TWI761482B - 合金構件之製造方法、合金構件、電化學元件、電化學模組、電化學裝置、能源系統及固態氧化物型燃料電池 - Google Patents
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Abstract
本發明提供能夠以簡便的方法低成本地成膜,且比從前高成本的材料更能抑制引發燃料電池的劣化之鉻的揮發之具有金屬氧化物覆膜的合金構件。其係在Fe-Cr系合金之基材上進行鍍層鈷之鍍層處理步驟,以及在前述鍍層處理步驟之後,在含濕氛圍中進行基材的氧化處理之氧化處理步驟之合金構件之製造方法。
Description
本發明係關於用於電化學裝置或固態氧化物型燃料電池等的合金構件,及其製造方法。
作為從前的固態氧化物型燃料電池用的耐熱合金材料,使用了在鉻合金材料表面藉由泥漿塗布與氧化處理形成由MnCr氧化物層及包含錳與鈷的複合氧化物層所構成的水蒸氣氧化抑制層之材料(專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開2010-250965號公報
[發明所欲解決之課題]
如專利文獻1那樣在合金材料塗布複雜的複合氧化物層的方法,使合金構件的製造花費高成本。此外,關於鉻揮發的抑制也還有改善的餘地。
本發明係有鑑於前述課題而完成之發明,目的在於提供能夠以簡便的方法低成本地成膜,且比從前高成本的材料更能抑制引發燃料電池的劣化之鉻的揮發之具有金屬氧化物覆膜的合金構件。 [供解決課題之手段]
供達成前述目的之合金構件之製造方法的特徵構成,在於進行:在Fe-Cr系合金之基材上進行鍍層鈷之鍍層處理步驟,以及在前述鍍層處理步驟之後,在含濕氛圍中進行前述基材的氧化處理之氧化處理步驟。
根據前述特徵構成,可以低成本製造耐熱性高的合金構件。而且,可以比從前更為提高鉻揮發之抑制效果。
相關於本發明之合金構件之製造方法的其他特徵構成,在於在前述鍍層處理步驟,鈷的鍍層係藉由電鍍(plating)處理來進行。
根據前述特徵構成,可以進而更低的成本製造合金構件。
前述氧化處理步驟,在露點25℃以上的氛圍中進行的話,可以製造鉻揮發的抑制效果很大的合金構件,所以較佳。此外,前述氧化處理步驟,在露點30℃以上的氛圍中進行為更佳,在露點35℃以上的氛圍中進行又更佳。這是因為變得更容易製造鉻揮發的抑制效果更大的合金構件的緣故。
供達成前述目的之合金構件之特徵構成,為具有Fe-Cr系合金之基材,以及被形成於前述基材之上的覆膜層;前述覆膜層含有鈷,於前述基材的內部在表面附近被形成含鈷區域。
根據前述特徵構成,覆蓋膜含有鈷,於基材的內部在表面附近被形成含鈷區域。具有這樣的構成的合金構件,抑制鉻揮發的效果很高,適宜用於電化學元件或電化學裝置、固態氧化物型燃料電池等。
供達成前述目的之合金構件之特徵構成,為具有Fe-Cr系合金之基材,以及被形成於前述基材之上的覆膜層;前述覆膜層具有第1層與第2層, 前述第1層被形成於前述基材上,且為含有鉻之金屬氧化物之層, 前述第2層被形成於前述第1層上,且為含有鈷的金屬氧化物之層。
根據前述的特徵構成,覆膜層之第1層含有鉻,第2層含有鈷,被形成具備覆膜層的合金構件。具有這樣的構成的合金構件,抑制鉻揮發的效果很高,適宜用於電化學元件或電化學裝置、固態氧化物型燃料電池等。
供達成前述目的之合金構件之特徵構成,為具有Fe-Cr系合金之基材,以及被形成於前述基材之上的覆膜層;前述覆膜層具有第1層與第2層, 前述第1層被形成於前述基材上,且為含有鉻之金屬氧化物之層, 前述第2層被形成於前述第1層上,且為含有鉻之金屬氧化物之層, 於前述基材的內部在表面附近被形成含鈷區域。
根據前述特徵構成,覆蓋膜的第1層含有鉻,第2層含有鈷,於基材的內部在表面附近被形成含鈷區域。具有這樣的構成的合金構件,抑制鉻揮發的效果很高,適宜用於電化學元件或電化學裝置、固態氧化物型燃料電池等。
前述第2層含有錳的話,成為抑制鉻揮發的效果高之合金構件,更為適宜。
前述基材之Fe-Cr系合金,含錳0.05質量%以上的話,變得容易得到具有抑制鉻揮發的效果高之覆膜層的合金構件,更為適宜。此外,含錳0.1質量%以上的話,變得更容易得到具有抑制鉻揮發的效果高之覆膜層的合金構件,所以更佳。
相關於本發明的合金構件之其他特徵構成,為前述基材之Fe-Cr系合金,為含鈦0.15質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金、含鋯0.15質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金、含鈦及鋯而鈦與鋯的合計含量為0.15質量%以上1.0質量%以下之Fe-Cr系合金之中的任一。
鈦與鋯在鋼材中容易與碳反應形成安定的碳化物。根據前述的特徵構成,因為是含鈦0.15質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金、含鋯0.15質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金、含鈦及鋯而鈦與鋯的合計含量為0.15質量%以上1.0質量%以下之Fe-Cr系合金之中的任一,所以可得提高Fe-Cr系合金之耐氧化性與高溫強度的效果,所以在高溫下長時間使用時也可以抑制鉻由金屬支撐體揮發,可以實現耐久性優異的電化學元件。
又,鈦的含量以0.20質量%以上為佳,0.25質量%以上為更佳。這是因為可以使添加鈦與鋯導致Fe-Cr系合金之耐氧化性與高溫強度的提高效果更為增大的緣故。此外,鈦的含量以0.90質量%以下為佳,0.80質量%以下為更佳。這是因為可以使添加鈦與鋯導致Fe-Cr系合金之成本增加程度更為減少的緣故。
又,鋯的含量以0.20質量%以上為佳,0.25質量%以上為更佳。這是因為可以使添加鈦與鋯導致Fe-Cr系合金之耐氧化性與高溫強度的提高效果更為增大的緣故。此外,鋯的含量以0.90質量%以下為佳,0.80質量%以下更佳。這是因為可以使添加鈦與鋯導致Fe-Cr系合金之成本增加程度更為減少的緣故。
