JP2010040543A - 半導体ウェーハの加工装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェーハ厚さを正確に測定できるウェーハの加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物である半導体ウェーハ１１を実質的に水平に載置する基台１２と、前記半導体ウェーハに加工用流体１４を供給するべく前記半導体ウェーハの加工面に対向する供給口２６ａ，２７ａを有するノズル２６，２７と、前記ノズル内部に配置され、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に音波または電磁波を出射して前記半導体ウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段４１ａ，４２ａと、を備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体ウェーハのエッチング装置その他の加工装置に関するものである。

シリコンなどの半導体ウェーハの製造工程において、ラッピング工程とポリッシング工程との間で行われるエッチング工程は、前工程で発生したウェーハ表面の加工変質層を除去するために、ウェーハを高速回転させながらウェーハ表面にエッチャントを滴下し、遠心力を利用してエッチャントを滴下箇所からウェーハ全体に広げるものである（特許文献１）。

そして、上記特許文献１に開示された枚葉式エッチング装置では、エッチャントの供給ノズルの先端にウェーハの厚さを測定するための近赤外光による厚さ測定センサを設け、測定されたウェーハ厚さに応じて供給ノズルの移動速度やエッチャントの供給量を制御することでエッチング量をコントロールする。

特開２００７−２０７８１０号公報

しかしながら、近赤外光の反射光による厚さ測定では、ウェーハ表面に滴下したエッチャントの波立ちによって正確なウェーハ厚さを測定できないという問題がある。

本発明が解決しようとする課題は、ウェーハ厚さを正確に測定できるウェーハの加工装置を提供することである。

本発明の半導体ウェーハの加工装置は、被加工物である半導体ウェーハを実質的に水平に載置する基台と、 前記半導体ウェーハに加工用流体を供給するべく前記半導体ウェーハの加工面に対向する供給口を有するノズルと、前記ノズル内部に配置され、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に音波または電磁波を出射して前記半導体ウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、半導体ウェーハの厚さを正確に測定することができる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

《第１実施形態》
第１実施形態は、本発明の半導体ウェーハの加工装置を枚葉式エッチング装置に適用した例であり、図１は枚葉式エッチング装置を示す要部縦断面図、図２は同装置の平面図、図３はノズル部分の拡大断面図である。

図１に示すように、シリコンウェーハの枚葉式エッチング装置１０は、図示を省略したチャンバに収容され、一枚の薄円板状のシリコンウェーハ１１を載せて水平に保持するウェーハチャック１２と、ウェーハ１１をその鉛直中心線を中心に水平面内で回転させる回転手段１３と、チャック１２に載せられたウェーハ１１のエッジ部１１ａを伝わって流下するエッチング液１４をガスの噴射によりウェーハ１１の半径方向外側に吹き飛ばすガス噴射機構１７とを備える。

シリコンウェーハ１１はシリコン単結晶インゴットをスライスして得られ、このウェーハ１１の外周縁、すなわちエッジ部１１ａは所定の曲率半径を有する凸状エッジ部となるように面取り加工が施される。

ウェーハチャック１２は、直径がウェーハ１１の直径より大きく形成された円板状のベース部材１９と、このベース部材１９の中央に鉛直方向に延びて形成された通孔１９ａに軸部２１ａが挿通された保持軸２１とを有する。

保持軸２１は、上記軸部２１ａと、軸部２１ａの上面にこの軸部２１ａと一体的に形成された大径のウェーハ受け部２１ｂと、保持軸２１の中心にこの保持軸２１の下面から上部まで鉛直方向に延びて形成された透穴２１ｃと、一端が透穴２１ｃの上端に連通接続され透穴２１ｃを中心としてウェーハ受け部２１ｂの半径方向外側に放射状に延び他端が閉止された複数の連通穴２１ｄと、ウェーハ受け部２１ｂの上面に同心状に形成された複数のリング溝２１ｅと、連通穴２１ｄとリング溝２１ｅとを連通接続する複数の小孔２１ｆとを有する。上記透穴２１ｃの下端は真空ポンプ（図示せず）に連通接続されている。

