JP3515503B2 - マイクロメカニズムの互いに対して移動可能な２つの部分を電気的に接続する浮遊部材の製造方法 - Google Patents
マイクロメカニズムの互いに対して移動可能な２つの部分を電気的に接続する浮遊部材の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般にマイクロメ
カニクスの分野、特にマイクロアクチュエーターの分野
に関し、詳細には（しかしこれに限定されないが）ハー
ドディスクの読み出し／書き込みユニットの読み出し／
書き込みヘッドの微細な位置決めに用いるマイクロアク
チュエーターに関する。より具体的には、本発明はマイ
クロメカニズムの互いに対して移動可能な２つの部分を
電気的に接続するための、例えばマイクロアクチュエー
ターのローターに固定された読み出し／書き込みヘッド
とマイクロアクチュエーターの静止部分とを電気的に接
続するための、浮遊部材の製造方法に関する。
カニクスの分野、特にマイクロアクチュエーターの分野
に関し、詳細には（しかしこれに限定されないが）ハー
ドディスクの読み出し／書き込みユニットの読み出し／
書き込みヘッドの微細な位置決めに用いるマイクロアク
チュエーターに関する。より具体的には、本発明はマイ
クロメカニズムの互いに対して移動可能な２つの部分を
電気的に接続するための、例えばマイクロアクチュエー
ターのローターに固定された読み出し／書き込みヘッド
とマイクロアクチュエーターの静止部分とを電気的に接
続するための、浮遊部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】既知のハードディスクの読み出し／書き
込みユニットは、電気モーターによって回転するサポー
トボディ（「Ｅブロック」と呼ばれる）を備える。サポ
ートボディは複数のアームを有し、各アームは片持ちさ
れた（cantilevered）プレートによって形成されるサス
ペンション部材を備える。プレートの自由端は、カップ
リング（「ジンバル」）を介して、ハードディスクの表
面に面する読み出し／書き込みトランスデューサー（ヘ
ッドまたは「スライダ」）を備える。スライダは、半導
体ウェハーを微細加工して作製されたマイクロアクチュ
エーターを介して、ジンバルに連結され得る。
込みユニットは、電気モーターによって回転するサポー
トボディ（「Ｅブロック」と呼ばれる）を備える。サポ
ートボディは複数のアームを有し、各アームは片持ちさ
れた（cantilevered）プレートによって形成されるサス
ペンション部材を備える。プレートの自由端は、カップ
リング（「ジンバル」）を介して、ハードディスクの表
面に面する読み出し／書き込みトランスデューサー（ヘ
ッドまたは「スライダ」）を備える。スライダは、半導
体ウェハーを微細加工して作製されたマイクロアクチュ
エーターを介して、ジンバルに連結され得る。
【０００３】これらの読み出し／書き込みユニットは、
サポートボディに作用するモーターによって最初に位置
決めした後、スライダ上のマイクロアクチュエーターの
動作によって微細な位置決めを可能にすることで、ハー
ドディスク上のトラック密度の増加を可能にしている。
サポートボディに作用するモーターによって最初に位置
決めした後、スライダ上のマイクロアクチュエーターの
動作によって微細な位置決めを可能にすることで、ハー
ドディスク上のトラック密度の増加を可能にしている。
【０００４】しかし、スライダをマイクロアクチュエー
ターのローターに固定すること、およびスライダの電気
端子（少なくとも４つあり、２つは読み出し用、２つは
書き込み用である）をスライダの動きを妨害することな
く電気的に接続することに、問題が生じている。
ターのローターに固定すること、およびスライダの電気
端子（少なくとも４つあり、２つは読み出し用、２つは
書き込み用である）をスライダの動きを妨害することな
く電気的に接続することに、問題が生じている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術を考
慮して、本発明の目的は、マイクロメカニズムの互いに
対して移動可能な２つの部分の間を電気的に接続する浮
遊部材の製造方法を提供することである。
慮して、本発明の目的は、マイクロメカニズムの互いに
対して移動可能な２つの部分の間を電気的に接続する浮
遊部材の製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的は、マイクロメカニズムの互いに対して移動可能な２
つの部分の間を電気的に接続する浮遊部材（suspended
elements）の製造方法であって、犠牲材料層を形成する
工程と、犠牲材料層上に電気的接続部材を形成する工程
と、電気的接続部材の下の犠牲材料層を除去する工程と
を含み、犠牲材料層は、下の層の空洞部分に入ることな
く、マイクロメカニズムの表面に乾燥した状態で付着す
る少なくとも１つの粘着面を有する薄いフィルムであ
り、前記薄いフィルムはマイクロメカニズムを不動にす
る構造としても作用することを特徴とする方法によって
達成される。
的は、マイクロメカニズムの互いに対して移動可能な２
つの部分の間を電気的に接続する浮遊部材（suspended
elements）の製造方法であって、犠牲材料層を形成する
工程と、犠牲材料層上に電気的接続部材を形成する工程
と、電気的接続部材の下の犠牲材料層を除去する工程と
を含み、犠牲材料層は、下の層の空洞部分に入ることな
く、マイクロメカニズムの表面に乾燥した状態で付着す
る少なくとも１つの粘着面を有する薄いフィルムであ
り、前記薄いフィルムはマイクロメカニズムを不動にす
る構造としても作用することを特徴とする方法によって
達成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の特徴および利点は、その
実際の態様についての以下の詳細な説明によって、より
明瞭になる。態様は、添付図面中の本発明を何ら限定し
ない実施例によって例示されているだけである。
実際の態様についての以下の詳細な説明によって、より
明瞭になる。態様は、添付図面中の本発明を何ら限定し
ない実施例によって例示されているだけである。
【０００８】図１に示すのは、ハードディスク読み出し
／書き込みトランスデューサー（ヘッドまたは「スライ
ダ」）２用のサスペンションプレート１の先端部の詳細
である。サスペンションプレート１は、「Ｅ」形状の支
持部材（「Ｅブロック」）の各アーム（図示せず）によ
って既知の方法で支持されており、支持部材は電気モー
ター（「ボイスコイルモーター」）（やはり図示せず）
によって回転する。スライダ２は、カップリング３
