KR100691046B1 - 차동 pzt 액티베이터를 위한 전극 패터닝 - Google Patents

차동 pzt 액티베이터를 위한 전극 패터닝 Download PDF

Info

Publication number
KR100691046B1
KR100691046B1 KR1020017013281A KR20017013281A KR100691046B1 KR 100691046 B1 KR100691046 B1 KR 100691046B1 KR 1020017013281 A KR1020017013281 A KR 1020017013281A KR 20017013281 A KR20017013281 A KR 20017013281A KR 100691046 B1 KR100691046 B1 KR 100691046B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
dicing
piezoelectric
upper electrode
Prior art date
Application number
KR1020017013281A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020000801A (ko
Inventor
존 스튜어트 라이트
진-에딘 부타구
Original Assignee
시게이트 테크놀로지 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 filed Critical 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
Publication of KR20020000801A publication Critical patent/KR20020000801A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100691046B1 publication Critical patent/KR100691046B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/06Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/05Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H10N30/057Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by stacking bulk piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/06Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/063Forming interconnections, e.g. connection electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/06Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/067Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/08Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/082Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • H10N30/501Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure having a non-rectangular cross-section in a plane parallel to the stacking direction, e.g. polygonal or trapezoidal in side view
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/871Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/872Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
  • Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)
  • General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
  • Moving Of Heads (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

본 발명은 전기적인 연결이 엘리먼트의 상부면으로부터 엘리먼트의 기저 전극까지 이루어지는 차동 액추에이터 구조에 사용되는 랩-어라운드 전극을 각각 갖는 압전 엘리먼트를 제조하기 위한 공정에 관한 것이다. 랩-어라운드 전극은 엘리먼트 베이시스에 의한 엘리먼트 대신에 엘리먼트를 생성하는 동안 형성된다.

