JP3515503B2 - Method of manufacturing a floating member for electrically connecting two movable parts of a micromechanism with respect to each other - Google Patents

Method of manufacturing a floating member for electrically connecting two movable parts of a micromechanism with respect to each other

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JP3515503B2
JP3515503B2 JP2000276846A JP2000276846A JP3515503B2 JP 3515503 B2 JP3515503 B2 JP 3515503B2 JP 2000276846 A JP2000276846 A JP 2000276846A JP 2000276846 A JP2000276846 A JP 2000276846A JP 3515503 B2 JP3515503 B2 JP 3515503B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、一般にマイクロメ
カニクスの分野、特にマイクロアクチュエーターの分野
に関し、詳細には(しかしこれに限定されないが)ハー
ドディスクの読み出し/書き込みユニットの読み出し/
書き込みヘッドの微細な位置決めに用いるマイクロアク
チュエーターに関する。より具体的には、本発明はマイ
クロメカニズムの互いに対して移動可能な2つの部分を
電気的に接続するための、例えばマイクロアクチュエー
ターのローターに固定された読み出し/書き込みヘッド
とマイクロアクチュエーターの静止部分とを電気的に接
続するための、浮遊部材の製造方法に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates generally to the field of micromechanics, and in particular to the field of microactuators, and more particularly (but not exclusively) to read / write units of hard disk read / write units.
The present invention relates to a micro actuator used for fine positioning of a writing head. More specifically, the invention relates to a read / write head fixed to the rotor of a microactuator and a stationary part of the microactuator for electrically connecting two parts of the micromechanism which are movable relative to each other. The present invention relates to a method of manufacturing a floating member, for electrically connecting a floating member.

【0002】[0002]

【従来の技術】既知のハードディスクの読み出し/書き
込みユニットは、電気モーターによって回転するサポー
トボディ(「Eブロック」と呼ばれる)を備える。サポ
ートボディは複数のアームを有し、各アームは片持ちさ
れた(cantilevered)プレートによって形成されるサス
ペンション部材を備える。プレートの自由端は、カップ
リング(「ジンバル」)を介して、ハードディスクの表
面に面する読み出し/書き込みトランスデューサー(ヘ
ッドまたは「スライダ」)を備える。スライダは、半導
体ウェハーを微細加工して作製されたマイクロアクチュ
エーターを介して、ジンバルに連結され得る。
2. Description of the Related Art The read / write unit of a known hard disk comprises a support body (called an "E block") which is rotated by an electric motor. The support body has a plurality of arms, each arm comprising a suspension member formed by a cantilevered plate. The free end of the plate comprises a read / write transducer (head or "slider") that faces the surface of the hard disk via a coupling ("gimbal"). The slider can be connected to the gimbal through a microactuator manufactured by microfabrication of a semiconductor wafer.

【0003】これらの読み出し/書き込みユニットは、
サポートボディに作用するモーターによって最初に位置
決めした後、スライダ上のマイクロアクチュエーターの
動作によって微細な位置決めを可能にすることで、ハー
ドディスク上のトラック密度の増加を可能にしている。
These read / write units are
After the initial positioning by the motor acting on the support body, the fine positioning is enabled by the operation of the microactuator on the slider, which enables an increase in the track density on the hard disk.

【0004】しかし、スライダをマイクロアクチュエー
ターのローターに固定すること、およびスライダの電気
端子(少なくとも4つあり、2つは読み出し用、2つは
書き込み用である)をスライダの動きを妨害することな
く電気的に接続することに、問題が生じている。
However, fixing the slider to the rotor of the microactuator, and connecting the electrical terminals of the slider (at least four, two for reading and two for writing) without disturbing the movement of the slider. There are problems with making electrical connections.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術を考
慮して、本発明の目的は、マイクロメカニズムの互いに
対して移動可能な2つの部分の間を電気的に接続する浮
遊部材の製造方法を提供することである。
In view of the above-mentioned prior art, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a floating member for electrically connecting between two parts of a micromechanism which are movable relative to each other. Is to provide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的は、マイクロメカニズムの互いに対して移動可能な2
つの部分の間を電気的に接続する浮遊部材(suspended
elements)の製造方法であって、犠牲材料層を形成する
工程と、犠牲材料層上に電気的接続部材を形成する工程
と、電気的接続部材の下の犠牲材料層を除去する工程と
を含み、犠牲材料層は、下の層の空洞部分に入ることな
く、マイクロメカニズムの表面に乾燥した状態で付着
少なくとも1つの粘着面を有する薄いフィルムであ
り、前記薄いフィルムはマイクロメカニズムを不動にす
る構造としても作用することを特徴とする方法によって
達成される。
According to the invention, the object is to provide two movable micromechanics with respect to each other.
Suspended member that electrically connects two parts (suspended
and a step of forming a sacrificial material layer, a step of forming an electrical connection member on the sacrificial material layer, and a step of removing the sacrificial material layer below the electrical connection member. , The sacrificial material layer should not enter the cavity of the underlying layer.
Attached to the surface of the micromechanism in a dry state .
Thin film Der having at least one adhesive surface that
The thin film immobilizes the micromechanism
It is achieved by a method characterized in that it also acts as a structure .

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】本発明の特徴および利点は、その
実際の態様についての以下の詳細な説明によって、より
明瞭になる。態様は、添付図面中の本発明を何ら限定し
ない実施例によって例示されているだけである。
The features and advantages of the invention will become more apparent from the following detailed description of its practical embodiments. Aspects are only illustrated by the examples in the accompanying drawings, which do not limit the invention in any way.

【0008】図1に示すのは、ハードディスク読み出し
/書き込みトランスデューサー(ヘッドまたは「スライ
ダ」)2用のサスペンションプレート1の先端部の詳細
である。サスペンションプレート1は、「E」形状の支
持部材(「Eブロック」)の各アーム(図示せず)によ
って既知の方法で支持されており、支持部材は電気モー
ター(「ボイスコイルモーター」)(やはり図示せず)
によって回転する。スライダ2は、カップリング3
(「ジンバル」と呼ばれる)を介してサスペンションプ
レート1に固定されている。カップリング3は、一般に
サスペンションプレートによって形成され、例えば、サ
スペンションプレートから三と半分の辺で切断された小
さな矩形状プレート3aによって構成されている。サス
ペンションプレート1に接続する部分3bによって、小
プレート3aがスライダ2の重さの作用で曲がることが
できるようになっている。スライダ2とカップリング3
との間に配置されるロータリーマイクロアクチュエータ
ー4も、概略的に示す。マイクロアクチュエーター4
は、電子制御ユニットによって操作されて、ハードディ
スクのトラック上でのスライダの微細な位置決めを可能
にしており、ボイスコイルモーターによって生じた位置
決め誤差を修正する。
Shown in FIG. 1 are details of the tip of a suspension plate 1 for a hard disk read / write transducer (head or "slider") 2. The suspension plate 1 is supported in a known manner by each arm (not shown) of an "E" shaped support member ("E block"), which support member is an electric motor ("voice coil motor") (also (Not shown)
To rotate by. The slider 2 has a coupling 3
It is fixed to the suspension plate 1 via (called “gimbal”). The coupling 3 is generally formed by a suspension plate, for example, a small rectangular plate 3a cut from the suspension plate at three and half sides. The portion 3b connected to the suspension plate 1 allows the small plate 3a to bend under the action of the weight of the slider 2. Slider 2 and coupling 3
The rotary microactuator 4 arranged between and is also shown schematically. Micro actuator 4
Is operated by an electronic control unit to enable fine positioning of the slider on the track of the hard disk and to correct the positioning error caused by the voice coil motor.