（「ジンバル」と呼ばれる）を介してサスペンションプ
レート１に固定されている。カップリング３は、一般に
サスペンションプレートによって形成され、例えば、サ
スペンションプレートから三と半分の辺で切断された小
さな矩形状プレート３ａによって構成されている。サス
ペンションプレート１に接続する部分３ｂによって、小
プレート３ａがスライダ２の重さの作用で曲がることが
できるようになっている。スライダ２とカップリング３
との間に配置されるロータリーマイクロアクチュエータ
ー４も、概略的に示す。マイクロアクチュエーター４
は、電子制御ユニットによって操作されて、ハードディ
スクのトラック上でのスライダの微細な位置決めを可能
にしており、ボイスコイルモーターによって生じた位置
決め誤差を修正する。
／書き込みトランスデューサー（ヘッドまたは「スライ
ダ」）２用のサスペンションプレート１の先端部の詳細
である。サスペンションプレート１は、「Ｅ」形状の支
持部材（「Ｅブロック」）の各アーム（図示せず）によ
って既知の方法で支持されており、支持部材は電気モー
ター（「ボイスコイルモーター」）（やはり図示せず）
によって回転する。スライダ２は、カップリング３
（「ジンバル」と呼ばれる）を介してサスペンションプ
レート１に固定されている。カップリング３は、一般に
サスペンションプレートによって形成され、例えば、サ
スペンションプレートから三と半分の辺で切断された小
さな矩形状プレート３ａによって構成されている。サス
ペンションプレート１に接続する部分３ｂによって、小
プレート３ａがスライダ２の重さの作用で曲がることが
できるようになっている。スライダ２とカップリング３
との間に配置されるロータリーマイクロアクチュエータ
ー４も、概略的に示す。マイクロアクチュエーター４
は、電子制御ユニットによって操作されて、ハードディ
スクのトラック上でのスライダの微細な位置決めを可能
にしており、ボイスコイルモーターによって生じた位置
決め誤差を修正する。
【０００９】マイクロアクチュエーター４は、例えば出
願人の欧州特許出願EP0913921に記載されたタイプであ
り、すなわち例えばこの欧州特許出願に記載された方法
によって半導体チップ内にポリシリコンから作製され
る。
願人の欧州特許出願EP0913921に記載されたタイプであ
り、すなわち例えばこの欧州特許出願に記載された方法
によって半導体チップ内にポリシリコンから作製され
る。
【００１０】図２は、マイクロアクチュエーター４を示
す概略平面図である。外側のステーター５と内側のロー
ター６とが見える。ステーター５は、マイクロアクチュ
エーター４が形成される半導体チップに含まれる他の構
成部材とともに、ジンバル３の小プレート３ａに動かな
いように接続する。ローター６は、ステーターと容量結
合しており、後に詳述する方法によってスライダ２に固
定する。
す概略平面図である。外側のステーター５と内側のロー
ター６とが見える。ステーター５は、マイクロアクチュ
エーター４が形成される半導体チップに含まれる他の構
成部材とともに、ジンバル３の小プレート３ａに動かな
いように接続する。ローター６は、ステーターと容量結
合しており、後に詳述する方法によってスライダ２に固
定する。
【００１１】ローター６は、実質的に環状の浮遊体部
（suspended mass）７と、やはり浮遊していて浮遊体部
７から外側に放射状に広がる複数の可動アーム８とを備
える。可動アーム８はそれぞれ、可動アーム８の両側に
可動アーム８と実質的に垂直に延びる複数の可動電極９
を備える。
（suspended mass）７と、やはり浮遊していて浮遊体部
７から外側に放射状に広がる複数の可動アーム８とを備
える。可動アーム８はそれぞれ、可動アーム８の両側に
可動アーム８と実質的に垂直に延びる複数の可動電極９
を備える。
【００１２】浮遊体部７は、浮遊体部７の内側の境界か
ら放射状に延びる４つの環状のスロット１０を有する。
スロット１０内では、スプリングとして知られる４つの
弾力性サスペンションおよび固定用部材１１が延びてい
て、浮遊体部７を弾力的および電気的に、浮遊体部７と
同心だが固定されている固定用ピラー１２に接続してい
る。ピラー１２、スプリング１１、浮遊体部７、可動ア
ーム８、および可動電極９は、高導電性になるように適
切にドープされたエピタキシャルポリシリコンから作製
される。ピラー１２によって、ローター６の可動電極９
に、埋め込まれた導電性領域（図２では見えない）を通
じて極性が付与されている。
ら放射状に延びる４つの環状のスロット１０を有する。
スロット１０内では、スプリングとして知られる４つの
弾力性サスペンションおよび固定用部材１１が延びてい
て、浮遊体部７を弾力的および電気的に、浮遊体部７と
同心だが固定されている固定用ピラー１２に接続してい
る。ピラー１２、スプリング１１、浮遊体部７、可動ア
ーム８、および可動電極９は、高導電性になるように適
切にドープされたエピタキシャルポリシリコンから作製
される。ピラー１２によって、ローター６の可動電極９
に、埋め込まれた導電性領域（図２では見えない）を通
じて極性が付与されている。
【００１３】ステーター５は、複数の第１固定アーム１
３と複数の第２固定アーム１４とを備える。第１固定ア
ーム１３はそれぞれ、各可動アーム８の左側で各第１固
定領域１５から半径方向に延びている。固定領域１５
は、ローター６の周囲に配置されており、埋め込まれた
または表面の接続部（図示せず）によって互いに電気的
に接続されて、第１固定アーム１３に第１の電圧の極性
を付与している。第２固定アーム１４は、各可動アーム
８の右側において、マイクロアクチュエーター２の外部
を規定する１つの環状の第２固定領域１７から半径方向
に延びている。
３と複数の第２固定アーム１４とを備える。第１固定ア
ーム１３はそれぞれ、各可動アーム８の左側で各第１固
定領域１５から半径方向に延びている。固定領域１５
は、ローター６の周囲に配置されており、埋め込まれた
または表面の接続部（図示せず）によって互いに電気的
に接続されて、第１固定アーム１３に第１の電圧の極性
を付与している。第２固定アーム１４は、各可動アーム
８の右側において、マイクロアクチュエーター２の外部
を規定する１つの環状の第２固定領域１７から半径方向
に延びている。
【００１４】第１および第２固定アーム１３、１４はそ
れぞれ、複数の固定電極１６を備え、固定電極１６は各
固定アーム１３、１４に実質的に垂直な方向に各可動ア
ーム８に向かって延びている。特に、固定電極１６は可
動電極９と櫛形構造をなし、既知の仕方によって、互い
に並列に配列された複数のコンデンサーを形成してい
る。第１および第２固定アーム１３、１４、固定電極１
６、ならびに領域１５および１７も、ドープされたエピ