Description

차동 PZT 액티베이터를 위한 전극 패터닝{ELECTRODE PATTERNING FOR A DIFFERENTIAL PZT ACTIVATOR}
본 발명은 디스크 드라이브에 사용되는 차동 압전 액추에이터에 관한 것으로 특히 차동 압전 액추에이터의 제조에 관한 것이다.
디스크 드라이브의 방사방향 트랙 밀도가 계속 증가하고, 그 결과 매우 정교한 헤드 위치지정 시스템의 필요가 증가한다. 보이스 코일 모터(VCM) 액추에이터는 대략적인(coarse) 위치지정을 위해서는 적당하지만, 선택된 트랙 상에 변환기 헤드를 정교하게 위치지정시키고 중심으로 이동시키는 것에 대한 해결책으로는 부족하다. 이러한 부족함은 고밀도 트랙 디스크 드라이브 내에서 정교하게 위치지정되도록 하는 제 2 단계 마이크로액추에이터에 대한 다양한 대안을 야기한다.
마이크로액추에이터 대안은, 변환기 헤드를 이동시키는 슬라이더에 부착된 정전 마이크로액추에이터에서부터, 액추에이터의 말단부의 헤드 서스펜션 부착 블럭에서 설치된 압전 마이크로액추에이터까지 여러가지의 형태를 갖는다.
압전 마이크로액추에이터와 관련하여, 2차 마이크로액추에이터의 압전 재료를 구동하기 위한 두 개의 형태가 있다. 제 1 형태는 압전 재료가 기저 전극으로서 작동하는 스테인리스 강 서스펜션에 전도성 에폭시-땜납 페이스트로 부착되고 전기적 연결은 상부 전극에서만 이루어지는 싱글 엔디드(single ended) 구동 형태이다. 제 2 형태는 압전 재료가 서스펜션과 절연되고 전기적 연결이 압전 엘리먼트의 상부 및 기저 전극에서 이루어지는 차동 설계 구동 형태이다.
싱글 엔디드 설계의 장점은, 작고 깨지기 쉬운 압전 엘리먼트에 한 개의 전기적 연결만 필요함에 따라, 제조가 용이하다는 것이다. 그러나, class Ⅱ UL listing을 유지하기 위하여, 압전 엘리먼트에 인가되는 전압은 +/- 20 볼트로 제한되어야 한다. 이러한 전압은 원하는 스트로우크(stroke)를 달성하기 위해 필요한 값 이하이다. 반면에, 차동 설계는 원하는 스트로우크를 달성하기 위하여 압전 엘리먼트에 인가되는 전압이 +/- 40 볼트를 허용한다. 그러나, 차동 설계는 전기적 연결이 상부 및 기저 전극에서 필요하기 때문에 제조하기가 복잡하다. 게다가, 압전 엘리먼트는 작고 깨지기 쉽기 때문에, 제조 공정동안 손상될 수 있는 더 큰 단점을 갖고 있다.
따라서, 종래 제조 공정보다 간단하고 저비용의 차동 설계를 위한 제조 공정을 제공하는 것이 바람직하다. 게다가, 압전 엘리먼트의 손상 위험을 감소시키는 차동 설계를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 랩-어라운드(wrap-around) 전극을 각각 갖는 압전 엘리먼트들을 제조하는 방법이 제공되고, 상기 압전 엘리먼트들은 기판의 전체 상부면 및 기저면을 덮는 상부 전극과 기저 전극을 갖는 압전 기판 시트로부터 형성된다. 상기 방법은,
(a) 상기 상부 전극 내에 절연 트렌치를 생성하는 단계;
(b) 상기 기판의 노출 측면을 생성하도록, 상기 절연 트렌치로부터 떨어져 위치된 제 1 방향을 따라 상기 기판을 노출시키는 단계;
(c) 상기 기판의 노출 측면 상에 전극을 증착하는 단계;
(d) 상기 기판의 제 2 노출된 측면을 생성시키도록, 상기 제 1 방향으로부터 상기 절연 트렌치의 반대면 상의 상기 절연 트렌치로부터 떨어져 위치된 제 2 방향을 따라 상기 기판을 노출시키는 단계 - 상기 제 1 방향 및 제 2 방향은 각각의 압전 엘리먼트의 길이를 규정함 -; 및
(e) 상기 기판 상의 다중 지점들에서 각각의 압전 엘리먼트의 폭을 규정하는 제 3 방향을 따라 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 랩-어라운드 전극을 각각 갖는 다수의 압전 엘리먼트들을 제조하는 방법이 제공되고, 상기 방법은 상부 전극에 의하여 덮이는 상부면을 갖는 압전 기판으로 시작한다. 상기 방법은,
(a) 제조하고자 하는 각 압전 엘리먼트에 대해 규정된 길이로 상기 상부 전극의 단절부를 생성하는 단계 - 상기 단절부는 상기 상부 전극을 각각 규정된 길이의 제 1 상부 전극 및 제 2 상부 전극으로 분할함 -;
(b) 노출된 측면을 형성하도록 각 단절부에 인접한 상기 상부 전극 및 상기 기판을 통해 다이싱하는 단계;
(c) 상기 노출된 측면 상에 전극을 증착하는 단계;
(d) 상기 단계 (b)의 다이싱에 실질적으로 평행하지만 이로부터 떨어져 위치되게 상기 상부 전극 및 기판을 통해 다이싱하는 단계 - 상기 다이싱 단계 (b) 및 (d)는 각 압전 엘리먼트의 길이를 규정함 -; 및
