TWI601202B - Substrate processing apparatus and processing method - Google Patents
Substrate processing apparatus and processing method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI601202B TWI601202B TW104113076A TW104113076A TWI601202B TW I601202 B TWI601202 B TW I601202B TW 104113076 A TW104113076 A TW 104113076A TW 104113076 A TW104113076 A TW 104113076A TW I601202 B TWI601202 B TW I601202B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- etching
- substrate
- thickness
- processing
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 47
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 112
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 72
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 115
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 39
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 3
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
此發明係有關於使用蝕刻液來蝕刻半導體晶圓等基板之板面之基板之處理裝置及處理方法。
舉例言之，在半導體之製程中，已知有使用蝕刻液來去除形成於半導體晶圓之表面之氧化膜、氮化膜或鋁膜等的蝕刻步驟。
以蝕刻液去除形成於半導體晶圓之表面之膜時，為使該膜厚形成設定之厚度，習知僅於預先設定之時間進行蝕刻加工，或一面以膜厚感測器檢測上述半導體晶圓之厚度一面進行，藉此，將上述半導體晶圓蝕刻加工成所期之厚度。
又，產生以後步驟之處理於外周部形成肋條形狀等製造有底筒狀半導體晶圓之必要。為於外周部形成肋條形狀，以研磨機等將半導體晶圓之中心側研磨加工，去除外周部以外。此外，研磨加工後，為去除應力，乃進行濕式蝕刻。
專利文獻1 日本專利公開公報2002-319562號
然而，有於形成於上述半導體晶圓之膜之表面附著有一般使用之蝕刻液無法蝕刻之有機物的情形，此時，有有機物之膜形成為遮蔽而蝕刻不進行之情形。
再者，有上述半導體晶圓於搬送至蝕刻步驟之前步驟以CMP(Chemical Mechanical Polishing：化學機械研磨)鏡面加工之情形。業經鏡面加工之半導體晶圓之面、亦即鏡面形成為蝕刻液不易作用之狀態。因此，亦有此時蝕刻液之蝕刻不進行之情形。
又，當因上述理由等，半導體晶圓之蝕刻不進行時，便無法將半導體晶圓蝕刻加工成所期之厚度。
又，以研磨加工研磨中心側時，因需將黏著帶貼附於半導體晶圓之背面，故需要於研磨加工前後貼、撕黏著帶之步驟。再者，因追加步驟需要前述之應力去除步驟或洗淨步驟，步驟複雜化，而有生產性降低等之問題。此外，由於研磨加工雖加工效率佳，但有裂紋進入半導體晶圓之情形，故亦有無法使加工速度為一定以上之問題。
此發明在於提供即使於基板之板面形成有有機物之膜或上述板面為鏡面等，亦可將上述基板以蝕刻液確實地蝕刻成所期之厚度之基板之處理裝置及處理方法。
又，此發明在於提供基板之處理裝置及處理方法，該基板之處理裝置及處理方法係藉於製造具有外周肋條形狀之半導體晶圓之際，不使用研磨步驟而減少處理步驟，使步驟單純化，藉此，可謀求生產性提高。
此發明係以蝕刻液蝕刻基板之板面之基板之處理裝置，其特徵在於包含有蝕刻液供給機構、厚度檢測機構、控制機構及加工機構，該蝕刻液供給機構係將蝕刻液供給至前述基板之板面者；該厚度檢測機構係檢測以前述蝕刻液蝕刻之前述基板之厚度者；該控制機構係於以該厚度檢測機構檢測之前述基板之厚度為異常時，使以前述蝕刻液所作之蝕刻中斷者；該加工機構係於中斷以前述蝕刻液所作之蝕刻時，將前述基板之板面加工成粗面者。