【0009】マイクロアクチュエーター4は、例えば出
願人の欧州特許出願EP0913921に記載されたタイプであ
り、すなわち例えばこの欧州特許出願に記載された方法
によって半導体チップ内にポリシリコンから作製され
る。
The microactuator 4 is, for example, of the type described in the applicant's European patent application EP0913921, ie it is made, for example, from polysilicon in a semiconductor chip by the method described in this European patent application.

【0010】図2は、マイクロアクチュエーター4を示
す概略平面図である。外側のステーター5と内側のロー
ター6とが見える。ステーター5は、マイクロアクチュ
エーター4が形成される半導体チップに含まれる他の構
成部材とともに、ジンバル3の小プレート3aに動かな
いように接続する。ローター6は、ステーターと容量結
合しており、後に詳述する方法によってスライダ2に固
定する。
FIG. 2 is a schematic plan view showing the microactuator 4. The outer stator 5 and the inner rotor 6 are visible. The stator 5 is fixedly connected to the small plate 3a of the gimbal 3 together with other constituent members included in the semiconductor chip on which the microactuator 4 is formed. The rotor 6 is capacitively coupled to the stator, and is fixed to the slider 2 by a method described later in detail.

【0011】ローター6は、実質的に環状の浮遊体部
(suspended mass)7と、やはり浮遊していて浮遊体部
7から外側に放射状に広がる複数の可動アーム8とを備
える。可動アーム8はそれぞれ、可動アーム8の両側に
可動アーム8と実質的に垂直に延びる複数の可動電極9
を備える。
The rotor 6 comprises a substantially annular suspended mass 7 and a plurality of movable arms 8 which are also floating and spread radially outward from the floating mass 7. Each of the movable arms 8 has a plurality of movable electrodes 9 extending on both sides of the movable arm 8 substantially perpendicular to the movable arms 8.
Equipped with.

【0012】浮遊体部7は、浮遊体部7の内側の境界か
ら放射状に延びる4つの環状のスロット10を有する。
スロット10内では、スプリングとして知られる4つの
弾力性サスペンションおよび固定用部材11が延びてい
て、浮遊体部7を弾力的および電気的に、浮遊体部7と
同心だが固定されている固定用ピラー12に接続してい
る。ピラー12、スプリング11、浮遊体部7、可動ア
ーム8、および可動電極9は、高導電性になるように適
切にドープされたエピタキシャルポリシリコンから作製
される。ピラー12によって、ローター6の可動電極9
に、埋め込まれた導電性領域(図2では見えない)を通
じて極性が付与されている。
The floating body portion 7 has four annular slots 10 extending radially from the inner boundary of the floating body portion 7.
Within the slot 10, four resilient suspensions known as springs and fixing members 11 extend to elastically and electrically secure the floating body part 7 concentric with the floating body part 7 but fixed thereto. It is connected to 12. The pillar 12, the spring 11, the floating body part 7, the movable arm 8 and the movable electrode 9 are made of epitaxial polysilicon appropriately doped so as to be highly conductive. By the pillar 12, the movable electrode 9 of the rotor 6
Are polarized through embedded conductive regions (not visible in FIG. 2).

【0013】ステーター5は、複数の第1固定アーム1
3と複数の第2固定アーム14とを備える。第1固定ア
ーム13はそれぞれ、各可動アーム8の左側で各第1固
定領域15から半径方向に延びている。固定領域15
は、ローター6の周囲に配置されており、埋め込まれた
または表面の接続部(図示せず)によって互いに電気的
に接続されて、第1固定アーム13に第1の電圧の極性
を付与している。第2固定アーム14は、各可動アーム
8の右側において、マイクロアクチュエーター2の外部
を規定する1つの環状の第2固定領域17から半径方向
に延びている。
The stator 5 comprises a plurality of first fixed arms 1
3 and a plurality of second fixed arms 14. Each first fixed arm 13 extends radially from each first fixed region 15 on the left side of each movable arm 8. Fixed area 15
Are arranged around the rotor 6 and are electrically connected to each other by an embedded or surface connection (not shown) to apply a first voltage polarity to the first fixed arm 13. There is. The second fixed arm 14 extends in the radial direction from the one annular second fixed region 17 defining the outside of the microactuator 2 on the right side of each movable arm 8.

【0014】第1および第2固定アーム13、14はそ
れぞれ、複数の固定電極16を備え、固定電極16は各
固定アーム13、14に実質的に垂直な方向に各可動ア
ーム8に向かって延びている。特に、固定電極16は可
動電極9と櫛形構造をなし、既知の仕方によって、互い
に並列に配列された複数のコンデンサーを形成してい
る。第1および第2固定アーム13、14、固定電極1
6、ならびに領域15および17も、ドープされたエピ
タキシャルポリシリコンから作製される。
The first and second fixed arms 13 and 14 each include a plurality of fixed electrodes 16, and the fixed electrodes 16 extend toward each movable arm 8 in a direction substantially perpendicular to each fixed arm 13 and 14. ing. In particular, the fixed electrode 16 has a comb structure with the movable electrode 9 and forms a plurality of capacitors arranged in parallel with each other by a known method. First and second fixed arms 13 and 14, fixed electrode 1
6, as well as regions 15 and 17, are also made of doped epitaxial polysilicon.

【0015】適切な電位差を、固定電極13および14
ならびに可動電極8の間に印加すると、容量結合のため
に各可動電極8が、電位差がより小さい各アーム13、
14から電極8を遠ざけて電位差がより大きい他のアー
ム14、13の方へ動かす傾向の横方向の力を受ける。
その結果、浮遊体部7の回転が起こって、スプリング1
1の弾性的な変形が生じる。
An appropriate potential difference is applied to the fixed electrodes 13 and 14
When applied between the movable electrodes 8, the movable electrodes 8 are moved to the arms 13 having a smaller potential difference due to capacitive coupling.
Subjected to a lateral force that tends to move the electrode 8 away from 14 and towards the other arm 14, 13 with the larger potential difference.
As a result, the rotation of the floating body portion 7 occurs and the spring 1
Elastic deformation of 1 occurs.