(e) 상기 각 압전 엘리먼트의 폭을 규정하도록 상기 단계 (b) 및 (d)의 다이싱에 실질적으로 수직으로 상기 상부 전극 및 기판을 통해 다이싱하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따르면, 랩-어라운드 전극을 각각 갖는 다수의 압전 엘리먼트들을 제조하는 방법이 제공되며, 상기 방법은 상부 전극에 의하여 덮인 상부면과 기저 전극에 의하여 덮인 기저면을 갖는 압전 엘리먼트로부터 시작된다. 상기 방법은,
(a) 제조될 각 압전 엘리먼트에 대해 규정된 길이로 상기 상부 전극의 단절부를 생성하는 단계;
(b) 상기 제 2 상부 전극을 통해 상기 기저 전극에 전기적으로 연결되는 비아(via)들을 생성하는 단계;
(c) 각 압전 엘리먼트들의 길이를 규정하도록 비아들의 각 측면상에서 상기 상부 전극, 기판 및 기저 전극을 통해 다이싱하는 단계; 및
(d) 각 압전 엘리먼트들의 폭을 규정하도록 단계 (c)의 다이싱에 수직인 방향으로 상기 상부 전극, 기판 및 기저 전극을 통해 다이싱하는 단계를 포함한다.
도 1은 적층 압전 엘리먼트의 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 압전 마이크로액추에이터를 사용하는 디스크 드라이브 액추에이션 어셈블리의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 압전 엘리먼트의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조 기술을 이용하여 처리한 압전 재료 시트의 평면도이다.
도 5-10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조 공정을 도시한다.
도 11-14는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다층 마이크로액추에이터를 위한 제조 공정을 도시한다.
차동 설계의 압전 엘리먼트 상부면(또한 다이(die)로 공지됨)에서만 전기적 연결이 이루어지도록 상부면 상의 전극은 각각의 부분이 상호간에 전기적으로 절연되도록 두 개의 부분으로 분리되어야 한다. 게다가, 한 부분은 엘리먼트 기판의 주위를 둘러싸야 하며 기판 기저면 상에서 전극에 전기적으로 연결되어야 한다. 개별 엘리먼트 상의 랩-어라운드 전극을 엘리먼트 베이시스(basis)에 의하여, 즉, 다이 레벨(die level)에서, 제조하는 것이 공지되어 있다. 특히, 상부 전극과 기저 전극은 압전 재료 또는 압전 기판 시트(sheet)의 상부면과 기저면에, 각각, 노출되어 있다. 다음에 개별 엘리먼트 또는 개별 다이들은 시트로부터 다이싱(dice)된다. 다음에 상호간에 전기적으로 절연되는 두 개의 부분을 생성하도록 단절부(discontinuity)가 상부 전극에서 형성되고, 다음에 랩-어라운드 전극은 상부 전극의 일부분을 기저 전극에 전기적으로 연결하도록 형성된다. 다음에 전기적 연결은 엘리먼트 상부면으로부터 상부 및 기저 전극까지 이루어질 수 있다. "상부" 및 "기저"라는 용어는 상대적인 위치를 지시하기 위하여 사용되고 본 발명은 임의의 특정 방향으로 제한되지 않는다.
도 1은 적층된 압전 엘리먼트(10)의 간략화된 사시도이다. 엘리먼트(10)는 (d31), (d32) 그리고 (d33)으로 붙여진 세 개의 축을 도시한다. 축(d33)을 따라 공간적으로 분리된 지점 사이의 전위차는, 엘리먼트(10)을 구성하는 압전 크리스탈 층의 분극에 따라서, (d31), (d32) 및/또는 (d33) 방향으로 엘리먼트(10)의 확장 또는 수축을 유발한다. 따라서, 압전 엘리먼트(10)는 인가된 전압에 기반하여 (d31), (d32) 및/또는 (d33) 방향으로 확장력 또는 수축력을 제공할 수 있다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 압전 마이크로액추에이터를 구현하는 디스크 드라이브 액추에이션 어셈블리(20)의 단면도이다. 디스크 드라이브 액추에이션 어셈블리(20)는 보이스 코일 모터(VCM)(22), E-블럭 몸체(25), 헤드 부착 블럭(32)에서 액추에이터 암(30)에 연결된 로드 빔(34), 로드 빔(34)의 말단부에 연결되고, 이는 다시 변환 헤드를 이동시키는, 지지 슬라이더(38)에 연결된 짐벌(36)을 포함한다. 피봇 카트리지(26)가 E-블럭 몸체(25)에서 캐버티(cavity)(37) 내에 제공되고, 피봇 카트리지는 한 단부에서 E-블럭 몸체(25)에, 하나 이상의 나사(28)와 같은 것에 의하여, 견고하게 고정된다. 마이크로액추에이터(27)는 로드 빔(34) 상에 제공되고 엘리먼트를 드라이브 전기회로(도시 안됨)에 연결하는 단자(도시 안됨)를 포함한다.
