JP2014068025A - 発光素子 - Google Patents
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- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
Abstract
【解決手段】発光素子100は、第1導電型半導体層110、第1導電型半導体層の下に活性層120、及び活性層の下に第2導電型半導体層130を含む発光構造層135と、第2導電型半導体層の下に伝導層140と、伝導層の下に接合層145と、接合層の下に支持部材150と、第1導電型半導体層に連結された接触電極171と、支持部材の第1領域に配置され、接触電極と第1リード電極175とを連結する第1電極173と、支持部材の第2領域に配置され、伝導層及び接合層のうちの少なくとも1つに連結された第2電極183と、支持部材の下に配置され、第1電極に連結された第1リード電極と、支持部材の下に配置され、第2電極に連結された第2リード電極と、接触電極と発光構造層との間に配置された第1絶縁層160とを含む。
【選択図】図1
Description
化学的特性により発光ダイオード(LED)またはレーザダイオード(LD)などの発光
素子の核心素材として脚光を浴びている。III−V族窒化物半導体は、通常InxAl
yGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導
体物質からなっている。
発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)は、化合物半導体の特性を用いて電
気を赤外線または光に変換させて信号を受け渡すか、光源に使われる半導体素子の一種で
ある。
たくさん使われており、携帯電話のキーパッド発光部、電光板、照明装置、表示装置など
、各種の製品の光源として応用されている。
にある。
の製造方法を提供することにある。
、及び上記活性層の下に第2導電型半導体層を含む発光構造層と、上記第2導電型半導体
層の下に伝導層と、上記伝導層の下に接合層と、上記接合層の下に支持部材と、上記第1
導電型半導体層に連結された接触電極と、上記支持部材の第1領域に配置され、上記接触
電極と上記第1リード電極とを連結する第1電極と、上記支持部材の第2領域に配置され
、上記伝導層及び上記接合層のうち、少なくとも1つに連結された第2電極と、上記支持
部材の下に配置され、上記第1電極に連結された第1リード電極と、上記支持部材の下に
配置され、上記第2電極に連結された第2リード電極と、上記接触電極と上記発光構造層
との間に配置された第1絶縁層と、を含む。
、及び上記活性層の下に第2導電型半導体層を含む発光構造層と、上記第2導電型半導体
層の下に伝導層と、上記伝導層の下に接合層と、上記接合層の下に支持部材と、上記支持
部材の内部の第1領域に配置され、上記接合層に連結された第2電極と、上記支持部材の
内部の第2領域に配置され、上記伝導層に連結された第1電極と、上記接合層から上記第
1導電型半導体層の内部に延びる接触電極と、上記接触電極、上記第1電極、及び上記第
2電極の少なくとも一側に配置された絶縁層と、上記支持部材の下に配置され、上記第1
電極に連結された第1リード電極と、上記支持部材の下に配置され、上記第2電極に連結
された第2リード電極と、を含む。
ームと、上記第1及び第2リードフレームのうち、少なくとも1つの上に配置された発光
素子と、上記発光素子をモールディングするモールディング部材と、を含み、上記発光素
子は、第1導電型半導体層、上記第1導電型半導体層の下に活性層、及び上記活性層の下
に第2導電型半導体層を含む発光構造層と、上記第2導電型半導体層の下に伝導層と、上
記伝導層の下に接合層と、上記接合層の下に支持部材と、上記第1導電型半導体層に連結
された接触電極と、上記支持部材の第1領域に配置され、上記接触電極と上記第1リード
電極とを連結する第1電極と、上記支持部材の第2領域に配置され、上記伝導層及び上記
接合層のうち、少なくとも1つに連結された第2電極と、上記支持部材の下に配置され、
上記第1電極に連結された第1リード電極と、上記支持部材の下に配置され、上記第2電
極に連結された第2リード電極と、上記接触電極と上記発光構造層との間に配置された第
1絶縁層と、を含む。
での光抽出効率を改善させることができる。また、水平型電極構造を有するLEDチップ
に比べて発光面積の減少を改善させることができる。また、基板の下にボンディング電極
を配置することによって、発光領域が減少されることを改善させることができる。したが
って、光効率及び発光素子の信頼性を改善させることができる。
各層(膜)、領域、パッド、またはパターンの“上(on)”に、または“下(under)”
に形成されることと記載される場合において、“上(on)”と“下(under)”は、“直
接(directly)”または“他の層を介して(indirectly)”形成されることを全て含む。
また、各層の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。
各層の厚さやサイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示さ
れた。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するのではない。
2導電型半導体層130、伝導層140、接合層145、支持部材150、第1絶縁層1
60、第2絶縁層162、第3絶縁層165、接触電極171、第1電極173、第2電
極183、第1リード電極175、及び第2リード電極185を含む。
体層を用いたLEDを含み、上記LEDは青色、緑色、または赤色のような光を放出する
可視光線帯域のLEDまたはUV LEDでありうる。上記LEDの放出光は実施形態の技術的な範囲内で多様な半導体を用いて具現できる。
体層130を含む。上記第1導電型半導体層110は上記活性層120の上に配置され、
上記第2導電型半導体層130は上記活性層120の下に配置できる。上記第1導電型半
導体層110の厚さは、上記第2導電型半導体層130の厚さより少なくとも厚く形成で
きる。
族元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、I
nAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaI
nPなどから選択できる。上記第1導電型半導体層110は、InxAlyGa1−x−
yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体層で形成でき
る。上記第1導電型半導体層110はN型半導体層であることがあり、上記第1導電型ド
ーパントはSi、Ge、Sn、Se、Teのようなn型ドーパントを含む。上記第1導電
型半導体層110は単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定する
のではない。上記第1導電型半導体層110は活性層120と同一の幅で形成されること
ができるが、これに対して限定するのではない。
記光抽出構造112は上記第1導電型半導体層110の上面がラフネス(凹凸状)または
パターン112で形成されることができ、上記ラフネスまたはパターンの側断面形状は、
半球形状、多角形形状、錐形状、ナノ柱形状のうち、少なくとも1つを含む。上記ラフネ
