JPH1082960A - 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 - Google Patents
薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法Info
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- JPH1082960A JPH1082960A JP9172240A JP17224097A JPH1082960A JP H1082960 A JPH1082960 A JP H1082960A JP 9172240 A JP9172240 A JP 9172240A JP 17224097 A JP17224097 A JP 17224097A JP H1082960 A JPH1082960 A JP H1082960A
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- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクチュエーテッドミラーを構成する薄膜
層間の接着性が高められ、改善されたミラー形態を有す
る薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 本発明の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレイは、基板２１２及びＭ×Ｎ個の接続端子２１４
を有する能動マトリックス２１０と、各々、第１薄膜電
極２９５、障壁部２８５、電気的に変形可能な薄膜部２
７５、第２薄膜電極２６５及び弾性部２５５を備えるＭ
×Ｎ個の駆動ミラー構造体３１１のアレイ３１０とを含
み、変形可能な薄膜部２７５は両電極２９５、２６５の
間に位置し、障壁部２８５は第１薄膜電極２９５と薄膜
部２７５との間に位置し、第２薄膜電極２６５はイオン
損傷上面を有し、各アクチュエーテッドミラー構造体１
１１の近位端における下部は能動マトリックス２１０の
上部に付けられて、駆動ミラー構造体３１１を片持ちす
る。
層間の接着性が高められ、改善されたミラー形態を有す
る薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 本発明の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレイは、基板２１２及びＭ×Ｎ個の接続端子２１４
を有する能動マトリックス２１０と、各々、第１薄膜電
極２９５、障壁部２８５、電気的に変形可能な薄膜部２
７５、第２薄膜電極２６５及び弾性部２５５を備えるＭ
×Ｎ個の駆動ミラー構造体３１１のアレイ３１０とを含
み、変形可能な薄膜部２７５は両電極２９５、２６５の
間に位置し、障壁部２８５は第１薄膜電極２９５と薄膜
部２７５との間に位置し、第２薄膜電極２６５はイオン
損傷上面を有し、各アクチュエーテッドミラー構造体１
１１の近位端における下部は能動マトリックス２１０の
上部に付けられて、駆動ミラー構造体３１１を片持ちす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光投射システムに
関し、特に、薄膜層間の接着性が向上しており、改善さ
れたミラー形態を有する、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエー
テッドミラーアレイ及びその製造方法に関する。
関し、特に、薄膜層間の接着性が向上しており、改善さ
れたミラー形態を有する、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエー
テッドミラーアレイ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多様なビデオディスプレーシステ
ムのうち、光投射システムは高画質の映像を大画面で提
供し得るものとして知られている。そのような光投射シ
ステムにおいて、光源から発せられた光線は、例えば、
Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーからなるアレイ上
に一様に入射される。ここで、各アクチュエーテッドミ
ラーは各アクチュエータ電気的に接続されている。これ
らのアクチュエータは、印加された電界信号に応じて変
形する圧電物質または電歪物質のような電気的に変形可
能な物質からなる。
ムのうち、光投射システムは高画質の映像を大画面で提
供し得るものとして知られている。そのような光投射シ
ステムにおいて、光源から発せられた光線は、例えば、
Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーからなるアレイ上
に一様に入射される。ここで、各アクチュエーテッドミ
ラーは各アクチュエータ電気的に接続されている。これ
らのアクチュエータは、印加された電界信号に応じて変
形する圧電物質または電歪物質のような電気的に変形可
能な物質からなる。
【０００３】各ミラーから反射された光線は、例えば、
光学バッフルの開口に入射される。各アクチュエータに
電気信号を印加することによって、各ミラーの入射光線
に対する相対的な位置が変更されて、各ミラーからの反
射光線の光路が偏向されることになる。各反射光線の光
路が変わる場合、開口を通じて各ミラーから反射された
光線の光量が変わることによって光の強さが調節され
る。開口を通過した調節された光線は、投射レンズのよ
うな適切な光学デバイスを介して投射スクリーン上に投
射され、その上に像を表す。
光学バッフルの開口に入射される。各アクチュエータに
電気信号を印加することによって、各ミラーの入射光線
に対する相対的な位置が変更されて、各ミラーからの反
射光線の光路が偏向されることになる。各反射光線の光
路が変わる場合、開口を通じて各ミラーから反射された
光線の光量が変わることによって光の強さが調節され
る。開口を通過した調節された光線は、投射レンズのよ
うな適切な光学デバイスを介して投射スクリーン上に投
射され、その上に像を表す。
【０００４】図１〜図７には、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュ
エーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法を説
明するための概略的な断面図が各々示されている。この
アレイ１００は本願出願と出願人を同じくする平成７年
特許願第１３１１２７号明細書に、「薄膜アクチュエー