此發明係以蝕刻液蝕刻基板之板面之基板之處理方法，其特徵在於包含有下列步驟：(1)將蝕刻液供給至前述基板之板面；(2)於因前述蝕刻所引起之前述基板之厚度之變化異常時，中斷以前述蝕刻液所作之蝕刻；(3)於中斷前述蝕刻時，將前述基板之板面加工成粗面後，再開始蝕刻。
根據此發明，藉判斷蝕刻時之基板之厚度是否變化，而判定是否已蝕刻基板，於未執行蝕刻時，中斷蝕刻，將上述基板之板面加工成粗面後，再開始蝕刻。
因此，藉將上述基板之板面加工成粗面，可去除
為阻礙基板之蝕刻之進行之原因的例如形成於基板板面之有機物之膜，或從蝕刻液不易作用之鏡面之狀態呈易作用之粗面，故可將上述基板確實地蝕刻成所期之厚度。
1‧‧‧杯體
2‧‧‧旋轉台
2a‧‧‧保持銷
3‧‧‧台用驅動源
4‧‧‧分隔體
4a‧‧‧傾斜壁
5‧‧‧內側空間部
6‧‧‧外側空間部
7‧‧‧上下驅動源
8‧‧‧第1廢液管
9‧‧‧第2廢液管
11‧‧‧處理再生單元
13‧‧‧第1旋轉驅動源
14‧‧‧第2旋轉驅動源
15‧‧‧第3旋轉驅動源
16‧‧‧第1軸體
17‧‧‧第2軸體
18‧‧‧第3軸體
21‧‧‧第1臂
22‧‧‧第2臂
23‧‧‧第3臂
25‧‧‧第1噴嘴體
26‧‧‧第2噴嘴體
27‧‧‧研磨體
27A‧‧‧雷射照射部
28‧‧‧氣缸
29‧‧‧厚度檢測感測器
30‧‧‧供給機構
31‧‧‧控制裝置
32‧‧‧設定部
33‧‧‧記憶部
34‧‧‧比較部
35‧‧‧判定部
36‧‧‧輸出部
38‧‧‧第1供液管
39‧‧‧第1開關閥
41‧‧‧第2供液管
42‧‧‧第2開關閥
43‧‧‧供氣管
44‧‧‧第3開關閥
A‧‧‧加壓氣體
b，bn，bn+α‧‧‧半導體晶圓之厚度
E‧‧‧蝕刻液
L‧‧‧洗淨液
m‧‧‧鏡面
P‧‧‧圖形
r‧‧‧粗面
tn‧‧‧時間
W‧‧‧半導體晶圓
WL‧‧‧肋條部
WQ‧‧‧中心側
圖1係顯示此發明第1實施形態之旋轉處理裝置之概略圖。
圖2係圖1所示之旋轉處理裝置之平面圖。
圖3係蝕刻液、洗淨液及加壓系統之配管系統圖。
圖4係控制設於圖3所示之配管系統圖之第1至第3開關閥的控制裝置之結構圖。
圖5係顯示蝕刻時之半導體晶圓之厚度之變化與時間之關係的圖表。
圖6A係顯示蝕刻之面為鏡面之半導體晶圓之一部份的放大圖。
圖6B係顯示蝕刻之面從鏡面加工成粗面之半導體晶圓之一部份的放大圖。
圖7A係示意地顯示使用此發明之第2實施形態之旋轉處理裝置處理中之半導體晶圓的縱截面圖。
圖7B係示意地顯示該半導體晶圓之縱截面圖。
圖7C係示意地顯示該半導體晶圓之縱截面圖。
圖8係示意地顯示該旋轉處理裝置之變形例之縱截面圖。
以下，一面參照圖式，一面說明此發明之第1實施形態。
圖1及圖2顯示作為處理裝置之旋轉處理裝置，此旋轉處理裝置具有杯體1。於此杯體1之內部設有旋轉台2。此旋轉台2可以台用驅動源3旋轉驅動，作為基板之半導體晶圓W以複數保持銷2a以水平狀態可裝卸地保持於其上面。亦即，上述半導體晶圓W以可與此旋轉台2一體地旋轉之狀態保持於上述旋轉台2。
如圖1所示，於上述杯體1之內部設有將此內部區隔成內側空間部5與外側空間部6之筒狀分隔體4，此分隔體4可以複數上下驅動源7於上下方向驅動。
上述分隔體4位於上升位置時，如後述，供給至與上述旋轉台2一同旋轉之上述半導體晶圓W之上面而以離心力飛散至周圍的蝕刻液E撞擊上述分隔體4之內周面而滴下至上述內側空間部5。
如圖1所示，於上述分隔體4位於下降位置時，形成於此分隔體4之上端部之傾斜壁4a之上端定位於稍低於上述半導體晶圓W之上面之位置。藉此，如後述，供給至旋轉之上述半導體晶圓W之上面而以離心力飛散至周圍之洗淨液L可滴下至上述外側空間部6。
於上述杯體1之底部之對應於上述內側空間部5的部位連接有第1廢液管8，於對應於上述外側空間部6之部位連接有第2廢液管9。流至上述第1廢液管8之上述蝕刻液E引導至處理再生單元11而淨化，而可如後述再使用。引導
至上述第2廢液管9之洗淨液L進行淨化處理而廢棄。
如圖1及圖2所示，於上述杯體1之外部配置有第1
旋轉驅動源13、第2旋轉驅動源14及第3旋轉驅動源15。以各驅動源13、14、15分別旋轉驅動之第1軸體16、第2軸體17、第3軸體18垂直地設於各驅動源13、14、15。
第1臂21之基端連結於上述第1軸體16之上端而
保持成水平，第2臂22之基端連結於第2軸體17之上端而保持成水平。第3臂23之基端連結於第3軸體18之上端而保持成水平。
於上述第1臂21之前端部設有蝕刻液用第1噴嘴體25、作為洗淨體之純水用第2噴嘴體26。又，當上述第1臂21以上述第1旋轉驅動源13在預定角度範圍旋轉驅動時，上述第1噴嘴體25與第2噴嘴體26在保持於上述旋轉台2之半導體晶圓W之上方沿著徑方向，如圖2箭號所示搖動。
作為將保持於上述旋轉台2之半導體晶圓W之上