又,鈦與鋯的合計含量以0.20質量%以上為佳,0.25質量%以上為更佳。這是因為可以使添加鈦與鋯導致Fe-Cr系合金之耐氧化性與高溫強度的提高效果更為增大的緣故。此外鈦與鋯的合計含量以0.90質量%以下為佳,0.80質量%以下更佳。這是因為可以使添加鈦與鋯導致Fe-Cr系合金之成本增加程度更為減少的緣故。
相關於本發明的合金構件之其他特徵構成,為前述基材之Fe-Cr系合金含有銅0.10質量%以上1.0質量%以下。
銅有減低接觸電阻(電阻)的效果。根據前述特徵構成,金屬支撐體含有銅0.10質量%以上1.0質量%以下,所以可以把作為電化學元件之電阻值抑制為較低,可以實現高性能的電化學元件。
又,銅的含量以0.20質量%以上為佳,0.30質量%以上為更佳。這是因為可以更為增大對Fe-Cr系合金添加銅導致的接觸電阻減低效果更為增大的緣故。此外,銅的含量以0.90質量%以下更佳,0.70質量%以下進而更佳。這是因為可以使對Fe-Cr系合金添加銅所導致之成本增加程度更為減少的緣故。
相關於本發明之合金構件之其他的特徵構成,為前述基材之Fe-Cr系合金含有鉻18質量%以上25質量%以下。
根據前述特徵構成,例如可以使SOFC的電極層的材料或電解質層的材料所含有的氧化鋯系材料或氧化鈰系材料的熱膨脹係數與Fe-Cr系合金的熱膨脹係數接近,所以在高溫使用電化學元件的場合或施以熱循環的場合,也都可以抑制電極層或電解質層破裂或剝離,可以實現可信賴性高的電化學元件。
又,鉻的含量以20質量%以上為更佳。這是因為可以使Fe-Cr系合金的熱膨脹係數與氧化鋯系材料或氧化鈰系材料的熱膨脹係數更為接近的緣故。此外,鉻的含量的上限值為23質量%以下為更佳。這是因為可以使Fe-Cr系合金之成本增加程度更為減少的緣故。
於前述合金構件之上,至少設置電極層與電解質層與對極電極層的電化學元件,抑制鉻由合金構件揮發,使合金構件做為電化學元件的金屬支撐體而發揮機能,所以成為高性能的電化學元件。
相關於本發明之電化學模組的特徵構成,為前述之電化學元件以複數集合的狀態配置。
根據前述之特徵構成,前述之電化學元件以複數集合的狀態配置,所以抑制材料成本與加工成本,同時可以得到精實的高性能的強度與可信賴性優異之電化學模組。
相關於本發明之電化學裝置的特徵構成,為至少具有前述之電化學模組與改質器,具有對前述電化學模組供給含有還原性成分的燃料氣體之燃料供給部。
根據前述特徵構成,具有電化學模組與改質器,而具有對電化學模組供給含有還原性成分的燃料氣體之燃料供給部,所以使用天然氣等既有的原燃料供給基礎設施,可以實現具備耐久性/可信賴性及性能均優異的電化學模組之電化學裝置。此外,變得容易構築把從電化學模組排出的未利用的燃料氣體再循環利用的系統,可以實現高效率的電化學裝置。
相關於本發明之電化學裝置的特徵構成,為至少具有前述之電化學模組,與由前述電化學模組取出電力之反相器。
根據前述特徵構成,可以把從耐久性/可信賴性及性能均優異的電化學模組所得到的電力輸出,藉由反相器升壓,或是把直流電變換為交流電,所以使得以電化學模組得到的電力輸出變得容易利用,所以較佳。
電化學裝置具有分離構件,分離構件為前述的合金構件的話,鉻由分離構件的揮發會被抑制,是適宜的。又,所謂分離構件,是在對複數集合的電化學元件供給燃料氣體/空氣時,隔開燃料氣體流道與空氣流道的構件。
電化學裝置具有歧管構件,歧管構件為前述的合金構件的話,鉻由歧管構件的揮發會被抑制,是適宜的。又,所謂歧管構件,是在對複數集合的電化學元件供給燃料氣體或空氣的構件。
電化學裝置具有互連器構件,互連器構件為前述的合金構件的話,鉻由互連器構件的揮發會被抑制,是適宜的。又,所謂互連器構件,是接合複數電化學元件的構件。
電化學裝置具有集電構件,集電構件為前述的合金構件的話,鉻由集電構件的揮發會被抑制,是適宜的。又,所謂集電構件,為具有電子傳導性,被連接於電化學元件的電極層之構件。
相關於本發明之能源系統的特徵構成,為具有前述之電化學裝置,與再利用由前述電化學裝置排出的熱之排熱利用部。
根據前述的特徵構成,因為具有電化學裝置,與再利用由電化學裝置排出的熱之排熱利用部,所以可以實現耐久性/可信賴性及性能優異,而且能源效率也優異的能源系統。此外,與利用由電化學裝置排出的未利用的燃料氣體之燃燒熱而發電的發電系統組合,也可以實現能源效率優異的混成系統。
相關於本發明之固態氧化物型燃料電池之特徵構成,為具備前述電化學元件,以前述電化學元件產生發電反應。
根據前述的特徵構成的話,可抑制電化學元件的劣化而長期間維持燃料電池的性能。又,若是在額定運轉時可以在650℃以上的溫度區域運轉的固態氧化物型燃料電池的話,於以天然氣等碳化氫係氣體為原燃料的燃料電池系統,可以構築以燃料電池的排熱來供應把原燃料變換為氫時所必要的熱之系統,可以提高燃料電池系統的發電性能,所以更佳。此外,若是在額定運轉時在900℃以下的溫度區域運轉的固態氧化物型燃料電池的話,可以維持高的鉻揮發的抑制效果,成為長期耐久性優異者,所以更佳,若是在額定運轉時在850℃以下的溫度區域運轉的固態氧化物型燃料電池的話,鉻揮發的抑制效果更為提高,成為長期耐久性優異者,所以更佳,
<第1實施形態> 以下,說明相關於本實施型態之合金構件之製造方法,及合金構件。合金構件,係於基材上鍍上鈷,在添加水蒸氣的氛圍中進行氧化處理而製造。如此製造的合金構件,鉻的揮發被抑制,適宜用於電化學元件或電化學裝置、固態氧化物型燃料電池等。例如,作為圖1所示的電化學元件E的金屬基板1(金屬支撐體)使用。例如,作為圖2所示的電化學模組M之U字形構件7(分離構件)或集電構件26使用。例如,作為圖3所示的電化學裝置Y的氣體歧管17(歧管構件)使用。 又,合金構件,亦可由基材、以及對基材的表面直接鍍鈷之後進行氧化處理而形成的覆膜層(金屬氧化物層1b(擴散抑制層))來構成。或者是由基材、基材與覆膜層之間的中介層、以及對中介層鍍鈷之後進行氧化處理而形成的覆膜層來構成。
(基材) 作為合金構件的基材,使用Fe-Cr系合金。基材之Fe-Cr系合金,含錳0.05質量%以上的話為適宜。基材之Fe-Cr系合金,為含鈦0.15質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金、含鋯0.15質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金、含鈦及鋯而鈦與鋯的合計含量為0.15質量%以上1.0質量%以下之Fe-Cr系合金之中的任一的話更為適宜。基材之Fe-Cr系合金含有銅0.10質量%以上1.0質量%以下的話更為適宜。基材之Fe-Cr系合金含有鉻18質量%以上25質量%以下的話更為適宜。