テッドミラーアレイ」との名称で開示されている。ここ
で、Ｍ及びＮは各々正の整数である。
エーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法を説
明するための概略的な断面図が各々示されている。この
アレイ１００は本願出願と出願人を同じくする平成７年
特許願第１３１１２７号明細書に、「薄膜アクチュエー
テッドミラーアレイ」との名称で開示されている。ここ
で、Ｍ及びＮは各々正の整数である。
【０００５】アレイ１００の製造工程は、基板１１２
と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）と、
Ｍ×Ｎ個の接続端子１１４のアレイとを備える能動マト
リックス１１０を準備することから始まる。
と、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せず）と、
Ｍ×Ｎ個の接続端子１１４のアレイとを備える能動マト
リックス１１０を準備することから始まる。
【０００６】その後、能動マトリックス１０の上面に薄
膜犠牲層２４が形成される。この薄膜犠牲層２４の形成
は、薄膜犠牲層２４が金属からなる場合はスパッタリン
グ法または蒸着法を用いて、ＰＳＧからなる場合は化学
気相成長法（ＣＶＤ）またはスピンコーティング法を用
いて、ポリシリコンからなる場合にはＣＶＤ法を用いて
行われる。
膜犠牲層２４が形成される。この薄膜犠牲層２４の形成
は、薄膜犠牲層２４が金属からなる場合はスパッタリン
グ法または蒸着法を用いて、ＰＳＧからなる場合は化学
気相成長法（ＣＶＤ）またはスピンコーティング法を用
いて、ポリシリコンからなる場合にはＣＶＤ法を用いて
行われる。
【０００７】その後、図１に示すように、薄膜犠牲層２
４により取り囲まれたＭ×Ｎ個の支持部材２２のアレイ
を有する支持層２０が形成される。詳述すると、支持層
２０は、各々が各接続端子１４の周囲に位置するＭ×Ｎ
個の空スロットのアレイ（図示せず）をフォトリソグラ
フィー法を用いて、薄膜犠牲層２４の上に形成し、各接
続端子１４の周囲に位置した各空スロットに支持部材２
２がスパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて形成され
るプロセスによって形成される。支持部材２２は絶縁性
物質から作られる。
４により取り囲まれたＭ×Ｎ個の支持部材２２のアレイ
を有する支持層２０が形成される。詳述すると、支持層
２０は、各々が各接続端子１４の周囲に位置するＭ×Ｎ
個の空スロットのアレイ（図示せず）をフォトリソグラ
フィー法を用いて、薄膜犠牲層２４の上に形成し、各接
続端子１４の周囲に位置した各空スロットに支持部材２
２がスパッタリング法またはＣＶＤ法を用いて形成され
るプロセスによって形成される。支持部材２２は絶縁性
物質から作られる。
【０００８】続いて、支持部材２２のように絶縁性物質
からなる弾性層３０が、支持層２０の上にゾルーゲル
（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法、スパッタリングまたはＣＶＤ法
を用いて形成される。
からなる弾性層３０が、支持層２０の上にゾルーゲル
（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法、スパッタリングまたはＣＶＤ法
を用いて形成される。
【０００９】しかる後、図２に示すように、金属からな
るコンジット２６が各支持部材２２に形成される。この
コンジット２６は最初、エッチング法を用いて、各々が
弾性層３０の上部から各接続端子１４の上部まで延在す
るＭ×Ｎ個の孔のアレイ（図示せず）を生成し、各孔内
に金属を埋め込んで形成される。
るコンジット２６が各支持部材２２に形成される。この
コンジット２６は最初、エッチング法を用いて、各々が
弾性層３０の上部から各接続端子１４の上部まで延在す
るＭ×Ｎ個の孔のアレイ（図示せず）を生成し、各孔内
に金属を埋め込んで形成される。
【００１０】次に、導電性の物質からなる第２薄膜層４
０が、スパッタリング法を用いて、コンジット２６を含
む弾性層３０の上に形成される。この第２薄膜層４０は
支持部材２２に形成されたコンジット２６を通じて各ト
ランジスタに電気的に接続されている。
０が、スパッタリング法を用いて、コンジット２６を含
む弾性層３０の上に形成される。この第２薄膜層４０は
支持部材２２に形成されたコンジット２６を通じて各ト
ランジスタに電気的に接続されている。
【００１１】その後、図３に示したように、例えば、Ｐ
ＺＴのような圧電物質からなる電気的に変形可能な薄膜
層５０が、スパッタリング法、ＣＶＤ法またはゾル−ゲ
ル法を用いて第２薄膜層４０の上に形成される。
ＺＴのような圧電物質からなる電気的に変形可能な薄膜
層５０が、スパッタリング法、ＣＶＤ法またはゾル−ゲ
ル法を用いて第２薄膜層４０の上に形成される。
【００１２】続いて、図４に示したように、変形可能な
薄膜層５０、第２薄膜層４０及び弾性層３０が、フォト
リソグラフィー法またはレーザトリミング法を用いて支
持層２０の薄膜犠牲層２４が露出されるまで、各々Ｍ×
Ｎ個の電気的に変形可能な薄膜部５５のアレイ、Ｍ×Ｎ
個の第２薄膜電極４５のアレイ、及びＭ×Ｎ個の弾性部
３５のアレイにパターニングされる。第２薄膜電極４５
の各々は各支持部材２２に形成された各コンジット２６
を通じて該当トランジスタに電気的に接続されており、
各薄膜アクチュエーテッドミラー１０１において信号電
極としての役割を果たす。
薄膜層５０、第２薄膜層４０及び弾性層３０が、フォト
リソグラフィー法またはレーザトリミング法を用いて支
持層２０の薄膜犠牲層２４が露出されるまで、各々Ｍ×
Ｎ個の電気的に変形可能な薄膜部５５のアレイ、Ｍ×Ｎ
個の第２薄膜電極４５のアレイ、及びＭ×Ｎ個の弾性部
３５のアレイにパターニングされる。第２薄膜電極４５
の各々は各支持部材２２に形成された各コンジット２６
を通じて該当トランジスタに電気的に接続されており、
各薄膜アクチュエーテッドミラー１０１において信号電
極としての役割を果たす。
【００１３】次に、各変形可能な薄膜部５５は、例えば
ＰＺＴからなる場合、６５０℃位の高温にて熱処理され
て、相転移を引き起こされて、Ｍ×Ｎ個の熱処理構造体
のレイ（図示せず）が形成される。この場合、各変形可
能な薄膜部５５が十分に薄くなっているため、薄膜部５
５が圧電物質で作られる場合は別に分極する必要はな
い。これは、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１の駆
動の際に印加された電気信号によって分極できるからで
ある。
