JP2013517375A - 電子物品製造における浸漬錫−銀めっき - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本方法は、表面を有する銅基板からなる部材に、その基板表面に錫系コーティング層を施すのに有用であり、錫系コーティング層は、0.5〜1.5μmの厚みを有し、銅−錫金属間化合物の生成を抑制し、その金属間化合物の生成抑制は、その物品を少なくとも7回の加熱・冷却サイクルに曝露した際、その各サイクルは、その物品を少なくとも217℃に加熱し、その後20〜28℃に冷却することからなり、その結果、少なくとも0.25μm厚の銅のない錫コーティング層の領域が残存する。
【選択図】図1
Description
ある態様においては、これらの厚みの範囲内のコーティングとして堆積された本発明の錫系コーティング層は、−55℃に少なくとも10分間暴露し、その後85℃に少なくとも10分間曝露した少なくとも約2000回熱サイクルの後でも、ウィスカの発生はないままである。また別の実施態様においては、これらの厚みの範囲内のコーティングとして堆積された本発明の錫系コーティング層は、−55℃に少なくとも10分間暴露し、その後85℃に少なくとも10分間曝露した少なくとも約3000回熱サイクルの後でも、ウィスカの発生はないままである。
そのような抗酸化剤は、単独で、または2種以上の混合物で使用される。抗酸化剤の濃度は、約30g/L〜約110g/L、例えば、約40g/L〜約80g/Lである。好ましい抗酸化剤はグリコール酸で、70重量%溶液として商業的に入手可能である。適当な結果を得るために、グリコール酸(70重量%)が、浸漬錫組成物に50mL/L〜150mL/L濃度で、好ましくは約70mL/L〜約100mL/Lで添加される。グリコール酸(70重量%)にグリコール酸をこれらの容積濃度で添加すれば、約35g/L〜約105g/Lのグリコール酸、好ましくは約49g/L〜約70g/Lのグリコール酸が提供される。
以下にそれぞれの実施例において、浸漬機構によって銅片上に錫系コーティング層を堆積するために、一般的な方法が使用された。銅の試験片が、PWB製作、すなわち清浄化、すすぎ、マイクロエッチング(特定しない限り1分間標準)、すすぎ、予備ディップ(サッと浸ける)、めっき加工、すすぎ、および乾燥の最終仕上げに適用するに用いられる一般的なプロセス手続によって調製された。めっき液における流体力学的条件を標準化するために、試験片が約1回/秒の往復運動で、手動でビーカー中でめっきされた。特に指定しない限り、めっき液中の滞留時間は9分間であった。
錫系コーティング層の厚みはX線蛍光分析(XRF)及び連続式電気化学的還元分析(SERA)を用いて測定された。XRF測定は、精度向上のためのL−シリーズX線を取付けた、セイコーインスツル社製のSEA 5210 エレメントモニターMXを用いて行なった。SERA試験は、ECIテクノロジー社製のSURFACE−SCAN(登録商標) QC−100TMで、5%塩酸作業溶液およびAg/AgCl標準電極を用いて行なった。P.Bratinら著「SERAを用いた浸漬錫コーティングの表面評価」を参照されたい。電流密度:4500μA/cm2およびガスケット開口部は直径0.160cmの一致曝露試験面積を備えていた。ηおよびεの厚みは、各々の密度と組成物を用いて純錫の「等価」厚みに変換され、その結果、純錫の等価の総厚みが得られ、XRFによって測定された測定値に対して比較された。単一の試験スポットは、湿潤バランス試験のために溶融はんだ中に浸漬された領域から離れた対向端部で、湿潤バランス試験片の各々について測定された。このように、遊離の錫の相対厚みの変化および連続リフローサイクルによって誘導された金属間化合物(IMCs)が、詳述され、相当する湿潤バランス試験に関連する。