面加工成粗面之加工機構的盤狀研磨體27以可以氣缸28於上下方向驅動之狀態設於上述第2臂22之前端部。
上述研磨體27於接觸上述半導體晶圓W之板面之面設有布紋較用於將上述半導體晶圓W之板面鏡面加工時之布料粗且硬的布料。又，當上述第2臂22以上述第2旋轉驅動源14在預定角度範圍旋轉驅動時，上述研磨體27在保持於上述旋轉台2之半導體晶圓W之上方如圖2箭號所示，搖動。
因而，若一面使上述研磨體27搖動，一面以上述
氣缸28賦與往下降方向之勢能時，不以上述研磨體27將上
述半導體晶圓W之上面鏡面加工，而加工成較鏡面粗之粗面。
此外，上述研磨體27不限於使用布紋粗、硬之布料，亦可為使粒徑較大之磨料附著於布料者，要點為可使半導體晶圓W之板面加工成粗面者即可。
於上述第3臂23之前端部設有為檢測上述半導體晶圓W之厚度之厚度檢測機構的厚度檢測感測器29。此厚度檢測機構例如為雷射變位感測器。此厚度檢測感測器29藉使上述第3臂23以上述第3旋轉驅動源15如圖2以箭號所示搖動而掃瞄，而檢測保持於上述旋轉台2之半導體晶圓W之厚度。亦即，如後述，可檢測業經以蝕刻液E所作之蝕刻之上述半導體晶圓W的厚度或業經以上述研磨體27加工成粗面之上述半導體晶圓W之厚度。
如圖4所示，上述厚度檢測感測器29之檢測信號
可輸出至控制裝置31。於控制裝置31連接設定部32，藉此設定部32，於內藏於上述控制裝置31之記憶部33如圖5所示，設定顯示正常狀態之以蝕刻液所作之上述半導體晶圓W之蝕刻時間與厚度之關係的直線狀圖形P。此圖形P為顯示蝕刻量對蝕刻時間之設定值。
此外，圖形P之傾斜角度依蝕刻液E之濃度或種
類等性能而不同。
當以蝕刻液E開始半導體晶圓W之蝕刻時，便將
以上述厚度檢測感測器29檢測之上述半導體晶圓W之厚度b的變化輸出至比較部34。在此比較部34，每當蝕刻經過預
定時間，在該時間之以上述厚度檢測感測器29檢測之上述半導體晶圓W的厚度b與設定於上述記憶部33之上述記憶部33之上述圖形P比較。
又，於以上述厚度檢測感測器29檢測之上述半導
體晶圓W之厚度b的變化對上述圖形P偏離預定範圍以上時，如圖5所示，舉例言之，在時間tn，在圖形P，半導體晶圓W之厚度為bn，相對於此，在測定值，其厚度為bn+α時，此以判定部35判定，將該判定信號輸出至輸出部36。
如圖3及圖4所示，上述輸出部36可輸出驅動上述
台用驅動源3、第1至第3旋轉驅動源13~15之驅動信號。進一步，上述輸出部36輸出驅動信號，該驅動信號係開關設於將蝕刻液E供至上述第1噴嘴體25之第1供液管38之第1開關閥39、設於將洗淨液L供至上述第2噴嘴體26之第2供液管41之第2開關閥42、設於將加壓氣體A供至上述氣缸28之供氣管43之第3開關閥44。
從上述處理再生單元11將蝕刻液E供至上述第1供液管38，從圖中未示之洗淨液L之供給源將洗淨液L供至上述第2供液管41，從圖中未示之供氣源將加壓氣體A供至上述供氣管43。
於將上述半導體晶圓W蝕刻加工時，在以上述第1旋轉驅動源13將半導體晶圓W與旋轉台2一同旋轉驅動之狀態下，以上述第1旋轉驅動源13搖動驅動第1臂21，並且，開放上述第1開關閥39，從設於上述第1臂21之前端部之第1噴嘴體25對上述半導體晶圓W之上面噴射供給蝕刻液E。藉
此，可蝕刻上述半導體晶圓W。
上述半導體晶圓W之蝕刻之進行狀態可以設於第3臂23之前端部且定位於上述半導體晶圓W之上方之厚度檢測感測器29檢測。以厚度檢測感測器29所檢測出之上述半導體晶圓W之厚度之變化以比較部34與顯示設定於上述記憶部33之預定蝕刻時之時間與厚度之變化的關係之圖形P比較，其比較結果以判定部35每隔預定時間、例如每隔數秒比較判定。
於上述半導體晶圓W之供給蝕刻液E之上面形成有有機物之膜，或如圖6A所示，以前步驟加工成鏡面m時，如上述，有上述半導體晶圓W之上面之以蝕刻液E所作的蝕刻相較於上述圖形P進行慢或不進行之情形。此呈下述狀態，前述狀態係蝕刻液E不停留於半導體晶圓W之表面上而立即排出，蝕刻液E之蝕刻處理不進行。
此時，上述判定部35之比較結果判定為相對於上
述圖形P，半導體晶圓W之厚度厚。又，當上述圖形P與所測定之半導體晶圓W之厚度之偏離量為預定量以上時，便將此輸出至輸出部36。
藉此，當判斷為半導體晶圓W之厚度無變化後，
上述輸出部36關閉第1開關閥39，停止蝕刻液E之供給，使蝕刻處理暫時停止，然後，開啟第2開關閥42，從第2噴嘴體26將洗淨液L噴射供至半導體晶圓W，藉此，可洗淨去除殘留於半導體晶圓W之蝕刻液E。
當從上述第2噴嘴體26噴射洗淨液L預定時間而洗淨上
述半導體晶圓W之上面時，以供給機構30將漿或研磨粉等研磨劑供至上述半導體晶圓W之上面後，以第2旋轉驅動源14搖動驅動第2臂22。
與此同時，從上述輸出部36以信號開放設於上述