ＰＺＴからなる場合、６５０℃位の高温にて熱処理され
て、相転移を引き起こされて、Ｍ×Ｎ個の熱処理構造体
のレイ（図示せず）が形成される。この場合、各変形可
能な薄膜部５５が十分に薄くなっているため、薄膜部５
５が圧電物質で作られる場合は別に分極する必要はな
い。これは、薄膜アクチュエーテッドミラー１０１の駆
動の際に印加された電気信号によって分極できるからで
ある。
【００１４】次に、図５に示すように、導電性及び光反
射性の物質からなるＭ×Ｎ個の第１薄膜電極６５のアレ
イが、Ｍ×Ｎ個の熱処理構造体のアレイにおける変形可
能な薄膜部５５の上に形成される。この第１薄膜電極６
５の形成は最初スパッタリング法を用いて層６０を形成
する。この層６０は、導電性及び光反射性の物質からな
り、Ｍ×Ｎ個の熱処理構造体の上部を完全に覆い、また
露出された支持層２０を有する。その後、エッチング法
を用いて層６０を選択的に取り除く。かくして、Ｍ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラー構造体１１１のアレ
イ１１０が形成される。図６に示すように、各アクチュ
エーテッドミラー構造体１１１は１つの上面及び四つの
側面を有する。各第１薄膜電極６５は各薄膜アクチュエ
ーテッドミラー１０１においてバイアス電極だけではな
く、ミラーとしても作用する。
射性の物質からなるＭ×Ｎ個の第１薄膜電極６５のアレ
イが、Ｍ×Ｎ個の熱処理構造体のアレイにおける変形可
能な薄膜部５５の上に形成される。この第１薄膜電極６
５の形成は最初スパッタリング法を用いて層６０を形成
する。この層６０は、導電性及び光反射性の物質からな
り、Ｍ×Ｎ個の熱処理構造体の上部を完全に覆い、また
露出された支持層２０を有する。その後、エッチング法
を用いて層６０を選択的に取り除く。かくして、Ｍ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラー構造体１１１のアレ
イ１１０が形成される。図６に示すように、各アクチュ
エーテッドミラー構造体１１１は１つの上面及び四つの
側面を有する。各第１薄膜電極６５は各薄膜アクチュエ
ーテッドミラー１０１においてバイアス電極だけではな
く、ミラーとしても作用する。
【００１５】その後、各アクチュエーテッドミラー構造
体１１１における１つの上面及び４つの側面を完全に覆
う薄膜保護層（図示せず）が形成される。
体１１１における１つの上面及び４つの側面を完全に覆
う薄膜保護層（図示せず）が形成される。
【００１６】その後、支持層２０における薄膜犠牲層２
４がエッチング法によって取り除かれる。最後に、図７
に示すように、薄膜保護層が取り除かれることによっ
て、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー１０１のアレ
イ１００が形成される。
４がエッチング法によって取り除かれる。最後に、図７
に示すように、薄膜保護層が取り除かれることによっ
て、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー１０１のアレ
イ１００が形成される。
【００１７】しかしながら、前述したＭ×Ｎ個のアクチ
ュエーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法に
は多くの欠点がある。その中の１つは、各アクチュエー
テッドミラー１０１を構成する薄膜層間の接着性であ
る。各薄膜アクチュエーテッドミラー１０１が変形可能
な薄膜部５５に印加された電気信号によって変形される
場合、組み込まれた第１電極６５及び第２電極４５も変
形されることになる。このような薄膜アクチュエーテッ
ドミラー１０１において、金属で作られる第１薄膜電極
６５及び第２薄膜電極４５と、通常、電気セラミック
（例えば、ＰＺＴ）で作られる変形可能な薄膜部５５を
構成する材料の特性上に類似点のないため、長時間使っ
た後には、第１薄膜電極６５、第２薄膜電極４５及び変
形可能な薄膜部５５が互いに離れてしまう可能性があ
る。
ュエーテッドミラー１０１のアレイ１００の製造方法に
は多くの欠点がある。その中の１つは、各アクチュエー
テッドミラー１０１を構成する薄膜層間の接着性であ
る。各薄膜アクチュエーテッドミラー１０１が変形可能
な薄膜部５５に印加された電気信号によって変形される
場合、組み込まれた第１電極６５及び第２電極４５も変
形されることになる。このような薄膜アクチュエーテッ
ドミラー１０１において、金属で作られる第１薄膜電極
６５及び第２薄膜電極４５と、通常、電気セラミック
（例えば、ＰＺＴ）で作られる変形可能な薄膜部５５を
構成する材料の特性上に類似点のないため、長時間使っ
た後には、第１薄膜電極６５、第２薄膜電極４５及び変
形可能な薄膜部５５が互いに離れてしまう可能性があ
る。
【００１８】更に、第１薄膜電極６５と接触する変形可
能な薄膜部５５の上面は熱力学的に不安定で、この上面
に高温処理が施される場合、変形可能な薄膜部５５の上
面に突起が形成される。ミラーとしても作用する第１薄
膜電極６５がそのような表面に形成される場合、ミラー
の表面が凸凹状になり、薄膜アクチュエーテッドミラー
１０１の光効率に好ましくない影響を及ぼすという不都
合かある。
能な薄膜部５５の上面は熱力学的に不安定で、この上面
に高温処理が施される場合、変形可能な薄膜部５５の上
面に突起が形成される。ミラーとしても作用する第１薄
膜電極６５がそのような表面に形成される場合、ミラー
の表面が凸凹状になり、薄膜アクチュエーテッドミラー
１０１の光効率に好ましくない影響を及ぼすという不都
合かある。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、光投射システムに用いられ、アクチュエーテッドミ
ラーを構成する薄膜層間の接着性が向上しており、改善
されたミラー形態を有する、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイを提供することにある。
は、光投射システムに用いられ、アクチュエーテッドミ
ラーを構成する薄膜層間の接着性が向上しており、改善
されたミラー形態を有する、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイを提供することにある。
【００２０】本発明の他の目的は、光投射システムに用
いられる、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイの製造方法を提供することにある。