(合金構件之製造方法) 接著,說明相關於本實施型態之合金構件之製造方法。
(鍍層處理步驟) 在鍍層處理步驟,在Fe-Cr系合金之基材上鍍鈷。往基板鍍鈷,可以藉由電鍍處理(電解電鍍或無電解電鍍)或蒸鍍處理、根據含鈷塗料之塗裝等來進行。 又,在鍍層處理步驟,亦可對基材的表面直接鍍鈷,或者對基材與覆膜層之間的中介層鍍鈷。
(氧化處理步驟) 在氧化處理步驟,在含濕氛圍中進行基材的氧化處理。氛圍的露點以在25℃以上為佳,氛圍的露點在30℃以上更佳,氛圍的露點在35℃以上進而又更佳。氧化處理的溫度在600℃以上為佳,700℃以上為更佳。氧化處理的溫度在1100℃以下為佳,1050℃以下為更佳。
如以上所述進行,可以製造合金構件。又,在把合金構件作為電化學元件E的金屬基板1,或分離構件、歧管構件、集電構件等使用的場合,在進行鍍層處理步驟及氧化處理步驟之前進行切斷/彎曲/氧化處理步驟之前進行切斷/彎曲/沖壓成形加工等機械加工為適宜。進行鍍層處理步驟及氧化處理步驟之後進行切斷/彎曲等機械加工亦為可能。 此外,把如以上所述而得的合金構件作為電化學元件E的金屬基板1使用的話,可以得到把電化學元件之內電阻抑制為較小之高性能的電化學元件E,所以較佳。
<實施例> 使用以下表1的組成之基板製作了合金構件之試樣。又,表1所示的組成之值得單位為質量百分比(質量%)。對基板之鈷的鍍層處理系藉由電解電鍍進行的。鈷鍍層的厚度為1μm、2μm、3μm等3種。氧化處理,在40℃露點氛圍中(實施例),與在20℃露點氛圍中(比較例)等2個條件下進行。氧化處理的溫度均為藉由850℃(60分)+1000℃(90分)之2段處理來進行。
針對製作的6種試樣,測定了鉻的揮發量。又,鉻揮發量的測定,使用寬幅25mm、長度250~300mm的尺寸之金屬板試樣,在0.5L/分之空氣(露點20℃或者露點40℃)中,在850℃的溫度下,把分別的金屬板試樣暴露100小時,測定了其間之鉻的揮發量(累積量)。測定結果顯示於表2。又,表2所示之鉻揮發量的單位為μg/600cm2
,為換算成相當於600cm2
的金屬表面積之鉻的揮發量之值。
比較例之3種試樣,都有某個程度的鉻揮發。對此,實施例之3種試樣,鉻揮發量極少。特別是鍍層厚度為2μm以上的2種試樣,鉻揮發量在測定極限以下。由以上結果可知,藉由相關於本實施型態的合金構件之製造方法,可得鉻揮發量極小的合金構件。
針對製作的實施例與比較例之試樣,進行了表面附近的元素分布(Cr,Fe,Mn,Co)的測定。分析係藉由使合金構件的剖面露出,藉由電子微探分析儀(EPMA)分析來進行。結果顯示於圖5與圖6。
圖5顯示實施例(40℃露點氛圍中氧化處理,鍍層厚度3μm)的結果。橫軸為垂直於基板表面的方向之位置(單位:mm),右方向(正方向)為朝向基板表面的方向,左方向(負方向)為朝向基板內部的方向。縱軸為各元素的訊號強度,為相對的值,未反映出元素間的分布之比。
注目於鐵的分布的話,位置0~0.005訊號強度很強,位置0.005~0.006附近訊號強度減少,位置0.007以後訊號強度幾乎為0。亦即,位置0~0.006附近推定為基材(合金),位置0.006附近起往右(表面側)推定為覆膜層。
鉻多分布於位置0.006~0.009。亦即,推定鉻分布於接近覆膜層的基材的區域。錳多分布於位置0.009~0.013。亦即,推定錳分布在覆膜層之離開基材的區域,多分布在鉻的分布很小的區域。鈷多分布於位置0.003~0.006與位置0.009~0.013。亦即,推定鈷分布於2個區域。1個為基材內部之基材與覆膜層之界面附近,亦即基材的表面附近的區域。另一個在覆膜層之離開基材的區域,鉻的分布很小的區域,亦即與錳同區域。
由以上的元素分布結果,可以認為在相關於本實施型態的合金構件,於基材的表面附近被形成覆膜層。而覆膜層,被形成於基材之上(被形成於基材的上方,接於基材而形成,或者是被形成為接近基材),具有第1層,與第1層之上的第2層(被形成於第1層的上方,形成為接於第1層,或者形成為接近於第1層)。於第1層,含有很多鉻。於第2層,含有很多鈷及錳。而在基材的內部,在表面附近被形成含鈷的區域(含鈷區域)。
圖6顯示比較例(20℃露點氛圍中氧化處理,鍍層厚度3μm)的結果。
注目於鐵的分布的話,位置0~0.006訊號強度很強,位置0.006~0.008附近訊號強度減少,位置0.008以後訊號強度幾乎為0。亦即,位置0~0.008附近推定為基材(合金),位置0.008附近起往右(表面側)推定為覆膜層。
鉻多分布於位置0.007~0.012。亦即,推定鉻廣泛分布於覆膜層的區域。錳多分布於位置0.010~0.012。亦即,推定錳多分布在覆膜層之離開基材的區域。與圖5之實施例不同,錳重疊於鉻分佈的區域。鈷多分布於位置0~0.008。與圖5之實施例不同,推定鈷分布於基材的內部。
如圖6所示,在比較例,鉻分布於覆膜層的全體。另一方面,在圖5的實施例,於覆膜層的表面分布錳及鈷分布較多,鉻的分布很小。應該是藉由這樣的構成,而使鉻揮發量變得非常少。
<第2實施形態> 以下,參照圖1,同時說明相關於本實施型態之電化學元件E及固態氧化物型燃料電池(Solid Oxide Fuel Cell:SOFC)。電化學元件E,例如做為接受含氫的燃料氣體與空氣的供給而發電的固態氧化物型燃料電池的構成要素來使用。又,以下在表示層的位置關係等的時候,會把例如由電解質層4來看把對極電極層6之側作為「上」或者「上側」,把電極層2之側作為「下」或者「下側」。此外,亦會把金屬基板1之被形成電極層2之側之面作為「表側」,把相反側之面作為「背側」。
(電化學元件) 電化學元件E,如圖1所示,具有金屬基板1(金屬支持體)、被形成於金屬基板1上的電極層2、被形成於電極層2上的中間層3、與被形成於中間層3上的電解質層4。接著,電化學元件E,進而具有被形成於電解質層4上的反應防止層5,與被形成於反應防止層5之上的對極電極層6。總之,對極電極層6被形成於電解質層4之上,反應防止層5被形成於電解質層4與對極電極層6之間。電極層2為多孔質,電解質層4為緻密。