スまたはパターンは規則的なまたは不規則的なサイズ及び間隔を含みうる。上記光抽出構
造112は、上記第1導電型半導体層110の上面に入射される光の臨界角を変化させる
ようになる。これによって、光抽出効率は改善できる。上記第1導電型半導体層110の
上側のうちの内側領域は、外側より低い厚さで形成されることができるが、これに対して
限定するのではない。
記電流拡散層は化合物半導体の屈折率より低い屈折率を有する伝導性物質を含むことがで
きる。上記電流拡散層は金属酸化物または金属窒化物を含み、例えば、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、ITON、IZON、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOなどで形成されることができるが、これに対して限定するのではない。
単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成できる。また、量子線(Quantum wire)構造または量子点(Quantum dot)構造を含むこともできる。
期で形成できる。上記井戸層は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦
1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体層で形成され、上記障壁層はInxAly
Ga1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体
層で形成できる。上記障壁層は、上記井戸層のバンドギャップより高いバンドギャップを
有する物質で形成できる。
層/AlGaN障壁層の周期、及びInGaN井戸層/InGaN障壁層の周期のうち、
少なくとも1つの周期を含むことができる。
上記導電型クラッド層はGaN系半導体で形成されることができ、上記導電型クラッド層
のバンドギャップは上記障壁層のバンドギャップより高く形成できる。
半導体層130は第2導電型ドーパントがドーピングされた3族−5族元素の化合物半導
体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、Al
InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択で
きる。上記第2導電型半導体層130は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、
0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体層で形成できる。
パントはMg、ZnのようなP型ドーパントを含む。上記第2導電型半導体層130は単
層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。
型と反対の極性を有する半導体層が形成できる。これによって、発光構造層135は、N
−P接合、P−N接合、N−P−N接合、P−N−P接合構造のうち、少なくとも1つが
形成できる。以下の説明では発光構造層135の最下層には第2導電型半導体層130が
配置された構造を一例として説明する。
下には接合層145が配置され、上記接合層145の下には支持部材150が配置される
。
からなることができる。上記伝導層140はオーミック特性を有し、上記第2導電型半導
体層130の下に層または複数のパターンで接触できる。上記伝導層140の物質は、金
属、酸化物、及び窒化物材質のうち、少なくとも1つを含むことができる。上記伝導層1
40は、例えば、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZT
O(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh、及びPdのうち、少なくとも1つを含むことができる。また、上記伝導層140は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、及びこれらのうち、2つ以上の合金で構成された物質のうちの一層または複数の層で形成できる。
伝導層と上記第1伝導層の下に反射金属を含む第2伝導層を含み、上記反射金属は反射率
が少なくとも50%である金属を含む。
60の下面まで延びることができるが、これに対して限定するのではない。
のパターンがさらに形成されることができ、このようなパターンは接触界面間の抵抗差を
与えることができる。
層145は少なくとも1つの金属または伝導性物質で形成されることができ、例えばバリ
ア金属またはボンディング金属を含む。上記接合層145は、例えば、Sn、Ga、In
、Bi、Cu、Ni、Ag、Mo、Al、Au、Nb、W、Ti、Cr、Ta、Al、P
d、Pt、Si、Al−Si、Ag−Cd、Au−Sb、Al−Zn、Al−Mg、Al
−Ge、Pd−Pb、Ag−Sb、Au−In、Al−Cu−Si、Ag−Cd−Cu、
Cu−Sb、Cd−Cu、Al−Si−Cu、Ag−Cu、Ag−Zn、Ag−Cu−Z
n、Ag−Cd−Cu−Zn、Au−Si、Au−Ge、Au−Ni、Au−Cu、Au
−Ag−Cu、Cu−Cu2O、Cu−Zn、Cu−P、Ni−B、Ni−Mn−Pd、
Ni−P、Pd−Niのうち、少なくとも1つを含むことができるが、これに対して限定
するのではない。上記接合層145は、上記伝導層140とは異なる物質であることがあ
り、これに対して限定するのではない。
層145Aは上記伝導層140の下に配置され、上記第2接合層145Bは上記第1接合
層145Aの下に配置される。上記第1接合層145Aと上記第2接合層145Bとは互
いに接合され、電気的に連結される。
面積で形成されることができ、上記接合層145は上記第1絶縁層160の下の一側また
は全体に形成されることができるが、これに対して限定するのではない。
使用することができる。上記支持部材150は、上記半導体層110、120、130の
成長に使われない基板であって、チップの下に別途に配置された形態である。以下、実施
形態では上記支持部材150としてサファイアのような絶縁基板をその例として説明する
。
配置され、外側は発光構造層135の側面より外側に配置される。
5の側面と上記接合層145との間を離隔させることができる。
。上記第2絶縁層162の厚さは上記接合層145の厚さより少なくとも厚く形成される
ことができ、好ましくは、上記発光構造層135と上記支持部材150との間の間隔に対
応する厚さで形成できる。
、130の周りに形成できる。 上記第3絶縁層165は、上記第1絶縁層160の上面
及び上記発光構造層135の側面に配置され、一部165Aは上記第1導電型半導体層1
10の上面の周りに延びることができる。上記第3絶縁層155は上記発光構造層135
の層間ショ−トを防止することができ、湿気の浸透を防止することができる。
y、Si3N4、Al2O3、TiO2のうちから選択された物質で形成されることがで
きるが、これに対して限定するのではない。
複数で形成できる。上記第1孔155は上記支持部材150の第1領域にスルーホールま
たはビアホールで形成されることができ、下側面積を上側面積よりは少なくとも広く形成
できる。上記第1孔155の内には第1電極173が形成され、上記第1電極173の下
面は上記支持部材150の下に露出され、上部は上記第2絶縁層162の側面または内部
を通じて上記第2絶縁層162の上側に露出できる。上記第1電極172は上記支持部材