いられる、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイの製造方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の一実施例によれば、光投射システムに用
いられる、Ｍ×Ｎ個（Ｍ、Ｎは正の整数）の薄膜アクチ
ュエーテッドミラーアレイであって、基板及びＭ×Ｎ個
の接続端子を有する能動マトリックスと、各々、近位端
及び遠位端を有し、第１薄膜電極、障壁部、電気的に変
形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を備えるＭ×
Ｎ個の駆動ミラー構造体のアレイとを含むことを特徴と
し、前記変形可能な薄膜部は前記両電極の間に位置し、
前記障壁部は前記第１薄膜電極と前記変形可能な薄膜部
との間に位置し、前記第２薄膜電極はイオン損傷上面を
有し、前記各アクチュエーテッドミラー構造体の近位端
の下部は前記能動マトリックスの上部に付けられて、前
記駆動ミラー構造体を片持ちすることを特徴とするＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが提供され
る。
めに、本発明の一実施例によれば、光投射システムに用
いられる、Ｍ×Ｎ個（Ｍ、Ｎは正の整数）の薄膜アクチ
ュエーテッドミラーアレイであって、基板及びＭ×Ｎ個
の接続端子を有する能動マトリックスと、各々、近位端
及び遠位端を有し、第１薄膜電極、障壁部、電気的に変
形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性部を備えるＭ×
Ｎ個の駆動ミラー構造体のアレイとを含むことを特徴と
し、前記変形可能な薄膜部は前記両電極の間に位置し、
前記障壁部は前記第１薄膜電極と前記変形可能な薄膜部
との間に位置し、前記第２薄膜電極はイオン損傷上面を
有し、前記各アクチュエーテッドミラー構造体の近位端
の下部は前記能動マトリックスの上部に付けられて、前
記駆動ミラー構造体を片持ちすることを特徴とするＭ×
Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイが提供され
る。
【００２２】本発明の他の実施例によれば、光投射シス
テムに用いられる、Ｍ×Ｎ個（Ｍ、Ｎは正の整数）の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であっ
て、基板及びＭ×Ｎ個の接続端子のアレイを有する能動
マトリックスを準備する第１工程と、前記能動マトリッ
クスの上部に薄膜犠牲層を蒸着する第２工程と、前記薄
膜犠牲層に、各々が前記接続端子のうちの何れか１つを
取り囲むＭ×Ｎ個の空スロットのアレイを形成する第３
工程と、前記空スロットを有する前記薄膜犠牲層の上部
に弾性層を形成する第４工程と、Ｍ×Ｎ対のコンジット
のアレイを形成する第５工程と、前記コンジットを有す
る前記弾性層の上部に第２薄膜層を形成する第６工程
と、前記第２薄膜層の上面をイオンビームで損傷させる
第７工程と、電気的に変形可能な薄膜層を形成する第８
工程と、前記変形可能な薄膜層の上部に障壁層を形成す
る第９工程と、第１薄膜層を蒸着して、多層構造体を形
成する第１０工程と、前記多層構造体をパターニングし
て、Ｍ×Ｎ個の駆動ミラー構造体のアレイを形成する第
１１工程と、前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記Ｍ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイを形成する
第１２工程と含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーアレイの製造方法が提供される。
テムに用いられる、Ｍ×Ｎ個（Ｍ、Ｎは正の整数）の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法であっ
て、基板及びＭ×Ｎ個の接続端子のアレイを有する能動
マトリックスを準備する第１工程と、前記能動マトリッ
クスの上部に薄膜犠牲層を蒸着する第２工程と、前記薄
膜犠牲層に、各々が前記接続端子のうちの何れか１つを
取り囲むＭ×Ｎ個の空スロットのアレイを形成する第３
工程と、前記空スロットを有する前記薄膜犠牲層の上部
に弾性層を形成する第４工程と、Ｍ×Ｎ対のコンジット
のアレイを形成する第５工程と、前記コンジットを有す
る前記弾性層の上部に第２薄膜層を形成する第６工程
と、前記第２薄膜層の上面をイオンビームで損傷させる
第７工程と、電気的に変形可能な薄膜層を形成する第８
工程と、前記変形可能な薄膜層の上部に障壁層を形成す
る第９工程と、第１薄膜層を蒸着して、多層構造体を形
成する第１０工程と、前記多層構造体をパターニングし
て、Ｍ×Ｎ個の駆動ミラー構造体のアレイを形成する第
１１工程と、前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記Ｍ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーのアレイを形成する
第１２工程と含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーアレイの製造方法が提供される。
【００２３】
【発明の実施の形態】図８及び図９〜図１８は、光投射
システムに用いられる、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００及びその
製造方法を説明するための断面図が各々示されている。
ここで、Ｍ及びＮは正の整数であり、各図中、同一部分
には同一符号を付して説明していることに注目された
い。
システムに用いられる、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラー３０１のアレイ３００及びその
製造方法を説明するための断面図が各々示されている。
ここで、Ｍ及びＮは正の整数であり、各図中、同一部分
には同一符号を付して説明していることに注目された
い。
【００２４】図８は、本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラー３０１のアレイ３００の断面図で
あり、アレイ３００は能動マトリックス２１０、パッシ
ベーション層２２０、食刻液流入防止層２３０及びＭ×
Ｎ個の駆動ミラー構造体３１１のアレイ３１０から構成
されている。
チュエーテッドミラー３０１のアレイ３００の断面図で
あり、アレイ３００は能動マトリックス２１０、パッシ
ベーション層２２０、食刻液流入防止層２３０及びＭ×
Ｎ個の駆動ミラー構造体３１１のアレイ３１０から構成
されている。