(金屬基板) 金屬基板1支撐電極層2、中間層3及電解質層4等,保持電化學元件E的強度,擔負著支持體的功能。在本實施型態,作為金屬基板1使用前述之合金構件。又,在本實施型態,作為金屬支撐體使用板狀的金屬基板1,但作為金屬支撐體也可以使用其他形狀,例如箱狀、圓筒狀等形狀。 又,金屬基板1,作為支撐體只要在形成電化學元件時具有充分的強度即可,例如可以使用0.1mm~2mm程度,較佳為0.1mm~1mm程度,更佳為0.1mm~0.5mm程度之厚度。
金屬基板1,具有貫通表側之面與背側之面而設的複數貫通孔1a。又,例如,貫通孔1a可以藉由機械方式、化學方式或者光學之穿孔加工等,而設於金屬基板1。貫通孔1a,具有使氣體由金屬基板1的背側之面往表側之面透過的機能。為了使金屬基板1具有氣體透過性,可以使用多孔質金屬。例如,金屬基板1,也可以使用燒結金屬或發泡金屬等。
作為金屬基板1的基材的材料使用肥粒鐵系不銹鋼的場合,與作為電極層2或電解質層4的材料使用的YSZ(釔安定氧化鋯)或GDC(釓摻雜氧化鈰,亦稱為CGO)等熱膨脹係數相近。亦即,低溫與高溫之溫度循環反覆進行的場合,電化學元件E也不容易受到損傷。因而,以可以實現長期耐久性優異的電化學元件E為佳。
(電極層) 電極層2,如圖1所示,在金屬基板1的表側之面且被設置貫通孔1a的區域更大的區域,以薄層的狀態設置。薄層的場合,可以使其厚度為例如1μm~100μm程度,較佳為5μm~50μm。使成為這樣的厚度,可以減低昂貴的電極層材料的使用量而謀求降低成本,同時可以確保充分的電極性能。被設置貫通孔1a的區域的全體為電極層2所覆蓋。總之,貫通孔1a被形成於金屬基板1之被形成電極層2的區域的內側。換句話說,所有的貫穿孔1a面對電極層2設置。
作為電極層2的材料,例如可以使用NiO-GDC、Ni-GDC、NiO-YSZ、Ni-YSZ、CuO-CeO2
、Cu-CeO2
等複合材。在這些例中,GDC、YSZ、CeO2
可以稱為複合材的骨材。又,電極層2,以藉由低溫燒成法(例如不在比1100℃更高的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)或是噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等),CVD法等來形成為較佳。藉由這些可以在低溫域使用的製程,不在例如比1100℃更高的高溫域之燒成,可以得到良好的電極層2。因此,不損傷金屬基板1,此外,可以抑制金屬基板1與電極層2之元素相互擴散,可實現耐久性優異的電化學元件所以較佳。進而,使用低溫燒成法的話,原料的操作變得容易所以更佳。
電極層2具有氣體透過性,所以內部及表面具有複數細孔。 亦即,電極層2,形成為多孔質之層。電極層2,例如以其緻密度為30%以上而未滿80%的方式形成。細孔的尺寸,可以適當選擇在進行電化學反應時適於使反應圓滑地進行之尺寸。又,所謂緻密度,是構成層的材料的空間占比,能夠以(1-空孔率)表示,此外,與相對密度同等。
(中間層) 中間層3,如圖1所示,能夠在覆蓋電極層2的狀態下,以薄層的狀態形成於電極層2之上。薄層的場合,可以使其厚度為例如1μm~100μm程度,較佳為2μm~50μm程度,更佳為4μm~25μm程度。使成為這樣的厚度,可以減低昂貴的中間層材料的使用量而謀求降低成本,同時可以確保充分的性能。作為中間層3的材料,例如,可以使用YSZ(釔安定氧化鋯)、SSZ(鈧安定氧化鋯)或GDC(釓摻雜氧化鈰)、YDC(釔摻雜氧化鈰)、YDC(釔摻雜氧化鈰)、SDC(釤摻雜氧化鈰)等。特別適合使用氧化鈰系之陶瓷。
中間層3,以藉由低溫燒成法(例如不在比1100℃更高的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)或是噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等),CVD法等來形成為較佳。藉由這些可以在低溫域使用的成膜製程,不在例如比1100℃更高的高溫域之燒成,可以得到中間層3。因此,不損傷金屬基板1,可以抑制金屬基板1與電極層2之元素相互擴散,可實現耐久性優異的電化學元件E。此外,使用低溫燒成法的話,原料的操作變得容易所以更佳。
作為中間層3,以具有氧離子(氧化物離子)傳導性為佳。此外,具有氧離子(氧化物離子)與電子之混合傳導性為更佳。具有這些性質的中間層3,適合適用電化學元件E。
(電解質層) 電解質層4,如圖1所示,是在覆蓋電極層2及中間層3的狀態下,以薄層的狀態形成於中間層3之上。此外,也能夠以厚度10μm以下的薄膜狀態形成。詳言之,電解質層4,如圖1所示,係跨設於中間層3之上與金屬基板1之上。如此構成,藉由把電解質層4接合於金屬基板1,可以作為電化學元件全體在具有優異的牢固性。
此外,電解質層4,如圖1所示,設置於金屬基板1的表側之面且比被設置貫通孔1a的區域更大的區域。總之,貫通孔1a被形成於金屬基板1之被形成電解質層4的區域的內側。
此外,於電解質層4的周圍,可以抑制來自電極層2及中間層3之氣體的洩漏。進一步說明,在電化學元件E作為SOFC的構成要素使用的場合,在SOFC動作時,氣體由金屬基板1的背側通過貫通孔1a往電極層2供給。在電解質層4接於金屬基板1的部位,不設置密合墊等其他構件,就可以抑制氣體的洩漏。又,在本實施型態藉由電解質層4全部覆蓋電極層2的周圍,但在電極層2及中間層3的上部設電解質層4,在周圍設密合墊等的構成亦可。
作為電解質層4的材料,例如,可以使用YSZ(釔安定氧化鋯)、SSZ(鈧安定氧化鋯)或GDC(釓摻雜氧化鈰)、YDC(釔摻雜氧化鈰)、SDC(釤摻雜氧化鈰)、LSGM(鍶鎂摻雜鎵酸鑭)等。特別適合使用氧化鋯系之陶瓷。電解質層4採用氧化鋯系陶瓷的話,能夠讓使用電化學元件E的SOFC的工作溫度,比氧化鈰系陶瓷更為提高。例如把電化學元件E使用於SOFC的場合,作為電解質層4的材料使用如YSZ那樣在650℃程度以上的高溫域也可以發揮高的電解質性能的材料,系統的原燃料使用都市瓦斯或天然氣(LPG)等碳化氫系原燃料,使原燃料藉由水蒸氣改質等作為SOFC的陽極氣體的系統構成的話,可以構築把在SOFC的電池堆產生的熱用於原燃料氣體的改質之高效率的SOFC系統。
