JP2008159803A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】エピタキシャル半導体層をチャネル領域から遠ざけることなく、エピタキシャル半導体層上に形成されるサリサイド膜と、ソース/ドレイン領域と半導体基板との間に形成される接合とを遠ざけることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】素子分離領域12間のシリコン基板11上にはゲート絶縁膜13が形成され、ゲート絶縁膜13上にはゲート電極14が形成されている。素子分離領域12とゲート電極14との間のシリコン基板11に形成されたトレンチ内には、エピタキシャル成長法によりエピタキシャルSiGe層16が形成されている。素子分離領域12側のエピタキシャルSiGe層16にはファセット16Aが形成される。さらに、エピタキシャルSiGe層16上にはシリサイド膜18が形成され、エピタキシャルSiGe層16下のシリコン基板11にはp型半導体領域17が形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】素子分離領域12間のシリコン基板11上にはゲート絶縁膜13が形成され、ゲート絶縁膜13上にはゲート電極14が形成されている。素子分離領域12とゲート電極14との間のシリコン基板11に形成されたトレンチ内には、エピタキシャル成長法によりエピタキシャルSiGe層16が形成されている。素子分離領域12側のエピタキシャルSiGe層16にはファセット16Aが形成される。さらに、エピタキシャルSiGe層16上にはシリサイド膜18が形成され、エピタキシャルSiGe層16下のシリコン基板11にはp型半導体領域17が形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、ソース及びドレイン領域にエピタキシャル半導体層を有するMOS電界効果トランジスタにより構成された半導体装置及びその製造方法に関するものである。
近年、MOS型電界効果トランジスタ(以下、MOSトランジスタと記す)において、シリコン半導体基板のソース/ドレイン形成用の領域をエッチングしてトレンチ(凹部)を形成し、凹部内にエピタキシャル・シリコンゲルマニウム(以下、エピタキシャルSiGe)層を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この技術を用いる理由には2つの理由がある。
1つは、MOSトランジスタのチャネル領域に歪みを与えて、MOSトランジスタのチャネル移動度を増加させるためである。シリコンゲルマニウム(SiGe)はシリコンよりも格子定数が大きく、エピタキシャルSiGe層によってチャネル領域にストレスを与えることができる。その結果、チャネル領域に歪みを与えることができ、MOSトランジスタのチャネル移動度を増加させることが可能である。正孔をキャリアとして用いる、pチャネルMOSトランジスタに対して特に有効である。
2つめは、ソース/ドレイン領域の抵抗を下げ、MOSトランジスタの特性における寄生抵抗を低くするためである。シリコン基板のエッチングされた凹部に、不純物をドープしたSiGe層をエピタキシャル成長法により形成することにより、ソース/ドレイン領域の抵抗を低くすることができる。SiGe層にボロン(B)をドープすることのできるpチャネルMOSトランジスタに対して特に有効である。
しかしながら、上述した技術では以下のような問題点が生じる。
前述したように、エピタキシャルSiGe層は、シリコン基板に形成された凹部にSiGeを選択エピタキシャル成長させることによって形成される。選択性の高いエピタキシャル成長条件では、シリコン基板の露出表面上にのみエピタキシャルSiGe層が形成される。そのため、素子分離領域の側面にはエピタキシャルSiGe層は形成されず、素子分離領域の側面がわのエピタキシャルSiGe層にはファセットが形成される。その結果、素子分離領域とエピタキシャルSiGe層との間に空隙が生じることとなる。このように空隙が生じると、エピタキシャルSiGe層上にシリサイド膜を形成したときに、ファセット上にもシリサイド膜が形成される。
