JPH03265586A - 窒化アルミニウム基板の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム基板の製造方法Info
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- JPH03265586A JPH03265586A JP2067877A JP6787790A JPH03265586A JP H03265586 A JPH03265586 A JP H03265586A JP 2067877 A JP2067877 A JP 2067877A JP 6787790 A JP6787790 A JP 6787790A JP H03265586 A JPH03265586 A JP H03265586A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、窒化アルミニウム基板の製造方法に関する。
（従来の技術）
窒化アルミニウムは、半導体装置の高密度化、高速化、
高出力化の流れの中で、高放熱基板材料として注目され
ている。
高出力化の流れの中で、高放熱基板材料として注目され
ている。
窒化アルミニウムセラミックスは、乾式プレス法、ラバ
ープレス法、シート法などの慣用の手法で成形された粉
末を常圧焼結することによって、種々の形状のものが製
造されている。
ープレス法、シート法などの慣用の手法で成形された粉
末を常圧焼結することによって、種々の形状のものが製
造されている。
なかでも、窒化アルミニウム基板はドクターブレード法
で成形したグリーンシートを打抜き、焼成して製造され
る。
で成形したグリーンシートを打抜き、焼成して製造され
る。
シート法で製造できることは、スルーホール基板や大面
積の基板の生産に有利であり、多層基板製造の基本プロ
セスとして重要である。
積の基板の生産に有利であり、多層基板製造の基本プロ
セスとして重要である。
このような窒化アルミニウム基板上には、蒸着またはス
パッタリングによる各種の薄膜形成が可能であり、この
薄膜を用いると高密度な配線をパターニングできること
から、薄膜基板の利用が実用化されつつある。
パッタリングによる各種の薄膜形成が可能であり、この
薄膜を用いると高密度な配線をパターニングできること
から、薄膜基板の利用が実用化されつつある。
薄膜を形成する場合、薄膜は、その被形成体となる部材
の表面状態によって大きく左右される。
の表面状態によって大きく左右される。
このため、窒化アルミニウム基板は、基板を製造した後
、その表面に鏡面研磨加工を施している。
、その表面に鏡面研磨加工を施している。
鏡面研磨は、細粒の砥石で仕上げた面をさらに超微粉の
砥石または微粉の弾性砥石により研磨加工したり、遊離
砥粒によるラップ加工を行うことにより成される。
砥石または微粉の弾性砥石により研磨加工したり、遊離
砥粒によるラップ加工を行うことにより成される。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、このような鏡面研磨の方法では、砥石や遊離
砥粒と、加工物である基板とを相対運動させて研磨する
ため、砥石と窒化アルミニウム基板との間で機械的な傷
が生じることはどうしても避けられない問題である。
砥粒と、加工物である基板とを相対運動させて研磨する
ため、砥石と窒化アルミニウム基板との間で機械的な傷
が生じることはどうしても避けられない問題である。
また、研磨加工によって生じる切り屑、破片などが完全
に除去されず、基板上に残留するという問題もある。
に除去されず、基板上に残留するという問題もある。
これらの微細な傷やごみは、厚膜基板などを作製する場
合には、それほど大きな影響はない。
合には、それほど大きな影響はない。
しかし、薄膜を形成する場合では、僅かな表面の粗さで
も、膜切れを招くおそれがあり、信頼性を考慮すると、
これまで以上の平滑な表面精度が要求される。
も、膜切れを招くおそれがあり、信頼性を考慮すると、
これまで以上の平滑な表面精度が要求される。
薄膜回路に膜切れが生じると、回路パターンの不良、電
気抵抗の劣化につながり、コストアップや信頼性の低下
を招くことになる。
気抵抗の劣化につながり、コストアップや信頼性の低下
を招くことになる。
そこで、窒化アルミニウム基板の表面を、酸やアルカリ
で洗浄することが試みられているが、窒化アルミニウム
の結晶の方向性の違いなどによって、同じ基板表面でも
部分的に浸食の度合が異なり、多少の段差が残っていた
。
で洗浄することが試みられているが、窒化アルミニウム
の結晶の方向性の違いなどによって、同じ基板表面でも
部分的に浸食の度合が異なり、多少の段差が残っていた
。
このような段差による表面粗さも膜切れなどの原因とな
るおそれがあり、特に、基板自体が薄型化するにつれ、
小さな段差でも欠陥の原因となるのである。
るおそれがあり、特に、基板自体が薄型化するにつれ、
小さな段差でも欠陥の原因となるのである。
したがって、より高品質の回路部品を得るために、窒化