ウェーハ受け部２１ｂの外径は、軸部２１ａの外径より大きくウェーハ１１の外径より小さく形成され、ウェーハ受け部２１ｂの上面にはこのウェーハ受け部２１ｂと同心状にウェーハ１１が載るように構成されている。そして、図示しない真空ポンプが駆動されて透穴２１ｃ内が負圧になると、連通穴２１ｄ、小孔２１ｆ及びリング溝２１ｅ内が負圧になり、ウェーハ１１下面が保持軸２１のウェーハ受け部２１ｂに吸着されて、ウェーハ１１が水平に保持されるようになっている。

また回転手段１３は、上記保持軸２１と、この保持軸２１を回転させる駆動モータ（図示せず）とを有する。駆動モータにより保持軸２１を回転させることにより、保持軸２１にて保持されたウェーハ１１が保持軸２１とともに回転するように構成されている。

一方、ガス噴射機構１７は、チャック１２の上面にこのチャック１２の円周方向に沿って設けられたリング状の噴射口１７ａと、チャック１２に設けられ上端が噴射口１７ａに連通するリング状の噴射溝１７ｂと、噴射溝１７ｂに連通するガス供給手段（図示せず）とを有する。

上記噴射口１７ａは、ウェーハ１１のエッジ部１１ａ近傍の下面を臨むように形成されている。上記噴射溝１７ｂは、ベース部材１９の上面にベース部材１９と同心状にウェーハ受け部２１ｂとテーパ部材２２とを取付けることにより設けられている。この噴射溝１７ｂは下方に向うに従って直径が小さくなるように形成されるとともに、上方に向かうに従って次第に狭くなるように形成され、噴射口１７ａが最も狭くなるように形成されている。

噴射溝１７ｂの下部は、ウェーハ受け部２１ｂから軸部２１ａにわたって形成された４つのガス供給孔１７ｃの一端に連通され、これらのガス供給孔１７ｃの他端はガス供給手段に接続されている。

ガス供給手段は、窒素ガス又は空気等のガスを圧縮するコンプレッサ等により構成され、このガス供給手段により圧縮されたガスはガス供給孔１７ｃ及び噴射溝１７ｂを通って噴射口１７ａに供給される。

また、図１及び図２に示すように、本例の枚葉式エッチング装置１０には、供給口２６ａ，２７ａからウェーハ１１の上面にエッチング液１４を噴射可能な複数の供給ノズル２６，２７を備える。図示する例では、ノズルの数が２つの場合を示し、２つのノズル２６，２７は、別々に設けられたノズル移動手段２８，２９によりそれぞれ別々に独立して移動可能に構成されている。

図示する例における一方のノズル２６を移動させる一方のノズル移動手段２８は、その一方のノズル２６の基端に設けられ、そのノズル２６を、基端を中心として先端を揺動（回転）させるステッピングモータで構成されている。そして、その揺動するノズル２６の先端に供給口２６ａが形成されている。

他方のノズル移動手段２９は、他方のノズル２７を軸方向に直動させる回転モータであり、その回転軸２９ａにボールねじ２９ｂが同軸上に接続され、他方のノズル２７にはそのボールねじ２９ｂに螺合する雌ねじ部材２９ｃが取付けられる。そして、回転モータ２９の回転軸２９ａを回転させてボールねじ２９ｂを回転させることにより、雌ねじ部材２９ｃとともに他方のノズル２８がその軸方向に直線往復移動するように構成されている。

図１に戻り、２つのノズル２６，２７には、それらにエッチング液１４を供給してこれらのノズル２６，２７のそれぞれの供給口２６ａ，２７ａからウェーハ１１の上面（エッチング加工面）にエッチング液１４をそれぞれ噴射させるエッチング液供給手段３０が接続されている。

エッチング液供給手段は、液体供給本管３１を備え、一方のノズル２６には第１液体供給管３１ａの一端が接続され、他方のノズル２７には第２液体供給管３１ｂの一端が接続されている。また、第１液体供給管３１ａ及び第２液体供給管３１ｂのそれぞれの他端が前述した液体供給本管３１の一端に接続され、液体供給本管３１の他端はエッチング液１４が貯留された液体タンク３３に接続されている。そして、液体供給本管３１には液体タンク３３内のエッチング液１４をそれぞれのノズル２６，２７に供給するためのポンプ３６が設けられている。

