JP6486094B2 - 積層構造体及びその製造方法 - Google Patents
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Claims (4)
- 基板上に下部電極層とPZT膜と上部電極層とが順次積層された積層体を形成する積層工程と、
前記積層体の前記上部電極層を所望形状にドライエッチングを行うドライエッチング工程と、
前記上部電極層を覆うレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンの開口部断面が、前記レジストパターンの上部側から下部側に向かって前記開口部側に湾曲するテーパ形状となるように、前記レジストパターンを加熱する加熱工程と、
前記加熱工程により加熱された積層体を回転させながら、前記積層体の回転中心を通る直線に沿ってエッチング水溶液を供給して、前記積層体に対するウェットエッチングを行うウェットエッチング工程と、を備え、
前記積層体における前記PZT膜のエッチング処理された面は、前記上部電極層が積層されたPZT膜側で90°を超える角度で傾斜するとともに、前記上部電極層側から前記下部電極層側に向かって前記PZT膜側に湾曲するテーパ形状を有している、前記積層体を含む、積層構造体の製造方法。 - 請求項1記載の積層構造体の製造方法であって、
前記レジストパターン形成工程は、前記上部電極層を覆うとともに、前記PZT膜上に形成したダミーパターンを含むレジストパターンを形成する、積層構造体の製造方法。 - 請求項1又は2記載の積層構造体の製造方法であって、
前記ウェットエッチングの後工程として、前記積層体の表面にSiO2からなる層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程をさらに備え、
前記下部電極層は、前記基板上に、Ti又はTiOxと、Ptと、SRO層とが順次積層されて構成され、
前記ウェットエッチング工程は、前記PZT膜を加工するとともに、前記下部電極層のうち前記SRO層の一部を露出させる、積層構造体の製造方法。 - ミラー部と、前記ミラー部を支持する一対のトーションバーと、前記ミラー部及び前記トーションバーを包囲する枠部と、前記ミラー部及び前記枠部との間に介在する圧電アクチュエータとを備える、光偏向器であって、
前記圧電アクチュエータは、Si基板上に第1の層間絶縁膜と下部電極層とPZT膜と上部電極層とが順次積層された積層体を含み、
前記積層体は、前記積層体の表面に第2の層間絶縁膜が形成され、
前記下部電極層は、SRO層を有し、前記基板上に形成され、
前記PZT膜の前記第2の層間絶縁膜に覆われる面は、前記上部電極層が積層されたPZT膜側で90°を超える角度で傾斜するとともに、前記上部電極層側から前記下部電極層側に向かって前記PZT膜側に湾曲するテーパ形状を有し、かつ、前記PZT膜が積層されずに周縁部が露出した前記下部電極層のうち前記SRO層の上に前記第2の層間絶縁膜が形成された、光偏向器。
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