タキシャルポリシリコンから作製される。
れぞれ、複数の固定電極１６を備え、固定電極１６は各
固定アーム１３、１４に実質的に垂直な方向に各可動ア
ーム８に向かって延びている。特に、固定電極１６は可
動電極９と櫛形構造をなし、既知の仕方によって、互い
に並列に配列された複数のコンデンサーを形成してい
る。第１および第２固定アーム１３、１４、固定電極１
６、ならびに領域１５および１７も、ドープされたエピ
タキシャルポリシリコンから作製される。
【００１５】適切な電位差を、固定電極１３および１４
ならびに可動電極８の間に印加すると、容量結合のため
に各可動電極８が、電位差がより小さい各アーム１３、
１４から電極８を遠ざけて電位差がより大きい他のアー
ム１４、１３の方へ動かす傾向の横方向の力を受ける。
その結果、浮遊体部７の回転が起こって、スプリング１
１の弾性的な変形が生じる。
ならびに可動電極８の間に印加すると、容量結合のため
に各可動電極８が、電位差がより小さい各アーム１３、
１４から電極８を遠ざけて電位差がより大きい他のアー
ム１４、１３の方へ動かす傾向の横方向の力を受ける。
その結果、浮遊体部７の回転が起こって、スプリング１
１の弾性的な変形が生じる。
【００１６】図３は、上述したタイプの複数のマイクロ
アクチュエーターを形成し各制御用集積回路を組み込む
ために必要な既知の処理工程が完了したシリコンウェハ
ー３０を、概略的に示す透視図である。各マイクロアク
チュエーターは、各集積回路とともに、切断によって、
「ダイ」となるウェハーの各部分３１に形成されてい
る。
アクチュエーターを形成し各制御用集積回路を組み込む
ために必要な既知の処理工程が完了したシリコンウェハ
ー３０を、概略的に示す透視図である。各マイクロアク
チュエーターは、各集積回路とともに、切断によって、
「ダイ」となるウェハーの各部分３１に形成されてい
る。
【００１７】マイクロアクチュエーターおよび各集積回
路に、電気的な信頼性検査および試験を施した後、図４
（Ａ）〜４（Ｃ）に示すように、薄い粘着性フィルム
（「粘着性フォイル（sticky foil）」）３２、例えばR
ISTONRとして知られるデュポンの製品ラインの一部を構
成する感光性樹脂を、ウェハー３０の前面に、液相の物
質を用いた処理を必要とせずに乾燥した状態で（dry）
広げる。この薄いフィルムは、供給ロール２０に巻かれ
ていて、供給ロール２０と収集ロール２０Ｂとの間に広
げられ、粘着面２１を有している。半導体ウェハー３０
を、垂直に移動可能なサポート面１０３の上に載せる
（図４（Ａ））。図４（Ｂ）に示したように、サポート
面１０３が上昇すると、半導体ウェハー３０の前面が薄
いフィルム３２の粘着面２１と接触する。操作は、好ま
しくは１１０〜１２０℃の温度で行い、フィルム３２を
高温のエアーフロー２２によって加熱して、フィルム３
２をプレッシャーローラー３３によってウェハー３０の
前面に粘着させる。次に、図４（Ｃ）に示したように、
カッティングブレード３４によってウェハーの周囲に沿
ってフィルム３２を切断し、ウェハー３０の前面に粘着
したフィルム３２の部分を切り離す。薄いフィルム３２
は、ウェハーの前面のトポグラフィには従わない、すな
わち、その下の層の空洞部分には入って行かない。
路に、電気的な信頼性検査および試験を施した後、図４
（Ａ）〜４（Ｃ）に示すように、薄い粘着性フィルム
（「粘着性フォイル（sticky foil）」）３２、例えばR
ISTONRとして知られるデュポンの製品ラインの一部を構
成する感光性樹脂を、ウェハー３０の前面に、液相の物
質を用いた処理を必要とせずに乾燥した状態で（dry）
広げる。この薄いフィルムは、供給ロール２０に巻かれ
ていて、供給ロール２０と収集ロール２０Ｂとの間に広
げられ、粘着面２１を有している。半導体ウェハー３０
を、垂直に移動可能なサポート面１０３の上に載せる
（図４（Ａ））。図４（Ｂ）に示したように、サポート
面１０３が上昇すると、半導体ウェハー３０の前面が薄
いフィルム３２の粘着面２１と接触する。操作は、好ま
しくは１１０〜１２０℃の温度で行い、フィルム３２を
高温のエアーフロー２２によって加熱して、フィルム３
２をプレッシャーローラー３３によってウェハー３０の
前面に粘着させる。次に、図４（Ｃ）に示したように、
カッティングブレード３４によってウェハーの周囲に沿
ってフィルム３２を切断し、ウェハー３０の前面に粘着
したフィルム３２の部分を切り離す。薄いフィルム３２
は、ウェハーの前面のトポグラフィには従わない、すな
わち、その下の層の空洞部分には入って行かない。
【００１８】ウェハー３０の背面を研磨（lapping）し
てウェハー３０の基板の厚みを減らし、厚みを例えば約
１００μｍの値にする。こうすることで、マイクロアク
チュエーターをスライダ２とジンバル３との間に挿入す
ることができる。
てウェハー３０の基板の厚みを減らし、厚みを例えば約
１００μｍの値にする。こうすることで、マイクロアク
チュエーターをスライダ２とジンバル３との間に挿入す
ることができる。
【００１９】次に、両面とも粘着性である粘着性フィル
ム（粘着性フォイル）３５（図５）を、ウェハーの背面
にやはり乾燥した状態で広げる。ウェハーの背面と接触
して配置されるフィルムの粘着層は光に対して不安定
（photo-labile）である。両面粘着性フィルムは、例え
ばウェハーを切断してダイにする間に普通使用される材
料のフィルムであっても良い。両面粘着性フィルムを付
着させる方法は、薄いフィルム３２を付着させるために
説明した方法と実質的に同様である。
ム（粘着性フォイル）３５（図５）を、ウェハーの背面
にやはり乾燥した状態で広げる。ウェハーの背面と接触
して配置されるフィルムの粘着層は光に対して不安定
（photo-labile）である。両面粘着性フィルムは、例え
ばウェハーを切断してダイにする間に普通使用される材
料のフィルムであっても良い。両面粘着性フィルムを付
着させる方法は、薄いフィルム３２を付着させるために
説明した方法と実質的に同様である。
【００２０】次に、ウェハー３０の次の処理のための土
台３６を、両面粘着性フォイル３５の露出する面に付着
させる。土台３６は、好ましくは１片の透明材料たとえ
ばガラスである（図５）。土台３６の厚みは、ウェハー
３０、両面粘着性フォイル３５、および土台３６から構
成されるサンドウィッチの標準的な処理を可能とするよ
うなものである。好適な土台は、例えば厚みが約５００
μｍの１枚のガラスから構成される。
台３６を、両面粘着性フォイル３５の露出する面に付着
させる。土台３６は、好ましくは１片の透明材料たとえ
ばガラスである（図５）。土台３６の厚みは、ウェハー
３０、両面粘着性フォイル３５、および土台３６から構