150の下面から上記第2絶縁層162の上面まで延びることができる。上記第1電極1
72は上記第2絶縁層162の上面より少なくとも高く突出されることができるが、これ
に対して限定するのではない。
e、Ag、Cu、及びAuのうち、いずれか1つまたは複数の物質を混合した合金を用い
て単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。
複数で形成できる。上記第2孔156は上記支持部材150の第2領域にスルーホールま
たはビアホールで形成されることができ、下側面積が上側面積よりは少なくとも広く形成
できる。
上記支持部材150の下に露出され、上部は上記支持部材150の上面より高く延びるこ
とができる。上記第2電極183の上部は上記接合層145に接触することができ、好ま
しくは、上記接合層145の内部を通じて上記第1絶縁層160に接触できる。
、これに対して限定するのではない。
i、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Au、Hf、Pt、及びRuなどのうち、1
つ以上の物質または合金を用いて単層または多層で形成されることができるが、これに対
して限定するのではない。
一層近く配置され、上記第2電極183は上記支持部材150の第1側面(S1)より第
2側面(S2)に一層近く配置される。上記第1側面(S1)と上記第2側面(S2)と
は互いに異なる側面、または互いに反対の側面でありうる。上記第1電極173と上記第
2電極183との間の間隔は上記発光構造層135の幅よりは少なくとも広く離隔される
ことができるが、これに対して限定するのではない。上記第1電極173及び第2電極1
83は、上記発光構造層135と垂直方向にオーバーラップされない領域に配置できる。
ここで、上記オーバーラップされる方向は、上記発光構造層135または上記支持部材1
50の厚さ方向を含むことができる。
接触電極171は、第1電極173と上記第1導電型半導体層110との間を電気的に連
結してくれる。上記接触電極171は、上記第3絶縁層165の側面の上に配置され、第
1接触部171Aは上記第1導電型半導体層110の上面に接触され、第2接触部171
Bは上記第1電極173に接触される。ここで、上記第1導電型半導体層110の上面は
N−face(N面)であって、上記第1接触部171Bと電気的に連結できる。
間の接着性、反射特性、伝導性の良い金属に選択できる。上記接触電極171は、Cr、
Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag、Cu、及びAuのうち
、いずれか1つまたは複数の物質を混合した合金を用いて単層または多層で形成されるこ
とができるが、これに対して限定するのではない。
だけ離隔させることができ、上記間隔D1は上記発光構造層135の幅と等しいか大きい
間隔でありうる。上記第1電極183と上記接触電極171の第1接触部171Aは互い
に反対側に配置することによって、電流効率を改善させることができる。
れる。上記第1リード電極175及び第2リード電極185は互いに離隔され、各々パッ
ドとして使用できる。
極185は上記第2電極183の下部に連結される。上記第1リード電極175及び上記
第2リード電極185は、Cr、Ti、Al、Al alloy、In、Ta、Pd、C
o、Ni、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Cu、Au、Ni、Pt、Hf、Ru
等から選択的に形成されることができ、単層または多層構造を含む。
6族元素の化合物半導体を用いて層またはパターン形態で形成できる。
(chemical vapor deposition)、PLD(plasma laser deposition)、二重型の熱蒸着器(dual-type thermal evaporator)スパッタリング(sputtering)、MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)などにより形成することができ、このような装備に限定するのではない。
ば、サファイア基板(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、
Ga2O3、そしてGaAsなどからなる群から選択できる。このような第1基板101
の上面にはレンズ形状またはストライプ形状の凹凸パターンが形成できる。また、上記第
1基板101の上には化合物半導体層が形成され、上記化合物半導体層は2族乃至6族元
素の化合物半導体を用いた層またはパターンで形成されることができ、例えば、ZnO層
(図示せず)、バッファ層(図示せず)、アンドープド半導体層(図示せず)のうち、少
なくとも1層が形成できる。上記バッファ層またはアンドープド半導体層は、例えば、3
族−5族元素の化合物半導体を用いて形成されることができ、上記バッファ層は上記基板
との格子定数の差を減らしてくれるようになり、上記アンドープド半導体層はドーピング
しないGaN系半導体で形成できる。
導体層110の上には活性層120が形成され、上記活性層120の上には第2導電型半
導体層130が形成される。上記各層の上または下には他の層が配置されることができる
が、これに対して限定するのではない。
元素の化合物半導体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、In
AlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaIn
Pなどから選択できる。上記第1導電型半導体層110は、InxAlyGa1−x−y
N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体層で形成できる
。上記第1導電型半導体層110はN型半導体層であることがあり、上記第1導電型ドー
パントは、Si、Ge、Sn、Se、Teのようなn型ドーパントを含む。上記第1導電
型半導体層110は単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定する
のではない。上記第1導電型半導体層110は活性層120と同一の幅で形成されること
ができるが、これに対して限定するのではない。
、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子線(Quantum wire)構造、または量子点(
Quantum dot)構造を含むこともできる。上記活性層120は、3族−5族元素の化合物
半導体材料を用いて井戸層と障壁層の周期で形成できる。上記井戸層は、InxAlyG
a1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体層
で形成され、上記障壁層はInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0
≦x+y≦1)の組成式を有する半導体層で形成できる。上記障壁層は、上記井戸層のバ
ンドギャップより高いバンドギャップを有する物質で形成できる。
上記導電型クラッド層はGaN系半導体または上記活性層よりバンドギャップの高い物質
で形成できる。上記障壁層のバンドギャップは、上記井戸層のバンドギャップより高く形
成されることができ、上記導電型クラッド層のバンドギャップは上記障壁層のバンドギャ