供氣管43之第3開關閥44，而驅動設於上述第2臂22之前端部之氣缸28，一面藉此氣缸28研磨體27搖動保持於旋轉台2而旋轉驅動之半導體晶圓W之上面，一面以預定時間按壓加工。
藉此，上述半導體晶圓W之上面藉由上述研磨劑
以設於上述研磨體27之布紋粗且硬之布料，如圖6B所示，加工成粗面r。在將研磨劑供至上述半導體晶圓W之上面前，以洗淨液L洗淨上述半導體晶圓W之上面，而洗淨去除蝕刻液E。因此，可防止如蝕刻液E殘留於半導體晶圓W之上面般，研磨劑與蝕刻液E起化學反應，半導體晶圓W之上面受到影響。
因上述研磨體27所引起之加工半導體晶圓W時之此半導體晶圓W之厚度的變化可以上述厚度檢測感測器29檢測。又，因上述研磨體27所引起之半導體晶圓W之厚度的變化與設定於上述記憶部33之圖形P之時間tn的厚度bn比較。
又，上述半導體晶圓W之厚度從bn+α形成為中斷以蝕刻液所作之蝕刻之時間tn之以上述圖形P設定的厚度bn時，結束以上述研磨體27所作之研磨加工。藉此，可防止以上述研磨體27過度研磨半導體晶圓W。
如圖6B所示，當以上述研磨體27將上述半導體
晶圓W之上面加工成粗面r時，上述研磨體27從半導體晶圓W之上面退避後，以第2旋轉驅動源14搖動驅動上述第1臂21。與此同時，從第2噴嘴體26噴射洗淨液L預定時間，而從半導體晶圓W之上面洗淨去除研磨劑。
接著，從設於上述第1臂21之前端部之第1噴嘴體25將蝕刻液E噴射供給至半導體晶圓W之上面。此時，因半導體晶圓W之上面未殘留研磨劑，故可防止研磨劑與蝕刻液E起化學反應，半導體晶圓W之上面變質。
如此進行，可噴射供給蝕刻液E之半導體晶圓W
之上面以上述研磨體27加工成粗面r。亦即，由於因於半導體晶圓W之上面去除以例如有機物形成之膜，或上面之鏡面m之狀態加工成粗面r，蝕刻液E滯留於半導體晶圓W之上面，故可解除不以蝕刻液E進行半導體晶圓W之上面之蝕刻的狀態。
藉此，藉從上述第1噴嘴體25將蝕刻液E噴射供給
至半導體晶圓W之上面，蝕刻可進行。又，以上述厚度檢測感測器29檢測該蝕刻之進行狀態，一面與上述圖形P比較，一面進行蝕刻。
此外，在蝕刻之途中，如上述，以研磨體27加工半導體晶圓W之上面時，測定該加工所需之時間。又，於再開始研磨加工時，將修正加工所需之時間而測定之半導體晶圓W之厚度與上述圖形P所示之值比較。
如以上所述，若在蝕刻途中檢測出蝕刻未進行，
便於半導體晶圓W之上面以研磨體27加工成粗面r後，再開始蝕刻。
因而，因於半導體晶圓W之上面未以蝕刻液E進
行蝕刻時，檢測此，而將上述半導體晶圓W之上面加工作易蝕刻之粗面r後，再開始蝕刻，故可確實地進行半導體晶圓W之蝕刻。
在上述一實施形態中，舉了於杯體內設分隔體且將蝕刻液回收再使用之例來說明，每當使用蝕刻液，廢棄時，不需於上述杯體內設分隔體來回收已使用過之蝕刻液。
又，於第1臂設第1噴嘴，將研磨體設於第2臂，研磨體與第1及第2噴嘴一同設於第1臂亦無妨。
以下，一面參照圖1~圖4及圖7A、圖7B、圖7C
及圖8，一面說明此發明之第2實施形態。此外，關於與上述第1實施形態之旋轉處理裝置相同之功能部份，省略說明。
此外，本實施形態之旋轉處理裝置以將半導體晶
圓W加工成於外周部具有肋條部WL之形狀為目的。又，使用藥液(HF/HNO3)作為在本實施形態使用之蝕刻液E。
在本實施形態使用之研磨體27係於接觸上述半
導體晶圓W之板面之面設有砂紙。又，當上述第2臂22以上述第2旋轉驅動源14在預定角度範圍旋轉驅動時，上述研磨體27可在保持於上述旋轉台2之半導體晶圓W之上方如圖2箭號所示，搖動。
因而，若一面使上述研磨體27搖動，一面以上述
氣缸28賦與往下降方向之勢能時，便以上述研磨體27將上述半導體晶圓W之上面加工成粗面。在此，粗面之粗度為後述藥液可充分停留之程度。
在本實施形態使用之厚度檢測感測器29除了上
述雷射變位感測器外，尚可使用終點感測器等。
此厚度檢測感測器29藉以上述第3旋轉驅動源15
如圖2以箭號所示，搖動來掃瞄，可檢測保持於上述旋轉台2之半導體晶圓W之厚度。亦即，如後述，可檢測業經以蝕刻液E所作之蝕刻之上述半導體晶圓W的厚度或以上述研磨體27加工成粗面之上述半導體晶圓W之厚度。
在此種旋轉處理裝置中，如下進行，而從圖7A
所示之圓板狀半導體晶圓W形成於圖7C所示之外周部具有肋條部WL之半導體晶圓W。即，使上述研磨體27作動，如圖7B所示，將半導體晶圓W之未形成肋條部之中心側WQ粗面化。
接著，在以上述第1旋轉驅動源13將半導體晶圓W與旋轉台2一同旋轉驅動之狀態下，以上述第1旋轉驅動源13，搖動驅動第1臂21，並且，開放上述第1開關閥39，從設於上述第1臂21之前端部之第1噴嘴25對上述半導體晶圓W之上面噴射供給蝕刻液E。由於蝕刻液E停留於已粗面化之表面之凹處，故蝕刻亦不致因旋轉台2之旋轉而從上述半導體晶圓W飛散。因此，可促進蝕刻。