成されるサンドウィッチの標準的な処理を可能とするよ
うなものである。好適な土台は、例えば厚みが約５００
μｍの１枚のガラスから構成される。
【００２１】随意に、酸素プラズマエッチング（図５に
２３として概略的に示す）を行ってウェハー３０の前面
の粘着性フォイル３２の厚みを減らし、約１５μｍから
約５〜８μｍにしても良い。酸素プラズマエッチング
は、ウェハー３０を通常の「ストリッパー」内に置いて
行っても良い。
２３として概略的に示す）を行ってウェハー３０の前面
の粘着性フォイル３２の厚みを減らし、約１５μｍから
約５〜８μｍにしても良い。酸素プラズマエッチング
は、ウェハー３０を通常の「ストリッパー」内に置いて
行っても良い。
【００２２】図６の断面図は、図２のマイクロアクチュ
エーターの直径方向の平面ＶＩ−ＶＩの断面を概略的に
示している。ｐ型のシリコン層２５内に形成され、ポリ
シリコンピラー１２に接触してローター６に極性を付与
している埋め込まれたＮ＋領域２４が見られる。埋め込
まれたＮ＋領域２４は、マイクロアクチュエーターを形
成するポリシリコンをエピタキシャル成長させる前にＮ
＋ドーピングして形成する。マイクロアクチュエーター
４の駆動回路が、マイクロアクチュエーター４の周囲で
ｐ型層２５内に組み込まれており、これを符号２６で概
略的に示す。粘着性フォイル３２がローター６を覆っ
て、構造の空洞部分に入り込むことなくローター６を不
動にしていることに注意することは重要である。
エーターの直径方向の平面ＶＩ−ＶＩの断面を概略的に
示している。ｐ型のシリコン層２５内に形成され、ポリ
シリコンピラー１２に接触してローター６に極性を付与
している埋め込まれたＮ＋領域２４が見られる。埋め込
まれたＮ＋領域２４は、マイクロアクチュエーターを形
成するポリシリコンをエピタキシャル成長させる前にＮ
＋ドーピングして形成する。マイクロアクチュエーター
４の駆動回路が、マイクロアクチュエーター４の周囲で
ｐ型層２５内に組み込まれており、これを符号２６で概
略的に示す。粘着性フォイル３２がローター６を覆っ
て、構造の空洞部分に入り込むことなくローター６を不
動にしていることに注意することは重要である。
【００２３】粘着性フォイル３２上へのマスク（「ハー
ドマスク」）の形成を、最終的な形状を規定する次のエ
ッチングたとえばＯ2プラズマ中のＲＩＥエッチングに
対して高い選択性を有する材料からなる層３６０を堆積
（「スパッタリング」）させて行う。堆積は、冷間すな
わちどのような場合でも粘着性フォイル３２と相容れる
十分に低い温度で行う。この層３６０は、例えば厚みが
約２μｍの例えば二酸化珪素またはアルミニウムであっ
ても良い（図６）。
ドマスク」）の形成を、最終的な形状を規定する次のエ
ッチングたとえばＯ2プラズマ中のＲＩＥエッチングに
対して高い選択性を有する材料からなる層３６０を堆積
（「スパッタリング」）させて行う。堆積は、冷間すな
わちどのような場合でも粘着性フォイル３２と相容れる
十分に低い温度で行う。この層３６０は、例えば厚みが
約２μｍの例えば二酸化珪素またはアルミニウムであっ
ても良い（図６）。
【００２４】次に、標準的な感光性樹脂層３７を層３６
０の上に、例えば通常の「スピンコーティング」プロセ
スによって堆積させる（図７）。
０の上に、例えば通常の「スピンコーティング」プロセ
スによって堆積させる（図７）。
【００２５】感光性樹脂層３７を通常のマスクを用いて
選択的に露光し、次に露光した層３７を現像して標準的
なプロセスによって選択的に除去して、スライダを電気
的に接続する浮遊導体を固定する領域となる窓３８と、
スライダの固定プレート（「キャップ層」）を固定する
領域が形成されるローター上方の窓３８０とを開口させ
る（図８）。感光性樹脂３７を現像する間、ローターの
空洞（可動電極９の間、これらと固定電極１６との間、
および可動アーム８と固定アーム１３、１４との間の空
洞）内への液体の浸透が全く無く、その理由はこの段階
ではローター６が粘着性フォイル３２によって完全に覆
われて保護されているためであることに注意することは
重要である。
選択的に露光し、次に露光した層３７を現像して標準的
なプロセスによって選択的に除去して、スライダを電気
的に接続する浮遊導体を固定する領域となる窓３８と、
スライダの固定プレート（「キャップ層」）を固定する
領域が形成されるローター上方の窓３８０とを開口させ
る（図８）。感光性樹脂３７を現像する間、ローターの
空洞（可動電極９の間、これらと固定電極１６との間、
および可動アーム８と固定アーム１３、１４との間の空
洞）内への液体の浸透が全く無く、その理由はこの段階
ではローター６が粘着性フォイル３２によって完全に覆
われて保護されているためであることに注意することは
重要である。
【００２６】次に、二酸化珪素またはアルミニウム層３
６０を、好ましくはＲＩＥ技術によって、選択的にエッ
チングして、前に感光性樹脂層３７に形成された窓３
８、３８０の領域で除去する（図９）。このエッチング
の結果、ハードマスクは粘着性フォイル３２上に残り、
感光性樹脂層３７による保護のために除去されていない
層３６０の部分によって構成される。
６０を、好ましくはＲＩＥ技術によって、選択的にエッ
チングして、前に感光性樹脂層３７に形成された窓３
８、３８０の領域で除去する（図９）。このエッチング
の結果、ハードマスクは粘着性フォイル３２上に残り、
感光性樹脂層３７による保護のために除去されていない
層３６０の部分によって構成される。
【００２７】次に、感光性樹脂３７を完全に除去し、ハ
ードマスク３６０によって保護されていない粘着性フォ
イル３２を選択的にエッチングして、図１０に示すよう
に、フォイル３２に窓３９、３９０を形成する。好まし
くは、粘着性フォイル３２のエッチングは酸素プラズマ
エッチングであり、ウェハー３０の表面に到達したとき
にエッチングを終了する。
ードマスク３６０によって保護されていない粘着性フォ
イル３２を選択的にエッチングして、図１０に示すよう
に、フォイル３２に窓３９、３９０を形成する。好まし
くは、粘着性フォイル３２のエッチングは酸素プラズマ
エッチングであり、ウェハー３０の表面に到達したとき
にエッチングを終了する。
【００２８】粘着性フォイル３２の選択的除去にハード
マスクを使用する理由は、従来のフォトリソグラフィー
技術、すなわち粘着性フォイルの感光性特性を利用する
技術では、十分に小さい幾何形状を規定することが不可
能だからである。しかし明らかに、著しく小さい幾何形
状を規定する必要のない用途では、粘着性フォイル３２
の感光性特性を利用することができ、ハードマスクを使
用する必要がない。
マスクを使用する理由は、従来のフォトリソグラフィー