VCM(22)은 E-블럭 몸체(25) 그리고 축(24) 둘레의 피봇 카트리지(26)를 회전시키고, 따라서 축(41) 둘레를 회전하는 디스크(40)의 선택된 트랙(42) 상에 슬라이더(38), 그리고 변환기 헤드(도시 안됨)가 대략적으로 위치하도록 당업자에게 공지된 방식으로 동작된다. 더욱 정교한 동작을 위하여, 마이크로액추에이터(27)는 엘리먼트에 연결된 단자(도시 안됨)에 전압을 인가함으로써 엘리먼트의 축(d31)을 따라서 선택적으로 확장 또는 수축되고 그로 인하여 슬라이더(38)와 디스크(40)의 트랙(42)에 대하여 변환기 헤드(도시 안됨)의 위치를 변경한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 압전 엘리먼트의 사시도이다. 엘리먼트(200)는 3차원이고 직사각형 형태이다. 엘리먼트(200)는 상부면(202), 기저면(도시 안됨) 그리고 (204, 206)으로 도시된 상부면과 기저면 만을 연결하는 측면을 갖는다. 엘리먼트(200)는 압전 기판 위에서 형성된 상부 전극과 기저 전극을 갖는 압전 기판에 의하여 형성된다. 상부 전극(202)은 상부 전극(202)을 상호간에 전기적으로 절연되는 두 개의 부분(202a, 202b)으로 분리하도록 상부 전극 내에 형성된 단절부(208)를 갖는다. 또한 랩-어라운드 전극은 측면(206) 상에 증착되거나 또는 형성된다. (204)로 도시되는 잔여 측면은 그 위에 형성된 전극을 갖지 않는다. 전극(206) 둘레의 랩은 상부 전극(202)의 부분(202b)을 기저 전극(도시 안됨)에 전기적으로 연결한다. 따라서, 상부 및 기저 전극의 전기적 연결은 각각의 부분(202a, 202b)을 통해 엘리먼트의 상부면으로부터 이루어진다. 상기 언급한 바와 같이, 랩-어라운드 전극의 형성은 지금까지 엘리먼트 베이시스에 의하여 엘리먼트 상에 생성되었다. 제조 공정은 다이 레벨에 있기 때문에, 이러한 기술을 사용하여 제조된 엘리먼트는 각각의 엘리먼트가 개별적으로 처리되어서 비싸고 많은 시간이 소모된다. 반대로, 본 발명은 엘리먼트의 생성동안, 즉 기판 레벨에서, 랩-어라운드 전극을 갖는 엘리먼트를 생성한다.
제조 공정은 도 4-10과 관련하여 설명될 것이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제조 기술을 사용하여 처리된 압전 재료 시트의 평면도이다. 우선 전극층(비-암영 영역으로 표시)은 압전 기판의 상부 및 기저면 상에 형성되는데, 상부면만이 도 4에 도시되어 있다. 암영선(208)은 전극이 제거된 자리의 상부 전극 내에 형성된 단절부를 나타낸다. 상부 전극 내에 단절부 또는 트렌치를 생성시키는 처리는 도 5와 6에 도시되어 있다. 우선 포토레지스트(photoresist)층(406)은 상부 전극(402) 상에 증착된다. 포토레지스트층(406)은 임의의 공지된 기술로 증착될 수 있다. 다음에 포토레지스트층(406)은 포토레지스트층(406) 내의 개구부(407)를 생성시키도록 공지된 포토리소그래피 기술을 사용하여 바람직하게 패터닝된다. 다음에 포토레지스트층(406)의 개구부(407) 아래에 위치한 상부 전극(402) 상의 부분은 도 6에 도시된 것처럼 공지된 습식 에칭 기술 또는 공지된 이온 밀링 기술을 사용하여 제거된다. 제 1 포토레지스트층(406)은 제거되고 다음에 새로운 포토레지스트층(420)은 도 7에 도시된 것처럼 단절부(407)를 포함하는 전체 상부면 상에 증착되거나 또는 형성된다. 테이프 프레임(tape frame) 상의 자외선(UV) 방지 테이프가 기판에 부착된다.
다음에 랩-어라운드 전극을 형성하거나 또는 생성하기 위한 단계들이 본 발명의 바람직한 실시예에 따라서 설명될 것이다. 기판은 제 1 "y 다이싱" 레인(lane)(410)을 따라 기판의 측면(412)을 노출시키도록 다이싱된다. 바람직한 실시예에서, 테이퍼링된 다이싱 날 또는 톱(tapered dicing blade or saw)은 도 8에 도시된 테이퍼링된 노출 측면을 생성하도록 사용된다. 도 4로부터 각 엘리먼트의 길이는 y 축을 따라 규정되고 각 엘리먼트의 폭은 x 축을 따라 규정된다. 통상적으로 측면은 끝이 가는 다이싱 날이 사용될 때 기판의 상부 표면에 대하여 끝이 가늘어진다. 선택적으로, 일정한 다이싱 날은 수직의 노출된 측면을 생성하도록 사용될 수 있다. 도 4에서, 다중 "y 다이싱" 레인(410)이 도시되어 있다. 다음에 랩-어라운드 전극(422)은 노출면(412) 상에 형성된다. 특히, 전극(422)은 도 9에 도시된 것처럼 측면(412) 상의 공지된 스퍼터링 기술에 의하여 바람직하게 증착된다. 바람직하게 금(Au)은 퀴리 온도(Curie temperature)의 절반까지 기판이 가열되는 것을 방지하도록 낮은 전력과 낮은 온도에서 노출면 상에 스퍼터링된다. 기판은 다시 제 1 "y 다이싱"으로부터 멀리 떨어져 위치한 제 2 "y 다이싱" 레인(414)에서 도 4 및 10에서 도시된 것처럼 엘리먼트(302)의 길이를 규정하도록 다이싱된다. 결국, 도 4에 도시된 것처럼, 각 엘리먼트의 폭은 "x 다이싱" 레인(416)에 의하여 결정된다. 마지막 단계는 포토레지스트층(420)을 벗겨내는 것을 포함한다. 따라서 하향식으로(top down) 기저 전극에 연결되는 차동 압전 엘리먼트는 종래 기술의 엘리먼트 기술에 의한 엘리먼트와는 대조적으로 기판 레벨에서 생성된다.