又，在以上述厚度檢測感測器29檢測之上述半導體晶圓W之中心側WQ之厚度形成為預定厚度的時間點，上述輸
出部36關閉第1開關閥39，停止蝕刻液E之供給，而使蝕刻處理停止。接著，開啟第2開關閥42，從第2噴嘴體26將洗淨液L噴射供給至半導體晶圓W，藉此，可洗淨去除殘留於半導體晶圓W之蝕刻液E。
此外，在進行蝕刻之步驟中，亦可在半導體晶圓
W之中心側WQ之範圍，於厚度產生分佈時，重新使研磨體27作動，將剩餘厚度大之部份粗面化，促進蝕刻之進行，最後不致產生厚度分佈。
如此，即使於半導體晶圓W之外周部設肋條部
WL時，亦不需研磨加工，而可以藥液所作之蝕刻以化學方式進行去除加工。因此，不對半導體晶圓W造成負擔，不需應力去除步驟，步驟單純化，生產性提高，製造成本降低。又，裂紋亦不致進入半導體晶圓W。
此外，圖8係示意地顯示本實施形態之變形例之
縱截面圖。在圖8，於與圖1相同之功能部份附上同一標號，而省略其詳細說明。圖8係將雷射光束加工設有雷射照射部27取代上述研磨體27者。如此，亦可以雷射光束加工，將半導體晶圓W之中心側WQ粗面化。
此外，研磨體27不限於砂紙或雷射光束，只要為
如切割器、噴丸、噴冰片、噴乾冰等般，將半導體晶圓W之板面適當地粗糙化成粗面者即可。
此外，本發明非限於前述實施形態者。舉例言
之，蝕刻加工之基板舉了半導體晶圓為例來說明，對用於液晶顯示裝置等之玻璃基板取代半導體晶圓作為基板，進
行蝕刻加工時，亦可適用。又，使研磨體或厚度檢測感測器搖動而掃瞄，亦可為水平面之XY方向之掃瞄。此外，在不脫離本發明之要旨之範圍，當然可實施各種變形。
1‧‧‧杯體
2‧‧‧旋轉台
2a‧‧‧保持銷
3‧‧‧台用驅動源
4‧‧‧分隔體
4a‧‧‧傾斜壁
5‧‧‧內側空間部
6‧‧‧外側空間部
7‧‧‧上下驅動源
8‧‧‧第1廢液管
9‧‧‧第2廢液管
11‧‧‧處理再生單元
13‧‧‧第1旋轉驅動源
14‧‧‧第2旋轉驅動源
15‧‧‧第3旋轉驅動源
16‧‧‧第1軸體
17‧‧‧第2軸體
18‧‧‧第3軸體
21‧‧‧第1臂
22‧‧‧第2臂
23‧‧‧第3臂
25‧‧‧第1噴嘴體
26‧‧‧第2噴嘴體
27‧‧‧研磨體
28‧‧‧氣缸
29‧‧‧厚度檢測感測器
E‧‧‧蝕刻液
L‧‧‧洗淨液
W‧‧‧半導體晶圓
Claims (6)
- 一種基板之處理裝置，是將基板加工成在前述基板之外周部具有肋條之形狀，其特徵在於包含有：加工機構，將前述基板之前述外周部之內側的區域加工成粗面；及蝕刻液供給機構，將蝕刻液供給至前述基板之已被加工成前述粗面的板面。
- 如請求項1之基板之處理裝置，更具有洗淨處理機構，前述洗淨處理機構是在利用前述蝕刻液供給機構供給蝕刻液後，洗淨處理前述基板。
- 如請求項1或2之基板之處理裝置，更具有厚度檢測機構，前述厚度檢測機構是用以檢測藉前述蝕刻液進行蝕刻之前述基板的厚度。
- 如請求項1或2之基板之處理裝置，其中用以加工成粗面之前述加工機構具有雷射照射部，藉由該雷射照射部所進行的雷射光束加工將前述外周部之內側的區域進行粗面化。
- 一種基板之處理方法，是將基板加工成在前述基板之外周部具有肋條之形狀，其特徵在於包含有下列步驟：將前述基板之前述外周部之內側的區域加工成粗面；及將蝕刻液供給至前述基板之已被加工成前述粗面的板面。
- 如請求項5之基板之處理方法，更包含有洗淨處理步驟，前述洗淨處理步驟是在利用前述供給蝕刻液步驟供給蝕刻液後，洗淨處理前述基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011285877 | 2011-12-27 | ||
| JP2012263347A JP6091193B2 (ja) | 2011-12-27 | 2012-11-30 | 基板の処理装置及び処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201535506A TW201535506A (zh) | 2015-09-16 |
| TWI601202B true TWI601202B (zh) | 2017-10-01 |
Family
ID=49049249
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101149312A TWI494992B (zh) | 2011-12-27 | 2012-12-22 | Substrate processing device and processing method thereof |
