JP2014199910A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- 基板と、該基板上に設けられた振動板と、該振動板上に設けられ少なくとも白金またはイリジウムの金属膜を含む下部電極と、該下部電極上に設けられ多結晶体からなる圧電体膜と、該圧電体膜上に設けられた上部電極とを備えた圧電体薄膜素子であって、
前記下部電極は、前記振動板上に形成された酸化チタン膜の上部に設けられ、
前記酸化チタン膜の上に形成された白金またはイリジウムの金属膜を含み、
前記白金またはイリジウムの金属膜は、１５０ｎｍ以上で２５０ｎｍ以下の厚みを有し、かつ結晶の平均粒径が２５０ｎｍ以上であり、かつ空穴等のない緻密な膜で形成されていることを特徴とする圧電体薄膜素子。 - 前記白金またはイリジウムの金属膜の上に導電性酸化物を有し、前記導電性酸化物は、ルテニウム酸ストロンチウムＳＲＯ（ＳｒＲｕＯ3）であることを特徴とする請求項１に記載の圧電体薄膜素子。
- 前記圧電体膜は、ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3、ここでｘ＝０.５２近傍）のＭＰＢ（Morphotropic Phase Boundary）組成であることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電体薄膜素子。
- 請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧電体薄膜素子が設けられたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
- 請求項４に記載のインクジェット記録ヘッドを搭載したことを特徴とするインクジェット式画像形成装置。
- 基板上に振動板と、前記振動板上に設けられ少なくとも白金またはイリジウムの金属膜を含んで構成された下部電極と、前記下部電極上に設けられ多結晶体からなる圧電体膜と、前記圧電体膜上に設けられた上部電極とを有する圧電体薄膜素子であって、
前記下部電極は、前記振動板上に形成された酸化チタン膜の上部に形成され、
前記白金またはイリジウムの金属膜は、１５０ｎｍ以上の厚みを持ち、かつ平均粒径２５０ｎｍ以上であり、かつ空穴等のない緻密な膜であり、
前記下部電極上に形成された圧電体膜が（１００）優先配向であることを特徴とする圧電体薄膜素子。 - ＸＲＤで得られた(１１１)（１００）（１１０）各配向のピークの総和を１としたときのそれぞれの配向比率ρが、
ρ ＝ Ｉ （ｈ ｋ ｌ） ／ Σ Ｉ （ｈ ｋ ｌ）
ここで、分母：（１１１）（１００）（１１０）各ピーク強度の総和
分子：（１００）配向のピーク強度
で求められる場合、
前記圧電体膜の（１００）配向成分が、配向率９０％以上であることを特徴とする請求項６に記載の圧電体薄膜素子。 - 前記酸化チタン膜は、前記下部電極に近い側でＴｉ比率が高くなっていることを特徴とする請求項６又は７に記載の圧電体薄膜素子。
- 前記圧電体膜は、ＰＺＴ（Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3、ここでｘ＝０.５２近傍）のＭＰＢ（Morphotropic Phase Boundary）組成であることを特徴とする請求項６に記載の圧電体薄膜素子。
- 請求項６〜９のいずれか一項に記載の圧電体薄膜素子が設けられたことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
- 請求項１０に記載のインクジェット記録ヘッドを搭載したことを特徴とするインクジェット式画像形成装置。
- 基板上に振動板と、前記振動板上に設けられ少なくとも白金またはイリジウムの金属膜を含んで構成された下部電極と、前記下部電極上に設けられ多結晶体からなる圧電体膜と、前記圧電体膜上に設けられた上部電極とを有し、前記下部電極が前記振動板上に形成された酸化チタン膜の上部に形成された圧電体薄膜素子を製造する際に、
下部電極上に薄層の酸化チタンを形成後に前記圧電体膜を形成することで、前記白金またはイリジウムの金属膜として、１５０ｎｍ以上の厚みを持ち、かつ平均粒径２５０ｎｍ以上であり、かつ空穴等のない緻密な膜を形成することを特徴とする圧電体薄膜素子の製造方法。
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