技術、すなわち粘着性フォイルの感光性特性を利用する
技術では、十分に小さい幾何形状を規定することが不可
能だからである。しかし明らかに、著しく小さい幾何形
状を規定する必要のない用途では、粘着性フォイル３２
の感光性特性を利用することができ、ハードマスクを使
用する必要がない。
【００２９】二酸化珪素またはアルミニウムのハードマ
スク３６０を、次のエッチング、好ましくはＲＩＥ技術
によって完全に除去する（図１１）。
スク３６０を、次のエッチング、好ましくはＲＩＥ技術
によって完全に除去する（図１１）。
【００３０】図１２は、図１１の細部Ａを拡大して示し
ており、粘着フォイル３２に形成された窓３９の１つを
見ることができる。
ており、粘着フォイル３２に形成された窓３９の１つを
見ることができる。
【００３１】クィックアニーリング（「フラッシュアニ
ーリング」）熱処理をして粘着性フォイル３２をリフロ
ーさせた後、絶縁誘電層４０、好ましくは二酸化珪素、
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、またはその他の好適な材料を堆
積する。誘電層４０の堆積は低温で、好ましくは厚みが
約３〜４μｍで、堆積角度が約６０°〜７０°で、ウェ
ハー３０の表面への垂線に対して対称的に行う。その結
果、誘電層４０が窓３９を覆ってマイクロアクチュエー
ター４の空洞（例えば、可動電極９間の空洞）の最上部
を塞ぐが、誘電層４０は空洞には入り込まず、ただ表面
上に留まるだけとなる。このことは重要である。それ
は、もし層４０が深く入り込むようなことがあれば、入
り込んだ材料を除去するのは実際上不可能であるため
に、ローターが塞がれてしまうからである。
ーリング」）熱処理をして粘着性フォイル３２をリフロ
ーさせた後、絶縁誘電層４０、好ましくは二酸化珪素、
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、またはその他の好適な材料を堆
積する。誘電層４０の堆積は低温で、好ましくは厚みが
約３〜４μｍで、堆積角度が約６０°〜７０°で、ウェ
ハー３０の表面への垂線に対して対称的に行う。その結
果、誘電層４０が窓３９を覆ってマイクロアクチュエー
ター４の空洞（例えば、可動電極９間の空洞）の最上部
を塞ぐが、誘電層４０は空洞には入り込まず、ただ表面
上に留まるだけとなる。このことは重要である。それ
は、もし層４０が深く入り込むようなことがあれば、入
り込んだ材料を除去するのは実際上不可能であるため
に、ローターが塞がれてしまうからである。
【００３２】次に、伝導性材料たとえばアルミニウムも
しくは金の層４１、またはアルミニウム層（例えば厚み
が約２μｍ）および金層（例えば厚みが約５００オング
ストローム）を備える多層を堆積する。伝導層４１は低
温、好ましくは９０℃未満でスパッタリングによって堆
積する（図１４）。こうして、３〜４μｍの誘電層４０
と約２μｍの伝導層４１とからなる多層を、粘着性フォ
イル３２上に形成する。この多層は、誘電層４０の存在
によってローターに十分に付着しており、機械的な強度
も高い。
しくは金の層４１、またはアルミニウム層（例えば厚み
が約２μｍ）および金層（例えば厚みが約５００オング
ストローム）を備える多層を堆積する。伝導層４１は低
温、好ましくは９０℃未満でスパッタリングによって堆
積する（図１４）。こうして、３〜４μｍの誘電層４０
と約２μｍの伝導層４１とからなる多層を、粘着性フォ
イル３２上に形成する。この多層は、誘電層４０の存在
によってローターに十分に付着しており、機械的な強度
も高い。
【００３３】その代わりに、伝導性材料層４１を堆積す
る前に、それほどの剛性を必要としない浮遊接続部材を
形成することになる領域で、たとえばスライダを電気的
に接続する浮遊電気伝導体を形成することになる領域
で、誘電層４０を通常のフォトリソグラフィーおよびエ
ッチングプロセスによって粘着性フォイル３２の表面か
ら選択的に除去しても良い（図１５）。しかし、好まし
くは、スライダ用の固定プレート（「キャップ層」）を
形成することになるローターの残りの部分に、誘電層４
１を残す。
る前に、それほどの剛性を必要としない浮遊接続部材を
形成することになる領域で、たとえばスライダを電気的
に接続する浮遊電気伝導体を形成することになる領域
で、誘電層４０を通常のフォトリソグラフィーおよびエ
ッチングプロセスによって粘着性フォイル３２の表面か
ら選択的に除去しても良い（図１５）。しかし、好まし
くは、スライダ用の固定プレート（「キャップ層」）を
形成することになるローターの残りの部分に、誘電層４
１を残す。
【００３４】次に、標準的な感光性樹脂の層を堆積し、
次にマスクを通して露光する。次に、感光性樹脂を現像
する。ローターは粘着性フォイル３２によって、また層
４０および４１によって十分に保護されているため、感
光性樹脂の現像プロセスは現像溶液が浸透する危険を何
らもたらさないことに注意されたい。また粘着性フォイ
ル３２は誘電層４０によっておよび伝導層４１によって
覆われているため、フォイル３２がエッチングされる危
険もない。
次にマスクを通して露光する。次に、感光性樹脂を現像
する。ローターは粘着性フォイル３２によって、また層
４０および４１によって十分に保護されているため、感
光性樹脂の現像プロセスは現像溶液が浸透する危険を何
らもたらさないことに注意されたい。また粘着性フォイ
ル３２は誘電層４０によっておよび伝導層４１によって
覆われているため、フォイル３２がエッチングされる危
険もない。
【００３５】感光性樹脂を現像した後、伝導性材料層４
１を選択的に除去して（図１６）、図１７にも示したよ
うに、スライダの電気端子をはんだ付けするためのロー
ターに固定されたパッド４２Ａと、パッド４２Ａから電
気ワイヤをはんだ付けする固定パッド４２Ｂに至る浮遊
電気伝導体４３と、スライダを配置し固定するキャップ
層４４とを規定する。伝導層４１のエッチングには、最
初にエッチバックして金層を除去すること、次にＲＩＥ
エッチしてアルミニウム層を除去することが含まれる。
誘電層４０も選択的に除去する。アルミニウムのＲＩＥ
エッチングは、粘着性フォイル３２で止める。
１を選択的に除去して（図１６）、図１７にも示したよ
うに、スライダの電気端子をはんだ付けするためのロー
ターに固定されたパッド４２Ａと、パッド４２Ａから電
気ワイヤをはんだ付けする固定パッド４２Ｂに至る浮遊
電気伝導体４３と、スライダを配置し固定するキャップ
層４４とを規定する。伝導層４１のエッチングには、最
初にエッチバックして金層を除去すること、次にＲＩＥ
エッチしてアルミニウム層を除去することが含まれる。
誘電層４０も選択的に除去する。アルミニウムのＲＩＥ