바람직한 실시예에서, 도 3과 관련하여, 부분(202a)은 대략 0.10 인치이고 부분(202b)는 대략 0.005인치이다. 단절부(208)는 바람직하게 대략 0.005 인치의 길이를 갖는다. "x 다이싱"레인(416)은 바람직하게 대략 0.0015 인치의 두께이며 바람직하게 대략 0.03 인치의 각 엘리먼트 폭을 규정한다. 또한 "y 다이싱"레인(410,414)들은 바람직하게 대략 0.0015 인치의 두께이고 바람직하게 대략 0.110 인치의 각 엘리먼트 길이를 규정한다.
선택적으로, 다이싱과 스퍼터링 기술을 사용한 기판 처리 대신에, 이온 밀링 기술이 사용될 수 있다. 특히, 단절부(407)가 도 6에 도시된 것처럼 형성된 후에, 제 2 포토리소그래피 단계는 두 개의 상부 전극중 더 작은 상부 전극 상에서, 즉, 부분(202b)(도 3에 도시)에서, 포토레지스트로 패터닝된 바람직한 0.005 인치 직경의 원을 생성한다. 다음에 기판은 금(Au) 스퍼터링 후에 공지된 것처럼 기판의 두께를 통해 이온 밀링되고, 또는 선택적으로, 시드층은 공지된 것처럼 비아(via)들을 생성하도록 금이 스퍼터링 되기 전에 먼저 증착될 수 있다. 기저 전극의 하향식 연결이 비아에(도시 안됨) 제공된다.
도 11-14는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 다층 액추에이터를 위한 제조 방법을 도시한다. 도 11에 도시된 것처럼 기판 내에 형성된 다중 전극(502,504)을 갖는 기판(500)이 사용된다. 전극(502)는 기판의 단부까지 연장되지 않고 기판의 주요 부분을 통해 연장된다. 전극(504)은 기판의 각 단부로부터 중심 방향으로 연장되지만 기판의 중심까지 이르지는 않는다. 포토레지스트층(506)은 기판의 상부면(500) 상에 증착된다. 선택적으로, 섀도우 마스크(shadow mask)가 당업자들에게 공지된 것처럼 사용될 수 있다. 다음에, 도 12에 도시된 것처럼, 포토레지스트층(506)은 하기에서 설명되는 절연 트렌치들을 규정하는 포토레지스트 세크먼트(510)를 생성하도록 패터닝된다. 게다가, "y 다이싱" 레인(520)은 기판을 제 1 및 제 2 다층 마이크로액추에이터(522,524)(도 14)로 분할되도록 기판(500)을 통해 절단된다. 바람직하게 테이퍼링된 다이싱 날 또는 톱은 기판의 테이퍼링된 노출 측면(530)을 생성하도록 사용된다. 도시된 방법이 두 개의 마이크로 액추에이터를 생성하도록 사용되지만, 동일한 공정은 다수의 마이크로액추에이터들을 생성하도록 사용되고 본 발명은 도시된 예로 제한되지 않는다.
다음에, 도 13에 도시된 것처럼 상부 및 측면 전극(532, 534), 각각은, 공지된 스퍼터링 기술을 사용하여 바람직하게 증착된다. 마지막으로, 도 14에 도시된 것처럼 포토레지스트 세그먼트(510)들은 제거되고 기판은 개별 엘리먼트들을 생성하도록 추가로 다이싱된다. 각 마이크로액추에이터의 상부 전극(532)은 상호간에 전기적으로 절연되는 두 개의 부분들(532a, 532b)로 분할되는 것이 도 14에 도시될 수 있다. 상부 전극(532a)은 전극(504a) 둘레의 랩을 통하여 전극(504)에 전기적으로 연결되고 상부 전극(532b)은 전극(504b) 둘레의 랩을 통해 전극(502)에 전기적으로 연결된다. 전기적 연결은 상부 전극(532a,b)를 통해 모든 전극들에 이루어진다.
기저 전극의 기저면 상에 꺼칠꺼칠하게 코팅된 금(Au)이 마이크로액추에이터를 서스펜션에 연결하도록 사용되는 에폭시를 통해 서스펜션에 접촉될 수 있어서 위험하다. 따라서, 상기 처리 단계들 전에 먼저 낮은 온도 유전층이 기저 전극 상에 증착된다. 바람직하게, 실리카(SiO2) 유전층은 120℃에서 플라스마 강화 기상 증착(PECVD)을 사용하여 증착된다. 선택적으로, 부전도 입자로 충진된 에폭시는,떨어진 상태(standoff)를 제공하도록, 마이크로액추에이터를 서스펜션에 부착하여 사용될 수 있다.
특정한 재료들과 크기들은 예시를 통해 제공되지만, 본 발명은 이러한 재료와 크기들에 제한되지 않는다.
웨이퍼 상에 또는 다이 레벨 대신에 기판 레벨 상에 있는 제조 방법이 본 발명에 제공된다. 따라서, 다수의 다이들은 빠르고 효율적인 비용으로 제조될 수 있다. 게다가, 압전 기판의 손상 가능성은 감소한다.
본 발명의 제조 및 사용의 완전한 설명이 상기 설명, 실시예 그리고 데이터에 제공된다. 본 발명의 많은 실시예들이 본 발명의 사상 및 범위에서 벗어나지 않고 구현될 수 있기 때문에, 본 발명은 이하에 첨부된 청구항들에 존재한다.