アルミニウム基板の表面を、鏡面加工で得られる表面状
態からさらに進んだ精度で平滑化することが課題となっ
ている。
アルミニウム基板の表面を、鏡面加工で得られる表面状
態からさらに進んだ精度で平滑化することが課題となっ
ている。
本発明は、このような課題を解決するためになされたも
ので、鏡面処理された基板の表面をさらに平滑化する窒
化アルミニウム基板の製造方法を提供することを目的と
する。
ので、鏡面処理された基板の表面をさらに平滑化する窒
化アルミニウム基板の製造方法を提供することを目的と
する。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明の窒化アルミニウム基板の製造方法は、窒化アル
ミニウムを主成分とする薄膜形成用絶縁基板に鏡面研磨
加工を施す工程と、前記鏡面研磨加工工程を経た絶縁基
板の表面を、ＥＤＴＡ、 ＮＨ４０Ｈ。
ミニウムを主成分とする薄膜形成用絶縁基板に鏡面研磨
加工を施す工程と、前記鏡面研磨加工工程を経た絶縁基
板の表面を、ＥＤＴＡ、 ＮＨ４０Ｈ。
Ｈ２０２１、およびＨ２Ｏを含有する溶液でエツチング
処理する工程とを有することを特徴としている。
処理する工程とを有することを特徴としている。
本発明に使用するエツチング液として、適した各成分の
濃度の割合は、重量％で表すと、ＥＤＴＡ ：ＮＨ４Ｏ
Ｈ：Ｈ２０２：Ｈ２０−１： ７：１２：４０〜１：
８：１４：４５程度が好ましい。
濃度の割合は、重量％で表すと、ＥＤＴＡ ：ＮＨ４Ｏ
Ｈ：Ｈ２０２：Ｈ２０−１： ７：１２：４０〜１：
８：１４：４５程度が好ましい。
上述したような範囲の濃度割合で調製されたエツチング
液は、窒化アルミニウムに与える影響が穏やかで、過剰
なエツチングを防ぎ、鏡面加工後に残った微細な段差の
みを除去することができる。
液は、窒化アルミニウムに与える影響が穏やかで、過剰
なエツチングを防ぎ、鏡面加工後に残った微細な段差の
みを除去することができる。
他のエツチング液では、エツチングされすぎて表面平滑
化の効果が得られず、窒化アルミニウムの組成にも影響
が及ぶおそれがある。
化の効果が得られず、窒化アルミニウムの組成にも影響
が及ぶおそれがある。
（作 用）
本発明の窒化アルミニウム基板の製造方法においては、
ＥＤＴＡ、 ＮＨ４０Ｈ，Ｈ２０２およびＨ２Ｏを含有
する溶液を用いてエツチングを行っている。
ＥＤＴＡ、 ＮＨ４０Ｈ，Ｈ２０２およびＨ２Ｏを含有
する溶液を用いてエツチングを行っている。
この溶液は、窒化アルミニウム基板の表面を均一にエツ
チングするため、基板表面の機械的な傷、微細なじんあ
いが除去される。
チングするため、基板表面の機械的な傷、微細なじんあ
いが除去される。
すなわち、従来の鏡面加工された窒化アルミニウム基板
の表面よりもさらに平滑な表面を得ることができ、サブ
ミクロン単位にまで表面精度を制御することができる。
の表面よりもさらに平滑な表面を得ることができ、サブ
ミクロン単位にまで表面精度を制御することができる。
また、本発明のエツチング液は、窒化アルミニウムに与
える影響が穏やかであるため、過剰なエツチングや窒化
アルミニウム組成の劣化を生じさせることがない。
える影響が穏やかであるため、過剰なエツチングや窒化
アルミニウム組成の劣化を生じさせることがない。
さらに、基板表面をより平滑化することで、薄膜の密着
強度を向上させることができる。
強度を向上させることができる。
（実施例）
次に、本発明の実施例について説明する。
実施例
まずはじめに、窒化アルミニウム粉末に所定量の焼結助
剤とバインダを加え、シート状に成形して焼成し、窒化
アルミニウム基板を作製した。
剤とバインダを加え、シート状に成形して焼成し、窒化
アルミニウム基板を作製した。
この窒化アルミニウム基板に対して、炭化ケイ素の砥粒
を用いて研磨加工を施し、鏡面仕上げを行った。なお、
ここでの窒化アルミニウム基板の表面粗さは、平均Ｒａ
６１ｎｍであった。
を用いて研磨加工を施し、鏡面仕上げを行った。なお、
ここでの窒化アルミニウム基板の表面粗さは、平均Ｒａ
６１ｎｍであった。
一方、ＥＤＴＡ、 ＮＨ４０ＨＳＨ２０２、Ｈ２０とを
この順に、ｌ： ７．６： １３： ４３．５の割合
で混合し、平滑化用エツチング液を調製した。
この順に、ｌ： ７．６： １３： ４３．５の割合
で混合し、平滑化用エツチング液を調製した。
そして、このエツチング液を用いて、上述した窒化アル
ミニウムの鏡面基板に０．５〜１分のエツチングを行っ
た。
ミニウムの鏡面基板に０．５〜１分のエツチングを行っ
た。
すると、窒化アルミニウム基板の表面粗さは、平均Ｒａ
５０ｎｍまで向上し、より高い平滑化を実現することが
できた。
５０ｎｍまで向上し、より高い平滑化を実現することが
できた。
さらに、得られた窒化アルミニウム基板上に、基板側か
ら順にＴｌ、Ｎ１、Ａυの薄膜導体をスパッタリングで
成膜し、薄膜の密着強度を測定した。
ら順にＴｌ、Ｎ１、Ａυの薄膜導体をスパッタリングで
成膜し、薄膜の密着強度を測定した。
その結果、室温において２ｋｇ／ ｄ以上であった。
比較例
実施例で作製した窒化アルミニウム基板に鏡面研磨を施
した後、エツチングを行わずに、実施例と同一条件で薄
膜導体を成膜した。
した後、エツチングを行わずに、実施例と同一条件で薄
膜導体を成膜した。
そして、この薄膜の密着強度を実施例と同一条件で測定
した結果、室温において２ｋｇ／ｘｉ未満であった。
した結果、室温において２ｋｇ／ｘｉ未満であった。
これらの結果から明らかなように、本発明によるエツチ
ング処理を行って、より表面が平滑化された窒化アルミ
ニウム基板には、高い密着強度を有する薄膜を形成する
ことができた。
ング処理を行って、より表面が平滑化された窒化アルミ
ニウム基板には、高い密着強度を有する薄膜を形成する
ことができた。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明の窒化アルミニウム基板の
製造方法によれば、特定のエツチング液を用いて鏡面加
工後の窒化アルミニウム基板をエツチングすることによ
り、より高い平滑性を得ることができる。
製造方法によれば、特定のエツチング液を用いて鏡面加
工後の窒化アルミニウム基板をエツチングすることによ
り、より高い平滑性を得ることができる。
これによって、この窒化アルミニウム基板を用いた電子
部品の信頼性を向上させることかできる。
部品の信頼性を向上させることかできる。
Claims (1)
- （１）窒化アルミニウムを主成分とする薄膜形成用絶縁
基板に鏡面研磨加工を施す工程と、 前記鏡面研磨加工工程を経た絶縁基板の表面を、ＥＤＴ
Ａ、ＮＨ＿４ＯＨ、Ｈ＿２Ｏ＿２、およびＨ＿２Ｏを含
有する溶液でエッチング処理する工程とを有し、薄膜形
成に適した表面状態に処理することを特徴とする窒化ア
ルミニウム基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2067877A JPH03265586A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2067877A JPH03265586A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03265586A true JPH03265586A (ja) | 1991-11-26 |
Family
ID=13357581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2067877A Pending JPH03265586A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03265586A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688044A3 (en) * | 1994-06-06 | 1997-12-29 | Motorola, Inc. | III-V Semiconductor structure and method of manufacture |
| JP2005276891A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Ngk Insulators Ltd | セラミック製サセプターおよびその洗浄方法 |
| CN105070673A (zh) * | 2011-12-27 | 2015-11-18 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板的处理装置及处理方法 |
-
1990
- 1990-03-15 JP JP2067877A patent/JPH03265586A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0688044A3 (en) * | 1994-06-06 | 1997-12-29 | Motorola, Inc. | III-V Semiconductor structure and method of manufacture |
| JP2005276891A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Ngk Insulators Ltd | セラミック製サセプターおよびその洗浄方法 |
| JP4632290B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2011-02-16 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム製サセプターの洗浄方法 |
| CN105070673A (zh) * | 2011-12-27 | 2015-11-18 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板的处理装置及处理方法 |
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