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  1. ゲート誘電体材質、前記ゲート誘電体材質上に形成される電極材質及びオフセット側壁スペーサを備えたゲート電極構造に横方向に隣接してトランジスタの能動領域内にキャビティを形成することと、
    第１のドーパント濃度を有するドーパント種を備えた第１の歪誘起半導体合金を前記キャビティ内に形成することと、
    前記第１のドーパント濃度よりも低い第２のドーパント濃度を有するドーパント種を備えた第２の歪誘起半導体合金を前記キャビティ内の前記第１の歪誘起半導体合金上に形成することと、
    前記トランジスタのチャネル領域と接続するドレイン及びソース拡張領域を前記ドーパント種の前記第１及び第２のドーパント濃度に基いて形成するように熱処理を実行することとを備えた方法。
  2. 前記キャビティを介して前記能動領域内へ少なくとも１つの更なるドーパント種を導入することを更に備えた請求項１の方法。
  3. 前記少なくとも１つの更なるドーパント種を導入することは、前記ドーパント種との組み合わせにおいてドレイン及びソース領域を形成するために前記ドーパント種と同一の伝導性タイプを決定するドーパント種を導入することと、
    前記ドレイン及びソース領域に対してカウンタドープされる領域を形成するために前記ドーパント種に対してカウンタドープする種を導入することとを備えている請求項２の方法。
  4. 前記少なくとも１つの更なるドーパント種を導入することは、注入プロセスを実行することと、
    前記歪誘起半導体合金を形成するのに先立ち結晶性損傷を再結晶化させるように第２の熱処理を実行することとを備えている請求項２の方法。
  5. 前記第２の歪誘起半導体合金を形成することは、緩衝層を形成することと、前記緩衝層の上方に拡張層を形成することとを備えており、前記緩衝層のドーパント濃度は前記拡張層のドーパント濃度よりも低い請求項１の方法。
  6. 前記第２の歪誘起半導体合金を形成することは、緩衝層を形成することと、前記緩衝層の上方に拡張層を形成することとを備えており、前記緩衝層のドーパント濃度は前記拡張層のドーパント濃度よりも高い請求項１の方法。
  7. 前記第１及び第２の歪誘起半導体層の少なくともいずれか一つを形成することは、選択的エピタキシャル成長プロセスを実行することによってゲルマニウム含有材質を形成することを備えている請求項１の方法。
  8. 前記第１及び第２の歪誘起半導体層の少なくともいずれか一つを形成することは、選択的エピタキシャル成長プロセスを実行することによって錫含有材質を形成することを備えている請求項１の方法。
  9. 前記第１及び第２の歪誘起半導体層の少なくともいずれか一つを形成することは、選択的エピタキシャル成長プロセスを実行することによって炭素含有材質を形成することを備えている請求項１の方法。
  10. トランジスタのドレイン及びソース領域を形成する方法であって、
    ドレイン及びソースドーパント種の第１の部分を前記トランジスタの能動領域内へキャビティを介して注入することと、
    前記キャビティの高さ方向に対して高さが増すほど濃度が低くなるような段階的な濃度を有する前記ドレイン及びソースドーパント種の第２の部分を備えた歪誘起半導体合金を前記キャビティ内に形成することと、
    少なくとも１つの熱処理を実行して前記ドレイン及びソースドーパント種の前記第１及び第２の部分に基き前記ドレイン及びソース領域の最終的なドーパントプロファイルを形成することとを備えた方法。
  11. 前記歪誘起半導体合金を形成することは、前記キャビティ内に緩衝層を形成することと、前記緩衝層の上方に拡張層を形成することとを備えており、前記緩衝層のドーパント濃度は前記拡張層のドーパント濃度よりも低い請求項１０の方法。
  12. 前記歪誘起半導体合金を形成することは、緩衝層を形成することと、前記緩衝層の上方に拡張層を形成することとを備えており、前記緩衝層のドーパント濃度は前記拡張層のドーパント濃度よりも高い請求項１１の方法。
  13. 前記歪誘起半導体合金はゲルマニウム及び錫の少なくとも一方を備えている請求項１０の方法。
  14. 前記歪誘起半導体合金を形成するのに先立ち前記ドレイン及びソースドーパント種に対してカウンタドープする更なるドーパント種を注入することを更に備えた請求項１０の方法。
  15. 前記ドレイン及びソースドーパント種の前記第１の部分は埋め込み絶縁層まで拡張するように注入される請求項１０の方法。
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