第１液体供給管３１ａには、一方のノズル２６へのエッチング液１４の供給量を調整する第１液体調整弁３４が設けられ、第２液体供給管３１ｂには他方のノズル２７へのエッチング液１４の供給量を調整する第２液体調整弁３５が設けられている。

第１及び第２液体調整弁３４，３５は同一品であり、第１液体調整弁３４を代表して説明すると、この第１液体調整弁３４は第１〜第３ポート３４ａ〜３４ｃを有する三方弁であり、第１ポート３４ａはポンプ３６の吐出口に接続され、第２ポート３４ｂはノズル２６に接続され、更に第３ポート３４ｃは戻り管３７を介して液体タンク３３に接続されている。そして、第１液体調整弁３４がオンすると第１及び第２ポート３４ａ，３４ｂが連通し、オフすると第１及び第３ポート３４ａ，３４ｃが連通するように構成されている。

２つのノズル２６，２７の内部には、シリコンウェーハ１１の厚さを非接触で測定可能なセンサ４１，４２が設けられている。このセンサ４１，４２は、２つのノズル２６，２７の内部に実際に設けられた超音波発信受信器（探触子またはプローブともいう。）４１ａ，４２ａと、データ解析装置４１ｂ，４２ｂを備え、超音波発信受信器４１ａ，４１ｂは、たとえば周波数が２０ｋＨｚ以上の超音波をウェーハ１１のエッチング面に向かって発信し、その反射波（反射超音波）を受信することができるように構成されている。

一方、データ解析装置４１ｂ，４２ｂは超音波発信受信器４１ａ，４２ａが受信した反射波を分析して、超音波発信受信器４１ａ，４２ａが超音波を発信した部分のウェーハ１１の厚さを計測し、その計測結果をこのセンサ４１，４２の検出出力として出力するように構成されている。

そしてこのセンサ４１，４２の各検出出力はマイクロコンピュータからなるコントローラ４４の制御入力に接続され、コントローラ４４の制御出力は第１及び第２液体調整弁３４，３５、ポンプ３６、及びノズル移動手段を構成するそれぞれのモータ２８，２９にそれぞれ接続されている。

なお、超音波発信受信器４１ａ，４２ａから発信された超音波は直進性に優れ、音響インピーダンスの異なった物質間の境界面で反射する特性を有する。したがって、ウェーハ１１のエッチング面（一方の主面）に超音波を発信すると、当該エッチング面に入射する際に第１の反射波が発生し、さらに超音波がウェーハ１１内を直進してエッチング面の裏面から出射する際に第２の反射波が発生する。そして、超音波を発信した時刻と、上記第１の反射波および／または第２の反射波を受信した時刻とに基づいてウェーハ１１の厚さを求めることができる。

たとえば、第１の反射波と第２の反射波との受信時刻の差Δｔがウェーハ１１の厚さに対応することから、Δｔにシリコン単結晶中における音速（約８５００ｍ／ｓｅｃ）を乗じることでウェーハ１１の厚さが求められる。

またこれに代えて超音波の多重反射波を利用してウェーハ１１の厚さを測定することもできる。

すなわち、超音波発信受信器４１ａ，４２ａから発信された超音波はウェーハ１１のエッチング面の裏面で反射するが、この反射波はさらにウェーハのエッチング面とその裏面で多重反射する。この多重反射した反射波は超音波発信受信器４１ａ，４２ａにより受信され、図４に示すような波形Ｂ１〜Ｂ１１を示すことになる。ここで、これらの多重反射波の中から複数の反射波を抽出し、第Ｎ番目（Ｎは自然数）に検出された時刻と第Ｎ＋Ｍ番目（Ｍは自然数）に検出された時刻との時間差Δｔに基づいて、Ｔ＝ｔ×音速／Ｍ／２によりウェーハの厚さＴを測定することができる。なお、ここでの音速はシリコンウェーハ内における音速（約８５００ｍ／ｓｅｃ）である。

また、超音波発信受信器４１ａ，４２ａから発信された超音波はウェーハ１１のエッチング面で反射して超音波発信受信器４１ａ，４２ａに受信されるが、このとき超音波発信受信器４１ａ，４２ａの受信面でさらに反射してウェーハ１１に向かい、この反射波がウェーハ１１のエッチング面の裏面でさらに反射し、この反射波が上述したようにウェーハのエッチング面とその裏面で多重反射する。この多重反射波を用いて上記式によりウェーハ１１の厚さを測定することもできる。