【００２５】能動マトリックス２１０はＭ×Ｎ個のトラ
ンジスタ（図示せず）のアレイを有する基板２１２及び
Ｍ×Ｎ個の接続端子２１４を有し、各接続端子２１４は
Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイにおける該当トランジ
スタに電気的に接続されている。
ンジスタ（図示せず）のアレイを有する基板２１２及び
Ｍ×Ｎ個の接続端子２１４を有し、各接続端子２１４は
Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイにおける該当トランジ
スタに電気的に接続されている。
【００２６】パッシベーション層２２０はリン珪酸塩ガ
ラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素から作られ、０．１−
２μｍの厚さを有し、能動マトリックス２１０の上に配
置される。
ラス（ＰＳＧ）または窒化ケイ素から作られ、０．１−
２μｍの厚さを有し、能動マトリックス２１０の上に配
置される。
【００２７】食刻液流入防止層２３０はケイ素から作ら
れ、０．１−２μｍの厚さを有し、パッシベーション層
２２０の上に形成される。
れ、０．１−２μｍの厚さを有し、パッシベーション層
２２０の上に形成される。
【００２８】各駆動ミラー構造体３１１は近位端及び遠
位端を有し、第１薄膜電極２９５、微粒子酸化物（例え
ば、二酸化ケイ素（Ｓｉｏ２））からなる障壁層２８
５、圧電物質または電歪物質からなる変形可能な薄膜部
２７５、第２薄膜電極２６５及び弾性部２５５から構成
されている。変形可能な薄膜部２７５は両電極２６５、
２９５間に位置し、第１薄膜電極２９５は接地されて、
薄膜アクチュエーテッドミラー３０１においてミラーだ
けではなく共通バイアス電極としても機能し、第２薄膜
電極２６５は各該当接続端子２１４に電気的に接続され
ることによって、各薄膜アクチュエーテッドミラー３０
１において信号電極として機能し、障壁部２８５は第１
薄膜電極２９５と変形可能な薄膜部２７５との間に位置
し、各アクチュエーテッドミラー構造体３０１の近位端
における下部は能動マトリックス２１０の上部に付けら
れて、駆動ミラー構造体３１１を片持ちする。
位端を有し、第１薄膜電極２９５、微粒子酸化物（例え
ば、二酸化ケイ素（Ｓｉｏ２））からなる障壁層２８
５、圧電物質または電歪物質からなる変形可能な薄膜部
２７５、第２薄膜電極２６５及び弾性部２５５から構成
されている。変形可能な薄膜部２７５は両電極２６５、
２９５間に位置し、第１薄膜電極２９５は接地されて、
薄膜アクチュエーテッドミラー３０１においてミラーだ
けではなく共通バイアス電極としても機能し、第２薄膜
電極２６５は各該当接続端子２１４に電気的に接続され
ることによって、各薄膜アクチュエーテッドミラー３０
１において信号電極として機能し、障壁部２８５は第１
薄膜電極２９５と変形可能な薄膜部２７５との間に位置
し、各アクチュエーテッドミラー構造体３０１の近位端
における下部は能動マトリックス２１０の上部に付けら
れて、駆動ミラー構造体３１１を片持ちする。
【００２９】図９〜図１８は、本発明の好適実施例によ
るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のア
レイ３００の製造方法を説明するための概略的な断面図
を各々示されている。 アレイ３００の製造工程は、基
板２１２、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せ
ず）及びＭ×Ｎ個の接続端子２１４のアレイを有する能
動マトリックス２１０を準備することから始まる。
るＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー３０１のア
レイ３００の製造方法を説明するための概略的な断面図
を各々示されている。 アレイ３００の製造工程は、基
板２１２、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ（図示せ
ず）及びＭ×Ｎ個の接続端子２１４のアレイを有する能
動マトリックス２１０を準備することから始まる。
【００３０】次に、ＰＳＧまたは窒化ケイ素から作ら
れ、０．１−２μｍの厚さを有するパッシベーション層
２２０が、ＣＶＤまたはスピンコーティング法を用いて
能動マトリックス２１０の上に形成される。
れ、０．１−２μｍの厚さを有するパッシベーション層
２２０が、ＣＶＤまたはスピンコーティング法を用いて
能動マトリックス２１０の上に形成される。
【００３１】その後、図９に示すように、窒化物から作
られ、０．１−２μｍの厚さを有する食刻液流入防止層
２３０が、スパッタリング法またはＣＶＤ法を用いてパ
ッシベーション層２３０の上部に形成される。
られ、０．１−２μｍの厚さを有する食刻液流入防止層
２３０が、スパッタリング法またはＣＶＤ法を用いてパ
ッシベーション層２３０の上部に形成される。
【００３２】続いて、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎ
ｉ）のような金属、ＰＳＧまたはポリシリコン物質で作
られ、０．１−２μｍの厚さを有する薄膜犠牲層２４０
が食刻液流入防止層２３０の上部に形成される。この薄
膜犠牲層２４０は、薄膜犠牲層２４０が金属で作られる
場合はスパッタリング法または蒸着法を用いて、ポリシ
リコンで作られる場合はＣＶＤ法を用いて、ＰＳＧで作
られる場合にはＣＶＤ法またはスピンコーティング法を
用いて形成される。
ｉ）のような金属、ＰＳＧまたはポリシリコン物質で作
られ、０．１−２μｍの厚さを有する薄膜犠牲層２４０
が食刻液流入防止層２３０の上部に形成される。この薄
膜犠牲層２４０は、薄膜犠牲層２４０が金属で作られる
場合はスパッタリング法または蒸着法を用いて、ポリシ
リコンで作られる場合はＣＶＤ法を用いて、ＰＳＧで作
られる場合にはＣＶＤ法またはスピンコーティング法を
用いて形成される。
【００３３】しかる後、薄膜犠牲層２４０におけるＭ×
Ｎ個の空スロット２４５が、エッチング法を用いて形成
される。図９に示すように、各空スロット２４５は接続
端子２１４のうちの何れか１つを取り囲む。
Ｎ個の空スロット２４５が、エッチング法を用いて形成
される。図９に示すように、各空スロット２４５は接続
端子２１４のうちの何れか１つを取り囲む。
【００３４】続いて、絶縁性物質で作られ、０．１−２
μｍの厚さを有する弾性層２５０がＣＶＤ法によって、
空スロット２４５を有する薄膜犠牲層２４０の上部に蒸
着される。
μｍの厚さを有する弾性層２５０がＣＶＤ法によって、