電解質層4,以藉由低溫燒成法(例如不超越1100℃的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法)或是噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等),CVD法等來形成為較佳。藉由這些可以在低溫域使用的成膜製程,不在例如比1100℃以上的高溫域之燒成,可以得到緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層4。因此,可以抑制金屬基板1的損傷,此外,可以抑制金屬基板1與電極層2之元素相互擴散,可實現性能/耐久性優異的電化學元件E。特別是使用低溫燒成法或噴塗法等的話,可以實現低成本的元件所以較佳。進而,使用噴塗法的話,在低溫域容易得到緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層所以更佳。
電解質層4遮蔽陽極氣體或陰極氣體之氣體洩漏,且呈現高的離子傳導性,所以被構成為緻密。電解質層4的緻密度以90%以上為佳,95%以上為更佳,98%以上又更佳。電解質層4為均勻的層的場合,其緻密度以95%以上為佳,98%以上為更佳。此外,電解質層4,被構成為複數之層狀的場合,其中至少一部分含有緻密度98%以上之層(緻密電解質層)為佳,包含99%以上之層(緻密電解質層)更佳。如此緻密電解質層包含於電解質層之一部分的話,即使電解質層被構成為複數層狀的場合,也容易形成緻密且氣密性及氣體障壁性高的電解質層。
(反應防止層) 反應防止層5,可以在電解質層4之上以薄層的狀態形成。薄層的場合,可以使其厚度為例如1μm~100μm程度,較佳為2μm~50μm程度,更佳為4μm~25μm程度。使成為這樣的厚度,可以減低昂貴的反應防止層材料的使用量而謀求降低成本,同時可以確保充分的性能。作為反應防止層5之材料,只要是可以防止電解質層4的成分與對極電極層6的成分之間的反應之材料即可。例如使用氧化鈰系材料等。藉由把反應防止層5導入電解質層4與對極電極層6之間,有效果的抑制對極電極層6的構成材料與電解質層4的構成材料之反應,可以提高電化學元件E的性能的長期安定性。反應防止層5的形成,適當使用可以在1100℃以下的處理溫度下形成的方法來進行的話,可以抑制金屬基板1的損傷,此外可以抑制金屬基板1與電極層2之元素相互擴散,可實現性能/耐久性優異的電化學元件E,所以較佳。例如,可以適宜使用藉由低溫燒成法(例如不超越1100℃的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法),噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等),CVD法等來進行。特別是使用低溫燒成法或噴塗法等的話,可以實現低成本的元件所以較佳。進而,使用低溫燒成法的話,原料的操作變得容易所以更佳。
(對極電極層) 對極電極層6,係在電解質層4或者反應防止層5之上以薄層的狀態形成。薄層的場合,可以使其厚度為例如1μm~100μm程度,較佳為5μm~50μm。使成為這樣的厚度,可以減低昂貴的對極電極層材料的使用量而謀求降低成本,同時可以確保充分的電極性能。作為對極電極層6的材料,例如可以使用LSCF、LSM等複合氧化物,氧化鈰系氧化物及這些的混合物。特別是對極電極層6以含有由La、Sr、Sm、Mn、Co及Fe構成的群所選擇的2種以上的元素之鈣鈦礦(perovskite)型氧化物為佳。使用以上的材料構成的對極電極層6,作為陰極發揮機能。
又,對極電極層6的形成,適當使用可以在1100℃以下的處理溫度下形成的方法來進行的話,可以抑制金屬基板1的損傷,此外可以抑制金屬基板1與電極層2之元素相互擴散,可實現性能/耐久性優異的電化學元件E,所以較佳。例如,可以適宜使用藉由低溫燒成法(例如不超越1100℃的高溫域進行燒成處理而使用在低溫域之燒成處理的濕式法),噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等),CVD法等來進行。特別是使用低溫燒成法或噴塗法等的話,可以實現低成本的元件所以較佳。進而,使用低溫燒成法的話,原料的操作變得容易所以更佳。
(固態氧化物型燃料電池) 藉著如以上所述構成電化學元件E,可以把電化學元件E作為固態氧化物型燃料電池之發電胞來使用。例如,由金屬基板1的背側之面通過貫通孔1a把含氫的燃料氣體往電極層2供給,往成為電極層2的對極的對極電極層6供給空氣,例如在600℃以上850℃以下的溫度使其工作。如此進行的話,對極電極層6包含於空氣的氧O2
與電子e-
反應產生氧離子O2-
。該氧離子O2-
通過電解質層4往電極層2移動。於電極層2,包含於被供給的燃料氣體的氫H2
與氧離子O2-
反應,產生水H2
O與電子e-
。藉由以上的反應,在電極層2與對極電極層6之間產生起電力。在此場合,電極層2作為SOFC的燃料極(陽極)發揮機能,對極電極層6作為空氣極(陰極)發揮機能。
(電化學元件之製造方法) 其次,說明相關於本實施型態之電化學元件E之製造方法。
(電極層形成步驟) 在電極層形成步驟,在金屬基板1的表側之面之比被設置貫通孔1a的區域更寬的區域,電極層2以薄膜的狀態形成。金屬基板1的貫通孔可藉由雷射加工等來設置。電極層2的形成,如前所述,可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理的濕式法),噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等),CVD法等來進行。無論使用哪一種方法的場合,為了抑制金屬基板1的劣化,都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