Claims (18)

  1. 압전 기판의 전체 상부면 및 기저면을 각각 덮는 상부 전극과 기저 전극을 갖는 압전 기판의 시트로부터 압전 엘리먼트들이 형성되고, 랩-어라운드(wrap-around) 전극을 각각 갖는 상기 압전 엘리먼트들을 제조하는 방법으로서,
    (a) 상기 상부 전극 내에 절연 트렌치를 생성하는 단계;
    (b) 상기 기판의 노출 측면들을 생성하도록 상기 절연 트렌치로부터 떨어져 위치된 제 1 방향을 따라 상기 기판을 노출시키는 단계;
    (c) 상기 기판의 노출 측면들 상에 전극을 증착하는 단계;
    (d) 상기 기판의 제 2 노출 측면들을 생성하도록 제 2 방향을 따라 상기 기판을 노출시키는 단계 - 상기 제 2 방향은 상기 제 1 방향으로부터 상기 절연 트렌치의 반대면 상에서 상기 절연 트렌치로부터 떨어져 위치되고, 상기 제 1 방향 및 제 2 방향은 각각의 상기 압전 엘리먼트의 길이를 규정함 -; 및
    (e) 상기 기판 상의 다중 지점들에서 각각의 상기 압전 엘리먼트의 폭을 규정하는 제 3 방향을 따라 상기 기판을 노출시키는 단계
    를 포함하는 압전 엘리먼트의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (a)는,
    (a)(ⅰ) 상기 상부 전극 상에 제 1 포토레지스트 층을 증착하는 단계; 및
    (a)(ⅱ) 상기 절연 트렌치를 형성하도록 상기 제 1 포토레지스트 층을 에칭하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 엘리먼트의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (b) 이전에 상기 상부 전극과 절연 트렌치 상에 제 2 포토레지스트 층을 증착하는 단계 (f)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 엘리먼트의 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 단계 (a)(ⅱ)는 습식 에칭인 것을 특징으로 하는 압전 엘리먼트의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (b)는 상기 상부 전극, 기판 및 기저 전극을 통해 다이싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 엘리먼트의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 단계 (c)는 상기 기판의 노출 측면 상에서 상기 전극을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 엘리먼트의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (b)는 비아들을 형성하도록 상기 제 1 방향을 따라 상기 상부 전극 및 상기 기판을 통해 이온 밀링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 엘리먼트의 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 단계 (c)는 (c)(ⅰ) 상기 비아들 내에 시드층을 먼저 증착하는 단계, 및 그 후 (c)(ⅱ) 상기 시드층 상에서 상기 전극을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 엘리먼트의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (d) 및 단계 (e)는 상기 상부 전극, 기판 및 기저 전극을 통해 다이싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압전 엘리먼트의 제조 방법.
  10. 랩-어라운드 전극을 각각 갖는 다수의 압전 엘리먼트들을 제조하는 방법으로서, 상기 방법은 상부 전극에 의해 덮이는 상부면을 갖는 압전 기판으로 시작하며,
    (a) 제조되는 각각의 압전 엘리먼트에 대해 규정된 길이내에서 상기 상부 전극의 단절부(discontinuity)를 생성하는 단계 - 상기 단절부는 상기 상부 전극을 각각 규정된 길이의 제 1 상부 전극 및 제 2 상부 전극으로 분할함 -;
    (b) 상기 상부 전극 및 상기 기판의 노출 측면들을 형성하도록 각각의 상기 단절부에 인접한 상기 상부 전극 및 상기 기판을 통해 다이싱하는 단계;
    (c) 상기 노출 측면들 상에 전극을 증착하는 단계;
    (d) 상기 단계 (b)의 다이싱에 실질적으로 평행하지만 이로부터 떨어져 위치되게 상기 상부 전극 및 상기 기판을 통해 다이싱하는 단계 - 상기 다이싱 단계 (b) 및 (d)는 각각의 상기 압전 엘리먼트의 길이를 규정하고, 상기 다이싱 단계 (d)는 상기 증착 단계 (c) 이후에 발생함 -; 및
    (e) 각각의 상기 압전 엘리먼트의 폭을 규정하도록 상기 단계 (b) 및 (d)의 다이싱에 실질적으로 수직으로 상기 상부 전극 및 상기 기판을 통해 다이싱하는 단계
    를 포함하는 다수의 압전 엘리먼트들의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 단계 (a)는,
    (a)(ⅰ) 상기 상부 전극 상에 제 1 포토레지스트 층을 증착하는 단계; 및
    (a)(ⅱ) 상기 단절부를 형성하도록 상기 제 1 포토레지스트 층을 에칭하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수의 압전 엘리먼트들의 제조 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 단계 (b) 이전에 상기 상부 전극 및 단절부 상에 제 2 포토레지스트 층을 증착하는 단계 (f)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다수의 압전 엘리먼트들의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 단계 (a)(ⅱ)는 습식 에칭인 것을 특징으로 하는 다수의 압전 엘리먼트들의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 단계 (c)는 상기 기판의 노출 측면 상에 상기 전극을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수의 압전 엘리먼트들의 제조 방법.
  15. 랩-어라운드 전극을 각각 갖는 다수의 압전 엘리먼트들을 제조하는 방법으로서, 상기 방법은 상부 전극에 의해 덮인 상부면과 기저 전극에 의해 덮인 기저면을 갖는 압전 기판으로 시작되며,
    (a) 제조되는 각각의 상기 압전 엘리먼트에 대해 규정된 길이내에서 상기 상부 전극에 단절부를 생성하는 단계;
    (b) 상기 상부 전극, 기판 및 기저 전극의 측면들을 노출시키고 각각의 상기 압전 엘리먼트의 길이를 규정하기 위해 상기 단절부의 각 측면 상에서 상기 상부 전극, 기판 및 기저 전극을 통해 다이싱 하는 단계;
    (c) 상기 상부 전극 및 상기 기저 전극을 전기적으로 연결시키기 위해 상기 노출된 측면들 상에 전극 층을 형성하는 단계; 및
    (d) 각각의 상기 압전 엘리먼트의 폭을 규정하도록 상기 단계 (c)의 다이싱에 수직인 방향으로 상기 상부 전극, 기판 및 기저 전극을 통해 다이싱하는 단계
    를 포함하는 다수의 압전 엘리먼트들의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 단계 (a)는,
    (a)(ⅰ) 상기 상부 전극 상에 제 1 포토레지스트 층을 증착하는 단계; 및
    (a)(ⅱ) 상기 단절부를 형성하도록 상기 제 1 포토레지스트 층을 에칭하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수의 압전 엘리먼트들의 제조 방법.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 단계 (b) 이전에 상기 상부 전극과 단절부 상에 제 2 포토레지스트 층을 증착하는 단계 (e)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다수의 압전 엘리먼트들의 제조 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 단계 (a)(ⅱ)는 습식 에칭인 것을 특징으로 하는 다수의 압전 엘리먼트들의 제조 방법.
KR1020017013281A 1999-04-20 2000-04-20 차동 pzt 액티베이터를 위한 전극 패터닝 KR100691046B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US25496699P 1999-04-20 1999-04-20
US60/254,966 1999-04-20
PCT/US2000/010601 WO2000063978A2 (en) 1999-04-20 2000-04-20 Electrode patterning for a differential pzt activator
US???? 2001-09-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020000801A KR20020000801A (ko) 2002-01-05
KR100691046B1 true KR100691046B1 (ko) 2007-03-09