【0016】図3は、上述したタイプの複数のマイクロ
アクチュエーターを形成し各制御用集積回路を組み込む
ために必要な既知の処理工程が完了したシリコンウェハ
ー30を、概略的に示す透視図である。各マイクロアク
チュエーターは、各集積回路とともに、切断によって、
「ダイ」となるウェハーの各部分31に形成されてい
る。
FIG. 3 is a perspective view schematically showing a silicon wafer 30 which has undergone the known process steps necessary to form a plurality of microactuators of the type described above and to incorporate each control integrated circuit. Each microactuator, along with each integrated circuit, is cut
It is formed on each portion 31 of the wafer that becomes the "die".

【0017】マイクロアクチュエーターおよび各集積回
路に、電気的な信頼性検査および試験を施した後、図4
(A)〜4(C)に示すように、薄い粘着性フィルム
(「粘着性フォイル(sticky foil)」)32、例えばR
ISTONRとして知られるデュポンの製品ラインの一部を構
成する感光性樹脂を、ウェハー30の前面に、液相の物
質を用いた処理を必要とせずに乾燥した状態で(dry)
広げる。この薄いフィルムは、供給ロール20に巻かれ
ていて、供給ロール20と収集ロール20Bとの間に広
げられ、粘着面21を有している。半導体ウェハー30
を、垂直に移動可能なサポート面103の上に載せる
(図4(A))。図4(B)に示したように、サポート
面103が上昇すると、半導体ウェハー30の前面が薄
いフィルム32の粘着面21と接触する。操作は、好ま
しくは110〜120℃の温度で行い、フィルム32を
高温のエアーフロー22によって加熱して、フィルム3
2をプレッシャーローラー33によってウェハー30の
前面に粘着させる。次に、図4(C)に示したように、
カッティングブレード34によってウェハーの周囲に沿
ってフィルム32を切断し、ウェハー30の前面に粘着
したフィルム32の部分を切り離す。薄いフィルム32
は、ウェハーの前面のトポグラフィには従わない、すな
わち、その下の層の空洞部分には入って行かない。
After the microactuator and each integrated circuit have been electrically tested and tested for reliability, FIG.
As shown in (A) -4 (C), a thin sticky film (“sticky foil”) 32, eg R
The photosensitive resin, which forms part of DuPont's product line known as ISTON R , is dried on the front surface of the wafer 30 without the need for treatment with liquid phase substances.
spread. This thin film is wound around a supply roll 20 and is spread between the supply roll 20 and the collecting roll 20B and has an adhesive surface 21. Semiconductor wafer 30
Is placed on the vertically movable support surface 103 (FIG. 4A). As shown in FIG. 4B, when the support surface 103 rises, the front surface of the semiconductor wafer 30 comes into contact with the adhesive surface 21 of the thin film 32. The operation is preferably carried out at a temperature of 110 to 120 ° C., and the film 32 is heated by the high temperature air flow 22 to obtain the film 3
2 is adhered to the front surface of the wafer 30 by the pressure roller 33. Next, as shown in FIG.
The film 32 is cut along the periphery of the wafer by the cutting blade 34, and the portion of the film 32 adhered to the front surface of the wafer 30 is cut off. Thin film 32
Does not follow the topography of the front side of the wafer, ie it does not enter the cavity of the layer below it.

【0018】ウェハー30の背面を研磨(lapping)し
てウェハー30の基板の厚みを減らし、厚みを例えば約
100μmの値にする。こうすることで、マイクロアク
チュエーターをスライダ2とジンバル3との間に挿入す
ることができる。
The back surface of the wafer 30 is lapped to reduce the thickness of the substrate of the wafer 30 to a thickness of, for example, about 100 μm. By doing so, the microactuator can be inserted between the slider 2 and the gimbal 3.

【0019】次に、両面とも粘着性である粘着性フィル
ム(粘着性フォイル)35(図5)を、ウェハーの背面
にやはり乾燥した状態で広げる。ウェハーの背面と接触
して配置されるフィルムの粘着層は光に対して不安定
(photo-labile)である。両面粘着性フィルムは、例え
ばウェハーを切断してダイにする間に普通使用される材
料のフィルムであっても良い。両面粘着性フィルムを付
着させる方法は、薄いフィルム32を付着させるために
説明した方法と実質的に同様である。
Next, an adhesive film (adhesive foil) 35 (FIG. 5), which is adhesive on both sides, is spread on the back side of the wafer also in the dry state. The adhesive layer of the film placed in contact with the backside of the wafer is photo-labile. The double-sided tacky film may be, for example, a film of a material commonly used during the cutting of wafers into dies. The method of applying the double-sided adhesive film is substantially similar to the method described for applying the thin film 32.

【0020】次に、ウェハー30の次の処理のための土
台36を、両面粘着性フォイル35の露出する面に付着
させる。土台36は、好ましくは1片の透明材料たとえ
ばガラスである(図5)。土台36の厚みは、ウェハー
30、両面粘着性フォイル35、および土台36から構
成されるサンドウィッチの標準的な処理を可能とするよ
うなものである。好適な土台は、例えば厚みが約500
μmの1枚のガラスから構成される。
Next, a base 36 for subsequent processing of the wafer 30 is attached to the exposed surface of the double-sided adhesive foil 35. The base 36 is preferably a piece of transparent material such as glass (FIG. 5). The thickness of base 36 is such as to allow standard processing of a sandwich composed of wafer 30, double-sided adhesive foil 35, and base 36. A suitable base, for example, has a thickness of about 500
It is composed of one glass of μm.

【0021】随意に、酸素プラズマエッチング(図5に
23として概略的に示す)を行ってウェハー30の前面
の粘着性フォイル32の厚みを減らし、約15μmから
約5〜8μmにしても良い。酸素プラズマエッチング
は、ウェハー30を通常の「ストリッパー」内に置いて
行っても良い。
Optionally, oxygen plasma etching (shown schematically as 23 in FIG. 5) may be performed to reduce the thickness of the adhesive foil 32 on the front side of the wafer 30, from about 15 μm to about 5-8 μm. Oxygen plasma etching may be performed with the wafer 30 in a conventional "stripper".

【0022】図6の断面図は、図2のマイクロアクチュ
エーターの直径方向の平面VI−VIの断面を概略的に
示している。p型のシリコン層25内に形成され、ポリ
シリコンピラー12に接触してローター6に極性を付与
している埋め込まれたN領域24が見られる。埋め込
まれたN領域24は、マイクロアクチュエーターを形
成するポリシリコンをエピタキシャル成長させる前にN
ドーピングして形成する。マイクロアクチュエーター
4の駆動回路が、マイクロアクチュエーター4の周囲で
p型層25内に組み込まれており、これを符号26で概
略的に示す。粘着性フォイル32がローター6を覆っ
て、構造の空洞部分に入り込むことなくローター6を不
動にしていることに注意することは重要である。
The cross-sectional view of FIG. 6 schematically shows a cross-section of the diametrical plane VI-VI of the microactuator of FIG. There is a buried N + region 24 formed in the p-type silicon layer 25 that contacts the polysilicon pillar 12 and polarizes the rotor 6. The buried N + regions 24 are formed before the epitaxial growth of the polysilicon forming the microactuator.
+ Formed by doping. The drive circuit of the microactuator 4 is integrated in the p-type layer 25 around the microactuator 4, which is indicated schematically by 26. It is important to note that the adhesive foil 32 covers the rotor 6 and immobilizes the rotor 6 without entering the cavity of the structure.