以低溫燒成法進行電極層形成步驟的場合,具體而言如以下之例那樣進行。首先,混合電極層2的材料粉末與溶媒(分散媒)作成材料糊,塗布於金屬基板1的表側之面。接著,把電極層2壓縮成形(電極層平滑化步驟),在1100℃以下燒成(電極層燒成步驟)。電極層2的壓縮成形,例如可以藉由CIP(Cold Isostatic Pressing、冷間靜水壓加壓)成形、輥加壓成形、RIP(Rubber Isostatic Pressing、橡膠等靜壓)成形等來進行。此外,電極層2的燒成,以在800℃以上1100℃以下之溫度進行為適宜。此外,電極層平滑化步驟與電極層燒成步驟的順序亦可替換。 又,在形成具有中間層的電化學元件的場合,省略電極層平滑化步驟或電極層燒成步驟,或是使電極層平滑化步驟或電極層燒成步驟包含於後述之中間層平滑化步驟或中間層燒成步驟亦可。 又,電極層平滑化步驟,也可以藉由施以包裹成形或整平處理、表面的切削/研磨處理等來進行。
(擴散抑制層形成步驟) 前述之電極層形成步驟之燒成步驟時,在金屬基板1的表面被形成金屬氧化物層1b(擴散抑制層(覆膜層))。又,於前述燒成步驟,包含使燒成氛圍為氧分壓低的氛圍條件之燒成步驟的話,元素之相互擴散抑制效果很高,形成電阻值低的優質的金屬氧化物層1b(擴散抑制層)所以較佳。使電極層形成步驟,包含不進行燒成的方法的塗布方法的場合亦可,包含另外的擴散抑制層形成步驟亦可。例如,在另外的擴散抑制層形成步驟,藉由在金屬基板1上鍍鈷之後進行氧化處理而形成金屬氧化物層1b(擴散抑制層(覆膜層))。或者是,例如,在另外的擴散抑制層形成步驟,藉由在被形成於金屬基板1上的中介層鍍鈷之後進行氧化處理而形成金屬氧化物層1b(擴散抑制層(覆膜層))。 任一場合,都以在可抑制金屬基板1的損傷的1100℃以下的處理溫度下實施為佳。此外,後述之中間層形成步驟之燒成步驟時,在金屬基板1的表面被形成金屬氧化物層1b(擴散抑制層)亦可。
(中間層形成步驟) 在中間層形成步驟,是在覆蓋電極層2的狀態下,中間層3以薄層的狀態形成於電極層2之上。中間層3的形成,如前所述,可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理的濕式法),噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等),CVD法等來進行。無論使用哪一種方法的場合,為了抑制金屬基板1的劣化,都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
以低溫燒成法進行中間層形成步驟的場合,具體而言如以下之例那樣進行。首先,混合中間層3的材料粉末與溶媒(分散媒)作成材料糊,塗布於金屬基板1的表側之面。接著,把中間層3壓縮成形(中間層平滑化步驟),在1100℃以下燒成(中間層燒成步驟)。中間層3的壓延,例如可以藉由CIP(Cold Isostatic Pressing、冷間靜水壓加壓)成形、輥加壓成形、RIP(Rubber Isostatic Pressing、橡膠等靜壓)成形等來進行。此外,中間層的燒成,以在800℃以上1100℃以下之溫度進行為適宜。因為在這樣的溫度的話,可以抑制金屬基板1的損傷/劣化,形成強度高的中間層3的緣故。此外,使中間層3的燒成在1050℃以下進行為更佳,在1000℃以下進行又更佳。這是因為越使中間層3的燒成溫度降低,越能抑制金屬基板1的損傷/劣化,而形成電化學元件E的緣故。此外,中間層平滑化步驟與中間層燒成步驟的順序亦可替換。 又,中間層平滑化步驟,也可以藉由施以包裹成形或整平處理、表面的切削/研磨處理等來進行。
(電解質層形成步驟) 在電解質層形成步驟,是在覆蓋電極層2及中間層3的狀態下,電解質層4以薄層的狀態形成於中間層3之上。此外,以厚度10μm以下的薄膜狀態形成亦可。電解質層4的形成,如前所述,可以使用低溫燒成法(在1100℃以下的低溫域進行燒成處理的濕式法),噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等),CVD法等來進行。無論使用哪一種方法的場合,為了抑制金屬基板1的劣化,都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
為了在1100℃以下的溫度域形成緻密且氣密性及氣體障壁性能高的,優質的電解質層4,以噴塗法進行電解質層形成步驟為佳。在此場合,使電解質層4的材料朝向金屬基板1的中間層3噴射,形成電解質層4。
(反應防止層形成步驟) 在反應防止層形成步驟,反應防止層5以薄層的狀態形成於電解質層4之上。反應防止層5的形成,如前所述,可以使用低溫燒成法,噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等),CVD法等的方法來進行。無論使用哪一種方法的場合,為了抑制金屬基板1的劣化,都以在1100℃以下的溫度進行為佳。又,為了使反應防止層5的上側之面平坦,例如於反應防止層5形成後施以整平處理或切削/研磨處理表面,於濕式形成後燒成前,施以壓製加工亦可。
(對極電極層形成步驟) 在對極電極層形成步驟,對極電極層6以薄層的狀態形成於反應防止層5之上。對極電極層6的形成,如前所述,可以使用低溫燒成法,噴塗法(熔射法或氣溶膠沉積法、氣溶膠氣相沉積法、粉末噴射沉積法、微粒噴射沉積法、冷噴塗法等方法)PVD法(濺鍍法或脈衝雷射沉積法等),CVD法等來進行。無論使用哪一種方法的場合,為了抑制金屬基板1的劣化,都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
如以上所述進行,可以製造電化學元件E。又,進行以上所述的電極層形成步驟及中間層形成步驟,可以製造金屬支撐型電化學元件用之附電極層基板B。亦即相關於本實施型態之製造方法,為具有金屬基板1(金屬支撐體)、被形成於金屬基板1上的電極層2、及被形成於電極層2上的中間層3之金屬支撐型電化學元件用之附電極層基板B之製造方法,包含平滑化中間層3的表面之中間層平滑化步驟,包含使中間層3的燒成在1100℃以下進行的中間層燒成步驟。