ップより高く形成できる。
層/AlGaN障壁層の周期、及びInGaN井戸層/InGaN障壁層の周期のうち、
少なくとも1つの周期を含むことができる。
上記導電型クラッド層はGaN系半導体で形成されることができ、上記導電型クラッド層
のバンドギャップは上記障壁層のバンドギャップより高く形成できる。
半導体層130は第2導電型ドーパントがドーピングされた3族−5族元素の化合物半導
体、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、Al
InN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPなどから選択で
きる。上記第2導電型半導体層130は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、
0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体層で形成できる。
パントは、Mg、ZnのようなP型ドーパントを含む。上記第2導電型半導体層130は
単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。
0は、発光構造層135と定義できる。また、上記第2導電型半導体層130の上には第
3導電型半導体層、例えば、第2導電型と反対の極性を有する半導体層が形成できる。
これによって、上記発光構造層135は、N−P接合、P−N接合、N−P−N接合、P
−N−P接合構造のうち、少なくとも1つが形成できる。以下の説明では発光構造層13
5の最上層には第2導電型半導体層130が配置された構造を一例として説明する。
60が形成され、上記第1絶縁層160はフォトレジスト工程を通じてSiO2、SiO
x、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2等で形成されることができるが、
これに対して限定するのではない。
たは不連続的な形態で形成できる。
導層140はスパッタ方式または蒸着方式により形成することができるが、これに対して
限定するのではない。
記第2導電型半導体層130の上にオーミック接触され、層または複数のパターンで形成
されることができ、その材質は、金属、透光性の酸化物、及び透光性の窒化物材質のうち
、少なくとも1つを含むことができる。上記伝導層140は、例えば、ITO(indium t
in oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZON(IZO nitride)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh、及びPdのうち、少なくとも1つを含むことができる。
上記伝導層140は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、
Au、Hf、及びこれらのうちの2つ以上の合金で構成された物質のうち、一層または複
数の層で形成できる。
酸化物または絶縁性物質をさらに配置して、他の領域より抵抗値がより高く形成できる。
上記第1絶縁層160Aの上面に延びることができる。上記第1接合層145Aはバリア
金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga
、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むことができるが、
これに対して限定するのではない。
式のうちから選択的に形成することができるが、これに対して限定するのではない。
例えば、サファイア基板(Al2O3)、ZnOなどからなる群から選択できる。上記支
持部材150は、半導体との熱膨張係数差が少ない物質、または上記第1基板101と同
一の材質の基板を使用することができる。上記支持部材150は、導電性基板を使用する
ことができるが、これに対して限定するのではない。
は少なくとも1つの金属または伝導性物質で形成できる。上記第2接合層145Bはバリ
ア金属またはボンディング金属などを含み、例えば、Ti、Au、Sn、Ni、Cr、G
a、In、Bi、Cu、Ag、またはTaのうち、少なくとも1つを含むことができるが
、これに対して限定するのではない。
式のうちから選択的に形成することができるが、これに対して限定するのではない。
物質で形成されることができ、好ましくは、上記第1接合層145Aと同一の物質であり
うる。
せてくれる。
接合される。上記支持部材150はベースに配置されることができ、上記第1基板101
は最上側に配置される。上記第1接合層145Aと上記第2接合層145Bとは接合層1
45となることができる。
1の除去方法は、レーザリフトオフ(LLO:Laser Lift Off)過程により除去するよう
になる。すなわち、上記第1基板101に一定領域の波長を有するレーザを照射する方式
により上記第1基板101をリフトオフするようになる。または、上記第1基板101と
上記第1導電型半導体層110との間に他の半導体層(例:バッファ層)が形成された場
合、湿式エッチング液を用いて上記バッファ層を除去して、上記第1基板101を分離す
ることもできる。上記第1基板101が除去され、上記第1導電型半導体層110の上面
が露出できる。上記第1導電型半導体層110の上面はN−faceであって、上記第1
基板に一層近い面でありうる。
せる。第1エッチング過程は乾式エッチング過程で遂行され、湿式エッチングも追加でき
る。上記第1エッチング過程により上記発光構造層135の周りは除去されて、チップと
チップとの境界領域が除去できる。上記境界領域はチャンネル領域またはアイソレーショ
ン領域でありうる。
記光抽出構造112はラフネスまたはパターンで形成できる。上記光抽出構造112は湿
式または乾式エッチング方式により形成できる。
ッチングして支持部材150の上面の一部を露出させる。上記接合層145と上記第1絶
縁層160の一部領域は上記発光構造層135の側面より外側に配置された領域であって
、エッチング過程を通じて支持部材150を露出させる。また、上記エッチング方式は湿
式または乾式エッチング方式を使用することができるが、これに対して限定するのではな
い。また、上記支持部材150の上面の一部には第2絶縁層162が形成され、上記第2
絶縁層162の内側面は上記接合層145と上記第1絶縁層160の側面に接触される。
Bを形成する前に各々形成することができるが、これに対して限定するのではない。
。上記第1及び第2孔155、156は、レーザまたは/及びドリルにより形成できる。
、例えば、下部面積が上部面積より広く形成できる。上記第1及び第2孔155、156
は、スルーホールまたはビアホール構造を含み、トップ面から見て、円形状、多角形形状
、ランダムな形状で形成できる。
50の第1領域に配置され、上記第2絶縁層162の上側まで延びる。上記第2孔156
は1つまたは複数で形成できる。上記第2孔156は上記支持部材150の第2領域に配
置されることができ、上記接合層145の少なくとも一部まで延びることができる。上記
第2孔156は上記接合層145の内部を通過して上記第1絶縁層160の内部まで延び
ることができ、その上面は上記第1絶縁層160の上に露出できる。上記支持部材150
の第1領域と第2領域は、トップ側から見ると、互いに異なる領域であることがあり、好
ましくは、互いに反対側領域でありうる。
3が形成できる。上記第1電極173及び第2電極183は、蒸着方式、メッキ方式、挿