【0023】粘着性フォイル32上へのマスク(「ハー
ドマスク」)の形成を、最終的な形状を規定する次のエ
ッチングたとえばO2プラズマ中のRIEエッチングに
対して高い選択性を有する材料からなる層360を堆積
(「スパッタリング」)させて行う。堆積は、冷間すな
わちどのような場合でも粘着性フォイル32と相容れる
十分に低い温度で行う。この層360は、例えば厚みが
約2μmの例えば二酸化珪素またはアルミニウムであっ
ても良い(図6)。
The formation of the mask ("hard mask") on the adhesive foil 32 is made of a material which has a high selectivity for the next etching defining the final shape, for example RIE etching in O 2 plasma. This is done by depositing (“sputtering”) layer 360. The deposition is cold, i.e., at any temperature low enough to be compatible with the tacky foil 32 in any case. This layer 360 may be, for example, silicon dioxide or aluminum with a thickness of about 2 μm (FIG. 6).

【0024】次に、標準的な感光性樹脂層37を層36
0の上に、例えば通常の「スピンコーティング」プロセ
スによって堆積させる(図7)。
Next, a standard photosensitive resin layer 37 is applied to layer 36.
0, for example by the usual "spin coating" process (FIG. 7).

【0025】感光性樹脂層37を通常のマスクを用いて
選択的に露光し、次に露光した層37を現像して標準的
なプロセスによって選択的に除去して、スライダを電気
的に接続する浮遊導体を固定する領域となる窓38と、
スライダの固定プレート(「キャップ層」)を固定する
領域が形成されるローター上方の窓380とを開口させ
る(図8)。感光性樹脂37を現像する間、ローターの
空洞(可動電極9の間、これらと固定電極16との間、
および可動アーム8と固定アーム13、14との間の空
洞)内への液体の浸透が全く無く、その理由はこの段階
ではローター6が粘着性フォイル32によって完全に覆
われて保護されているためであることに注意することは
重要である。
The photosensitive resin layer 37 is selectively exposed using a conventional mask, and then the exposed layer 37 is developed and selectively removed by a standard process to electrically connect the slider. A window 38 serving as a region for fixing the floating conductor,
A window 380 above the rotor in which a region for fixing the fixing plate (“cap layer”) of the slider is formed is opened (FIG. 8). During development of the photosensitive resin 37, cavities of the rotor (between the movable electrodes 9, between these and the fixed electrode 16,
And there is no liquid penetration into the cavity between the movable arm 8 and the fixed arms 13, 14, since at this stage the rotor 6 is completely covered and protected by the adhesive foil 32. It is important to note that

【0026】次に、二酸化珪素またはアルミニウム層3
60を、好ましくはRIE技術によって、選択的にエッ
チングして、前に感光性樹脂層37に形成された窓3
8、380の領域で除去する(図9)。このエッチング
の結果、ハードマスクは粘着性フォイル32上に残り、
感光性樹脂層37による保護のために除去されていない
層360の部分によって構成される。
Next, the silicon dioxide or aluminum layer 3
60 are selectively etched, preferably by the RIE technique, to form the window 3 previously formed in the photosensitive resin layer 37.
It is removed in the area of 8,380 (FIG. 9). As a result of this etching, the hard mask remains on the adhesive foil 32,
It is constituted by the part of the layer 360 that has not been removed for protection by the photosensitive resin layer 37.

【0027】次に、感光性樹脂37を完全に除去し、ハ
ードマスク360によって保護されていない粘着性フォ
イル32を選択的にエッチングして、図10に示すよう
に、フォイル32に窓39、390を形成する。好まし
くは、粘着性フォイル32のエッチングは酸素プラズマ
エッチングであり、ウェハー30の表面に到達したとき
にエッチングを終了する。
Next, the photosensitive resin 37 is completely removed, and the adhesive foil 32 which is not protected by the hard mask 360 is selectively etched to form windows 39, 390 in the foil 32 as shown in FIG. To form. Preferably, the etching of the adhesive foil 32 is an oxygen plasma etching, ending the etching when it reaches the surface of the wafer 30.

【0028】粘着性フォイル32の選択的除去にハード
マスクを使用する理由は、従来のフォトリソグラフィー
技術、すなわち粘着性フォイルの感光性特性を利用する
技術では、十分に小さい幾何形状を規定することが不可
能だからである。しかし明らかに、著しく小さい幾何形
状を規定する必要のない用途では、粘着性フォイル32
の感光性特性を利用することができ、ハードマスクを使
用する必要がない。
The reason for using a hard mask to selectively remove the adhesive foil 32 is that conventional photolithographic techniques, that is, techniques that utilize the photosensitive properties of the adhesive foil, define sufficiently small geometries. Because it is impossible. Clearly, however, in applications where it is not necessary to define a significantly smaller geometry, the adhesive foil 32
The photosensitivity property of is available and there is no need to use a hard mask.

【0029】二酸化珪素またはアルミニウムのハードマ
スク360を、次のエッチング、好ましくはRIE技術
によって完全に除去する(図11)。
The silicon dioxide or aluminum hard mask 360 is completely removed by a subsequent etch, preferably a RIE technique (FIG. 11).

【0030】図12は、図11の細部Aを拡大して示し
ており、粘着フォイル32に形成された窓39の1つを
見ることができる。
FIG. 12 shows an enlarged detail A of FIG. 11 in which one of the windows 39 formed in the adhesive foil 32 can be seen.