| TW104113076A TWI601202B (zh) | 2011-12-27 | 2012-12-22 | Substrate processing apparatus and processing method |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101149312A TWI494992B (zh) | 2011-12-27 | 2012-12-22 | Substrate processing device and processing method thereof |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP6091193B2 (zh) |
| KR (1) | KR101432009B1 (zh) |
| CN (1) | CN105070673A (zh) |
| TW (2) | TWI494992B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6289961B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-03-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR20160045299A (ko) * | 2014-10-17 | 2016-04-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 연계 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
| KR101680214B1 (ko) * | 2015-01-22 | 2016-11-28 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 이송 장치 |
| DE102017212887A1 (de) | 2017-07-26 | 2019-01-31 | Gebr. Schmid Gmbh | Verfahren, Vorrichtung und Anlage zur Leiterplattenherstellung |
| JP7130524B2 (ja) * | 2018-10-26 | 2022-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法 |
| JP7273660B2 (ja) | 2019-08-30 | 2023-05-15 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置、および半導体装置の製造方法 |
| JP7544625B2 (ja) * | 2021-03-04 | 2024-09-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09223680A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | エッチング機能付き研磨装置 |
| TW200603705A (en) * | 2004-04-23 | 2006-01-16 | Matsushita Electric Works Ltd | Wiring board and method for producing the same |
| TWI286817B (en) * | 2004-01-30 | 2007-09-11 | Lam Res Corp | Stress free etch processing in combination with a dynamic liquid meniscus |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63256342A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウエ−ハの研削方法 |
| JPH03265586A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
| JP3748527B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2006-02-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | エッチング装置およびエッチング方法 |
