JP2013153141A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- 基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理装置であって、
上記基板の板面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
上記エッチング液によってエッチングされる上記基板の厚さを検出する厚さ検出手段と、
この厚さ検出手段によって検出される上記基板の厚さが異常であるときに上記エッチング液によるエッチングを中断させる制御手段と、
上記エッチング液によるエッチングが中断されたときに上記基板の板面を粗面に加工する加工手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 - 上記制御手段は、上記加工手段を駆動して上記基板の板面を粗面に加工した後、上記エッチング液によるエッチングを再開させることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記基板の板面を洗浄する洗浄手段を有し、
上記制御手段は、上記厚さ検出手段の検出に基いて上記エッチング液供給手段による上記基板の板面のエッチングを中断して上記加工手段によって上記基板の板面を粗面に加工する前と、上記加工手段によって上記基板の板面を粗面に加工し終えたときに、上記洗浄手段によって上記基板の板面を洗浄させることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。 - 上面に上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルを有し、
上記エッチング液供給手段は、回転駆動源によって回転駆動される揺動アームと、この揺動アームの先端に設けられ上記揺動アームが回転駆動されることで上記基板の上方で水平方向に揺動して上記エッチング液を上記基板に噴射するノズル体とを備えていることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。 - 上記加工手段によって上記基板の板面を粗面に加工するとき、上記厚さ検出手段によって上記基板の厚さが測定されることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
- 上記制御手段には上記エッチング液による上記基板のエッチング時間と膜厚の変化との関係が設定される記憶部が設けられ、
上記制御手段は、上記厚さ検出手段が検出する基板の厚さの変化を上記記憶部に設定された設定値に基いて上記基板の厚さの変化が正常であるか否かを判定することを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。 - 基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理方法であって、
上記基板の板面にエッチング液を供給する工程と、
上記エッチングによる上記基板の厚さの変化が異常であるときに上記エッチング液によるエッチングを中断する工程と、
上記エッチングが中断されたときに上記基板の板面を粗面に加工してからエッチングを再開する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。 - 基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理装置であって、
上記基板の板面を粗面に加工する加工手段と、
粗面に加工された上記基板の板面にエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。 - 上記基板の厚さを検出する厚さ検出手段を有し、
上記加工手段は、上記厚さ検出手段により検出された上記基板の厚さに基づいて、上記基板の板面の一部を粗面に加工することを特徴とする請求項8に記載の基板の処理装置。 - 上面に上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルを有し、
上記エッチング液供給手段は、回転駆動源によって回転駆動される揺動アームと、この揺動アームの先端に設けられ上記揺動アームが回転駆動されることで上記基板の上方で水平方向に揺動して上記エッチング液を上記基板に噴射するノズル体とを備えていることを特徴とする請求項8記載の基板の処理装置。 - 基板の板面をエッチング液によってエッチングする基板の処理方法であって、
上記基板の板面を粗面に加工する工程と
粗面に加工された上記基板の板面にエッチング液を供給する工程とを備えていることを特徴とする基板の処理方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012263347A JP6091193B2 (ja) | 2011-12-27 | 2012-11-30 | 基板の処理装置及び処理方法 |
TW101149312A TWI494992B (zh) | 2011-12-27 | 2012-12-22 | Substrate processing device and processing method thereof |
TW104113076A TWI601202B (zh) | 2011-12-27 | 2012-12-22 | Substrate processing apparatus and processing method |
CN201210574314.3A CN103187341B (zh) | 2011-12-27 | 2012-12-26 | 基板的处理装置及处理方法 |
CN201510451334.5A CN105070673A (zh) | 2011-12-27 | 2012-12-26 | 基板的处理装置及处理方法 |
KR1020120153537A KR101380494B1 (ko) | 2011-12-27 | 2012-12-26 | 기판의 처리 장치 및 처리 방법 |
KR1020140016981A KR101432009B1 (ko) | 2011-12-27 | 2014-02-14 | 기판의 처리 장치 및 처리 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011285877 | 2011-12-27 | ||
JP2011285877 | 2011-12-27 | ||
JP2012263347A JP6091193B2 (ja) | 2011-12-27 | 2012-11-30 | 基板の処理装置及び処理方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017020310A Division JP6321234B2 (ja) | 2011-12-27 | 2017-02-07 | 基板の処理装置及び処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013153141A JP2013153141A (ja) | 2013-08-08 |
JP2013153141A5 true JP2013153141A5 (ja) | 2016-01-21 |
JP6091193B2 JP6091193B2 (ja) | 2017-03-08 |
Family
ID=49049249
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012263347A Active JP6091193B2 (ja) | 2011-12-27 | 2012-11-30 | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2017020310A Active JP6321234B2 (ja) | 2011-12-27 | 2017-02-07 | 基板の処理装置及び処理方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017020310A Active JP6321234B2 (ja) | 2011-12-27 | 2017-02-07 | 基板の処理装置及び処理方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6091193B2 (ja) |
KR (1) | KR101432009B1 (ja) |
CN (1) | CN105070673A (ja) |
TW (2) | TWI601202B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6289961B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-03-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20160045299A (ko) * | 2014-10-17 | 2016-04-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 연계 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
KR101680214B1 (ko) * | 2015-01-22 | 2016-11-28 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 이송 장치 |
DE102017212887A1 (de) | 2017-07-26 | 2019-01-31 | Gebr. Schmid Gmbh | Verfahren, Vorrichtung und Anlage zur Leiterplattenherstellung |
JP7130524B2 (ja) * | 2018-10-26 | 2022-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法 |
JP7273660B2 (ja) | 2019-08-30 | 2023-05-15 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置、および半導体装置の製造方法 |
JP2022135022A (ja) | 2021-03-04 | 2022-09-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63256342A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウエ−ハの研削方法 |
JPH03265586A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
JPH09223680A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | エッチング機能付き研磨装置 |
JP3748527B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2006-02-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | エッチング装置およびエッチング方法 |
JP2003203897A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Toshiba Corp | ノズル、基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム |
JP4192482B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2008-12-10 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
KR100452918B1 (ko) * | 2002-04-12 | 2004-10-14 | 한국디엔에스 주식회사 | 두께측정시스템이 구비된 회전식각장치 |
US7078344B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-07-18 | Lam Research Corporation | Stress free etch processing in combination with a dynamic liquid meniscus |
JP2005262406A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Toshiba Corp | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
WO2005104638A1 (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 配線基板およびその製造方法 |
JP3638020B1 (ja) * | 2004-09-17 | 2005-04-13 | 孝昭 鈴木 | ウエハの薄厚化方法、及びウエハの薄厚化装置 |
CN1632165A (zh) * | 2004-12-28 | 2005-06-29 | 北京科技大学 | 一种在硬质合金工具上制备金刚石涂层的方法 |
JP2008166576A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4937674B2 (ja) * | 2006-08-16 | 2012-05-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハのエッチング方法 |
JP2009224511A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5422907B2 (ja) * | 2008-04-11 | 2014-02-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5012632B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2012-08-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2010040543A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの加工装置 |
JP2010171330A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Sumco Techxiv株式会社 | エピタキシャルウェハの製造方法、欠陥除去方法およびエピタキシャルウェハ |
JP2011086654A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Seiko Epson Corp | 基板の加工方法及び基板 |
-
2012
- 2012-11-30 JP JP2012263347A patent/JP6091193B2/ja active Active
- 2012-12-22 TW TW104113076A patent/TWI601202B/zh active
- 2012-12-22 TW TW101149312A patent/TWI494992B/zh active
- 2012-12-26 CN CN201510451334.5A patent/CN105070673A/zh active Pending
-
2014
- 2014-02-14 KR KR1020140016981A patent/KR101432009B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-02-07 JP JP2017020310A patent/JP6321234B2/ja active Active
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