初期の検査がARMRY 3200C 走査型電子顕微鏡(SEM)によって、めっき直後に試験片上200倍の倍率で行なわれた。総検査面積は、JESD22A121によれば75mm2であった。「ウィスカ成長測定の試験方法、及び錫および錫合金表面仕上げ」JEDEC 固体状態技術協会、JESD22A121.01 2005年10月参照。試験片は、その後エージング試験のために該気温/湿度に曝された。1000時間毎に、試験片の同じ領域がSEM下、200倍の倍率で再検査された。もしこのスクリ−ニング検査でウィスカが検知されないならば、その読み取り点における詳細な検査は必要ない。もしウィスカがスクリーニング中に検知されれば、1000倍のSEM下でスクリーニング中に検知された最長の錫ウィスカを拡大して詳細な検査を行なわれた。単位面積当たりのウィスカ数(ウィスカ密度)が記録された。JESD22A121によれば、錫ウィスカ密度は、低、中および高の三段階に分類される。しかし乍、ウィスカを示さない試料をさらに区別するために、4つ目の分類、「なし」が加えられた。ウィスカ密度分類は、以下の表1に示した。
錫被覆銅が温度変化に付されたときに、錫系コーティング層は、熱膨張係数(CTE)のミスマッチ、すなわち、錫のCTEが22X10−6 K−1、銅のCTEが13.4X10−6 K−1のために、銅基板とは異なって膨張或いは収縮する。高温では、錫は銅基板よりも膨張し、錫コーティング内に圧縮応力をもたらす。低温では、錫は銅基板よりも収縮して、錫コーティング内に引張応力をもたらす。したがって、錫系コーティング層は、熱サイクル中に圧縮引張応力の変化を伴なう。錫系コーティング層の圧縮応力はウィスカ生成の原動力として認識され、熱サイクルは、錫系コーティング層のウィスカ生成に対する抵抗性を評価するための促進試験として開発された。ここで、熱サイクル試験は、シンシナティー・サブ−ゼロCSZ昇温室内で行なわれた。各サイクルにおいて、試料は−55℃に10分間、次いで85℃に10分間曝露された。要するに、それは伝統的な熱サイクル試験と云うよりは、熱衝撃試験であった。熱サイクル試験の前に、試料は鉛フリー・リフロー処理で整えられた。試料は、3000時間の後にウィスカ検討から解放された。
試験片の調整は、5ゾーンBTU TRSコンベイヤード・リフロー・ユニットを用いて、対流およびIR加熱要素を利用して完遂された。試験片は、モデル化した鉛フリーのアッセンブリ・リフローサイクルを介して加工された。直線的傾斜プロファイルは1.5℃/秒の傾斜速度を有し、250〜260℃の最高温度で、液体化(217℃)以上の温度で49秒間、次いで次のリフローサイクルの前に室温までに冷却された。単一サイクルは代表的には5〜10分間を要する。12個の湿潤バランス試験片の3セットには、それぞれに浸漬錫コーティングが施され、最高15リフローサイクル以上リフローを通して加工された。コントロールとして、各コーティングセットから2つの試験片がリフローされずにテストされた。
半田性は、ロボティック・プロセス・システムズ社製の6シグマ湿潤バランス半田性テスターを用いて、IPC/EIA J−STD−003A セクション4.3.1に従って湿潤バランス試験によって評価された。ジョイント工業標準:「印刷板用の半田性試験」IPC/EIA J−STD−003A,IPC,バノックバーン,IL参照。Alpha Metal社製EF−800ロジンフラックス(固形分6%)、およびSAC 305 半田機が以下の表2に列挙した試験パラメータで使用された。注文構成の湿潤バランス試験片は、電解質銅1.0オンスにめっきされた、0.062インチ二重側部1/2オンス銅箔被覆されたFR−4積層からなる。調整後の相対半田性は各片のために作られた湿潤曲線を比較して決定される。
銅片は、添加される銀イオン濃度を変えて調製した、4つの浸漬錫めっき組成物、68A,68B,68C,並びに68Dの各々に、9分間浸漬錫めっきに付して調製された。錫めっきに先立ち、銅片は2%濃度の硫酸からなる組成物に24℃で予備ディップして調整された。浸漬錫めっき組成物は、浸漬銀めっきの最中に、約70℃の温度に保持された。以下の濃度の成分を含む4つの浸漬錫めっき組成物の各々:
硫酸錫(12g/L、約6.6g/LのSn2+イオンを提供)
硫酸(濃縮、98%溶液、40mL/L)
