JP2005313628A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 基板上に、下部電極、｛１００｝配向性誘電層及び上部電極を有する誘電体において、
   前記下部電極及び前記上部電極の少なくとも一方が、少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層を有し、かつ｛１００｝配向であることを特徴とする誘電体。
2. 前記ペロブスカイト型酸化物導電層がABO ₃ 型酸化物である請求項１に記載の誘電体。
3. 前記｛１００｝配向性誘電体層がABO ₃ 型ペロブスカイト酸化物である請求項１または２に記載の誘電体。
4. 基板上に、下部電極、｛１００｝配向性誘電層及び上部電極を有する誘電体において、
   前記下部電極と前記基板との間に蛍石型酸化物の層を有し、該下部電極が少なくとも２層のペロブスカイト型｛１００｝酸化物導電層を有することを特徴とする誘電体。
5. 前記蛍石型酸化物が、CeO ₂ 及び/またはZrO ₂ で（１００）配向である事を特徴とする請求項４に記載の誘電体。
6. 前記｛１００｝配向性誘電層が（００１）配向である請求項４または５に記載の誘電体。
7. 基板上に、下部電極、｛１００｝配向性誘電層及び上部電極を有する誘電体において、
   前記下部電極及び前記上部電極の少なくとも一方の電極が、金属自然配向膜と、少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層との積層であることを特徴とする誘電体。
8. 前記金属自然配向膜の金属が面心立方晶であり、（１１１）配向である請求項７に記載の誘電体。
9. 前記｛１００｝配向性誘電層が、（００１）結晶配向度が５０％以上である請求項１〜８のいずれかに記載の誘電体。
10. 前記｛１００｝配向性誘電層が、（００１）結晶配向度が８０％以上である請求項９に記載の誘電体。
11. 前記少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層に、（Sr_x,Ca_y,Ba_z）RuO₃（但しx+y+z=1）系酸化物の層が含まれている請求項１〜１０のいずれかに記載の誘電体。
12. 前記少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層に、Ni元素を有する酸化物の層が含まれている請求項１〜１１のいずれかに記載の誘電体。
13. 前記Ni元素を有する酸化物が、CNiO₃系酸化物であり、CはLa、Pr、Nd、Sm及びEuから選ばれる少なくとも１種の元素である、請求項１２に記載の誘電体。
14. 前記少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層に、菱面体晶構造を有する層が含まれている請求項１〜１０、１２及び１３のいずれかに記載の誘電体。
15. 前記少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層に、LaがAサイトに入った化合物の層が含まれている請求項１〜１４のいずれかに記載の誘電体。
16. 請求項１〜１５のいずれかに記載の誘電体を有することを特徴とする圧電体。
17. 請求項１６に記載の圧電体を有することを特徴とするインクジェットヘッド。
18. 請求項１７に記載のインクジェットヘッドを有することを特徴とするインクジェット記録装置。
19. 基板上に、第一のペロブスカイト型酸化物電極層を｛１００｝配向性で形成する工程と、
    第二のペロブスカイト型酸化物電極層を｛１００｝配向性で形成する工程と、
    ｛１００｝配向性誘電層を形成する工程と、
    をこの順に有することを特徴とする誘電体の製造方法。
20. 前記第一の酸化物電極層を形成する時の基板温度をＴ１、前記第二の酸化物電極層を形成する時の基板温度をＴ２、前記｛１００｝配向性誘電層を形成する時の基板温度をＴ３とした時、下記の式（１）を満足することを特徴とする請求項１９に記載の誘電体の製造方法。
    Ｔ２≧Ｔ３≧Ｔ１・・・・・・・・・・（１）
21. 基板上に、１層以上の蛍石型酸化物層を形成する工程と、
    金属酸化物を主成分とする第一の｛１００｝配向導電性電極層を形成する工程と、
    第二の｛１００｝配向性導電層を形成する工程と、
    （００１）配向性誘電層を形成する工程と、
    上部電極を形成する工程と、
    をこの順に有することを特徴とする誘電体の製造方法。
22. 基板上に、１層以上の金属自然配向膜を形成する工程と、
    金属酸化物を主成分とする第一の｛１００｝配向導電性電極層を形成する工程と、
    第二の｛１００｝配向性導電層を形成する工程と、
    ｛１００｝配向性誘電層を形成する工程と、
    上部電極を形成する工程と、
    をこの順に有することを特徴とする誘電体の製造方法。