エッチングは、粘着性フォイル３２で止める。
【００３６】次に、伝導層４１を規定するために用いた
感光性樹脂層を、例えば酸素プラズマ中でエッチングし
て除去する。
感光性樹脂層を、例えば酸素プラズマ中でエッチングし
て除去する。
【００３７】これまで説明した工程はすべて、ウェハー
３０を切断して個別のダイにする前に、ウェハー３０全
体の上で行う。
３０を切断して個別のダイにする前に、ウェハー３０全
体の上で行う。
【００３８】この時点で、ウェハー３０の背面にまだ付
着しているガラス土台３６を用いて、ウェハー３０を切
断によって分割して個別のダイにする。ガラス土台３６
は好ましくは、再利用できるように、切断しない。
着しているガラス土台３６を用いて、ウェハー３０を切
断によって分割して個別のダイにする。ガラス土台３６
は好ましくは、再利用できるように、切断しない。
【００３９】次に、ガラス土台３６に紫外線を照射し
て、ウェハー３０に接触しているフィルム３５の粘着層
の光不安定性（photo-lability）によって、ガラス土台
３６を取り外す。これらの作業の間、多数のマイクロア
クチュエーターのローターも、粘着性フォイル３２の存
在によって、機械的に十分な保護およびダイに分割する
間の水分の浸透に対する十分な保護の両方を受ける。
て、ウェハー３０に接触しているフィルム３５の粘着層
の光不安定性（photo-lability）によって、ガラス土台
３６を取り外す。これらの作業の間、多数のマイクロア
クチュエーターのローターも、粘着性フォイル３２の存
在によって、機械的に十分な保護およびダイに分割する
間の水分の浸透に対する十分な保護の両方を受ける。
【００４０】次に図１８に示すように、それぞれのダイ
に対する各スライダ２をマイクロアクチュエーター４上
に載せる。
に対する各スライダ２をマイクロアクチュエーター４上
に載せる。
【００４１】紫外線によって硬化可能な接着剤層４５を
使用する標準的な方法に従って、スライダ２をキャップ
層４４に接着する。この工程の実施は、手動であっても
自動であっても良い。次に、スライダの端子１００を
「ボールボンディング」技術によって、ローターに固定
された浮遊伝導体４３のパッド４２Ａにはんだ付けす
る。次に、電気ワイヤをパッド４２Ｂにはんだ付けす
る。
使用する標準的な方法に従って、スライダ２をキャップ
層４４に接着する。この工程の実施は、手動であっても
自動であっても良い。次に、スライダの端子１００を
「ボールボンディング」技術によって、ローターに固定
された浮遊伝導体４３のパッド４２Ａにはんだ付けす
る。次に、電気ワイヤをパッド４２Ｂにはんだ付けす
る。
【００４２】次に、スライダ２がすでに載置されたダイ
を、この場合も紫外線によって硬化可能な接着剤を用い
て接着することで、図１のジンバル３ａに接着する。最
後に、サスペンションプレート上の電気経路とダイのパ
ッドとを接続する電気ワイヤを、はんだ付けする。
を、この場合も紫外線によって硬化可能な接着剤を用い
て接着することで、図１のジンバル３ａに接着する。最
後に、サスペンションプレート上の電気経路とダイのパ
ッドとを接続する電気ワイヤを、はんだ付けする。
【００４３】上述した方法の代わりとして、マイクロア
クチュエーターを有するダイを、スライダ２を載せる前
にジンバル３ａに接着する。スライダをキャップ層４４
に接着するのは、その後のみである。次にスライダの電
気端子１００をローター上のパッド４２Ａにはんだ付け
して、電気ワイヤをダイのパッドにはんだ付けする。
クチュエーターを有するダイを、スライダ２を載せる前
にジンバル３ａに接着する。スライダをキャップ層４４
に接着するのは、その後のみである。次にスライダの電
気端子１００をローター上のパッド４２Ａにはんだ付け
して、電気ワイヤをダイのパッドにはんだ付けする。
【００４４】上述した２つの技術の代わりとして、ウェ
ハー３０を個別のダイに分割する前にスライダ２を各キ
ャップ層４４へ接着することで、スライダ２を各マイク
ロアクチュエーター上に載せても良い。次に、スライダ
の電気端子１００をローター上のパッド４２Ａへはんだ
付けする。次に、ウェハーを個別のダイに分割して、ユ
ニットをジンバル上に載せる。次に、サスペンションプ
レート上の電気経路へ接続するための電気ワイヤを、ダ
イのパッドにはんだ付けする。
ハー３０を個別のダイに分割する前にスライダ２を各キ
ャップ層４４へ接着することで、スライダ２を各マイク
ロアクチュエーター上に載せても良い。次に、スライダ
の電気端子１００をローター上のパッド４２Ａへはんだ
付けする。次に、ウェハーを個別のダイに分割して、ユ
ニットをジンバル上に載せる。次に、サスペンションプ
レート上の電気経路へ接続するための電気ワイヤを、ダ
イのパッドにはんだ付けする。
【００４５】スライダの、マイクロアクチュエーターを
有するダイ上および各ジンバル上への載置を完了したら
すぐに、粘着性フォイル３２を除去してマイクロアクチ
ュエーターのローターを自由にする。この目的のため
に、濃度が約１．５重量％のＮａＯＨ溶液を用いて、ジ
ンバルを溶液中に数分間漬けても良い。次に、アセンブ
リーを水ですすぎ、次にアルコールを添加した水ですす
いで、最後に真空中で約１２０℃の温度で乾燥させる。
有するダイ上および各ジンバル上への載置を完了したら
すぐに、粘着性フォイル３２を除去してマイクロアクチ
ュエーターのローターを自由にする。この目的のため
に、濃度が約１．５重量％のＮａＯＨ溶液を用いて、ジ
ンバルを溶液中に数分間漬けても良い。次に、アセンブ
リーを水ですすぎ、次にアルコールを添加した水ですす
いで、最後に真空中で約１２０℃の温度で乾燥させる。
【００４６】その代わりに、粘着性フォイル３２を、酸
素プラズマ中でエッチングして除去しても良い。この方
法は、上述した技術の乾燥段階の間に起こり得る「ステ
ィクション」効果によって生じる損傷を低減する利点を
有する。
素プラズマ中でエッチングして除去しても良い。この方
法は、上述した技術の乾燥段階の間に起こり得る「ステ
ィクション」効果によって生じる損傷を低減する利点を
有する。
【００４７】こうして図１９の構造が得られる。キャッ
プ層４４がローターの上方に浮遊するとともにローター
に１０１の個所で固定されている。伝導体４３が、マイ
クロアクチュエーターのローターと静止部分との間に浮
遊するとともに、ローターにパッド４２Ａの領域で、ま
た静止部分にパッド４２Ｂの領域で固定されている。
プ層４４がローターの上方に浮遊するとともにローター
に１０１の個所で固定されている。伝導体４３が、マイ
クロアクチュエーターのローターと静止部分との間に浮
遊するとともに、ローターにパッド４２Ａの領域で、ま
た静止部分にパッド４２Ｂの領域で固定されている。