空スロット２４５を有する薄膜犠牲層２４０の上部に蒸
着される。
【００３５】次に、図１１に示すように、弾性層２５０
に於ける、金属からなるＭ×Ｎ個のコンジット２１６の
アレイが形成される。このコンジット２１６は最初、エ
ッチング法を用いて、各々弾性層２５０の上部から接続
端子２１４の上部まで延在するＭ×Ｎ個の孔のアレイ
（図示せず）を形成し、各孔内に金属を埋め込んで形成
される。
に於ける、金属からなるＭ×Ｎ個のコンジット２１６の
アレイが形成される。このコンジット２１６は最初、エ
ッチング法を用いて、各々弾性層２５０の上部から接続
端子２１４の上部まで延在するＭ×Ｎ個の孔のアレイ
（図示せず）を形成し、各孔内に金属を埋め込んで形成
される。
【００３６】続いて、図１２に示すように、導電性物質
（例えば、白金（Ｐｔ））で作られ、０．１−２μｍの
厚さを有する第２薄膜層２６０が、スパッタリング法ま
たは真空蒸着法を用いて弾性層２５０の上部に蒸着され
る。第２薄膜層は上面２６６を有する。
（例えば、白金（Ｐｔ））で作られ、０．１−２μｍの
厚さを有する第２薄膜層２６０が、スパッタリング法ま
たは真空蒸着法を用いて弾性層２５０の上部に蒸着され
る。第２薄膜層は上面２６６を有する。
【００３７】その後、図１３に示すように、第２薄膜層
２６０の上面２６６は、高いエネルギー（例えば、Ｋｅ
Ｖのレベル）を有する不活性イオンビーム（例えば、ア
ルゴン）によって損傷を与えられて、イオン損傷表面２
６８を形成する。
２６０の上面２６６は、高いエネルギー（例えば、Ｋｅ
Ｖのレベル）を有する不活性イオンビーム（例えば、ア
ルゴン）によって損傷を与えられて、イオン損傷表面２
６８を形成する。
【００３８】続いて、図１４に示すように、変形可能な
薄膜層２７０は圧電物質または電歪物質から作られ、
０．１−２μｍの厚さを有し、ＣＶＤ法、蒸着法、ゾル
−ゲル法またはスパッタリング法を用いて第２薄膜層２
６０のイオン損傷表面２６８の上部に形成される。第２
薄膜層２６０のイオン損傷表面２６８は高い表面エネル
ギーを有することによって、変形可能な薄膜層２７０が
イオン損傷表面２６８の上部に容易に形成されるように
する。その後、相転移のために、変形可能な薄膜層２７
０は熱処理される。
薄膜層２７０は圧電物質または電歪物質から作られ、
０．１−２μｍの厚さを有し、ＣＶＤ法、蒸着法、ゾル
−ゲル法またはスパッタリング法を用いて第２薄膜層２
６０のイオン損傷表面２６８の上部に形成される。第２
薄膜層２６０のイオン損傷表面２６８は高い表面エネル
ギーを有することによって、変形可能な薄膜層２７０が
イオン損傷表面２６８の上部に容易に形成されるように
する。その後、相転移のために、変形可能な薄膜層２７
０は熱処理される。
【００３９】続いて、図１５に示すように、障壁相２８
０は微粒子酸化物(例えば、二酸化ケイ素)で作られ、１
００オングストローム未満の厚さを有し、スパッタリン
グ法、真空蒸着法またはＰＥＣＶＤ法のうちの何れか１
つを用いて変形可能な薄膜層２７０の上部に形成され
る。この障壁層２８０は平坦な上面２８６を有する。
０は微粒子酸化物(例えば、二酸化ケイ素)で作られ、１
００オングストローム未満の厚さを有し、スパッタリン
グ法、真空蒸着法またはＰＥＣＶＤ法のうちの何れか１
つを用いて変形可能な薄膜層２７０の上部に形成され
る。この障壁層２８０は平坦な上面２８６を有する。
【００４０】続いて、図１６に示すように、第１薄膜層
２９０は導電性及び光反射性物質で作られ、０．１−２
μｍの厚さを有し、スパッタリング法または真空蒸着法
を用いて障壁層２８０の上部に蒸着されて、多層構造体
２００が形成される。
２９０は導電性及び光反射性物質で作られ、０．１−２
μｍの厚さを有し、スパッタリング法または真空蒸着法
を用いて障壁層２８０の上部に蒸着されて、多層構造体
２００が形成される。
【００４１】次に、図１７に示すように、薄膜犠牲層２
４０が露出されるまで、多層構造体２００はフォトリソ
グラフィー法またはレーザ切断法を用いてパターニング
されることによって、各々が第１薄膜電極２９５、障壁
部２８５、変形可能な薄膜部２７５、第２薄膜電極２６
５、弾性部２５５及びコンジット２１６からなるＭ×Ｎ
個の駆動ミラー構造体３１１のアレイが形成される。第
２薄膜電極２６５はコンジット２１６を通じて接続端子
２１４に電気的に接続されて、各駆動ミラー構造体３１
１において信号電極として機能する。第１薄膜電極２８
５は各駆動構造体３１１において共通バイアス電極だけ
ではなくミラーとしても機能する。
４０が露出されるまで、多層構造体２００はフォトリソ
グラフィー法またはレーザ切断法を用いてパターニング
されることによって、各々が第１薄膜電極２９５、障壁
部２８５、変形可能な薄膜部２７５、第２薄膜電極２６
５、弾性部２５５及びコンジット２１６からなるＭ×Ｎ
個の駆動ミラー構造体３１１のアレイが形成される。第
２薄膜電極２６５はコンジット２１６を通じて接続端子
２１４に電気的に接続されて、各駆動ミラー構造体３１
１において信号電極として機能する。第１薄膜電極２８
５は各駆動構造体３１１において共通バイアス電極だけ
ではなくミラーとしても機能する。
【００４２】続いて、薄膜防護層（図示せず）は各駆動
構造体３１１を完全に覆う。
構造体３１１を完全に覆う。
【００４３】その後、薄膜犠牲層２４０は食刻液（例え
ば、ブッ化水素（ＨＦ））を用いて取り除かれる。
ば、ブッ化水素（ＨＦ））を用いて取り除かれる。
【００４４】最後に、図１８に示すように、薄膜防護層
がドライエッチング法（例えば、プラズマエッチング
法）によって取り除かれて、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイが形成される。
がドライエッチング法（例えば、プラズマエッチング
法）によって取り除かれて、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイが形成される。
【００４５】上記において、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラー３０１のアレイ３００及びその製造方法
に対して述べたが、各薄膜アクチュエーテッドミラー３
０１を構成する薄膜層間の接着性を向上させるため、障
壁層２８０が変形可能な薄膜層２７０の上部に位置し、
第２薄膜層２６０の上面２６６がイオンビームによって
イオン損傷されることに注目されたい。
ーテッドミラー３０１のアレイ３００及びその製造方法
に対して述べたが、各薄膜アクチュエーテッドミラー３
０１を構成する薄膜層間の接着性を向上させるため、障
壁層２８０が変形可能な薄膜層２７０の上部に位置し、