Family

ID=28675131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017013281A KR100691046B1 (ko) 1999-04-20 2000-04-20 차동 pzt 액티베이터를 위한 전극 패터닝

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6716363B1 (ko)
JP (2) JP4713742B2 (ko)
KR (1) KR100691046B1 (ko)
DE (1) DE10084495T1 (ko)
GB (1) GB2370153B (ko)
WO (1) WO2000063978A2 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7420317B2 (en) 2004-10-15 2008-09-02 Fujifilm Dimatix, Inc. Forming piezoelectric actuators
US7388319B2 (en) * 2004-10-15 2008-06-17 Fujifilm Dimatix, Inc. Forming piezoelectric actuators
US7280319B1 (en) 2005-01-31 2007-10-09 Western Digital Technologies, Inc. Suspension assembly with piezoelectric microactuators electrically connected to a folded flex circuit segment
US20100081954A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware Method, device, and system to control pH in pulmonary tissue of a subject
US20200075049A1 (en) * 2012-10-04 2020-03-05 Magnecomp Corporation Method of manufacturing piezoelectric microactuators having wrap-around electrodes
US9406314B1 (en) 2012-10-04 2016-08-02 Magnecomp Corporation Assembly of DSA suspensions using microactuators with partially cured adhesive, and DSA suspensions having PZTs with wrap-around electrodes
US8773820B1 (en) 2013-02-21 2014-07-08 Magnecomp Corporation PZT microactuator for disk drive suspension having electrical via and wrap-around electrode
US10607642B2 (en) 2013-03-18 2020-03-31 Magnecomp Corporation Multi-layer PZT microactuator with active PZT constraining layers for a DSA suspension
US9070394B1 (en) 2013-03-18 2015-06-30 Magnecomp Corporation Suspension microactuator with wrap-around electrode on inactive constraining layer
US11205449B2 (en) 2013-03-18 2021-12-21 Magnecomp Corporation Multi-layer PZT microacuator with active PZT constraining layers for a DSA suspension
US9741376B1 (en) 2013-03-18 2017-08-22 Magnecomp Corporation Multi-layer PZT microactuator having a poled but inactive PZT constraining layer
US9330698B1 (en) 2013-03-18 2016-05-03 Magnecomp Corporation DSA suspension having multi-layer PZT microactuator with active PZT constraining layers
US10128431B1 (en) 2015-06-20 2018-11-13 Magnecomp Corporation Method of manufacturing a multi-layer PZT microactuator using wafer-level processing
US10748564B2 (en) 2018-01-25 2020-08-18 Magnecomp Corporation Multi-layer microactuators for hard disk drive suspensions
JP2020077878A (ja) * 2018-11-09 2020-05-21 マグネコンプ コーポレーションMagnecompcorporation ラップアラウンド電極を有する圧電マイクロアクチュエータの製造方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1566009A1 (de) * 1967-08-26 1971-02-18 Telefunken Patent Mechanisches Frequenzfilter und Verfahren zu seiner Herstellung
US4443729A (en) 1981-06-22 1984-04-17 Rockwell International Corporation Piezoceramic bender element having an electrode arrangement suppressing signal development in mount region
JPS58147109A (ja) * 1982-02-26 1983-09-01 富士通株式会社 積層セラミツクコンデンサの製造方法
FR2577362B1 (fr) * 1985-02-13 1987-04-17 Ebauchesfabrik Eta Ag Procede de fabrication de resonateurs a quartz a haute frequence
JPH0670941B2 (ja) 1988-12-15 1994-09-07 株式会社村田製作所 積層コンデンサの製造方法
JP2777630B2 (ja) 1989-04-07 1998-07-23 株式会社日立製作所 磁気ディスク装置
DE4015196C2 (de) 1989-05-12 1995-02-23 Fuji Electric Co Ltd Presse mit piezoelektrischen Aktuatoren und Steuerung derselben
JP3064336B2 (ja) 1989-06-28 2000-07-12 株式会社日立製作所 情報取扱い装置およびデイスク装置
GB2237445B (en) 1989-10-04 1994-01-12 Seagate Microelectron Ltd A semiconductor device fabrication process
JP2977872B2 (ja) * 1990-07-31 1999-11-15 株式会社リコー インクジェットヘッド及びその加工法
US5266446A (en) * 1990-11-15 1993-11-30 International Business Machines Corporation Method of making a multilayer thin film structure
JP2728980B2 (ja) * 1991-01-07 1998-03-18 シャープ株式会社 インクジェットヘッド装置
JPH0513267A (ja) * 1991-07-01 1993-01-22 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサの製造方法
JP3208775B2 (ja) * 1992-06-11 2001-09-17 セイコーエプソン株式会社 インクジェットヘッド及びインクジェットヘッドの製造方法
JP3070375B2 (ja) * 1993-03-26 2000-07-31 松下電器産業株式会社 電子部品の製造方法
JP3158794B2 (ja) * 1993-07-20 2001-04-23 株式会社村田製作所 コンデンサアレイ
JP3264037B2 (ja) * 1993-04-28 2002-03-11 株式会社村田製作所 コンデンサアレイ
KR970002997B1 (ko) * 1993-05-04 1997-03-13 대우전자 주식회사 투사형화상표시장치용 광로조절장치의 제조방법
KR970003008B1 (ko) * 1993-05-21 1997-03-13 대우전자 주식회사 투사형 화상표시장치용 광로조절장치의 제조방법
JP2748839B2 (ja) * 1993-12-24 1998-05-13 日本電気株式会社 圧電式アクチュエータの製造方法
US5655285A (en) 1994-03-02 1997-08-12 Seagate Technology, Inc. Method for attaching a printed circuit cable to an actuator arm in a disc drive assembly
JPH07326544A (ja) 1994-05-31 1995-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多層回路基板で形成する可変キャパシタ
DE59509149D1 (de) * 1994-08-03 2001-05-10 Francotyp Postalia Gmbh Anordnung für plattenförmige Piezoaktoren und Verfahren zu deren Herstellung
US5521778A (en) 1994-08-30 1996-05-28 International Business Machines Corporation Disk drive with primary and secondary actuator drives
JPH097877A (ja) 1995-04-18 1997-01-10 Rohm Co Ltd 多層セラミックチップ型コンデンサ及びその製造方法
JP3063577B2 (ja) 1995-07-05 2000-07-12 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサの製造方法とその装置
JPH09309204A (ja) * 1996-05-22 1997-12-02 Minolta Co Ltd インクジェット記録ヘッド
US5711063A (en) 1996-06-11 1998-01-27 Seagate Technology, Inc. Method of forming a suspension fabricated from silicon
US5866227A (en) 1996-08-20 1999-02-02 Seagate Technology, Inc. Magnetic recording medium with partially oxidized seed layer
GB2334613B (en) 1996-12-16 2001-04-18 Seagate Technology E-block head stack microactuator assembly
JP3257960B2 (ja) * 1996-12-17 2002-02-18 富士通株式会社 インクジェットヘッド
US5898544A (en) 1997-06-13 1999-04-27 Hutchinson Technology Incorporated Base plate-mounted microactuator for a suspension
JP3729997B2 (ja) * 1997-11-06 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録ヘッド、及びこれに使用する圧電振動子ユニットの製造方法
US5936805A (en) 1997-12-12 1999-08-10 International Business Machines Corporation Disk drive with secondary VCM actuator