| JP2003203897A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Toshiba Corp | ノズル、基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム |
| JP4192482B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2008-12-10 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコンウェーハの製造方法 |
| KR100452918B1 (ko) * | 2002-04-12 | 2004-10-14 | 한국디엔에스 주식회사 | 두께측정시스템이 구비된 회전식각장치 |
| JP2005262406A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Toshiba Corp | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
| JP3638020B1 (ja) * | 2004-09-17 | 2005-04-13 | 孝昭 鈴木 | ウエハの薄厚化方法、及びウエハの薄厚化装置 |
| CN1632165A (zh) * | 2004-12-28 | 2005-06-29 | 北京科技大学 | 一种在硬质合金工具上制备金刚石涂层的方法 |
| JP2008166576A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4937674B2 (ja) * | 2006-08-16 | 2012-05-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハのエッチング方法 |
| JP2009224511A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP5422907B2 (ja) * | 2008-04-11 | 2014-02-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5012632B2 (ja) * | 2008-04-15 | 2012-08-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010040543A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの加工装置 |
| JP2010171330A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルウェハの製造方法、欠陥除去方法およびエピタキシャルウェハ |
| JP2011086654A (ja) * | 2009-10-13 | 2011-04-28 | Seiko Epson Corp | 基板の加工方法及び基板 |
-
2012
- 2012-11-30 JP JP2012263347A patent/JP6091193B2/ja active Active
- 2012-12-22 TW TW101149312A patent/TWI494992B/zh active
- 2012-12-22 TW TW104113076A patent/TWI601202B/zh active
- 2012-12-26 CN CN201510451334.5A patent/CN105070673A/zh active Pending
-
2014
- 2014-02-14 KR KR1020140016981A patent/KR101432009B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-02-07 JP JP2017020310A patent/JP6321234B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09223680A (ja) * | 1996-02-16 | 1997-08-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | エッチング機能付き研磨装置 |
| TWI286817B (en) * | 2004-01-30 | 2007-09-11 | Lam Res Corp | Stress free etch processing in combination with a dynamic liquid meniscus |
| TW200603705A (en) * | 2004-04-23 | 2006-01-16 | Matsushita Electric Works Ltd | Wiring board and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6091193B2 (ja) | 2017-03-08 |
| JP2017085174A (ja) | 2017-05-18 |
| CN105070673A (zh) | 2015-11-18 |
| TW201334055A (zh) | 2013-08-16 |
| KR20140024948A (ko) | 2014-03-03 |
| JP2013153141A (ja) | 2013-08-08 |
| JP6321234B2 (ja) | 2018-05-09 |
| TW201535506A (zh) | 2015-09-16 |
| TWI494992B (zh) | 2015-08-01 |
| KR101432009B1 (ko) | 2014-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI601202B (zh) | Substrate processing apparatus and processing method | |
| KR101380494B1 (ko) | 기판의 처리 장치 및 처리 방법 | |
| KR102182910B1 (ko) | 웨이퍼의 엣지 연마 장치 및 방법 | |
| KR100824362B1 (ko) | 반도체기판 세정장치 및 세정방법 | |
| JP2007290111A (ja) | 研磨方法および研磨装置 | |
| JP2007005661A (ja) | ベベル研磨方法及びベベル研磨装置 | |
| JP6027465B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2009248269A (ja) | 研磨装置 | |
| US20210391177A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2010137349A (ja) | ウェーハ用チャックテーブルおよびウェーハ処理装置 | |
| KR20070117304A (ko) | 연마 패드 컨디셔너 세정 장치 | |
| JP2010021273A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| KR20230106308A (ko) | 척 클린 유닛 및 이를 구비한 파이널 폴리싱 장비의 트랜스퍼 유닛 | |
| JP5257752B2 (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法 | |
| KR101719530B1 (ko) | 웨이퍼 에지 폴리싱 장치 및 방법 | |
| JP2010105067A (ja) | 吸着パッド洗浄方法および吸着パッド洗浄装置 | |
| CN113021178B (zh) | 基板处理装置和基板处理方法 | |
| JP7481135B2 (ja) | チャックテーブルの検査方法 | |
| JP7479194B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
| US20240051080A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2005340331A (ja) | 基板の洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
| JP2009246308A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
| JP2007245272A (ja) | ショットブラスト装置 | |
| JP2013144359A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法 | |
| KR101399836B1 (ko) | 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 웨팅 장치 및 방법 |