【0031】クィックアニーリング(「フラッシュアニ
ーリング」)熱処理をして粘着性フォイル32をリフロ
ーさせた後、絶縁誘電層40、好ましくは二酸化珪素、
アルミナ(Al23)、またはその他の好適な材料を堆
積する。誘電層40の堆積は低温で、好ましくは厚みが
約3〜4μmで、堆積角度が約60°〜70°で、ウェ
ハー30の表面への垂線に対して対称的に行う。その結
果、誘電層40が窓39を覆ってマイクロアクチュエー
ター4の空洞(例えば、可動電極9間の空洞)の最上部
を塞ぐが、誘電層40は空洞には入り込まず、ただ表面
上に留まるだけとなる。このことは重要である。それ
は、もし層40が深く入り込むようなことがあれば、入
り込んだ材料を除去するのは実際上不可能であるため
に、ローターが塞がれてしまうからである。
After a quick annealing ("flash annealing") heat treatment to reflow the adhesive foil 32, an insulating dielectric layer 40, preferably silicon dioxide,
Alumina (Al 2 O 3 ) or other suitable material is deposited. The dielectric layer 40 is deposited at low temperature, preferably with a thickness of about 3-4 μm and a deposition angle of about 60 ° -70 °, symmetrical with respect to a normal to the surface of the wafer 30. As a result, the dielectric layer 40 covers the window 39 and occludes the top of the cavity of the microactuator 4 (eg, the cavity between the movable electrodes 9), but the dielectric layer 40 does not enter the cavity but only remains on the surface. Becomes This is important. This is because if the layer 40 were to penetrate deeply, it would be practically impossible to remove the encroached material and the rotor would be blocked.

【0032】次に、伝導性材料たとえばアルミニウムも
しくは金の層41、またはアルミニウム層(例えば厚み
が約2μm)および金層(例えば厚みが約500オング
ストローム)を備える多層を堆積する。伝導層41は低
温、好ましくは90℃未満でスパッタリングによって堆
積する(図14)。こうして、3〜4μmの誘電層40
と約2μmの伝導層41とからなる多層を、粘着性フォ
イル32上に形成する。この多層は、誘電層40の存在
によってローターに十分に付着しており、機械的な強度
も高い。
Next, a layer 41 of a conductive material such as aluminum or gold, or a multilayer comprising an aluminum layer (eg about 2 μm thick) and a gold layer (eg about 500 Å thick) is deposited. The conductive layer 41 is deposited by sputtering at low temperature, preferably below 90 ° C (Figure 14). Thus, the dielectric layer 40 of 3 to 4 μm
And a conductive layer 41 of about 2 μm is formed on the adhesive foil 32. Due to the presence of the dielectric layer 40, this multilayer is well adhered to the rotor and has high mechanical strength.

【0033】その代わりに、伝導性材料層41を堆積す
る前に、それほどの剛性を必要としない浮遊接続部材を
形成することになる領域で、たとえばスライダを電気的
に接続する浮遊電気伝導体を形成することになる領域
で、誘電層40を通常のフォトリソグラフィーおよびエ
ッチングプロセスによって粘着性フォイル32の表面か
ら選択的に除去しても良い(図15)。しかし、好まし
くは、スライダ用の固定プレート(「キャップ層」)を
形成することになるローターの残りの部分に、誘電層4
1を残す。
Instead, before depositing the conductive material layer 41, a floating electric conductor for electrically connecting the slider, for example, is formed in an area where a floating connecting member which does not require so much rigidity is to be formed. In the areas that will be formed, the dielectric layer 40 may be selectively removed from the surface of the adhesive foil 32 by conventional photolithography and etching processes (FIG. 15). However, preferably, the dielectric layer 4 is applied to the remainder of the rotor, which will form the fixed plate (“cap layer”) for the slider.
Leave 1

【0034】次に、標準的な感光性樹脂の層を堆積し、
次にマスクを通して露光する。次に、感光性樹脂を現像
する。ローターは粘着性フォイル32によって、また層
40および41によって十分に保護されているため、感
光性樹脂の現像プロセスは現像溶液が浸透する危険を何
らもたらさないことに注意されたい。また粘着性フォイ
ル32は誘電層40によっておよび伝導層41によって
覆われているため、フォイル32がエッチングされる危
険もない。
Next, a layer of standard photosensitive resin is deposited,
Next, it exposes through a mask. Next, the photosensitive resin is developed. Note that the rotor is well protected by the tacky foil 32 and by the layers 40 and 41 so that the photosensitive resin development process does not pose any risk of penetration of the developing solution. Also, since the adhesive foil 32 is covered by the dielectric layer 40 and the conductive layer 41, there is no risk of the foil 32 being etched.

【0035】感光性樹脂を現像した後、伝導性材料層4
1を選択的に除去して(図16)、図17にも示したよ
うに、スライダの電気端子をはんだ付けするためのロー
ターに固定されたパッド42Aと、パッド42Aから電
気ワイヤをはんだ付けする固定パッド42Bに至る浮遊
電気伝導体43と、スライダを配置し固定するキャップ
層44とを規定する。伝導層41のエッチングには、最
初にエッチバックして金層を除去すること、次にRIE
エッチしてアルミニウム層を除去することが含まれる。
誘電層40も選択的に除去する。アルミニウムのRIE
エッチングは、粘着性フォイル32で止める。
After developing the photosensitive resin, the conductive material layer 4 is formed.
1 is selectively removed (FIG. 16) and, as also shown in FIG. 17, a pad 42A fixed to the rotor for soldering the electrical terminals of the slider and an electrical wire is soldered from the pad 42A. A floating electric conductor 43 reaching the fixing pad 42B and a cap layer 44 on which the slider is arranged and fixed are defined. The conductive layer 41 is etched by first etching back to remove the gold layer and then RIE.
Etching to remove the aluminum layer is included.
The dielectric layer 40 is also selectively removed. Aluminum RIE
The etching is stopped with the adhesive foil 32.

【0036】次に、伝導層41を規定するために用いた
感光性樹脂層を、例えば酸素プラズマ中でエッチングし
て除去する。
Next, the photosensitive resin layer used for defining the conductive layer 41 is removed by etching, for example, in oxygen plasma.

【0037】これまで説明した工程はすべて、ウェハー
30を切断して個別のダイにする前に、ウェハー30全
体の上で行う。
All the steps described so far are performed on the entire wafer 30 before it is cut into individual dies.

【0038】この時点で、ウェハー30の背面にまだ付
着しているガラス土台36を用いて、ウェハー30を切
断によって分割して個別のダイにする。ガラス土台36
は好ましくは、再利用できるように、切断しない。
At this point, the wafer 30 is diced into individual dies using the glass base 36 still attached to the back surface of the wafer 30. Glass base 36
Are preferably not cut so that they can be reused.

【0039】次に、ガラス土台36に紫外線を照射し
て、ウェハー30に接触しているフィルム35の粘着層
の光不安定性(photo-lability)によって、ガラス土台
36を取り外す。これらの作業の間、多数のマイクロア
クチュエーターのローターも、粘着性フォイル32の存
在によって、機械的に十分な保護およびダイに分割する
間の水分の浸透に対する十分な保護の両方を受ける。
Next, the glass base 36 is irradiated with ultraviolet rays, and the glass base 36 is removed due to the photo-lability of the adhesive layer of the film 35 in contact with the wafer 30. During these operations, the rotors of a number of microactuators also receive both mechanically sufficient protection and sufficient protection against moisture penetration during die division due to the presence of the adhesive foil 32.