入方式のうち、少なくとも1つを使用して形成できる。
れ、上記第2電極183は上記支持部材150の第1側面より第2側面に一層近く配置さ
れる。上記第1側面と上記第2側面とは、互いに異なる側面または互いに反対側面であり
うる。上記第1電極173と上記第2電極183との間の間隔は、上記発光構造層135
の幅よりは少なくとも広く離隔されることができるが、これに対して限定するのではない
。上記第1電極173及び第2電極183は上記発光構造層135の領域と垂直方向にオ
ーバーラップされない領域に配置できる。
層162の側面または内部を通じて上記第2絶縁層162の上側に露出できる。上記第1
電極172は上記支持部材150の下面から上記第2絶縁層162の上面まで延びること
ができる。上記第1電極172は、上記第2絶縁層162の上面より少なくとも高く突出
されることができるが、これに対して限定するのではない。
延びることができる。
うになる。上記第2電極183は、上記第1絶縁層160、接合層145、及び上記支持
部材150を貫通するようになる。
e、Ag、Cu、及びAuのうち、いずれか1つまたは複数の物質を混合した合金を用い
て単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。
i、Si、Ge、Ag、Ag alloy、Au、Hf、Pt、及びRuなどのうちから
1つ以上の物質または合金を用いて単層または多層で形成されることができるが、これに対して限定するのではない。
3絶縁層165の上端は上記第1導電型半導体層110の外側の上端まで延びることがで
き、その下端は上記第1絶縁層160または/及び第2絶縁層162に接触できる。
れる。上記接触電極171の第1接触部171Aは、上記第1導電型半導体層160の上
面の一部に接触され、第2接触部171Bは上記第1電極173の上側に接触される。上
記接触電極171は、例えば、少なくとも1つのライン形状で形成できる。上記接触電極
171の第1接触部171Aは、所定パターン、例えば、枝(branch or arm)型パター
ン、放射形パターン、直線型パターンなどで形成されて電流分布を均一にすることができる。
e、Ag、Cu、及びAuのうち、いずれか1つまたは複数の物質を混合して単層または
多層で形成できる。上記接触電極171は、第1導電型半導体層110のN−faceと
オーミック接触され、金属層間の接着性、反射特性、及び伝導性特性を有することができ
る。
れ、上記第1リード電極175は上記支持部材150の下に1つまたは複数で配置され、
上記第1電極173と接触される。上記第2リード電極185は、上記支持部材150の
下に1つまたは複数で配置され、上記第2電極183と接触される。
き、パッドとして使用できる。
体層110と電気的に連結される。第2リード電極185は、第2電極183、接合層1
45、及び伝導層140を通じて第2導電型半導体層130と電気的に連結される。
記電流拡散層は透光性層であって、例えば、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、IZON(IZOnitride)IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOなどを形成して、電流を全領域に拡散させることができる。上記電流拡散層は、上記接触電極171の第1接触部171Aに接触できる。
ができ、上記第1導電型半導体層110に電流を拡散させて供給することができる。
するに当たって、第1実施形態と同一部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は
省略する。
持部材150の互いに異なる側面に配置できる。上記第1電極173は上記支持部材15
0の第1側面に配置され、上記第2電極183は上記支持部材150の第2側面に配置で
きる。上記第1側面と第2側面とは互いに反対側面または隣接した側面でありうる。
するに当たって、第1実施形態と同一部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は
省略する。
少なくとも1つは発光構造層135の領域とオーバーラップされるように配置できる。上
記第1電極173は上記支持部材150の第1孔155に形成され、上記発光構造層13
5の領域と垂直方向にオーバーラップされるように配置される。上記第1電極173は上
記支持部材150の内に配置され、上記接触電極172は上記第1電極173から上記発
光構造層135の厚手方向に延びる。
を通じて貫通される。上記第3孔157は1つまたは複数で形成されることができ、トッ
プ側から見て、円形または多角形形状を含む。
には接触電極172が形成される。上記第4絶縁層167は、上記接触電極172と他の
層120、130、140、145との間を絶縁させる。
に突出され、上記第1導電型半導体層110の上面に接触される。上記接触電極172の
接触部172Aは、上記第3孔157の幅よりはさらに大きい幅で形成できる。
きるが、これに対して限定するのではない。上記第1電極173及び上記第2電極183
の高さは互いに異なる高さで形成できる。
を1という時、1/2以上に離隔できる。
がさらに形成されることができ、上記電流ブロッキング層164は上記第3孔157の周
りに絶縁物質で形成されることができ、上記接触電極172の接触部172Aと垂直方向
にオーバーラップされるように配置できる。上記絶縁物質は、SiO2、SiOx、Si
OxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2のうち、少なくとも1つを含むことができ
る。上記電流ブロッキング層164は形成しないことがあるが、これに対して限定するの
ではない。
するに当たって、第1実施形態と同一部分に対しては第1実施形態を参照し、重複説明は
省略する。
4が配置され、上記接触電極174は第3接合層145Cの上に配置される。
Aと上記第3接合層145Cとの間の領域には第1絶縁層160が形成される。上記伝導
層140Aは上記第2導電型半導体層130とオーミック接触され、反射層を含むことが
できる。上記伝導層140Aと上記支持部材150との間の他の領域には図1のような第
1接合層及び第2接合層がさらに配置されることができるが、これに対して限定するので
はない。
分離される。
3接合層145Cに接触される。上記複数の接触電極174は、上記第3接合層145C
から上記第1導電型半導体層110の内側まで延びる。上記接触電極174はリセス(re
cess)158の内に形成され、第4絶縁層166により他の層140A、130、120
と絶縁される。上記接触電極174の上端は上記第1導電型半導体層110の内部の下面
に接触される。上記第1導電型半導体層110の内部の下面はGa−face(Ga面)
である。上記複数の接触電極174は素子トップ側に露出されない構造であって、第1導
電型半導体層110の光抽出面積を改善させることができる。
1絶縁層160を形成した後に形成することができるが、これに対して限定するのではな
い。
びて、上記第2電極183の上部に接触される。上記第2電極183は第2孔156を通
じて支持部材150の下面まで露出され、第2リード電極185に接触される。
するに当たって、上記に開示された実施形態と同一部分に対しては上記に開示された実施
形態を参照し、重複説明は省略する。
、及び第1電極173を含む。
、177により他の層120、130、140A、145と絶縁される。上記複数の接触
電極174は素子の上部に露出されず、上記第1導電型半導体層110の内側の下面に各
々接触され、上記内側の下面はGaN系列のGa−faceでありうる。
き、上記分岐パターン174Aは上記第2導電型半導体層130の下で上記接触電極17
4を互いに連結させるようになる。
40A、130、120、145の間に形成され、上記接触電極174及びその分岐パタ
ーン174Aに対する不要なショ−トを遮断するようになる。伝導層140Aは、オーミ
ック層及び反射層を含み、上記第5絶縁層177が形成されない領域に形成されて、上記
第2導電型半導体層130の下面と接触される。
リード電極175に供給された電源は、第1電極173及び接触電極174を通じて上記
第1導電型半導体層110に供給できる。また、複数の接触電極174を通じて電源を供
給することによって、電流が集中される問題を解決することができる。
含む。上記電流拡散層105は、上記第1導電型半導体層110の上面面積の50%以上
で形成されることができ、ラフな層で形成できる。上記電流拡散層105は、上記接触電
極171の第1接触部171Aの下に接触され、電流を全領域に拡散させることができる
。
半導体層110との間に配置され、電流効率を改善させることができ、光抽出効率を改善
させることができる。
第1導電型半導体層110の屈折率より低い屈折率を有する物質で形成される。上記電流
拡散層105は、例えば、ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)
、IZON(IZO nitride)IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium alu
minum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gall
ium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、G
ZO(gallium zinc oxide)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx
/Au、及びNi/IrOx/Au/ITOのうちから選択できる。
下に配置された第2半導体層112を含み、上記第1半導体層111と上記第2半導体層
112は、ドーパント濃度が異なるか、厚さが互いに異なるか、化合物の組成式が互いに
異なることがある。上記第1半導体層111のドーパント濃度は、上記第2半導体層11
2のドーパント濃度よりは高い濃度で形成されることができ、例えば、低伝導性の第2半
導体層112の上に高伝導性を有する第1半導体層111が配置できる。また、上記第1
半導体層111はAlGaN層で形成され、上記第2半導体層112はGaN層で形成さ
れることができ、バンドギャップが互いに異なることがある。上記第1半導体層111と
上記第2半導体層112の積層周期は、少なくとも2周期以上で形成されることができる
が、これに対して限定するのではない。
:Super lattice structures)で形成されることができ、その材質は、GaN、InN、
AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、SiO2、SiOx、SiN2、S
iNx、SiOxNy、または金属物質からなる群から選択できる。上記超格子構造は、
互いに異なる少なくとも2層を交互に繰り返して少なくとも2周期を有して形成され、例
えば、InGaN/GaNのような積層構造を含む。上記超格子構造の各層は数A以上の
厚さで形成できる。
屈折率を有する少なくとも2層を交互に積層して反射層で形成することができ、例えば、
GaN層/Aln層の構造を少なくとも2周期で積層してDBR(Distributed Bragg Reflectors)で形成できる。
で形成できる。例えば、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦
x+y≦1)の組成式を有する第1層と、上記第1層の下にInxAlyGa1−x−y
N(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を有する第1層とが交互に積層
できる。上記第1層と第2層とは組成式が互いに異なるか、厚さが互いに異なるか、ドー
パント濃度が互いに異なることがある。
接触されることができ、このような構造は第1接合層145Aが上記第1絶縁層160か
ら剥げる(fling off)問題を防止することができる。
面積より広い面積で形成できる。
1は表面積を増加させて、放熱効率を改善させることができる。
配置され、上記電流拡散層105は上記接触電極172の接触部172Aの下に接触され
る。上記接触電極172の接触部172Aは上記第1導電型半導体層110に接触される
ことができるが、これに対して限定するのではない。
バーラップされるように配置されることができるが、これに対して限定するのではない。
第1伝導層141はオーミック特性を有する物質で形成され、第2伝導層143は反射特
性を有する金属を含む。上記第1伝導層141はオーミック接触層として使われ、例えば
上記第2導電型半導体層130の下面にオーミック接触され、層またはパターンで形成さ
れることができ、上記第2伝導層143は上記第1伝導層141の下に配置され、上記第
1伝導層143より大きい幅で形成できる。上記第2伝導層143は、反射金属を含むこ
とができる。
c oxide)、IZON(IZO nitride)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO
(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO
(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony ti
n oxide)、GZO(gallium zinc oxide)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、
Ni/IrOx/Au、及びNi/IrOx/Au/ITO、Pt、Ni、Au、Rh、
及びPdのうち、少なくとも1つを含むことができる。
Pt、Au、Hf、及びこれらのうちの2つ以上の合金で構成された物質のうち、一層ま
たは複数の層で形成できる。
105は不連続的に形成できる。上記電流拡散層105は、上記接触電極171の第1接
触部171Aに接触される。
コンまたはエポキシのような樹脂層を含む。上記蛍光体層190の一部191は、上記第
1導電型半導体層110の上面に接触できる。上記蛍光体層190は内部に蛍光体が添加
されることができ、上記蛍光体は、YAG、TAG、シリケート(Silicate)、ナイトラ
イド(Nitride)、オキシナイトライド(Oxynitride)系物質のうち、少なくとも1つを
含むことができる。上記蛍光体層190は層形態でない蛍光体の粒が分布するように形成
できる。
きるが、これに対して限定するのではない。
れた第1リードフレーム31及び第2リードフレーム32と、上記胴体20に設けられて
上記第1リードフレーム31及び第2リードフレーム32と電気的に連結される実施形態
に従う発光素子100と、上記発光素子100を囲むモールディング部材40と、を含む
。