第２薄膜層２６０の上面２６６がイオンビームによって
イオン損傷されることに注目されたい。
【００４６】更に、改善されたミラー形態を通じて光効
率を増加させるため、ミラーとして機能する第１薄膜層
２９０が障壁層２８０の上部に形成される。
率を増加させるため、ミラーとして機能する第１薄膜層
２９０が障壁層２８０の上部に形成される。
【００４７】上記において、本発明の好適な実施の形態
について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱すること
なく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱すること
なく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００４８】
【発明の効果】従って、本発明によれば、障壁層を変形
可能な薄膜層の上部に設け、第２薄膜層の上面をイオン
ビームを用いてイオン損傷させることによって、薄膜層
間の接着性を向上させ、且つ改善されたミラー形態を通
して光効率を増加させることができる。
可能な薄膜層の上部に設け、第２薄膜層の上面をイオン
ビームを用いてイオン損傷させることによって、薄膜層
間の接着性を向上させ、且つ改善されたミラー形態を通
して光効率を増加させることができる。
【図１】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
【図２】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
【図３】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
【図４】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
【図５】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
【図６】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
【図７】従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
ーのアレイの製造方法を説明するための概略的な断面図
である。
【図８】本発明によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーのアレイの断面図である。
ドミラーのアレイの断面図である。
【図９】本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明するた
めの概略的な断面図である。
チュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明するた
めの概略的な断面図である。
【図１０】本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
【図１１】本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
【図１２】本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
【図１３】本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
【図１４】本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
【図１５】本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
【図１６】本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
【図１７】本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
【図１８】本発明の好適実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜ア
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
クチュエーテッドミラーのアレイの製造方法を説明する
ための概略的な断面図である。
１０、２１０ 能動マトリックス １２、２１２ 基板 １４、２１４ 接続端子 ２０ 支持層 ２２ 支持部材 ２４、２４０ 薄膜犠牲層 ２６、２１６ コンジット ３０、２５０ 弾性層 ３５、６５、２５５ 弾性部 ４０、２６０ 第２薄膜層 ４５、２６５ 第２薄膜電極 ５０、２７０ 変形可能な薄膜層 ５５、２７５ 変形可能な薄膜部 ６０ 層 ７５ 薄膜部 １００、１１０、３００、３１０ アレイ １０１ アクチュエーテットミラー １１１ アクチュエーテットミラー構造体 ２００ 多層構造体 ２２０ パッシベーション層 ２３０ 食彫液流入防止層 ２４５ 空スロット ２６６、２８６ 上部表面 ２６８ イオン損傷表面 ２８０ 障壁層 ２８５ 障壁部 ２９０ 第１薄膜層 ２９５ 第１薄膜電極 ３０１ 薄膜アクチュエーテットミラー ３１１ 駆動ミラー構造体
Claims (9)
- 【請求項１】 光投射システムに用いられる、Ｍ×Ｎ
個（Ｍ、Ｎは正の整数）の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレイであって、 基板及びＭ×Ｎ個の接続端子を有する能動マトリックス
と、 各々、近位端及び遠位端を有し、第１薄膜電極、障壁
部、電気的に変形可能な薄膜部、第２薄膜電極及び弾性
部を備えるＭ×Ｎ個の駆動ミラー構造体のアレイとを含
むことを特徴とし、 前記変形可能な薄膜部は前記両電極の間に位置し、前記
障壁部は前記第１薄膜電極と前記変形可能な薄膜部との
間に位置し、前記第２薄膜電極はイオン損傷上面を有
し、前記各アクチュエーテッドミラー構造体の近位端の
下部は前記能動マトリックスの上部に付けられて、前記
駆動ミラー構造体を片持ちすることを特徴とするＭ×Ｎ
個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 - 【請求項２】 前記能動マトリックスが、パッシベー
ション層及び食刻液流入防止層を有することを特徴とす
る請求項１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレイ。 - 【請求項３】 前記障壁部が、二酸化ケイ素（ＳｉＯ
２）のような酸化物で作られることを特徴とする請求項