【0040】次に図18に示すように、それぞれのダイ
に対する各スライダ2をマイクロアクチュエーター4上
に載せる。
Next, as shown in FIG. 18, each slider 2 for each die is placed on the microactuator 4.

【0041】紫外線によって硬化可能な接着剤層45を
使用する標準的な方法に従って、スライダ2をキャップ
層44に接着する。この工程の実施は、手動であっても
自動であっても良い。次に、スライダの端子100を
「ボールボンディング」技術によって、ローターに固定
された浮遊伝導体43のパッド42Aにはんだ付けす
る。次に、電気ワイヤをパッド42Bにはんだ付けす
る。
The slider 2 is adhered to the cap layer 44 according to standard methods using a UV curable adhesive layer 45. Implementation of this step may be manual or automatic. Next, the terminal 100 of the slider is soldered to the pad 42A of the floating conductor 43 fixed to the rotor by the "ball bonding" technique. Next, the electrical wire is soldered to the pad 42B.

【0042】次に、スライダ2がすでに載置されたダイ
を、この場合も紫外線によって硬化可能な接着剤を用い
て接着することで、図1のジンバル3aに接着する。最
後に、サスペンションプレート上の電気経路とダイのパ
ッドとを接続する電気ワイヤを、はんだ付けする。
Next, the die on which the slider 2 has already been mounted is adhered to the gimbal 3a in FIG. 1 by adhering it with an adhesive which is also curable by ultraviolet rays. Finally, the electrical wires that connect the electrical paths on the suspension plate to the die pads are soldered.

【0043】上述した方法の代わりとして、マイクロア
クチュエーターを有するダイを、スライダ2を載せる前
にジンバル3aに接着する。スライダをキャップ層44
に接着するのは、その後のみである。次にスライダの電
気端子100をローター上のパッド42Aにはんだ付け
して、電気ワイヤをダイのパッドにはんだ付けする。
As an alternative to the method described above, a die with microactuators is adhered to the gimbal 3a before mounting the slider 2. The slider is attached to the cap layer 44.
It is only glued to. Next, the electrical terminals 100 of the slider are soldered to the pads 42A on the rotor and the electrical wires are soldered to the pads of the die.

【0044】上述した2つの技術の代わりとして、ウェ
ハー30を個別のダイに分割する前にスライダ2を各キ
ャップ層44へ接着することで、スライダ2を各マイク
ロアクチュエーター上に載せても良い。次に、スライダ
の電気端子100をローター上のパッド42Aへはんだ
付けする。次に、ウェハーを個別のダイに分割して、ユ
ニットをジンバル上に載せる。次に、サスペンションプ
レート上の電気経路へ接続するための電気ワイヤを、ダ
イのパッドにはんだ付けする。
As an alternative to the two techniques described above, the slider 2 may be mounted on each microactuator by adhering the slider 2 to each cap layer 44 before dividing the wafer 30 into individual dies. Next, the electrical terminal 100 of the slider is soldered to the pad 42A on the rotor. The wafer is then divided into individual dies and the unit is placed on the gimbal. Next, an electrical wire for connecting to an electrical path on the suspension plate is soldered to the die pad.

【0045】スライダの、マイクロアクチュエーターを
有するダイ上および各ジンバル上への載置を完了したら
すぐに、粘着性フォイル32を除去してマイクロアクチ
ュエーターのローターを自由にする。この目的のため
に、濃度が約1.5重量%のNaOH溶液を用いて、ジ
ンバルを溶液中に数分間漬けても良い。次に、アセンブ
リーを水ですすぎ、次にアルコールを添加した水ですす
いで、最後に真空中で約120℃の温度で乾燥させる。
As soon as the slider has been placed on the die with the microactuator and on each gimbal, the adhesive foil 32 is removed to free the rotor of the microactuator. For this purpose, the gimbal may be dipped in the solution for several minutes using a NaOH solution having a concentration of about 1.5% by weight. The assembly is then rinsed with water, then rinsed with water with alcohol and finally dried in a vacuum at a temperature of about 120 ° C.

【0046】その代わりに、粘着性フォイル32を、酸
素プラズマ中でエッチングして除去しても良い。この方
法は、上述した技術の乾燥段階の間に起こり得る「ステ
ィクション」効果によって生じる損傷を低減する利点を
有する。
Alternatively, the adhesive foil 32 may be removed by etching in oxygen plasma. This method has the advantage of reducing the damage caused by "stiction" effects that can occur during the drying stage of the technique described above.

【0047】こうして図19の構造が得られる。キャッ
プ層44がローターの上方に浮遊するとともにローター
に101の個所で固定されている。伝導体43が、マイ
クロアクチュエーターのローターと静止部分との間に浮
遊するとともに、ローターにパッド42Aの領域で、ま
た静止部分にパッド42Bの領域で固定されている。
Thus, the structure shown in FIG. 19 is obtained. The cap layer 44 floats above the rotor and is fixed to the rotor at 101 points. A conductor 43 floats between the rotor and the stationary part of the microactuator and is fixed to the rotor in the region of pad 42A and to the stationary part in the region of pad 42B.

【0048】浮遊する伝導体43によって、スライダを
その動きを妨げることなく電気的に接続することが可能
になるが、それは伝導体43が柔軟であるからである。
The floating conductor 43 allows the slider to be electrically connected without disturbing its movement, because the conductor 43 is flexible.

【0049】図20は、組み立てられた構造を示す不等
角投影図である。
FIG. 20 is an isometric view showing the assembled structure.

【0050】本発明に係る方法は、以下のような際立っ
た特徴を有する。すなわち、粘着性フォイルを犠牲材料
として使用して、浮遊した電気的接続部材を形成してい
る。また粘着性フォイルを、既に作製されたマイクロア
クチュエーターへ乾燥した状態で、従って感光性樹脂が
マイクロアクチュエーターまたはより一般的にマイクロ
メカニズムの空洞内に入り込むことになる液相の感光性
樹脂を堆積させるプロセスを用いることなく、付着させ
ることができる。
The method according to the present invention has the following salient features. That is, the adhesive foil is used as a sacrificial material to form a floating electrical connection member. Also, a process of depositing a tacky foil in the dry state on a microactuator that has already been made, thus depositing a liquid phase of the photopolymer that would result in the photopolymer entering the microactuator or more generally the micromechanism cavity. Can be attached without using.

【0051】さらなる利点は、粘着性フォイルを酸素プ
ラズマ中でのエッチングによって除去して、一般に「ス
ティクション」として知られる現象に起因するマイクロ
アクチュエーターおよびマイクロメカニズムへの損傷の
可能性を低減できるということである。
A further advantage is that the sticky foil can be removed by etching in an oxygen plasma, reducing the potential for damage to microactuators and micromechanisms due to a phenomenon commonly known as "stiction". Is.

【0052】上述した方法の他の利点は、マイクロアク
チュエーターおよびスライダから構成されるユニットを
ジンバルへ載置することが、通常の組み立て、はんだ付
け、および試験技術と十分に相容れるということであ
る。すなわち、ハードディスク製造業者は、通常使用し
ている技術をマイクロアクチュエーターの存在に適応さ
せるためにその技術を変更するという必要性がない。
Another advantage of the method described above is that mounting the unit consisting of the microactuator and slider on the gimbal is well compatible with conventional assembly, soldering, and testing techniques. . That is, hard disk manufacturers do not have to modify their commonly used technology to adapt it to the presence of microactuators.

【0053】明らかに、変形および/または付加を、上
で説明し例証した態様に用いても良い。
Obviously, variations and / or additions may be used in the embodiments described and illustrated above.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】ミクロンオーダーで作動するハードディスクの
読み出し/書き込みユニットの詳細を示す分解組立図。
FIG. 1 is an exploded view showing details of a read / write unit of a hard disk that operates in a micron order.

【図2】図1のユニットのためのマイクロアクチュエー
ターを示す概略平面図。
2 is a schematic plan view showing a microactuator for the unit of FIG.

【図3】複数のマイクロアクチュエーターが形成される
半導体ウェハーを示す透視図。
FIG. 3 is a perspective view showing a semiconductor wafer on which a plurality of microactuators are formed.

【図4】読み出し/書き込みトランスデューサーを図2
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
FIG. 4 shows a read / write transducer in FIG.
FIG. 5 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting to a microactuator of the type shown in FIG.

【図5】読み出し/書き込みトランスデューサーを図2
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
FIG. 5 shows a read / write transducer in FIG.
FIG. 5 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting to a microactuator of the type shown in FIG.

【図6】読み出し/書き込みトランスデューサーを図2
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
FIG. 6 shows a read / write transducer in FIG.
FIG. 5 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting to a microactuator of the type shown in FIG.

【図7】読み出し/書き込みトランスデューサーを図2
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
FIG. 7 shows a read / write transducer in FIG.
FIG. 5 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting to a microactuator of the type shown in FIG.

【図8】読み出し/書き込みトランスデューサーを図2
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
FIG. 8 shows a read / write transducer in FIG.
FIG. 5 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting to a microactuator of the type shown in FIG.

【図9】読み出し/書き込みトランスデューサーを図2
に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的およ
び機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工程
を示す図。
FIG. 9 shows a read / write transducer in FIG.
FIG. 5 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting to a microactuator of the type shown in FIG.

【図10】読み出し/書き込みトランスデューサーを図
2に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
10 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting a read / write transducer to a microactuator of the type shown in FIG.

【図11】読み出し/書き込みトランスデューサーを図
2に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
11 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting a read / write transducer to a microactuator of the type shown in FIG.

【図12】読み出し/書き込みトランスデューサーを図
2に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
12 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting a read / write transducer to a microactuator of the type shown in FIG.

【図13】読み出し/書き込みトランスデューサーを図
2に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
13 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting a read / write transducer to a microactuator of the type shown in FIG.

【図14】読み出し/書き込みトランスデューサーを図
2に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
14 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting a read / write transducer to a microactuator of the type shown in FIG.

【図15】読み出し/書き込みトランスデューサーを図
2に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
15 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting a read / write transducer to a microactuator of the type shown in FIG.

【図16】読み出し/書き込みトランスデューサーを図
2に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
16 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting a read / write transducer to a microactuator of the type shown in FIG.

【図17】読み出し/書き込みトランスデューサーを図
2に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
FIG. 17 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting a read / write transducer to a microactuator of the type shown in FIG.

【図18】読み出し/書き込みトランスデューサーを図
2に示すタイプのマイクロアクチュエーターに電気的お
よび機械的に接続するための本発明に係る方法の連続工
程を示す図。
18 shows successive steps of a method according to the invention for electrically and mechanically connecting a read / write transducer to a microactuator of the type shown in FIG.

【図19】各マイクロアクチュエーター上に配置された
読み出し/書き込みトランスデューサーの一例を示す断
面図。
FIG. 19 is a cross-sectional view showing an example of a read / write transducer arranged on each microactuator.

【図20】各サスペンション部材に配置された読み出し
/書き込みトランスデューサーと各マイクロアクチュエ
ーターとの一例を示す不等角投影図。
FIG. 20 is an isometric view showing an example of a read / write transducer and each microactuator arranged on each suspension member.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…サスペンションプレート 2…スライダ 3…ジンバル 4…ロータリーマイクロアクチュエーター 5…ステーター 6…ローター 7…浮遊体部 8…可動アーム 9…可動電極 10…環状スロット 11…スプリング 12…ピラー 13…第1固定アーム 14…第2固定アーム 15…第1固定領域 16…固定電極 17…第2固定領域 20…供給ロール 20B…収集ロール 21…粘着面 103…サポート面 22…エアーフロー 23…酸素プラズマエッチング 24…N領域 25…p型シリコン層 26…駆動回路 360…ハードマスク用材料層 30…シリコンウェハー 31…ダイ部分 32…粘着性フォイル 33…プレッシャーローラー 34…カッティングブレード 35…両面粘着性フィルム 36…土台 37…感光性樹脂 38、39、380、390…窓 40…絶縁誘電層 41…伝導層 42a、42b…パッド 43…浮遊電気伝導体 44…キャップ層 45…接着剤層 100…スライダの端子DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Suspension plate 2 ... Slider 3 ... Gimbal 4 ... Rotary microactuator 5 ... Stator 6 ... Rotor 7 ... Floating body part 8 ... Movable arm 9 ... Movable electrode 10 ... Annular slot 11 ... Spring 12 ... Pillar 13 ... First fixed arm 14 ... 2nd fixed arm 15 ... 1st fixed region 16 ... Fixed electrode 17 ... 2nd fixed region 20 ... Supply roll 20B ... Collection roll 21 ... Adhesive surface 103 ... Support surface 22 ... Airflow 23 ... Oxygen plasma etching 24 ... N + Region 25 ... P-type silicon layer 26 ... Drive circuit 360 ... Hard mask material layer 30 ... Silicon wafer 31 ... Die part 32 ... Adhesive foil 33 ... Pressure roller 34 ... Cutting blade 35 ... Double-sided adhesive film 36 ... Base 37 ... Photosensitive resin 38, 39, 380, 390 ... Window 40 ... Insulating dielectric layer 41 ... Conductive layers 42a, 42b ... Pad 43 ... Floating electrical conductor 44 ... Cap layer 45 ... Adhesive layer 100 ... Slider terminals