次亜リン酸ナトリウム(80g/L)
チオ尿素(80g/L)
ポリビニルピロリドン(PVP K30,12g/Lの固体粉末が30重量%40mLとして添加し得る)
最大ウィスカ長はウィスカの傾向とリスクを記載するためにしばしば用いられるもう一つのパラメータである。B.D.Dunn,「電子材料におけるウィスカ生成」サーキット・ワールド;2(4):32−40,1976年刊行参照。最長ウィスカはスクリーニング検査中(倍率200倍)に検出されそして詳細検査中(倍率1000倍)に記録される。図3A、3Bおよび3Cは、それぞれ1000時間(図3A)、2000時間(図3B)、3000時間(図3C)の保存時間で「高い」ウィスカ密度を示した組成物68Aにてめっきされた金属片の固定した領域で、最長ウィスカを示したSEM写真である。「最長」ウィスカは保存時間に伴ない成長した。ウィスカ生成のリスクは、したがってウィスカ密度ばかりでなく、ウィスカ長にも起因する。
周囲条件下5100時間保存後にウィスカを生成しなかった組成物68Dの断面図は、焦点絞りイオンビーム(FIB)によって作成され、エネルギー分散分光法(EDS)によって検討された。図4に示したように、組成物68Dを用いて堆積した錫コーティング層を5100時間周囲条件下でエージングした後の断面のSEM写真である。そこには「遊離した」錫中に分散したナノサイズの粒子があり、IMC(金属間化合物)層は均一でなく、その中に積層構造を表示する。Sn/Cuの原子比は、錫コーティング、IMC、銅基板を通って垂直に幾つかのスポットで次第に減少する(Sn/Cu原子比を示す図5参照)。しかし乍、EDSの解像度は約0.5μmであるから、それは総厚みの約1μmと比べて比較的大きく、試料は53°(度)傾斜しており、このSn/Cu原子比は、単に組成物の定性的推測にすぎない。
銅片は、添加される銀イオン濃度を変えて調製した、4つの浸漬錫めっき組成物、70A,70B,70C,並びに70Dの各々に、9分間浸漬錫めっきに付して調製された。錫イオンの溶液中の濃度は、実施例1の組成物に比べて減少し、一方で、チオ尿素濃度は増大した。それに加えて、グリコール酸が組成物に添加された。浸漬錫めっきに先立ち、銅片は2%硫酸からなる組成物に24℃の温度で予備ディップされた。浸漬錫めっき組成物は、浸漬錫めっき中に約70℃で保持された。4つの浸漬錫めっき組成物は、以下の成分を記載の濃度で含む:
硫酸錫(10.8g/L,約6g/LのSn2+イオンを提供)
硫酸(濃縮品、40mL/L)
次亜リン酸ナトリウム(80g/L)
チオ尿素(90g/L)
グリコール酸(70%溶液50mL/L)
1−メチル−2−ピロリドン(80wt%)およびポリビニルピロリドンPVP K30(20wt%)の混合物(12g/L,20wt%溶液を60mL/Lで得られる)
銅片は、浸漬錫めっき組成物71Aおよび72Bの各々に9分間浸漬錫めっきに付して調製された。実施例1の組成物に比べて溶液中の錫イオン濃度は減少され、一方で、チオ尿素の濃度は減少された。それに加えて、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)が組成物に添加された。浸漬錫めっきに先立って、銅片が24℃の温度において2%濃度の硫酸からなる組成物中に予備ディップされた。浸漬錫めっき組成物は、浸漬錫めっき中に約70℃で保持された。両方の浸漬錫めっき組成物は、以下の成分を記載の濃度で含む:
硫酸錫(10.8g/L,約6g/LのSn2+イオンを提供)
硫酸銀(Ag+イオン24ppm)
硫酸(濃縮品、40mL/L)
次亜リン酸ナトリウム(80g/L)
チオ尿素(90g/L)
ジエチレントリアミン五酢酸、DTPA(10g/L)
1−メチル−2−ピロリドン(80wt%)およびポリビニルピロリドンPVP K30(20wt%)の混合物(12g/L,20wt%溶液を60mL/Lで得られる)
銅片は準備後、クエン酸を含む浸漬錫めっき組成物72Aに9分間浸漬錫めっきに付された。この実験は、めっき速度に対するクエン酸および錫系コーティング層における銀濃度の効果を決定するために行われた。浸漬錫めっきに先立って、浸漬錫めっき組成物は、浸漬錫めっき中に約70℃で保持された。浸漬錫めっき組成物は、以下の成分を記載の濃度で含む:
硫酸錫(10.8g/L,約6g/LのSn2+イオンを提供)
硫酸銀(Ag+イオン24ppm)
硫酸(濃縮品、98%、40mL/L)
次亜リン酸ナトリウム(80g/L)
チオ尿素(90g/L)
クエン酸(10g/L)
1−メチル−2−ピロリドン(80wt%)およびポリビニルピロリドンPVP K30(20wt%)の混合物(12g/L,20wt%溶液を60mL/Lで得られる)
銅片が準備され、浸漬錫めっき組成物74Bに9分間浸漬錫めっきに付された。浸漬錫めっきに先立って、銅片が24℃の温度において2%濃度の硫酸からなる組成物中に予備ディップされた。浸漬錫めっき組成物は、浸漬錫めっき中に約70℃で保持された。両方の浸漬錫めっき組成物は、以下の成分を記載の濃度で含む:
硫酸錫(10.8g/L,約6g/LのSn2+イオンを提供)
硫酸銀(Ag+イオン24ppm)
硫酸(濃縮品、98%、40mL/L)
次亜リン酸ナトリウム(80g/L)
チオ尿素(90g/L)
グリコール酸(70%溶液100mL/L)
ポリビニルピロリドンPVP(K30,15g/L)
銅片が準備され、銀イオンの濃度を変更して調製された3つの浸漬錫めっき組成物69A,69Bおよび69Cの浸漬錫めっき組成物の各々に9分間浸漬錫めっきに付された。浸漬錫めっきに先立って、浸漬錫めっき組成物は、浸漬錫めっき中に約70℃で保持された。浸漬錫めっき組成物は、以下の成分を記載の濃度で含む:
硫酸錫(12g/L,約6.6g/LのSn2+イオンを供給)
硫酸(濃縮品、98%、40mL/L)
次亜リン酸ナトリウム(80g/L)
チオ尿素(80g/L)
1−メチル−2−ピロリドン(80wt%)およびポリビニルピロリドンPVP K30(20wt%)の混合物(12g/L,20wt%溶液を60mL/Lで得られる)
銅片は、準備され、硫黄系錯化剤濃度を変更して調製された2つの浸漬錫めっき組成物73Aおよび73Bの各々に9分間浸漬錫めっきに付され、一方で、両方の組成物において銀イオン組成は同じであった。これら2つの溶液において、N−アリル−N’−β−ヒドロキシエチル−チオ尿素(表では“HEAT”)がチオ尿素に加えて添加された。浸漬錫めっきに先立って、銅片が24℃の温度において2%濃度の硫酸からなる組成物中に予備ディップされた。浸漬錫めっき組成物は、浸漬錫めっき中に約70℃で保持された。両方の浸漬錫めっき組成物は、以下の成分を記載の濃度で含む:
硫酸錫(10.8g/L,約6g/LのSn2+イオンを提供)
硫酸銀(Ag+イオン23ppm)
硫酸(濃縮品、98%、40mL/L)
次亜リン酸ナトリウム(80g/L)
チオ尿素(90g/L)
1−メチル−2−ピロリドン(80wt%)およびポリビニルピロリドンPVP K30(20wt%)の混合物(12g/L,20wt%溶液を60mL/Lで得られる)
銅片は、準備され、硫黄系錯化剤濃度を変更して調製された3つの浸漬錫めっき組成物77A、77B、77Cの各々に9分間浸漬錫めっきに付され、これらの組成物は、ポリビニルピロリドン(PVP)の添加によって銀イオン濃度を変化させて調製された。浸漬錫めっきに先立って、銅片が24℃の温度において2%濃度の硫酸からなる組成物中に予備ディップされた。浸漬錫めっき組成物は、浸漬錫めっき中に約70℃で保持された。両方の浸漬錫めっき組成物は、以下の成分を記載の濃度で含む:
硫酸錫(10.6g/L,約5.9g/LのSn2+イオンを提供)
硫酸(濃縮品、98%、40mL/L)
次亜リン酸ナトリウム(80g/L)
チオ尿素(90g/L)
ポリビニルピロリドン(PVP K30,40g/L)