【００４８】浮遊する伝導体４３によって、スライダを
その動きを妨げることなく電気的に接続することが可能
になるが、それは伝導体４３が柔軟であるからである。
その動きを妨げることなく電気的に接続することが可能
になるが、それは伝導体４３が柔軟であるからである。
【００４９】図２０は、組み立てられた構造を示す不等
角投影図である。
角投影図である。
【００５０】本発明に係る方法は、以下のような際立っ
た特徴を有する。すなわち、粘着性フォイルを犠牲材料
として使用して、浮遊した電気的接続部材を形成してい
る。また粘着性フォイルを、既に作製されたマイクロア
クチュエーターへ乾燥した状態で、従って感光性樹脂が
マイクロアクチュエーターまたはより一般的にマイクロ
メカニズムの空洞内に入り込むことになる液相の感光性
樹脂を堆積させるプロセスを用いることなく、付着させ
ることができる。
た特徴を有する。すなわち、粘着性フォイルを犠牲材料
として使用して、浮遊した電気的接続部材を形成してい
る。また粘着性フォイルを、既に作製されたマイクロア
クチュエーターへ乾燥した状態で、従って感光性樹脂が
マイクロアクチュエーターまたはより一般的にマイクロ
メカニズムの空洞内に入り込むことになる液相の感光性
樹脂を堆積させるプロセスを用いることなく、付着させ
ることができる。
【００５１】さらなる利点は、粘着性フォイルを酸素プ
ラズマ中でのエッチングによって除去して、一般に「ス
ティクション」として知られる現象に起因するマイクロ
アクチュエーターおよびマイクロメカニズムへの損傷の
可能性を低減できるということである。
ラズマ中でのエッチングによって除去して、一般に「ス
ティクション」として知られる現象に起因するマイクロ
アクチュエーターおよびマイクロメカニズムへの損傷の
可能性を低減できるということである。
【００５２】上述した方法の他の利点は、マイクロアク
チュエーターおよびスライダから構成されるユニットを
ジンバルへ載置することが、通常の組み立て、はんだ付
け、および試験技術と十分に相容れるということであ
る。すなわち、ハードディスク製造業者は、通常使用し
ている技術をマイクロアクチュエーターの存在に適応さ
せるためにその技術を変更するという必要性がない。
チュエーターおよびスライダから構成されるユニットを
ジンバルへ載置することが、通常の組み立て、はんだ付
け、および試験技術と十分に相容れるということであ
る。すなわち、ハードディスク製造業者は、通常使用し
ている技術をマイクロアクチュエーターの存在に適応さ
せるためにその技術を変更するという必要性がない。
【００５３】明らかに、変形および／または付加を、上
で説明し例証した態様に用いても良い。
で説明し例証した態様に用いても良い。
【図１】ミクロンオーダーで作動するハードディスクの
読み出し／書き込みユニットの詳細を示す分解組立図。
読み出し／書き込みユニットの詳細を示す分解組立図。
【図２】図１のユニットのためのマイクロアクチュエー
ターを示す概略平面図。
ターを示す概略平面図。
【図３】複数のマイクロアクチュエーターが形成される
半導体ウェハーを示す透視図。
半導体ウェハーを示す透視図。
【図４】読み出し／書き込みトランスデューサーを図２
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
【図５】読み出し／書き込みトランスデューサーを図２
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
【図６】読み出し／書き込みトランスデューサーを図２
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
【図７】読み出し／書き込みトランスデューサーを図２
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
【図８】読み出し／書き込みトランスデューサーを図２
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
【図９】読み出し／書き込みトランスデューサーを図２
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
【図１０】読み出し／書き込みトランスデューサーを図
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
【図１１】読み出し／書き込みトランスデューサーを図
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
【図１２】読み出し／書き込みトランスデューサーを図
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
【図１３】読み出し／書き込みトランスデューサーを図
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
【図１４】読み出し／書き込みトランスデューサーを図
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
【図１５】読み出し／書き込みトランスデューサーを図
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
【図１６】読み出し／書き込みトランスデューサーを図
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
【図１７】読み出し／書き込みトランスデューサーを図
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
【図１８】読み出し／書き込みトランスデューサーを図
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
２に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
【図１９】各マイクロアクチュエーター上に配置された
読み出し／書き込みトランスデューサーの一例を示す断
面図。
読み出し／書き込みトランスデューサーの一例を示す断
面図。
【図２０】各サスペンション部材に配置された読み出し
／書き込みトランスデューサーと各マイクロアクチュエ
ーターとの一例を示す不等角投影図。
／書き込みトランスデューサーと各マイクロアクチュエ
ーターとの一例を示す不等角投影図。
１…サスペンションプレート
２…スライダ
３…ジンバル
４…ロータリーマイクロアクチュエーター
５…ステーター
６…ローター
７…浮遊体部
８…可動アーム
９…可動電極
１０…環状スロット
１１…スプリング