ここで、エピタキシャルSiGe層にはボロン(B)がドープされているため、熱によるボロンの拡散が起こり、ソース/ドレイン領域とシリコン基板との間に形成される接合は、エピタキシャルSiGe層とシリコン基板との界面よりシリコン基板側に形成される。このため、エピタキシャルSiGe層及びファセット上にシリサイド膜を形成したときに、シリサイド膜と接合とを十分に遠ざけることが必要となる。そこで、接合をシリコン基板側に伸ばすと、ゲート電極の下のチャネル領域と接合とが近づくことになる。接合がチャネル領域に近づくと、MOSトランジスタのショートチャネル特性が悪くなってしまうため、ソース/ドレイン領域のエピタキシャルSiGe層はチャネル領域から十分に遠ざける必要がある。
先に述べたソース/ドレイン領域にSiGe層を用いる技術によるメリットは、SiGe層をチャネル領域に近づけることによって、チャネル移動度を増加させる効果が強くすることである。したがって、SiGe層をチャネル領域に近づけることと、サリサイド膜と接合との間の距離を広げることは両立させることが難しく、解決策が求められている。
特開2006−60222号公報
この発明は、ソース/ドレイン領域にエピタキシャル半導体層が形成されたMOSトランジスタを含む半導体装置において、エピタキシャル半導体層をチャネル領域から遠ざけることなく、エピタキシャル半導体層上に形成されるサリサイド膜と、ソース/ドレイン領域と半導体基板との間に形成される接合とを遠ざけることができる半導体装置を提供する。
この発明の第1の実施態様の半導体装置は、第1導電型の半導体基板に形成された素子分離領域と、前記素子分離領域間の前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面上に形成された側壁絶縁膜と、前記素子分離領域と前記ゲート電極との間の前記半導体基板に形成されたトレンチ内に、エピタキシャル成長法により形成され、ファセットを有する第2導電型の第1のエピタキシャル半導体層と、前記第1のエピタキシャル半導体層上に形成されたシリサイド膜と、前記第1のエピタキシャル半導体層下の前記半導体基板に形成された第2導電型の半導体領域とを具備する。
この発明の第2の実施態様の半導体装置は、第1導電型の半導体基板に形成された素子分離領域と、前記素子分離領域間の前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面上に形成された側壁絶縁膜と、前記素子分離領域と前記ゲート電極との間の前記半導体基板に形成されたトレンチ内に、エピタキシャル成長法により形成され、ファセットを有する第2導電型の第1のエピタキシャル半導体層と、前記第1のエピタキシャル半導体層上に、エピタキシャル成長法により形成された第2のエピタキシャル半導体層と、前記第2のエピタキシャル半導体層上に形成されたシリサイド膜とを具備する。
この発明の第3の実施態様の半導体装置は、第1導電型の半導体基板に形成された素子分離領域と、前記素子分離領域間の前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面上に形成された側壁絶縁膜と、前記素子分離領域と前記ゲート電極との間の前記半導体基板に形成されたトレンチ内に、エピタキシャル成長法により形成され、ファセットを有する第2導電型の第1のエピタキシャル半導体層と、前記第1のエピタキシャル半導体層上に、エピタキシャル成長法により形成された第2のエピタキシャル半導体層と、前記第2のエピタキシャル半導体層上に形成されたシリサイド膜と、前記第1のエピタキシャル半導体層下の前記半導体基板に形成された第2導電型の半導体領域とを具備する。
この発明によれば、ソース/ドレイン領域にエピタキシャル半導体層が形成されたMOSトランジスタを含む半導体装置において、エピタキシャル半導体層をチャネル領域から遠ざけることなく、エピタキシャル半導体層上に形成されるサリサイド膜と、ソース/ドレイン領域と半導体基板との間に形成される接合とを遠ざけることができる半導体装置を提供することが可能である。
以下、図面を参照してこの発明の実施形態のMOSトランジスタを有する半導体装置について説明する。説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。ここでは、pチャネルMOS型電界効果トランジスタ(以下、pMOSトランジスタと記す)を例に取り述べるが、導電型を換えることによりnチャネルMOS型電界効果トランジスタ(以下、nMOSトランジスタと記す)にも適用することができる。
[第1実施形態]
まず、この発明の第1実施形態のpMOSトランジスタについて説明する。
まず、この発明の第1実施形態のpMOSトランジスタについて説明する。
図1は、第1実施形態のpMOSトランジスタの構造を示す断面図である。
n型シリコン半導体基板またはn型ウェル領域11(以下、シリコン基板11と記す)には、素子分離領域12とこの素子分離領域12で囲まれた素子領域が形成されている。素子領域は、素子(ここでは、pMOSトランジスタ)が形成される領域であり、素子分離領域12により電気的に絶縁分離されている。素子分離領域12に挟まれたシリコン基板11上にはゲート絶縁膜13が形成され、このゲート絶縁膜13上にはゲート電極14が形成されている。さらに、ゲート電極14の側面上には側壁スペーサ(側壁絶縁膜)15が形成されている。
ゲート電極14の両側のシリコン基板11、すなわち素子分離領域12とゲート電極14との間のシリコン基板11にはトレンチ(凹部)11Aが形成され、このトレンチ11A内にはp型のエピタキシャル半導体層、例えばp型の不純物が導入されたエピタキシャルSiGe層16が形成されている。このエピタキシャルSiGe層16は、ゲート電極14下のシリコン基板11に形成されるチャネル領域を挟むように配置され、ソース/ドレイン領域を構成している。
エピタキシャルSiGe層16は、シリコン基板11に形成されたトレンチ11A内に、SiGeを選択エピタキシャル成長させることによって形成される。このため、図1に示すように、素子分離領域12の側面にはエピタキシャルSiGe層16は形成されず、素子分離領域12側のエピタキシャルSiGe層16にはファセット16Aが形成される。その結果、素子分離領域12とエピタキシャルSiGe層16との間に空隙が形成される。
エピタキシャルSiGe層16下のシリコン基板11には、p型半導体領域17が形成されている。詳述すると、トレンチ11Aの外側のシリコン基板11内にp型半導体領域17が形成されている。p型半導体領域17において、トレンチ底面下に形成された領域は、トレンチ側面のゲート電極下のチャネル領域近傍に形成された領域よりもシリコン基板面から深い位置まで形成されている。すなわち、p型半導体領域17とn型シリコン基板11との間に形成される接合17Aは、トレンチ底面下で深く、トレンチ側面がわ、すなわちチャネル領域近傍でトレンチ底面下よりも浅くなっている。また、エピタキシャルSiGe層16上及びファセット16A上には、シリサイド膜(サリサイド膜)18が形成されている。
図1に示した構造を有するpMOSトランジスタにおいては、ソース/ドレイン領域を構成するエピタキシャルSiGe層16下のシリコン基板11に、不純物のイオン注入によりp型拡散層17Bを形成することにより、ゲート電極下の接合17Aをチャネル領域に近づけることなく、トレンチ底面下の接合17Aをシリコン基板表面より深い領域に形成できる、これにより、トランジスタのショートチャネル特性を悪化させることなく、シリサイド膜18と接合17Aとを十分に遠ざけることができる。なお、p型拡散層17Bを形成するためのイオン注入工程では、ゲート電極下のチャネル領域近傍には不純物が導入されないため、接合17Aがチャネル領域に近づくのを防ぐことができる。
またこのとき、ソース/ドレイン領域を構成するエピタキシャルSiGe層16はチャネル領域から遠ざける必要がないため、チャネル領域に十分な応力を加えて歪みを与えることができ、チャネル移動度を増加させることができる。
なおここでは、エピタキシャル半導体層としてエピタキシャルSiGe層を形成したが、nMOSトランジスタの場合にはエピタキシャル半導体層としてエピタキシャル・シリコンカーバイド(以下、エピタキシャルSiCと記す)層を形成するとよい。
以下に、第1実施形態のpMOSトランジスタの製造方法について説明する。
図2〜図7は、第1実施形態のpMOSトランジスタの製造方法を示す工程の断面図である。
まず、シリコン基板11にRIE(reactive ion etching)法によりトレンチを形成し、このトレンチに絶縁膜を埋め込んで、図2に示すように素子分離領域12を形成する。
次に、シリコン基板11上に、ゲート絶縁膜となる絶縁膜、例えばシリコン酸化膜を形成し、さらにこのシリコン酸化膜上にゲート電極となる導電膜、例えばポリシリコン膜を形成する。続いて、これらシリコン酸化膜及びポリシリコン膜をRIE法などにより加工し、図3に示すように、ゲート絶縁膜13とゲート電極14を形成する。さらに、シリコン基板11上及びゲート電極14上に、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜を堆積する。続いて、絶縁膜をRIE法により除去して、図3に示すように、ゲート電極14の側面上に側壁スペーサ15を形成する。
次に、ソース/ドレイン領域であるゲート電極14の両側のシリコン基板11、すなわち素子分離領域12とゲート電極14との間のシリコン基板11をRIE法により除去し、図4に示すように、トレンチ(凹部)11Aを形成する。
続いて、図5に示すように、トレンチ11A下のシリコン基板11に、イオン注入法によりp型の不純物を注入し、p型半導体領域(p型拡散層)17Bを形成する。このとき、pMOSトランジスタの場合は、前述したようにp型の不純物を注入し、例えば不純物種はボロン(B)で、ドーズ量は1.0×1012〜1.0×1016cm−2である。また、nMOSトランジスタの場合は、n型の不純物を注入し、例えば不純物種はリン(P)または砒素(As)で、ドーズ量は1.0×1012〜1.0×1016cm−2である。
次に、シリコン基板11に形成されたトレンチ11A内に、選択エピタキシャル成長法により、図6に示すようにp型のエピタキシャル半導体層、例えばp型のエピタキシャルSiGe層16を形成する。このとき、エピタキシャルSiGe層16は、トレンチ11A内に、SiGeを選択エピタキシャル成長させることによって形成する。選択性の高いエピタキシャル成長条件では、トレンチ11A内のシリコン基板が露出した表面のみにエピタキシャルSiGe層16が形成される。このため、図6に示すように、素子分離領域12の側面にはエピタキシャルSiGe層16は形成されず、素子分離領域12側のエピタキシャルSiGe層16にはファセット16Aが形成される。その結果、素子分離領域12とエピタキシャルSiGe層16との間に空隙が形成される。
エピタキシャルSiGe層16の形成後、熱工程が加わることによりエピタキシャルSiGe層16に導入されたp型の不純物が熱拡散するため、図7に示すように、エピタキシャルSiGe層16より外側のシリコン基板11内にp型拡散層17Cが形成される。ここで、前述したように、pMOSトランジスタの場合は、エピタキシャルSiGe層16にp型の不純物を導入し、例えば不純物種はボロン(B)で、不純物濃度は1.0×1018〜1.0×1020cm−3である。また、nMOSトランジスタの場合は、n型のエピタキシャル半導体層、例えばn型のエピタキシャルSiCを形成する。このエピタキシャルSiC層にはn型の不純物を導入し、例えば不純物種はリン(P)または砒素(As)で、不純物濃度は1.0×1018〜1.0×1020cm−3である。
さらに、図6に示した構造上に、すなわちエピタキシャルSiGe層16上に高融点金属膜、例えばニッケル(Ni)、タングステン(W)、チタン(Ti)、コバルト(Co)などを堆積する。続いて、熱処理を行い、エピタキシャルSiGe層16と高融点金属膜とを反応させて高融点金属膜をシリサイド化する。その後、未反応の高融点金属膜を除去して、図7に示すように、エピタキシャルSiGe層16上にシリサイド膜18を残す。これにより、エピタキシャルSiGe層16及びファセット16Aの露出した表面に、自己整合的にシリサイド膜(サリサイド膜)18を形成する。なおここでは、ソース/ドレイン領域を構成するエピタキシャルSiGe層16上のみにシリサイド膜を形成したが、同様の工程を用いてゲート電極14上にもシリサイド膜を形成してもよい。
ここで、図7に示すように、イオン注入法により形成したp型拡散層17Bと、エピタキシャルSiGe層16からのp型の不純物の拡散により形成されるp型拡散層17Cは、p型の同じ極性(導電型)になっているため、エピタキシャルSiGe層16から見てp型拡散層17Bより外側のシリコン基板11内に接合17Aが形成される。以上により、図1に示した第1実施形態のpMOSトランジスタが製造される。
以上説明したようにこの第1実施形態によれば、ソース/ドレイン領域にエピタキシャル半導体層が形成されたMOSトランジスタを含む半導体装置において、エピタキシャル半導体層をチャネル領域から遠ざけることなく、エピタキシャル半導体層上に形成されるサリサイド膜と、ソース/ドレイン領域と半導体基板との間に形成される接合とを遠ざけることができる。さらに、チャネル領域に十分な応力を加えて歪みを与えることができると共に、ソース/ドレイン領域の抵抗を下げて寄生抵抗を低減することができる。
[第2実施形態]
次に、この発明の第2実施形態のpMOSトランジスタについて説明する。前記第1実施形態における構成と同様の部分には同じ符号を付す。第1実施形態では、エピタキシャルSiGe層上にシリサイド膜を形成したが、この第2実施形態では、エピタキシャルSiGe層上にシリコン層を形成し、このシリコン層上にシリサイド膜を形成している。
次に、この発明の第2実施形態のpMOSトランジスタについて説明する。前記第1実施形態における構成と同様の部分には同じ符号を付す。第1実施形態では、エピタキシャルSiGe層上にシリサイド膜を形成したが、この第2実施形態では、エピタキシャルSiGe層上にシリコン層を形成し、このシリコン層上にシリサイド膜を形成している。
図8は、第2実施形態のpMOSトランジスタの構造を示す断面図である。
シリコン基板11には、素子分離領域12とこの素子分離領域12で囲まれた素子領域が形成されている。素子分離領域12に挟まれたシリコン基板11上にはゲート絶縁膜13が形成され、このゲート絶縁膜13上にはゲート電極14が形成されている。さらに、ゲート電極14の側面上には側壁スペーサ(側壁絶縁膜)15が形成されている。
ゲート電極14の両側のシリコン基板11、すなわち素子分離領域12とゲート電極14との間のシリコン基板11にはトレンチ(凹部)11Aが形成され、このトレンチ11A内にはp型のエピタキシャル半導体層、例えばp型のエピタキシャルSiGe層16が形成されている。このエピタキシャルSiGe層16は、ゲート電極14下のシリコン基板11に形成されるチャネル領域を挟むように配置され、ソース/ドレイン領域を構成している。
エピタキシャルSiGe層16は、シリコン基板11に形成されたトレンチ11A内に、SiGeを選択エピタキシャル成長させることによって形成されるため、図8に示すように、素子分離領域12側のエピタキシャルSiGe層16にはファセット16Aが形成される。
エピタキシャルSiGe層16下のシリコン基板11には、p型半導体領域17が形成されている。p型半導体領域17とn型シリコン基板11との間に形成される接合17Aは、トレンチ底面下で深く、トレンチ側面がわ、すなわちチャネル領域近傍でトレンチ底面下よりも浅くなっている。
エピタキシャルSiGe層16上及びファセット16A上には、エピタキシャル半導体層、例えばエピタキシャル・シリコン層(以下、エピタキシャルSi層と記す)19が形成されている。エピタキシャルSi層19は、Siをエピタキシャル成長させることによってエピタキシャルSiGe層16上及びファセット16A上に形成される。このとき、ファセット16A面にもSiを成長させ、エピタキシャルSi層19にはファセットが出ないように形成される。
また、エピタキシャルSi層19上には、シリサイド膜(サリサイド膜)18が形成されている。
図8に示した構造を有するpMOSトランジスタにおいては、ソース/ドレイン領域を構成するエピタキシャルSiGe層16下のシリコン基板11に、不純物のイオン注入によりp型拡散層17Bを形成することにより、ゲート電極下の接合17Aをチャネル領域に近づけることなく、トレンチ底面下の接合17Aをシリコン基板表面より深い領域に形成できる、これにより、トランジスタのショートチャネル特性を悪化させることなく、シリサイド膜18と接合17Aとを十分に遠ざけることができる。なお、p型拡散層17Bを形成するためのイオン注入工程では、ゲート電極下のチャネル領域近傍には不純物が導入されないため、接合17Aがチャネル領域に近づくのを防ぐことができる。
またこのとき、ソース/ドレイン領域を構成するエピタキシャルSiGe層16はチャネル領域から遠ざける必要がないため、チャネル領域に十分な応力を加えて歪みを与えることができ、チャネル移動度を増加させることができる。
また、エピタキシャルSiGe層16上にエピタキシャルSi層19を形成し、このエピタキシャルSi層19上にシリサイド膜を形成している。これにより、シリサイド膜18と接合17Aとの間の距離をさらに広げることができる。さらに、シリサイド膜18の均一性を良くすることができため、接合リークを増加させることはない。
なおここでは、エピタキシャル半導体層としてエピタキシャルSiGe層を形成したが、nMOSトランジスタの場合にはエピタキシャル半導体層としてエピタキシャルSiC層を形成するとよい。
以下に、第2実施形態のpMOSトランジスタの製造方法について説明する。
図2〜図6、図9、及び図10は、第2実施形態のpMOSトランジスタの製造方法を示す工程の断面図である。
図2〜図6に示した工程は第1実施形態における製造方法と同様である。図6に示したように、シリコン基板11に形成されたトレンチ11A内に、選択エピタキシャル成長法によりp型のエピタキシャルSiGe層16を形成する。このとき、素子分離領域12側のエピタキシャルSiGe層16にはファセット16Aが形成される。その後、図9に示すように、エピタキシャルSiGe層16上及びファセット16A上に、エピタキシャルSi層19を形成する。このとき、Siをエピタキシャル成長させることによって、エピタキシャルSiGe層16上及びファセット16A上にエピタキシャルSi層19を形成する。すなわち、ファセット16A面にもSiを成長させ、エピタキシャルSi層19にはファセットが出ないように形成される。エピタキシャルSi層19の厚さは例えば5〜50nmであり、エピタキシャルSi層19にはエピタキシャルSiGe層16と同様に不純物を導入してもよい。
さらに、図9に示した構造上に、すなわちエピタキシャルSi層19上に高融点金属膜、例えばニッケル(Ni)、タングステン(W)、チタン(Ti)、コバルト(Co)などを堆積する。続いて、熱処理を行い、エピタキシャルSi層19と高融点金属膜とを反応させて高融点金属膜をシリサイド化する。その後、未反応の高融点金属膜を除去して、図10に示すように、エピタキシャルSi層19上にシリサイド膜18を残す。これにより、エピタキシャルSi層19の露出した表面に、自己整合的にシリサイド膜(サリサイド膜)18を形成する。なおここでは、ソース/ドレイン領域を構成するエピタキシャルSi層19上のみにシリサイド膜を形成したが、同様の工程を用いてゲート電極14上にもシリサイド膜を形成してもよい。
エピタキシャルSiGe層16の形成後、熱工程が加わることによりエピタキシャルSiGe層16に導入されたp型の不純物が熱拡散するため、エピタキシャルSiGe層16より外側のシリコン基板11内にp型拡散層17Cが形成される。図10に示すように、イオン注入法により形成したp型拡散層17Bと、エピタキシャルSiGe層16からのp型の不純物の拡散により形成されるp型拡散層17Cは、p型の同じ極性(導電型)になっているため、エピタキシャルSiGe層16から見てp型拡散層17Bより外側のシリコン基板11内に接合17Aが形成される。以上により、図8に示した第2実施形態のpMOSトランジスタが製造される。
以上説明したようにこの第2実施形態によれば、ソース/ドレイン領域にエピタキシャル半導体層が形成されたMOSトランジスタを含む半導体装置において、エピタキシャル半導体層をチャネル領域から遠ざけることなく、エピタキシャル半導体層上に形成されるサリサイド膜と、ソース/ドレイン領域と半導体基板との間に形成される接合とを遠ざけることができる。さらに、チャネル領域に十分な応力を加えて歪みを与えることができると共に、ソース/ドレイン領域の抵抗を下げて寄生抵抗を低減することができる。その他の構成及び効果については第1実施形態と同様である。
[第3実施形態]
次に、この発明の第3実施形態のpMOSトランジスタについて説明する。前記第2実施形態における構成と同様の部分には同じ符号を付す。第2実施形態では、エピタキシャルSiGe層16下のシリコン基板11にイオン注入法によりp型拡散層17Bを形成してp型半導体領域17を構成したが、この第3実施形態では、イオン注入法によりp型拡散層17Bを形成せず、エピタキシャルSiGe層16からのp型不純物の熱拡散によってp型拡散層17Cのみが形成される。
次に、この発明の第3実施形態のpMOSトランジスタについて説明する。前記第2実施形態における構成と同様の部分には同じ符号を付す。第2実施形態では、エピタキシャルSiGe層16下のシリコン基板11にイオン注入法によりp型拡散層17Bを形成してp型半導体領域17を構成したが、この第3実施形態では、イオン注入法によりp型拡散層17Bを形成せず、エピタキシャルSiGe層16からのp型不純物の熱拡散によってp型拡散層17Cのみが形成される。
図11は、第3実施形態のpMOSトランジスタの構造を示す断面図である。
シリコン基板11には、素子分離領域12とこの素子分離領域12で囲まれた素子領域が形成されている。素子分離領域12に挟まれたシリコン基板11上にはゲート絶縁膜13が形成され、このゲート絶縁膜13上にはゲート電極14が形成されている。さらに、ゲート電極14の側面上には側壁スペーサ(側壁絶縁膜)15が形成されている。
ゲート電極14の両側のシリコン基板11、すなわち素子分離領域12とゲート電極14との間のシリコン基板11にはトレンチ(凹部)11Aが形成され、このトレンチ11A内にはp型のエピタキシャル半導体層、例えばp型のエピタキシャルSiGe層16が形成されている。このエピタキシャルSiGe層16は、ゲート電極14下のシリコン基板11に形成されるチャネル領域を挟むように配置され、ソース/ドレイン領域を構成している。
エピタキシャルSiGe層16は、シリコン基板11に形成されたトレンチ11A内に、SiGeを選択エピタキシャル成長させることによって形成されるため、図8に示すように、素子分離領域12側のエピタキシャルSiGe層16にはファセット16Aが形成される。
エピタキシャルSiGe層16上及びファセット16A上には、エピタキシャル半導体層、例えばエピタキシャルSi層19が形成されている。エピタキシャルSi層19は、Siをエピタキシャル成長させることによってエピタキシャルSiGe層16上及びファセット16A上に形成される。このとき、ファセット16A面にもSiを成長させ、エピタキシャルSi層19にはファセットが出ないように形成される。
また、エピタキシャルSi層19上には、シリサイド膜(サリサイド膜)18が形成されている。
図11に示した構造を有するpMOSトランジスタにおいては、エピタキシャルSiGe層16上にエピタキシャルSi層19を形成し、このエピタキシャルSi層19上にシリサイド膜を形成している。これにより、シリサイド膜18と接合17Aとの間の距離を広げることができる、すなわちシリサイド膜18と接合17Aとを十分に遠ざけることができる。さらに、シリサイド膜18の均一性を良くすることができため、接合リークを増加させることはない。
なおここでは、エピタキシャル半導体層としてエピタキシャルSiGe層を形成したが、nMOSトランジスタの場合にはエピタキシャル半導体層としてエピタキシャルSiC層を形成するとよい。
以下に、第3実施形態のpMOSトランジスタの製造方法について説明する。
図2〜図4、図12、及び図13は、第3実施形態のpMOSトランジスタの製造方法を示す工程の断面図である。
図2〜図4に示した工程は第1実施形態における製造方法と同様である。図4に示したように、ソース/ドレイン領域であるゲート電極14の両側のシリコン基板11に、トレンチ(凹部)11Aを形成する。その後、図12に示すように、シリコン基板11に形成されたトレンチ11A内に、選択エピタキシャル成長法によりp型のエピタキシャルSiGe層16を形成する。このとき、素子分離領域12側のエピタキシャルSiGe層16にはファセット16Aが形成される。
次に、図13に示すように、エピタキシャルSiGe層16上及びファセット16A上に、エピタキシャルSi層19を形成する。このとき、ファセット16A面にもSiを成長させ、エピタキシャルSi層19にはファセットが出ないように形成される。
さらに、図11に示したように、エピタキシャルSi層19上に、自己整合的にシリサイド膜(サリサイド膜)18を形成する。なおここでは、ソース/ドレイン領域を構成するエピタキシャルSi層19上のみにシリサイド膜を形成する例を示したが、同様の工程を用いてゲート電極14上にもシリサイド膜を形成してもよい。
エピタキシャルSiGe層16の形成後、熱工程が加わることによりエピタキシャルSiGe層16に導入されたp型の不純物が熱拡散するため、エピタキシャルSiGe層16より外側のシリコン基板11内にp型拡散層17Cが形成される。以上により、図11に示した第3実施形態のpMOSトランジスタが製造される。
以上説明したようにこの第3実施形態によれば、ソース/ドレイン領域にエピタキシャル半導体層が形成されたMOSトランジスタを含む半導体装置において、エピタキシャル半導体層をチャネル領域から遠ざけることなく、エピタキシャル半導体層上に形成されるサリサイド膜と、ソース/ドレイン領域と半導体基板との間に形成される接合とを遠ざけることができる。さらに、チャネル領域に十分な応力を加えて歪みを与えることができると共に、ソース/ドレイン領域の抵抗を下げて寄生抵抗を低減することができる。その他の構成及び効果については第2実施形態と同様である。
また、前述した各実施形態はそれぞれ、単独で実施できるばかりでなく、適宜組み合わせて実施することも可能である。さらに、前述した各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、各実施形態において開示した複数の構成要件の適宜な組み合わせにより、種々の段階の発明を抽出することも可能である。
11…n型シリコン半導体基板(またはn型ウェル領域)、11A…トレンチ(凹部)、12…素子分離領域、13…ゲート絶縁膜、14…ゲート電極、15…側壁スペーサ(側壁絶縁膜)、16…エピタキシャル・シリコンゲルマニウム層(エピタキシャルSiGe層)、16A…ファセット、17…p型半導体領域、17A…接合、17B…p型拡散層、17C…p型拡散層、18…シリサイド膜(サリサイド膜)、19…エピタキシャル・シリコン層(エピタキシャルSi層)。
Claims (5)
- 第1導電型の半導体基板に形成された素子分離領域と、
前記素子分離領域間の前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側面上に形成された側壁絶縁膜と、
前記素子分離領域と前記ゲート電極との間の前記半導体基板に形成されたトレンチ内に、エピタキシャル成長法により形成され、ファセットを有する第2導電型の第1のエピタキシャル半導体層と、
前記第1のエピタキシャル半導体層上に形成されたシリサイド膜と、
前記第1のエピタキシャル半導体層下の前記半導体基板に形成された第2導電型の半導体領域と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板に形成された素子分離領域と、
前記素子分離領域間の前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側面上に形成された側壁絶縁膜と、
前記素子分離領域と前記ゲート電極との間の前記半導体基板に形成されたトレンチ内に、エピタキシャル成長法により形成され、ファセットを有する第2導電型の第1のエピタキシャル半導体層と、
前記第1のエピタキシャル半導体層上に、エピタキシャル成長法により形成された第2のエピタキシャル半導体層と、
前記第2のエピタキシャル半導体層上に形成されたシリサイド膜と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体基板に形成された素子分離領域と、
前記素子分離領域間の前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側面上に形成された側壁絶縁膜と、
前記素子分離領域と前記ゲート電極との間の前記半導体基板に形成されたトレンチ内に、エピタキシャル成長法により形成され、ファセットを有する第2導電型の第1のエピタキシャル半導体層と、
前記第1のエピタキシャル半導体層上に、エピタキシャル成長法により形成された第2のエピタキシャル半導体層と、
前記第2のエピタキシャル半導体層上に形成されたシリサイド膜と、
前記第1のエピタキシャル半導体層下の前記半導体基板に形成された第2導電型の半導体領域と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1のエピタキシャル半導体層は、シリコンゲルマニウム層またはシリコンカーバイド層のいずれかを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1のエピタキシャル半導体層がシリコンゲルマニウム層を含むとき、前記シリコンゲルマニウム層にはp型の不純物が導入され、前記半導体領域にはイオン注入法によりp型の不純物が注入されており、
前記第1のエピタキシャル半導体層がシリコンカーバイド層を含むとき、前記シリコンカーバイド層にはn型の不純物が導入され、前記半導体領域にはイオン注入法によりn型の不純物が注入されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
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