実施例8,9及び10の組成物を用いて錫コーティング層でめっきされた銅片は、周囲温度および環境下で3000時間のエージングに付された。図6A(200倍拡大)および図6B(1000倍拡大)は高いウィスカ密度(>45ウィスカ/mm2)を有する組成物69Bから堆積された錫系コーティング層を示す。図7A(200倍拡大)および図7B(1000倍拡大)は、中程度のウィスカ密度(10−45ウィスカ/mm2)を有する組成物69Aから堆積された錫系コーティング層を示す。図8A(200倍拡大)および図8B(1000倍拡大)は、低いウィスカ密度(1−10ウィスカ/mm2)を有する組成物77Cから堆積された錫系コーティング層を示す。図9A(200倍拡大)および図9B(1000倍拡大)は、ウィスカのない(0ウィスカ/mm2)組成物69Cから堆積された錫系コーティング層を示す。
銅片が準備され、2つの浸漬錫めっき組成物80B、80Cに9分間浸漬錫めっきに付された。浸漬錫めっきに先立って、銅片が24℃の温度において2%濃度の硫酸からなる組成物中に予備ディップされた。浸漬錫めっき組成物は、浸漬錫めっき中に約70℃で保持された。両方の浸漬錫めっき組成物は、以下の成分を記載の濃度で含む:
硫酸錫(10.0g/L,約5.5g/LのSn2+イオンを提供)
硫酸銀(Ag+イオン16ppm)
硫酸(濃縮品、98%、40mL/L)
次亜リン酸ナトリウム(80g/L)
チオ尿素(90g/L)
ポリビニルピロリドンPVP(K30,15g/L)
実施例12の浸漬錫めっき組成物が銅片上に1.10μmの厚みに錫系コーティング層を堆積させるのに用いられた。錫コートされた銅片が上述のように3000回の熱サイクルに付され、その後、2回の鉛フリー・リフローに上述のように付された。図10A、10Bは1000倍のSEM写真で、3000回の熱サイクルおよび1回の鉛フリー・リフロー後(図10A)、および3000回の熱サイクルおよび2回の鉛フリー・リフロー後(図10B)のウィスカの生成がないことを示している。
(1)ウィスカ密度および最大ウィスカ長は、ウィスカ生成の傾向を記載するために必要である。
(2)本発明の方法によって堆積された浸漬錫系コーティング層は、3000時間の周囲条件のエージングおよび3000回の熱サイクル後でウィスカの生成がなかった。1つの観点においては、銀イオン濃度が図11に示したように、エージング後のウィスカ成長挙動に影響したと云える。
(3)本発明の方法によって堆積された浸漬錫系コーティング層の厚みは、銅表面の粗度に依存する。粗度が増加すると、錫結晶サイズおよび錫コーティングの厚みは増加する。
(4)本発明の方法によって堆積された浸漬錫コーティングは、15回の鉛フリー・リフローサイクルを通じたコンディショニングの後でも堅牢な半田性を維持する能力を有していた。
上記の観点から、発明の幾つかの目的は達成され、その他の有利な結果が得られた。
本発明の範囲から逸脱しなければ、種々の変更は上記の組成物及び方法において可能であるから、上記明細書及び付帯する図面に含まれる全ての事項は、事例的と解され、限定的意味において解釈されないことが意図されている。
Claims (23)
- 銅基板表面上にウィスカ耐性の錫系コーティング層を堆積するための方法であって、当該方法は、以下からなる:
銅基板表面を以下からなる浸漬めっき組成物に接触させる工程:
約5g/L〜約20g/LのSn2+イオン濃度を提供するに十分なSn2+イオン源;
約10ppm〜約24ppmのAg+イオン濃度を提供するに十分なAg+イオン源;
約60g/L〜約120g/Lの硫黄系錯化剤濃度を提供するに十分な硫黄系錯化剤源;
約30g/L〜約110g/Lの次亜リン酸塩濃度を提供するに十分な次亜リン酸塩イオン源;
約30g/L〜約110g/Lの抗酸化剤濃度を提供するに十分な抗酸化剤源;
少なくとも約12g/Lのピロリドン濃度を提供するに十分なピロリドン源;並びに
約0〜約5に組成物のpHを低下させるに十分な濃度の酸。 - 前記Ag+イオン源が、約12ppm〜約24ppmのAg+イオン濃度を提供するに十分である請求項1に記載の方法。
- 前記Ag+イオン源が、約12ppm〜約20ppmのAg+イオン濃度を提供するに十分である請求項1に記載の方法。
- 前記Ag+イオン源が、約10ppm〜約16ppmのAg+イオン濃度を提供するに十分である請求項1に記載の方法。