ック基板、絶縁基板、または金属基板(例:MCPCB)を含んで形成されることができ
、上記発光素子100の周囲に傾斜面が形成できる。上記胴体20は孔構造を含むことが
できるが、これに対して限定するのではない。
ビティ22の内にはリードフレーム31、32及び上記発光素子100が配置される。上
記胴体20の上面は平らに形成されることができ、この場合、上記キャビティ22は形成
されない。
上記発光素子100に電源を提供する。また、上記第1リードフレーム31及び第2リー
ドフレーム32は、上記発光素子100で発生した光を反射させて光効率を増加させるこ
とができ、上記発光素子100で発生した熱を外部に排出させる役割をすることもできる
。
は第2リードフレーム32の上に設置できる。
レーム31と第2リードフレーム32にソルダー34でボンディングできる。
発光素子100を囲んで上記発光素子100を保護することができる。また、上記モール
ディング部材40には蛍光体が含まれて、上記発光素子100から放出された光の波長を
変化させることができる。上記モールディング部材40の上にはレンズが配置されること
ができ、上記レンズは上記モールディング部材と接触または非接触される形態で具現でき
る。上記レンズは凹または凸な形状を含むことができる。
1つが載置されることができるが、これに対して限定するのではない。
より具現して上記のような放熱特性、伝導性、及び反射特性の改善効果があり、このよう
なトップビューまたはサイドビュー方式の発光素子は、上記のように樹脂層でパッケージ
ングした後、レンズを上記樹脂層の上に形成及び接着することができるが、これに対して
限定するのではない。
本発明に従う発光素子または発光素子パッケージは、照明システムに適用できる。上記
照明システムは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、
照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることができる。
トは、複数の発光素子または発光素子パッケージがアレイされた構造を含み、図19及び
図20に図示された表示装置、図21に図示された照明装置を含み、照明灯、信号灯、車
両前照灯、電光板などが含まれることができる。
板1041に光を提供する発光モジュール1031、上記導光板1041の下に反射部材
1022、上記導光板1041の上に光学シート1051、上記光学シート1051の上
に表示パネル1061、上記導光板1041、発光モジュール1031、及び反射部材1
022を収納するボトムカバー1011を含むことができるが、これに限定されるのでは
ない。
051は、ライトユニット1050と定義できる。
は透明な材質からなり、例えば、PMMA(polymethyl metaacrylate)のようなアクリ
ル樹脂系列、PET(polyethylene terephthlate)、PC(poly carbonate)、COC
(cycloolefin copolymer)、及びPEN(polyethylene naphthalate)樹脂のうちの1
つを含むことができる。
、窮極的には表示装置の光源として作用するようになる。
直接または間接的に光を提供することができる。上記発光モジュール1031は基板10
33と上記に開示された実施形態に従う発光素子パッケージ30を含み、上記発光素子パ
ッケージ30は上記基板1033の上に所定間隔でアレイできる。
d Circuit Board)でありうる。但し、上記基板1033は一般のPCBだけでなく、メ
タルコアPCB(MCPCB;Metal Core PCB)、軟性PCB(FPCB;Flexible PCB
)などを含むこともできるが、これに対して限定するのではない。上記発光素子パッケー
ジ30は、上記ボトムカバー1011の側面または放熱プレートの上に載置される場合、
上記基板1033は除去できる。ここで、上記放熱プレートの一部は上記ボトムカバー1
011の上面に接触できる。
る出射面が上記導光板1041と所定距離離隔するように載置されることができるが、こ
れに対して限定するのではない。上記発光素子パッケージ30は、上記導光板1041の
一側面である入光部に光を直接または間接的に提供することができるが、これに対して限
定するのではない。
2は、上記導光板1041の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすること
によって、上記ライトユニット1050の輝度を向上させることができる。上記反射部材
1022は、例えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成できるが、これに対して限
定するのではない。上記反射部材1022は、上記ボトムカバー1011の上面であるこ
とがあり、これに対して限定するのではない。
射部材1022などを収納することができる。このために、上記ボトムカバー1011は
上面が開口されたボックス(box)形状を有する収納部1012が備えられることができ
るが、これに対して限定するのではない。上記ボトムカバー1011はトップカバーと結
合されることができるが、これに対して限定するのではない。
ス成形または押出成形などの工程を用いて製造できる。また、上記ボトムカバー1011
は、熱伝導性の良い金属または非金属材料を含むことができるが、これに対して限定する
のではない。
の第1及び第2基板、そして第1及び第2基板の間に介された液晶層を含む。上記表示パ
ネル1061の少なくとも一面には偏光板が取り付けられることができ、このような偏光
板の取付構造に限定するのではない。上記表示パネル1061は、光学シート1051を
通過した光により情報を表示するようになる。このような表示装置1000は、各種の携
帯端末機、ノートブックコンピュータのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テ
レビなどに適用できる。
置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。上記光学シート1051は、例えば拡散
シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートのようなシートのうち、少な
くとも1つを含むことができる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平ま
たは/及び垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シー
トは損失される光を再使用して輝度を向上させる。また、上記表示パネル1061の上に
は保護シートが配置されることができるが、これに対して限定するのではない。
41及び光学シート1051を含むことができるが、これに対して限定するのではない。
発光素子パッケージ30がアレイされた基板1120、光学部材1154、及び表示パネ
ル1155を含む。
できる。上記ボトムカバー1152、少なくとも1つの発光モジュール1060、及び光
学部材1154は、ライトユニットと定義できる。
て限定するのではない。
ムシート、及び輝度強化シートなどのうち、少なくとも1つを含むことができる。上記導
光板はPC材質またはPMMA(Polymethy methacrylate)材質からなることができ、こ
のような導光板は除去できる。上記拡散シートは入射される光を拡散させ、上記水平及び
垂直プリズムシートは入射される光を表示領域に集光させ、上記輝度強化シートは損失さ
れる光を再使用して輝度を向上させる。
ール1060から放出された光を面光源したり、拡散、集光などを遂行するようになる。
けられた発光モジュール1530、及び上記ケース1510に設けられ、外部電源から電
源の提供を受ける連結端子1520を含むことができる。
材質または樹脂材質で形成できる。
施形態に従う発光素子パッケージ30を含むことができる。上記発光素子パッケージ30
は、複数個がマトリックス形態または所定間隔で離隔してアレイできる。
、一般印刷回路基板(PCB;Printed Circuit Board)、メタルコア(Metal Core)P
CB、軟性(Flexible)PCB、セラミックPCB、FR−4基板などを含むことができ
る。
率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層となることができる。
記発光素子パッケージ30の各々は、少なくとも1つのLED(Light Emitting Diode)
チップを含むことができる。上記LEDチップは、赤色、緑色、青色、または白色のよう
な可視光線帯域の発光ダイオード、または紫外線(UV;Ultra Violet)を発光するUV
発光ダイオードを含むことができる。
30の組合せを有するように配置できる。例えば、高演色性(CRI)を確保するために
、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード、及び緑色発光ダイオードを組合せて配置で
きる。
給することができる。上記連結端子1520は、ソケット方式により外部電源に螺合され
るが、これに対して限定するのではない。例えば、上記連結端子1520はピン(pin)
形態で形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に連結されることもでき
る。
モジュールで具現されるか、発光素子を上記基板の上に配列してパッケージングして発光
モジュールで具現できる。
性層、及び第2導電型半導体層を含む複数の化合物半導体層を形成するステップと、上記
複数の化合物半導体層の上面の周りに第1絶縁層を形成するステップと、上記複数の化合
物半導体層の上に接触層を形成するステップと、上記接触層の上に第1接合層を形成する
ステップと、第2基板の上の第2接合層と上記第1接合層を接合させるステップと、上記
第1基板を除去するステップと、上記複数の化合物半導体層のチップ境界領域をエッチン
グするステップと、上記第2基板の第1領域及び第2領域にスルーホールを形成して第1
電極及び第2電極を形成するステップと、上記第1電極と上記第1導電型半導体層との間
を連結してくれる第1接触電極を形成するステップと、を含む。
形態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるのではない。延いては、各実施形態
で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者に
より他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このよ
うな組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
でなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本実施形態の本質的な特
性から外れない範囲で以上に例示されていない種々の変形及び応用が可能であることが分
かる。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができる。
そして、このような変形及び応用に関連した差異点は特許請求範囲で規定する本発明の範
囲に含まれるものと解釈されるべきである。
Claims (20)
- 下面に配置された第1及び第2リード電極、上面と下面を貫通する第1及び第2ホール、及び前記第1及び第2ホールに配置された第1及び第2電極を有する支持部材と、
前記支持部材上に第2導電型半導体層、前記第2導電型半導体層上に活性層、及び前記活性層上に第1導電型半導体層が配置された発光構造層と、
前記発光構造層の前記第2導電型半導体層と前記活性層を貫通し、前記支持部材の前記第1電極と前記第1導電型半導体層を電気的に連結する接触電極と、
を含み、
前記支持部材の前記第1及び第2電極の間隔は、前記発光構造層の活性層の幅より大きく、
前記第1及び第2電極中の少なくとも1つは、前記支持部材の上面より高く突出する発光素子。 - 前記発光構造層は、前記発光構造層の下面から前記第1導電型半導体層の内部まで延長された複数のリセスを含み、
前記接触電極は、前記複数のリセス内に配置される請求項1に記載の発光素子。 - 前記第2導電型半導体層の下に接触された伝導層と、前記伝導層と前記支持部材の間に配置された接合層とを含む請求項1または2に記載の発光素子。
- 前記支持部材は絶縁性材質で形成される請求項3に記載の発光素子。
- 前記発光構造層と前記接合層の間の領域、前記接触電極の周り、及び前記伝導層と前記支持部材の間の領域に配置された絶縁層を含む請求項4に記載の発光素子。
- 前記第1及び第2電極中の少なくとも1つは、前記発光構造層と前記接合層の間の領域に配置された絶縁層に接触する請求項5に記載の発光素子。
- 前記第1及び第2電極中の少なくとも1つは、前記接合層に連結される請求項5に記載の発光素子。
- 前記第1及び第2電極中の少なくとも1つは、前記接合層の上面より高く突出する請求項5に記載の発光素子。
- 前記接触電極は前記第1導電型半導体層のGa面(Ga-face)に接触する請求項3〜8のいずれかに記載の発光素子。
- 前記伝導層は反射層を含む請求項3〜9のいずれかに記載の発光素子。
- 前記接合層は、前記接触電極及び前記第1リード電極に連結された請求項3〜10のいずれかに記載の発光素子。
- 前記伝導層は、前記第2電極及び前記第2導電型半導体層に連結された請求項3〜11のいずれかに記載の発光素子。
- 前記接触電極は前記接合層から突出する請求項3〜12のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第2導電型半導体層の下に配置された分岐パターンを含み、
前記接触電極は、前記分岐パターンに連結される請求項3〜13のいずれかに記載の発光素子。 - 前記分岐パターンは、前記接合層及び前記伝導層と電気的に絶縁される請求項14に記載の発光素子。
- 前記分岐パターンは前記第1電極と連結される請求項14に記載の発光素子。
- 前記接合層は、前記伝導層の下に第1接合層と、前記第1接合層と前記支持部材の間に配置された第2接合層とを含む請求項3〜16のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第1電極と前記第2電極は、前記発光構造層の領域と垂直方向にオーバーラップしない領域に配置される請求項1〜17のいずれかに記載の発光素子。
- 前記支持部材は、前記第1電極が配置された第1孔と前記第2電極が配置された第2孔とを含み、
前記第1孔及び前記第2孔中の少なくとも1つは複数で形成される請求項1〜18のいずれかに記載の発光素子。 - 前記第1及び第2電極は、前記支持部材の下面に露出される請求項19に記載の発光素子。
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