Also Published As

Publication number Publication date
JP5261453B2 (ja) 2013-08-14
DE10084495T1 (de) 2002-06-06
JP4713742B2 (ja) 2011-06-29
JP2011029646A (ja) 2011-02-10
WO2000063978A9 (en) 2002-07-11
WO2000063978A2 (en) 2000-10-26
GB0125936D0 (en) 2001-12-19
US6716363B1 (en) 2004-04-06
GB2370153A (en) 2002-06-19
WO2000063978A3 (en) 2001-06-28
KR20020000801A (ko) 2002-01-05
JP2003526903A (ja) 2003-09-09
GB2370153B (en) 2003-10-22
GB2370153A8 (en) 2002-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5261453B2 (ja) 圧電素子の製造方法
US6781286B2 (en) Piezoelectric driving device
US8564176B2 (en) Piezoelectric MEMS switch and method of manufacturing piezoelectric MEMS switch
JP2007273589A (ja) 薄膜圧電デバイスおよびその作製方法
KR100790878B1 (ko) 상하 구조가 디커플된 콤전극의 자기정렬 식각 방법
US7851976B2 (en) Micro movable device and method of making the same using wet etching
US6683757B1 (en) Slider-level microactuator for precise head positioning
KR20180031744A (ko) Dsr 스피커 요소 및 그 제조 방법
US7126792B2 (en) Slider for a data storage device including transducer level micro-positioning and method of fabrication therefor
EP1291931B1 (en) A piezoelectric thin-film element and a manufacturing method thereof
US6387778B1 (en) Breakable tethers for microelectromechanical system devices utilizing reactive ion etching lag
US10567883B2 (en) Piezo-electric actuators
US7965159B2 (en) Micro-switching device and manufacturing method for the same
KR20030019573A (ko) 디바이스의 형상 패턴화 방법
JP4040621B2 (ja) ディスク・ドライブ・システム用の、トランスデューサ・レベルのマイクロアクチュエータ及びそれを製造するための改善された方法
JP2008194813A (ja) 可動素子およびその製造方法
JP3515503B2 (ja) マイクロメカニズムの互いに対して移動可能な2つの部分を電気的に接続する浮遊部材の製造方法
US20140339658A1 (en) Device comprising a spring and an element suspended thereon, and method for manufacturing same
US20020121839A1 (en) Microactuator, method for making the same, and magnetic head unit and magnetic recording apparatus using the same
JP2007207487A (ja) マイクロスイッチング素子およびマイクロスイッチング素子製造方法
US6391741B1 (en) Fabrication process for microstructure protection systems related to hard disk reading unit
JP2001357640A (ja) ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエーターおよびその製造方法
KR970067563A (ko) 광로 조절 장치용 액츄에이터의 제조 방법
JPH05101359A (ja) 薄膜磁気ヘツドの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130208

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140211

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee