ja) 耐硫化腐食性に優れたAl含有フェライト系ステンレス鋼およびその製造方法
WO2017043417A1 (ja) 化合物系薄膜太陽電池基板用ステンレス鋼およびその製造方法並びに化合物系薄膜太陽電池
JP5652567B1 (ja) 太陽電池基板用フェライト系ステンレス箔の製造方法
KR101756761B1 (ko) 스테인리스박제 태양전지 기판재의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170307

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170508

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171017

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171211

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180417

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180703

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20180710

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180821

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180823

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6392501

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250