- 前記Sn2+イオン源が、約6g/L〜約12g/LのSn2+イオン濃度を提供するに十分である請求項1に記載の方法。
- 前記Sn2+イオン源が、約6g/L〜約10g/LのSn2+イオン濃度を提供するに十分である請求項1に記載の方法。
- 前記ピロリドン源が、ポリビニルピロリドンからなる請求項1に記載の方法。
- 前記ピロリドン源が、ポリビニルピロリドンおよび1−メチル−2−ピロリドンからなる請求項1に記載の方法。
- 前記抗酸化剤が、約40g/L〜約80g/Lの濃度を提供するに十分である請求項1に記載の方法。
- 前記銅基板表面をめっき組成物に接触させることが銅の銅イオンへの酸化を誘発する請求項1に記載の方法。
- 追加の硫黄系錯化剤は、浸漬錫めっき組成物に、銅イオン1g/L堆積当たり、約3g/L〜約9g/Lの錯化剤添加速度で、添加される請求項10に記載の方法。
- 前記接触が、約0.5μm〜約1.5μmの厚みで錫コーティング層を堆積する請求項1に記載の方法。
- 前記接触が、約0.7μm〜約1.2μmの厚みで錫コーティング層を堆積する請求項1に記載の方法。
- 前記接触が、約0.7μm〜約1.0μmの厚みで錫コーティング層を堆積する請求項1に記載の方法。
- 以下からなる物品:
表面を有する銅基板;および
基板表面上の錫系コーティング層で、当該錫系コーティング層が約0.5μm〜約1.5μmの厚みを有し、銅−錫金属間化合物の形成を妨げ、
前記銅−錫金属間化合物の形成の妨げは、少なくとも7回の加熱・冷却サイクルへの曝露に際し、各サイクルは、物品を少なくとも217℃に付し、次いで約20℃〜28℃に冷却し、少なくとも0.25μm厚の銅のない錫系コーティング層の領域が存在することで特徴付けられる。 - 前記銅−錫金属間化合物の形成の妨げは、少なくとも9回、11回、または15回の加熱・冷却サイクルへの曝露に際し、各サイクルは、物品を少なくとも217℃に付し、次いで約20℃〜28℃に冷却し、少なくとも0.25μm厚の銅のない錫系コーティング層の領域が存在することで特徴付けられる請求項15に記載の物品。
- 前記銅−錫金属間化合物の形成の妨げは、少なくとも7回の加熱・冷却サイクルへの曝露に際し、各サイクルは、物品を少なくとも217℃に付し、次いで約20℃〜28℃に冷却し、少なくとも0.35μm厚の銅のない錫系コーティング層の領域が存在することで特徴付けられる請求項15に記載の物品。
- 前記錫系コーティング層が0.7μm〜1.2μmの厚みを有する請求項15に記載の物品。
- 前記銅−錫金属間化合物の形成の妨げは、少なくとも9回、11回或いは15回の加熱・冷却サイクルへの曝露に際し、各サイクルは、物品を少なくとも217℃に付し、次いで約20℃〜約28℃に冷却し、少なくとも0.25μm厚の銅のない錫系コーティング層の領域が存在することで特徴付けられる請求項18に記載の物品。
- 前記銅−錫金属間化合物の形成の妨げは、少なくとも7回の加熱・冷却サイクルへの曝露に際し、各サイクルは、物品を少なくとも217℃に付し、次いで約20℃〜28℃に冷却し、少なくとも0.35μm厚の銅のない錫系コーティング層の領域が存在することで特徴付けられる請求項18に記載の物品。
- 前記錫系コーティング層が0.7μm〜1.0μmの厚みを有する請求項15の物品。
- 前記銅−錫金属間化合物の形成の妨げは、少なくとも9回、11回、或いは15回の加熱・冷却サイクルへの曝露に際し、各サイクルは、物品を少なくとも217℃に付し、次いで約20℃〜28℃に冷却し、少なくとも0.25μm厚の銅のない錫系コーティング層の領域が存在することで特徴付けられる請求項21の物品。
- 前記銅−錫金属間化合物の形成の妨げは、少なくとも7回の加熱・冷却サイクルへの曝露に際し、各サイクルは、物品を少なくとも217℃に付し、次いで約20℃〜28℃に冷却し、少なくとも0.35μm厚の銅のない錫系コーティング層の領域が存在することで特徴付けられる請求項21の物品。
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