１２…ピラー
１３…第１固定アーム
１４…第２固定アーム
１５…第１固定領域
１６…固定電極
１７…第２固定領域
２０…供給ロール
２０Ｂ…収集ロール
２１…粘着面
１０３…サポート面
２２…エアーフロー
２３…酸素プラズマエッチング
２４…Ｎ＋領域
２５…ｐ型シリコン層
２６…駆動回路
３６０…ハードマスク用材料層
３０…シリコンウェハー
３１…ダイ部分
３２…粘着性フォイル
３３…プレッシャーローラー
３４…カッティングブレード
３５…両面粘着性フィルム
３６…土台
３７…感光性樹脂
３８、３９、３８０、３９０…窓
４０…絶縁誘電層
４１…伝導層
４２ａ、４２ｂ…パッド
４３…浮遊電気伝導体
４４…キャップ層
４５…接着剤層
１００…スライダの端子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ベネデット・ヴィーニャ
イタリア国、85100 ポテンツァ、ビ
ア・アンツィオ、20
(72)発明者 ウバルド・マストロマッテオ
イタリア国、20010 コルナレド、ビ
ア・ブレラ、18／シー
(56)参考文献 特開 平７−167885（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−140368（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−92687（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−151998（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−207962（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−86392（ＪＰ，Ａ)
米国特許5454158（ＵＳ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B81C 1/00 - 5/00
B81B 1/00 - 7/00
G11B 21/10
G03F 7/00
Claims (13)
- 【請求項１】 マイクロメカニズムの互いに対して移動
可能な２つの部分の間を電気的に接続する浮遊部材の製
造方法であって、 犠牲材料層を形成する工程と、犠牲材料層上に電気的接
続部材を形成する工程と、電気的接続部材の下の犠牲材
料層を除去する工程とを含み、 犠牲材料層は、下の層の空洞部分に入ることなく、マイ
クロメカニズムの表面に乾燥した状態で付着する少なく
とも１つの粘着面を有する薄いフィルムであり、前記薄
いフィルムはマイクロメカニズムを不動にする構造とし
ても作用することを特徴とする方法。 - 【請求項２】 薄いフィルムを、複数のマイクロメカニ
ズムが形成された半導体ウェハーの前面に付着させるこ
とを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 薄いフィルムは、感光性樹脂のフィルム
であることを特徴とする請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 薄いフィルムは、ＲＩＳＴＯＮRの名前
で商業的に知られるタイプであることを特徴とする請求
項３記載の方法。 - 【請求項５】 電気的接続部材を形成した後、薄いフィ
ルムを酸素プラズマエッチングによって除去することを
特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載の方法。 - 【請求項６】 電気的接続部材を形成した後、薄いフィ
ルムをＮａＯＨ溶液へ浸けて除去することを特徴とする
請求項１ないし４いずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】 マイクロメカニズムは、ハードディスク
読み出し／書き込みユニットにおける読み出し／書き込
みトランスデューサーの微細位置決めに用いるタイプの
静電マイクロアクチュエーターであることを特徴とする
請求項１ないし６いずれか１項記載の方法。 - 【請求項８】 薄いフィルムを付着させた後に、 薄いフィルムを選択的に除去して、電気的接続部材をマ
イクロアクチュエーターの固定部分と可動部分とに固定
するための領域を開口する工程と、読み出し／書き込み
トランスデューサーをマイクロアクチュエーターの可動
部分に接続するプレートを固定するための少なくとも１
つの領域を開口する工程とを具備し、 選択的な除去は、固定する領域の部分に開口部を有する
「ハードマスク」を薄いフィルム上に形成する工程と、
薄いフィルムを選択的にエッチングする工程とを備える
ことを特徴とする請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 「ハードマスク」の形成は、二酸化珪素
またはアルミニウム層を薄いフィルム上に低温で堆積さ
せることを含み、二酸化珪素またはアルミニウム層の選
択的な除去はフォトリソグラフィー技術によって行うこ
とを特徴とする請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 電気的接続部材を規定した後に、半導
体ウェハーを切断によって分割して、それぞれが各マイ
クロアクチュエーターを含む個別のダイにする工程を含
むことを特徴とする請求項９記載の方法。 - 【請求項１１】 各読み出し／書き込みトランスデュー
サーをそれぞれのダイに載置することを特徴とする請求
項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 電気的接続部材を規定した後に、 各読み出し／書き込みトランスデューサーを各マイクロ
アクチュエーター上に接着する工程と、トランスデュー
サーの端子を各マイクロアクチュエーターの電気的接続
部材にはんだ付けする工程と、トランスデューサーが載
置された半導体ウェハーを切断によって分割して複数の
個別のダイにする工程とを含むことを特徴とする請求項
９記載の方法。 - 【請求項１３】 次に薄いフィルムを除去する工程を含
むことを特徴とする請求項１１または１２記載の方法。
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-
2000
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- 2000-09-29 US US09/676,017 patent/US6779247B1/en not_active Expired - Lifetime
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