又,於電化學元件E,中間層3與反應防止層5,也可以是不具備任一方或者雙方的形態。亦即,電極層2與電解質層4接觸而形成的形態,或者電解質層4與對極電極層6接觸而形成的形態亦為可能。此場合在前述之製造方法,中間層形成步驟、反應防止層形成步驟被省略。又,追加形成其他層的步驟,或層積複數同種之層等也是可能的,在任一場合下,都以在1100℃以下的溫度進行為佳。
<第3實施形態> 使用圖2、圖3,說明相關於本實施型態的電化學元件E、電化學模組M、電化學裝置Y及能源系統Z。
相關於本實施型態的電化學元件E,如圖2所示,於金屬基板1的背面被安裝U字形構件7,金屬基板1與U字形構件7形成筒狀支撐體。於U字形構件7(分離構件),使用前述的合金構件。
接著,電化學元件E層疊複數個,其間挾有集電構件26,從而構成電化學模組M。集電構件26被接合於電化學元件E的對極電極層6與U字形構件7,使二者導電連接。於集電構件26,使用前述的合金構件。
電化學模組M,具有氣體歧管17、集電構件26、終端構件及電流導出部。被層積複數之電化學元件E,筒裝支撐體之一方的開口端部被連接於氣體歧管17,由氣體歧管17接受氣體的供給。供給的氣體,流通於筒狀支撐體的內部,通過金屬基板1的貫通孔1a供給至電極層2。於氣體歧管17(歧管構件),使用前述之合金構件。 又,分離構件(U字形構件7),與歧管構件(氣體歧管17),與集電構件26之中至少任一為前述金屬構件亦可。
圖3顯示能源系統Z及電化學裝置Y的概要。 能源系統Z,為具有電化學裝置Y,與作為再利用由電化學裝置Y排出的熱之排熱利用部的熱交換器53。 電化學裝置Y,具有電化學模組M、脫硫器31與改質器34,具有對電化學模組M供給含有還原性成分的燃料氣體之燃料供給部,與由電化學模組M取出電力之反相器38。
詳言之,電化學裝置Y,具有:脫硫器31、改質水槽32、氣化器33、改質器34、送風機35、燃燒部36、反相器38、控制部39、收納容器40及電化學模組M。
脫硫器31,除去(脫硫)天然氣等的碳化氫系原燃料所含有的硫黃化合物成分。原燃料中含有硫黃化合物的場合,藉由具備脫硫器31,可以抑制硫黃化合物對改質器34或電化學元件E的影響。氣化器33,由改質水槽32所供給的改質水來產生水蒸氣。改質器34,使用以氣化器33產生的水蒸氣,把以脫硫器31脫硫的原料進行水蒸氣改質,產生含氫的改質氣體。
電化學模組M,使用由改質器34供給的改質氣體,與由送風機35供給的空氣,使產生電化學反應而發電。燃燒部36,使由電化學模組M排出的反應廢氣與空氣混合,燃燒掉反應廢氣中的可燃成分。
電化學模組M具有複數電化學元件E與氣體歧管17。複數電化學元件E以相互導電連接的狀態並列配置,電化學元件E之一方的端部(下端部)被固定於氣體歧管17。電化學元件E,使通過氣體歧管17供給的改質氣體,與由送風機35供給的空氣產生電化學反應而發電。
反相器38,調整電化學模組M之輸出電力,使其成為與由商用系統(省略圖示)所接受的電力相同的電壓以及相同的頻率。控制部39控制電化學裝置Y及能源系統Z的運轉。
氣化器33、改質器34、電化學模組M及燃燒部36被收容於收納容器40內。而改質器34,使用藉由在燃燒部36之反應廢氣的燃燒所產生的燃燒熱進行原燃料的改質處理。
原燃料,藉由升壓泵41的動作而通過原燃料供給路徑42供給至脫硫器31。改質水槽32的改質水,藉由改質水泵43的動作而通過改質水供給路徑44供給至氣化器33。接著,原燃料供給路徑42在比脫硫器31更下游側的部位,合流於改質水供給路徑44,在收納容器40外合流的改質水與原燃料被供給至收納容器40內所具備的氣化器33。
改質水以氣化器33氣化成為水蒸氣。包含以氣化器33產生的水蒸氣之原燃料,通過含水蒸汽原燃料供給路徑45供給至改質器34。原燃料以改質器34進行水蒸氣改質,產生以氫氣為主成分的改質氣體(具有還原性成分的第1氣體)。以改質器34產生的改質氣體,通過改質氣體供給路徑46供給至電化學模組M的氣體歧管17。
被供給到氣體歧管17的改質氣體,對複數電化學元件E分配,由電化學元件E與氣體歧管17之接續部亦即下端供給至電化學元件E。改質氣體中的主要的氫(還原性成分)在電化學元件E使用於電化學反應。包含未用於反應的殘餘的氫氣的反應廢氣,由電化學元件E的上端往燃燒部36排出。
反應廢氣以燃燒部36燃燒,成為燃燒廢氣由燃燒廢氣排出口50往收納容器40的外部排出。於燃燒廢氣排出口50被配置燃燒觸媒部51(例如鉑系觸媒),燃燒除去包含於燃燒廢氣的一氧化碳或氫等還原性成分。由燃燒廢氣排出口50排出的燃燒廢氣,藉由燃燒廢氣排出路徑52送至熱交換器53。
熱交換器53,使燃燒部36之燃燒所產生的燃燒廢氣,與供給的冷水進行熱交換,產生溫水。亦即,熱交換器53,作為再利用由電化學裝置Y排出的熱之排熱利用部進行運作。
又,替代排熱利用部,而設置利用由電化學模組M(不燃燒地)排出的反應廢氣之反應廢氣利用部亦可。反應廢氣,含有在電化學元件E未用於反應的殘餘的氫氣。在反應廢氣利用部,利用殘餘的氫氣,進行根據燃燒之熱利用,或是根據燃料電池等地發電,達成能源的有效利用。
<第4實施形態> 圖4顯示電化學模組M的其他實施型態。相關於本實施型態之電化學模組M,把前述之電化學元件E層積構成電化學模組M,其間挾著胞間接續構件71。
胞間接續構件71,為具有導電性,且不具有氣體透過性之板狀的構件,於表面與背面,被形成相互正交的溝72。胞間接續構件71可以使用不銹鋼等金屬或金屬氧化物。於胞間接續構件71(互連器構件)使用前述之合金構件。
如圖4所示,其間挾著此胞間接續構件71而層積電化學元件E的話,可以通過溝72把氣體供給至電化學元件E。詳言之,一方之溝72成為第1氣體流道72a,對電化學元件E的表側,亦即對極電極層6供給氣體。另一方之溝72成為第2氣體流道72b,由電化學元件E的背側,亦即由金屬基板1之背側之面通過貫通孔1a往電極層2供給氣體。
將此電化學模組M作為燃料電池使其動作的場合,對第1氣體流道72a供給氧,對第2氣體流道72b供給氫。如此一來,在電化學元件E進行燃料電池之反應,產生起電力/電流。產生的電力,由層積的電化學元件E的兩端的胞間接續構件71,取出至電化學模組M的外部。
