JP2010010663A5 - - Google Patents
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- 量子井戸デバイスであって、
基板(1)と、
基板(1)を覆いこれと接するバッファ構造(2)であって、第1バンドギャップを有する半導体材料を含むバッファ構造(2)と、
バッファ構造(2)を覆いこれと接するチャネル構造(3)であって、第2バンドギャップを有する半導体材料を含むチャネル構造(3)と、
チャネル構造(3)を覆いこれと接するバリア構造(4’)であって、第3バンドギャップを有する半導体材料を含み、更に2次元キャリアガスの形成に適したドーピング材料を含むバリア構造(4’)と、
バリア構造の一部を覆い、ゲート電極(6)を含むゲート領域(G)と、
ソースおよびドレインコンタクト(10、10’、13、13’)と、を含み、
第1バンドギャップと第3バンドギャップは、第2バンドギャップより広く、
ゲート領域の下に位置するバリア構造の部分に、ドーピング材料が存在しない量子井戸デバイス。 - バリア構造(4’)は、
チャネル構造を覆いこれと接するバリア層(4)であって、第3バンドギャップを有するアンドープの半導体材料を含み、バッファ構造、チャネル構造、およびバリア層が、量子井戸領域(QW)を形成するバリア層(4)と、
ゲート領域に隣接するソース領域(S)およびドレイン領域(D)であって、ソースおよびドレイン領域はゲート領域(G)に対してそれぞれセルフアラインであり、ソースおよびドレイン領域は、第4バンドギャップとドープされた領域とを有する半導体材料(8)を含み、第4バンドギャップは第2バンドギャップより広い請求項1に記載のデバイス。 - ゲート領域(G)は、バリア構造(4’)の一部を覆うゲート電極(6)と、第1の絶縁サイドウォールスペーサ(7)の組とを含む請求項1または2に記載のデバイス。
- ドープされた領域は、ドーピング層(9)からなる請求項2または3に記載のデバイス。
- ドープされた領域は、均一にドープされた(11)請求項2または3に記載のデバイス。
- ドープされた領域は、傾斜ドープされ(12)、上面(12a)において最大ドーパント濃度を有する請求項2または3に記載のデバイス。
- バリア層(4)は、3オングストロームと2nmの間の厚みを有する請求項2〜6のいずれかに記載のデバイス。
- それぞれの絶縁サイドウォールスペーサの幅は、5nm以下である請求項3〜7のいずれかに記載のデバイス。
- ソース領域(S)およびドレイン領域(D)は、量子井戸領域(QW)中のリセスにより形成された窪んだ領域であり、リセスの深さ(dr)は、リセスの端部から、チャネル構造の上面(3a)までの距離より大きく、リセスの端部からバッファ構造の底面(1a)までの距離より小さい請求項2〜8のいずれかに記載のデバイス。
- 更に、ゲート領域(G)中の、バリア層(4)とゲート電極(6)との間に挟まれたゲート誘電体(5)を含む請求項2〜9のいずれかに記載のデバイス。
- 基板(1)と、基板を覆う量子井戸領域(QW)と、量子井戸領域の一部を覆うゲート領域(G)と、ゲート領域に隣接するソース領域(S)とドレイン領域(D)とを含むNFET量子井戸デバイスであって、
この量子井戸領域は、
基板(1)を覆いこれと接するバッファ構造(2)であって、第1バンドギャップを有するIII−V属化合物半導体材料を含むバッファ構造(2)と、
バッファ構造(2)を覆いこれと接するチャネル構造(3)であって、第2バンドギャップを有するIII−V属化合物半導体材料を含むチャネル構造(3)と、
チャネル構造(3)を覆いこれと接するバリア構造(4)であって、第3バンドギャップを有するアンドープのIII−V属化合物半導体材料を含むバリア構造(4)と、を含み、
第1バンドギャップと第3バンドギャップは、第2バンドギャップより広く、
ソース領域(S)とドレイン領域(D)は、それぞれゲート領域(G)に対してセルフアラインであり、第4バンドギャップとドープされた領域を有するIII−V属化合物半導体材料を含み、第4バンドギャップは第2バンドギャップより広いNFET量子井戸デバイス。 - 量子井戸デバイスの製造方法であって、
基板を提供する工程と、
量子井戸領域(QW)を形成する工程であって、
エピタキシャル成長によりバッファ構造(2)を形成する工程であって、基板(1)を覆い、第1バンドギャップを有する半導体材料を含むバッファ構造(2)を形成する工程と、
エピタキシャル成長によりチャネル構造(3)を形成する工程であって、バッファ構造(2)を覆い、第2バンドギャップを有する半導体材料を含むチャネル構造(3)を形成する工程と、
エピタキシャル成長によりバリア層(4)を形成する工程であって、チャネル構造(3)を覆い、第3バンドギャップを有するアンドープの半導体材料を含むバリア構造(4)を形成する工程とを含み、
第1バンドギャップと第3バンドギャップは、第2バンドギャップより広くなる工程と、
量子井戸領域(QW)の一部を覆うゲート領域(G)を形成する工程と、
第2バンドギャップより大きな第4バンドギャップを有する半導体材料(8)の選択成長により、ゲート領域(G)に対してセルフアラインとなるソース領域(S)およびドレイン領域(D)を形成し、ソース領域(S)およびドレイン領域(D)のそれぞれがドープされた領域を含む工程と、を含む量子井戸デバイスの製造方法。 - ゲート領域(G)を形成する工程が、更に、
バリア構造(4’)の一部を覆うゲート電極(6)を形成する工程と、
ゲート電極(6)の両側に、第1の絶縁サイドウォールスペーサ(7)の組を形成する工程と、を含む請求項12に記載の製造方法。 - 更に、ゲート領域(G)を形成する工程後に、ゲート領域の両側にリセスをエッチングすることにより、量子井戸領域(QW)中に窪んだソースおよびドレイン領域を形成し、リセスの深さ(dr)は、リセスの端部からチャネル構造の上面(3a)までの距離よりも大きく、リセスの端部からバッファ構造の底面(1a)までの距離よりも小さい工程を含む請求項12または13に記載の製造方法。
- NFET量子井戸デバイスの製造方法であって、
基板(1)を提供する工程と、
量子井戸領域(QW)を形成する工程であって、
エピタキシャル成長によりバッファ構造(2)を形成する工程であって、基板(1)を覆い、第1バンドギャップを有するIII−V族化合物半導体材料を含むバッファ構造(2)を形成する工程と、
エピタキシャル成長によりチャネル構造(3)を形成する工程であって、バッファ構造(2)を覆い、第2バンドギャップを有するIII−V族化合物半導体材料を含むチャネル構造(3)を形成する工程と、
エピタキシャル成長によりバリア層(4)を形成する工程であって、チャネル構造(3)を覆い、第3バンドギャップを有するアンドープのIII−V族化合物半導体材料を含むバリア構造(4)を形成する工程とを含み、
第1バンドギャップと第3バンドギャップは、第2バンドギャップより広くなる工程と、
量子井戸領域(QW)の一部を覆うゲート領域(G)を形成する工程と、
第2バンドギャップより広い第4バンドギャップを有するIII−V族化合物半導体材料(8)の選択成長により、ゲート領域(G)に対してセルフアラインとなるソース領域(S)およびドレイン領域(D)を形成し、ソース領域(S)およびドレイン領域(D)のそれぞれがドープされた領域を含む工程と、を含むNFET量子井戸デバイスの製造方法。
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