JP2013506291A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 半導体基板１２の上面上に位置する少なくとも１つのゲート・スタックと、
   前記少なくとも１つのゲート・スタックの対向側に存在する１対のくぼみ領域の実質的に内部で前記少なくとも１つのゲート・スタックの設置場所に位置する第１のエピタキシ半導体材料であって、前記少なくとも１つのゲート・スタックのチャネル上にひずみを誘発する、第１のエピタキシ半導体材料と、
   前記くぼみ領域の各々において前記第１のエピタキシ半導体材料の上面内に位置する拡散拡張領域と、
   前記拡散拡張領域の上面上に位置する第２のエピタキシ半導体材料であって、前記第１のエピタキシ半導体材料よりも高いドーパント濃度を有する、第２のエピタキシ半導体材料と、
   を含む、半導体構造。
2. 前記１対のくぼみ領域が、前記半導体基板の台座によって相互に分離されている、請求項１に記載の半導体構造。
3. 前記台座が実質的に直線状の側壁を有する、請求項２に記載の半導体構造。
4. 前記台座が砂時計の形状を有する、請求項２に記載の半導体構造。
5. 前記第１のエピタキシ半導体材料が、ドーピングされていないか、または５ｘ１０^１８原子／ｃｍ^３未満のドーパント濃度を有する、請求項１に記載の半導体構造。
6. 前記第２のエピタキシ半導体材料が１ｘ１０^１９原子／ｃｍ^３より大きいドーパント濃度を有する、請求項１に記載の半導体構造。
7. 前記第１のエピタキシ半導体材料がＳｉＧｅを含む、請求項１に記載の半導体構造。
8. 前記第１のエピタキシ半導体材料がＳｉ：Ｃを含む、請求項１に記載の半導体構造。
9. 前記半導体基板内に位置するハロー注入領域を更に含み、前記ハロー領域が前記拡散拡張領域および前記第１のエピタキシ半導体材料に接触している、請求項１に記載の半導体構造。
10. 前記第２のエピタキシ半導体材料の少なくとも上面上に位置する金属半導体合金を更に含む、請求項１に記載の半導体構造。
11. 前記半導体基板の表面上に位置する基部を有し、
    前記少なくとも１つのゲート・スタックの側壁と接触する側方縁部を有する第１のスペーサと、前記第２のエピタキシ半導体材料の上面上に位置する基部を有し、前記第１のスペーサの側壁と接触する側方縁部を有する第２のスペーサと、を更に含む、請求項１に記載の半 導体構造。
12. 深部のイオン注入ソース領域も深部のイオン注入ドレイン領域も存在しない、請求項１に記載の半導体構造。
13. 前記第１のエピタキシ半導体材料の上面が、前記半導体基板の前記上面と同一平面であるか、または前記上面よりも上に延出する、請求項１に記載の半導体構造。
14. 前記第１のエピタキシ半導体材料の上面が前記半導体基板の前記上面の下に位置する、請求項１に記載の半導体構造。