いずれの方法によっても複数の多重反射波を用いてウェーハ１１の厚さを測定すると、一つの反射波により求めたウェーハ１１の厚さに比べ、より精度の高い測定値を得ることができる。

また、超音波によるウェーハ１１の厚さ測定に代えて、近赤外光その他の光などの電磁波を用いてウェーハ１１の厚さを測定することもできる。

超音波や電磁波のいずれによっても、本例では、それを発信及び受信するプローブ（図１の例でいえば超音波発信受信器４１ａ，４２ａ）を、エッチング液１４が流通するノズル２６，２７の内部に設けているので、超音波や電磁波がエッチング液１４中を伝播することになり、ウェーハ１１のエッチング面で生じるエッチング液１４の波立ちにより測定値が影響を受けることがなくなる。

図１に戻り、コントローラ４４はメモリ４７を備え、メモリ４７には、センサ４１，４２により測定されたシリコンウェーハ１１の厚さに応じた第１及び第２液体調整弁３４，３５のオン時間及びその間隔や、各種モータ２８，２９の回転速度やその方向、ポンプ３６の作動の有無が予め記憶されている。

そして、ノズル２６，２７からのエッチング液１４の供給量をそのウェーハ１１の部位における厚さに応じて調整するように構成されている。たとえば、コントローラ４４は、センサ４１，４２により測定されたシリコンウェーハ１１の厚さが目標とする厚さより厚い場合には、ノズル２６，２７の移動速度を低下させるか或いはそのノズル２６，２７から噴射されるエッチング液１４の量を増加させてそのエッチング量が増加するように制御する。両者を同時に制御することもできる。

これに対し、センサ４１，４２により測定されたシリコンウェーハ１１の厚さが目標とする厚さより薄い場合には、ノズル２６，２７の移動速度を増加させるか或いはそのノズル２６，２７から噴射されるエッチング液１４の量を低下させてそのエッチング量が減少するように制御する。両者を同時に制御することもできる。

次に本例の枚葉式エッチング装置１０の動作を説明する。

先ず保持軸２１のウェーハ受け部２１ｂ上にウェーハ１１を載せた状態で、保持軸２１の透穴２１ａの下端に連通接続された真空ポンプを作動させて透穴２１ｃを負圧にし、この負圧力によりウェーハ１１を吸着保持する。この状態で回転手段１３の駆動モータを作動させて、保持軸２１とともにウェーハ１１を水平面内で回転させる。

次いで、ガス噴射機構１７のガス供給手段を作動させて窒素ガス又は空気からなる圧縮ガスをガス供給孔１７ｃ及び噴射溝１７ｂを通って噴射口１７ａから噴射させることにより、テーパ部材２２上面とウェーハ１１下面との間の隙間に、ウェーハ１１の半径方向外側に向って流れるガス流を作る。

次に、コントローラ４４は、ノズル移動手段を構成するステッピングモータ２８と回転モータ２９をそれぞれ駆動させ、一方のノズル２６を揺動させるとともに、他方のノズル２７をその軸方向に独立して移動させる。

これとともにコントローラ４４は、ポンプ３６を駆動するとともに第１及び第２液体調整弁３４，３５をそれぞれオンして２つのノズル２６，２７の双方の供給口２６ａ，２７ａからエッチング液１４をウェーハ１１の上面に連続的に供給する。

ウェーハ１１の上面に供給されたエッチング液１４は、ウェーハ１１の水平面内での回転に伴って生じた遠心力により、エッチング液１４の供給した箇所（例えばウェーハ１１上面中心近傍）からウェーハ１１のエッジ部１１ａに向ってウェーハ１１上面の加工変質層をエッチングしながら徐々に移動する。そしてウェーハ１１上のエッチング液１４の大部分は上記ウェーハ１１の回転に伴う遠心力により液滴となってウェーハ１１外方へ飛散し、チャンバ外に排出される。この様子を図３に示す。