又,在本實施型態,在胞間接續構件71的表面與背面,形成相互正交的溝72,但是在胞間接續構件71的表面與背面,形成相互平行的溝72亦可。
(其他實施型態)(1)在前述之實施型態,把電化學元件E使用於固態氧化物型燃料電池,但電化學元件E,也可利用於固態氧化物型電解胞,或利用固態氧化物之氧感測器等。此外,本發明之合金構件,也可以利用於必須要抑制鉻由構件揮發的電化學元件以外之各種裝置,特別是在高溫區動作的各種裝置。
(2)在前述之實施型態,使用把金屬基板1作為支撐體之金屬支撐型固態氧化物型燃料電池,但本發明亦可利用於把電極層2或者對極電極層6作為支撐體的電極支撐型固態氧化物型燃料電池或者把電解質層4作為支撐體之電解質支撐型固態氧化物型燃料電池。這些場合,可以使電極層2或對極電極層6,或者電解質層4成為必要的厚度,以得到作為支撐體的機能。
(3)在前述實施型態,作為電極層2的材料,例如使用NiO-GDC、Ni-GDC、NiO-YSZ、Ni-YSZ、CuO-CeO2
、Cu-CeO2
等複合材,作為對極電極層6的材料使用例如LSCF、LSM等複合氧化物。如此構成的電化學元件E,對電極層2供給氫氣作為燃料極(陽極),對對極電極層6供給空氣作為空氣極(陰極),可以作為固態氧化物型燃料電池胞使用。變更此構成,以能夠把電極層2作為空氣極,把對極電極層6作為燃料極的方式,來構成電化學元件E亦為可能。亦即,作為電極層2的材料使用例如LSCF、LSM等複合氧化物,作為對極電極層6的材料使用例如NiO-GDC、Ni-GDC、NiO-YSZ、Ni-YSZ、CuO-CeO2
、Cu-CeO2
等複合材。若是如此構成的電化學元件E的話,對電極層2供給空氣作為空氣極,對對極電極層6供給氫氣作為燃料極,可以把電化學元件E作為固態氧化物型燃料電池胞使用。
又,在前述實施型態揭示的構成,在不產生矛盾的前提下,可以與其他實施型態揭示的構成組合適用。此外,於本說明書揭示的實施型態僅為例示,本發明之實施型態並不以此為限,在不逸脫本發明的目地的範圍內可以適當改變。 [產業上利用可能性]
可利用作為電化學元件及固態氧化物型燃料電池胞。
1‧‧‧金屬基板(金屬支撐體,合金構件)1a‧‧‧貫通孔2‧‧‧電極層3‧‧‧中間層4‧‧‧電解質層5‧‧‧反應防止層6‧‧‧對極電極層7‧‧‧U字形構件(分離構件,合金構件)17‧‧‧氣體歧管(歧管構件,合金構件)26‧‧‧集電構件(合金構件)31‧‧‧脫硫器32‧‧‧改質水槽33‧‧‧氣化器34‧‧‧改質器35‧‧‧送風機36‧‧‧燃燒部38‧‧‧反相器39‧‧‧控制部40‧‧‧收納容器41‧‧‧升壓泵42‧‧‧原燃料供給路徑43‧‧‧改質水泵44‧‧‧改質水供給路徑45‧‧‧含水蒸氣原燃料供給路徑46‧‧‧改質氣體供給路徑50‧‧‧燃燒廢氣排出口51‧‧‧燃燒觸媒部52‧‧‧燃燒廢氣排出路徑53‧‧‧熱交換器71‧‧‧胞間接續構件(互連器構件,合金構件)72‧‧‧溝72a‧‧‧第1氣體流道72b‧‧‧第2氣體流道E‧‧‧電化學元件M‧‧‧電化學模組Y‧‧‧電化學裝置Z‧‧‧能源系統
圖1係顯示電化學元件的構成之概略圖。 圖2係顯示電化學元件及電化學模組的構成之概略圖。 圖3係顯示電化學裝置及能源系統的構成之概略圖。 圖4係顯示電化學模組的構成之概略圖。 圖5係作成試樣的元素分布測定結果(實施例)。 圖6係作成試樣的元素分布測定結果(比較例)。
Claims (15)
- 一種合金構件之製造方法,其特徵為進行:在Fe-Cr系合金之基材上藉由電鍍(plating)處理進行鍍層鈷之鍍層處理步驟,以及在前述鍍層處理步驟之後,在露點25℃以上的氛圍中進行前述基材的氧化處理之氧化處理步驟。
- 一種合金構件,其特徵為具有Fe-Cr系合金之基材,以及被形成於前述基材之上的覆膜層;前述基材之Fe-Cr系合金含有銅0.10質量%以上1.0質量%以下;前述覆膜層含有鈷,於前述基材的內部在表面附近被形成含鈷區域。
- 一種合金構件,其特徵為具有Fe-Cr系合金之基材,以及被形成於前述基材之上的覆膜層;前述基材之Fe-Cr系合金含有銅0.10質量%以上1.0質量%以下;前述覆膜層具有第1層與第2層,前述第1層被形成於前述基材上,且為含有鉻之金屬氧化物之層,前述第2層被形成於前述第1層上,且為含有鈷的金屬氧化物之層。
- 如申請專利範圍第3項之合金構件,其中於前述基材的內部在表面附近被形成含鈷區域。
- 如申請專利範圍第3或4項之合金構件,其中前述第2層含有錳。
- 如申請專利範圍第2或3項之合金構件,其中前述基材的Fe-Cr系合金含有0.05質量%以上之錳。
- 如申請專利範圍第2或3項之合金構件,其中前述基材之Fe-Cr系合金,為含鈦0.15質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金、含鋯0.15質量%以上1.0質量%以下的Fe-Cr系合金、含鈦及鋯而鈦與鋯的合計含量為0.15質量%以上1.0質量%以下之Fe-Cr系合金之中的任一。
- 如申請專利範圍第2或3項之合金構件,其中前述基材之Fe-Cr系合金含有鉻18質量%以上25質量%以下。
- 一種電化學元件,其特徵為在申請專利範圍第2或3項之合金構件上,至少設有電極層與電解質層與對極電極層。
- 一種電化學模組,其特徵為申請專利範圍第9項之電化學元件以複數集合的狀態配置。
- 一種電化學裝置,其中至少具有申請專利範圍第10項 之電化學模組與改質器,具有對前述電化學模組供給含有還原性成分的燃料氣體之燃料供給部。
- 一種電化學裝置,其中具有申請專利範圍第10項之電化學模組,與由前述電化學模組取出電力之反相器。
- 一種電化學裝置,具有分離構件、歧管構件、互連器構件及集電構件之中的至少任一,前述分離構件、前述歧管構件、前述互連器構件及前述集電構件之至少任一係藉由申請專利範圍第2或3項之合金構件形成的。
- 一種能源系統,其特徵為具有申請專利範圍第11或12項之電化學裝置,與再利用由前述電化學裝置排出的熱之排熱利用部。
- 一種固態氧化物型燃料電池,其特徵為具備申請專利範圍第9項之電化學元件,以前述電化學元件產生發電反應。
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