１に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア
レイ。 - 【請求項４】 光投射システムに用いられる、Ｍ×Ｎ
個（Ｍ、Ｎは正の整数）の薄膜アクチュエーテッドミラ
ーアレイの製造方法であって、 基板及びＭ×Ｎ個の接続端子のアレイを有する能動マト
リックスを準備する第１工程と、 前記能動マトリックスの上部に薄膜犠牲層を蒸着する第
２工程と、 前記薄膜犠牲層に、各々が前記接続端子のうちの何れか
１つを取り囲むＭ×Ｎ個の空スロットのアレイを形成す
る第３工程と、 前記空スロットを有する前記薄膜犠牲層の上部に弾性層
を形成する第４工程と、 Ｍ×Ｎ対のコンジットのアレイを形成する第５工程と、 前記コンジットを有する前記弾性層の上部に第２薄膜層
を形成する第６工程と、 前記第２薄膜層の上面をイオンビームで損傷させる第７
工程と、 電気的に変形可能な薄膜層を形成する第８工程と、 前記変形可能な薄膜層の上部に障壁層を形成する第９工
程と、 第１薄膜層を蒸着して、多層構造体を形成する第１０工
程と、 前記多層構造体をパターニングして、Ｍ×Ｎ個の駆動ミ
ラー構造体のアレイを形成する第１１工程と、 前記薄膜犠牲層を取り除いて、前記Ｍ×Ｎ個の薄膜アク
チュエーテッドミラーのアレイを形成する第１２工程と
含むことを特徴とするＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ
ドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項５】 前記能動マトリックスの上部にパッシ
ベーション層を蒸着する工程を更に含むことを特徴とす
る請求項４に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレイの製造方法。 - 【請求項６】 前記パッシベーション層の上部に食刻
液流入防止層を蒸着する工程を更に含むことを特徴とす
る請求項５に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド
ミラーアレイの製造方法。 - 【請求項７】 前記イオンビームが、不活性ガスで作
られることを特徴とする請求項４に記載のＭ×Ｎ個の薄
膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 - 【請求項８】 前記障壁層が、１００オングストロー
ム未満の厚さを有することを特徴とする請求項４に記載
のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製
造方法。 - 【請求項９】 前記障壁層が、スパッタリング法、真
空蒸着法またはＰＥＣＶＤ法を用いて蒸着されることを
特徴とする請求項８に記載のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエ
ーテッドミラーアレイの製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960026154A KR100195639B1 (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 |
| KR1996-26154 | 1996-06-29 | ||
| KR1019960026155A KR100212538B1 (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 |
| KR1996-26155 | 1996-06-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1082960A true JPH1082960A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=26631978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9172240A Pending JPH1082960A (ja) | 1996-06-29 | 1997-06-27 | 薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5991064A (ja) |
| JP (1) | JPH1082960A (ja) |
| CN (1) | CN1177110A (ja) |
| GB (1) | GB2314938B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6969635B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-11-29 | Reflectivity, Inc. | Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates |
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| US7281808B2 (en) * | 2003-06-21 | 2007-10-16 | Qortek, Inc. | Thin, nearly wireless adaptive optical device |
| FR2933394B1 (fr) * | 2008-07-03 | 2011-04-01 | Saint Gobain | Procede de depot de couche mince et produit obtenu |
| US9846308B2 (en) | 2014-01-24 | 2017-12-19 | Osterhout Group, Inc. | Haptic systems for head-worn computers |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0151453B1 (ko) * | 1994-04-30 | 1998-12-15 | 배순훈 | 광로조절장치 및 그 제조방법 |
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| KR960018646A (ko) * | 1994-11-14 | 1996-06-17 | 배순훈 | 광로조절장치의 제조방법 |
| KR100203577B1 (ko) * | 1994-12-19 | 1999-06-15 | 배순훈 | 광로조절장치와 그 제조방법 |
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