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベネデット・ヴィーニャ イタリア国、85100 ポテンツァ、ビ ア・アンツィオ、20 (72)発明者 ウバルド・マストロマッテオ イタリア国、20010 コルナレド、ビ ア・ブレラ、18/シー (56)参考文献 特開 平7−167885(JP,A) 特開 平8−140368(JP,A) 特開 平7−92687(JP,A) 特開 平6−151998(JP,A) 特開 平11−207962(JP,A) 特開 平10−86392(JP,A) 米国特許5454158(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B81C 1/00 - 5/00 B81B 1/00 - 7/00 G11B 21/10 G03F 7/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Benedetto Vigna Italy, 85100 Potenza, Via Anzio, 20 (72) Inventor Ubaldo Mastromatteo Italy, 20010 Cornaredo, Via Brera, 18 / See (56) Reference JP-A-7-167885 (JP, A) JP-A-8-140368 (JP, A) JP-A-7-92687 (JP, A) JP-A-6-151998 (JP, A) JP 11-207962 (JP, A) JP 10-86392 (JP, A) US Pat. No. 5454158 (US, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) B81C 1/00 -5/00 B81B 1/00-7/00 G11B 21/10 G03F 7/00

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 マイクロメカニズムの互いに対して移動
可能な2つの部分の間を電気的に接続する浮遊部材の製
造方法であって、 犠牲材料層を形成する工程と、犠牲材料層上に電気的接
続部材を形成する工程と、電気的接続部材の下の犠牲材
料層を除去する工程とを含み、 犠牲材料層は、下の層の空洞部分に入ることなく、マイ
クロメカニズムの表面に乾燥した状態で付着する少なく
とも1つの粘着面を有する薄いフィルムであり、前記薄
いフィルムはマイクロメカニズムを不動にする構造とし
ても作用することを特徴とする方法。
1. A method of manufacturing a floating member for electrically connecting between two parts of a micromechanism movable relative to each other, the method comprising: forming a sacrificial material layer; The step of forming a connecting member and the step of removing the sacrificial material layer below the electrical connecting member, wherein the sacrificial material layer does not enter the hollow portion of the underlying layer and remains dry on the surface of the micromechanism in at least <br/> adhering a thin film having one adhesive surface, the thin
The film has a structure that immobilizes the micromechanism.
A method characterized by working even .
【請求項2】 薄いフィルムを、複数のマイクロメカニ
ズムが形成された半導体ウェハーの前面に付着させるこ
とを特徴とする請求項1記載の方法。
2. A thin film, The method of claim 1, wherein the attaching to the front surface of a plurality of semiconductor wafers micromechanical is formed.
【請求項3】 薄いフィルムは、感光性樹脂のフィルム
であることを特徴とする請求項1または2記載の方法。
3. The method according to claim 1, wherein the thin film is a film of a photosensitive resin.
【請求項4】 薄いフィルムは、RISTONRの名前
で商業的に知られるタイプであることを特徴とする請求
項3記載の方法。
4. A thin film according to, which is a type known commercially by the name of RISTON R
Item 3. The method according to Item 3 .
【請求項5】 電気的接続部材を形成した後、薄いフィ
ルムを酸素プラズマエッチングによって除去することを
特徴とする請求項1ないし4いずれか1項記載の方法。
5. After the formation of the electrical connection member, according to claim 1 to 4 The method of any one of claims, characterized in that the removal of a thin film by oxygen plasma etching.
【請求項6】 電気的接続部材を形成した後、薄いフィ
ルムをNaOH溶液へ浸けて除去することを特徴とする
請求項1ないし4いずれか1項記載の方法。
6. The thin film is immersed in a NaOH solution and removed after the electrical connection member is formed.
The method according to any one of claims 1 to 4 .
【請求項7】 マイクロメカニズムは、ハードディスク
読み出し/書き込みユニットにおける読み出し/書き込
みトランスデューサーの微細位置決めに用いるタイプの
静電マイクロアクチュエーターであることを特徴とする
請求項1ないし6いずれか1項記載の方法。
7. The micromechanism is an electrostatic microactuator of the type used for fine positioning of read / write transducers in a hard disk read / write unit.
The method according to claim 1 .
【請求項8】 薄いフィルムを付着させた後に、 薄いフィルムを選択的に除去して、電気的接続部材をマ
イクロアクチュエーターの固定部分と可動部分とに固定
するための領域を開口する工程と、読み出し/書き込み
トランスデューサーをマイクロアクチュエーターの可動
部分に接続するプレートを固定するための少なくとも1
つの領域を開口する工程とを具備し、 選択的な除去は、固定する領域の部分に開口部を有する
「ハードマスク」を薄いフィルム上に形成する工程と、
薄いフィルムを選択的にエッチングする工程とを備える
ことを特徴とする請求項7記載の方法。
8. A step of selectively removing the thin film after depositing the thin film to open a region for fixing the electrical connection member to the fixed portion and the movable portion of the microactuator, and reading out. / At least one for fixing the plate connecting the writing transducer to the moving part of the microactuator
And selectively removing the two regions, forming a "hard mask" having an opening at a portion of the fixing region on a thin film.
8. The method of claim 7, comprising selectively etching the thin film.
【請求項9】 「ハードマスク」の形成は、二酸化珪素
またはアルミニウム層を薄いフィルム上に低温で堆積さ
せることを含み、二酸化珪素またはアルミニウム層の選
択的な除去はフォトリソグラフィー技術によって行うこ
とを特徴とする請求項8記載の方法。
9. Forming a "hard mask" comprises depositing a silicon dioxide or aluminum layer on a thin film at low temperature, the selective removal of the silicon dioxide or aluminum layer being performed by photolithographic techniques. The method according to claim 8 .
【請求項10】 電気的接続部材を規定した後に、半導
体ウェハーを切断によって分割して、それぞれが各マイ
クロアクチュエーターを含む個別のダイにする工程を含
むことを特徴とする請求項9記載の方法。
10. The method of claim 9 including the step of, after defining the electrical connection members, dividing the semiconductor wafer by cutting into individual dies each containing each microactuator.
【請求項11】 各読み出し/書き込みトランスデュー
サーをそれぞれのダイに載置することを特徴とする請求
項10記載の方法。
11. The method of claim 10, wherein each read / write transducer is mounted on a respective die.
【請求項12】 電気的接続部材を規定した後に、 各読み出し/書き込みトランスデューサーを各マイクロ
アクチュエーター上に接着する工程と、トランスデュー
サーの端子を各マイクロアクチュエーターの電気的接続
部材にはんだ付けする工程と、トランスデューサーが載
置された半導体ウェハーを切断によって分割して複数の
個別のダイにする工程とを含むことを特徴とする請求項
記載の方法。
12. The step of gluing each read / write transducer onto each microactuator after defining the electrical connection member, and soldering the terminals of the transducer to the electrical connection member of each microactuator. , claims a semiconductor wafer which transducer is placed divided by cutting, characterized in that it comprises a step of a plurality of individual dies
9. The method described in 9 .
【請求項13】 次に薄いフィルムを除去する工程を含
むことを特徴とする請求項11または12記載の方法。
13. The method according to claim 11 , further comprising the step of removing the thin film.
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