ここで、本例のセンサ４１，４２の超音波発信受信器４１ａ，４２ａは、エッチング液が流通するノズル２６，２７の内部に設けられ、超音波をウェーハ１１のエッチング面に向かって発信するが、発信された超音波は連続して供給されるエッチング液１４の液中を伝播してエッチング面に至ることになる。したがって、エッチング液１４がウェーハ表面で波立っても、この波立ちの影響を受けることなくウェーハ１１の厚さを精度よく測定することができる。

なお、ウェーハの上面をエッチングするエッチング液１４は、２つのノズル２６，２７の双方の供給口２６ａ，２７ａから噴射されるので、そのエッチング液１４は液干渉するが、ノズル２６、２７の動きを最適化することで、ウェーハ面内のエッチング量分布制御の自由度を高めることができ、ウェーハ表面にうねりを生じていても、研削痕やうねりを確実に取除くことができる。この結果、ウェーハのエッチング時における高平坦化を効率よく達成することができ、その生産性を向上することができる。

また本例では、揺動するノズル２６と直動するノズル２７を設けたので、互いのノズル２６，２７は異なった軌跡上を移動しながらウェーハ表面をエッチングする。この結果、同一移動方式のノズルの使用に比べてウェーハ１１面内のエッチング量分布をより高い自由度で制御することが可能となり、ウェーハ表面にうねりや研削痕をより効率的に取除くことができる。

また、本例のウェーハの枚葉式エッチング装置１０では、ノズル２６，２７の先端にシリコンウェーハ１１の厚さを測定可能なセンサ４１，４２を設けたので、エッチング中のウェーハ１１の厚さを検出することができ、コントローラ４４はその検出出力によりノズル２６，２７の移動速度やエッチング液１４の供給量を調整することにより、ウェーハ１１の厚さをリアルタイムにフィードバックしてそのエッチング精度を向上させることができ、ウェーハの厚さのばらつきを小さくすことができる。

そして、ノズル２６，２７からのエッチング液１４の供給量をウェーハ１１の部位における厚さに応じて調整するので、そのエッチング精度を向上させることができ、ウェーハ１１の厚さのばらつきを小さくできるとともに、エッチング後の厚みが揃うことから次工程の研磨への投入が容易にすることができる。このため、スライス後のウェーハ１１でも狙いの厚みでエッチングが可能となり、従来必要とされたラップ工程や研削工程を省略することも期待できる。

なお、上述した実施形態では、ノズル２６，２７の数が２つであり、一方のノズル２６は基端を中心として先端が揺動し、他方のノズル２７は軸方向に直動する場合を例にして説明したが、ノズルの数が２つの場合には、ノズルの双方が基端を中心として先端が揺動するものであっても良く、ノズルの双方が直動する供給ノズルであっても良い。

また、上述した実施形態では、ノズル２６，２７の数が２つの場合を説明したが、ノズルは３つであっても良く、４つ以上であっても良い。

さらに上述した実施形態では、本発明の加工装置をエッチング装置に適用した例を示したが、本発明の加工装置はエッチング装置以外にも、たとえば研削装置などに適用することができる。

図５は、上述したエッチング工程の前工程に設けられる研削工程（ラッピング工程）で用いられる片面研削装置１００の一例を示す側面図、図６はその平面図である。

図５及び図６に示す片面研削装置１００は、被加工物であるシリコンウェーハ１１を真空吸着などの手段により保持するチャックテーブル１１０と、ウェーハ１１の研削面（この場合は図示する上面）に接触して当該研削面を研削する研削ホイール１２０とを備える。

チャックテーブル１１０は、図示しない駆動装置により所定方向に回転し、吸着保持したウェーハ１１を所定方向に所定速度で回転する。一方、研削ホイール１２０は、図示しない駆動装置によりチャックテーブル１１０に対して接近離反するように上下移動するとともに、図示しない駆動装置により所定方向に所定速度で回転する。

すなわち、固定されたチャックテーブル１１０に対し、研削ホイール１２０は、図５に示すように、研削ホイール１２０の下面に装着された研削材１２１がウェーハ１１に接触する位置と、離間する位置との間を上下移動する。また、チャックテーブル１１０と研削ホイール１２０は、図６に示すように、研削ホイール１２０の研削材１２１の外周縁がチャックテーブル１１０の中心を通るように互いにオフセットして設けられている。

ウェーハ１１の研削面を研削加工するための研磨剤（アルミナなどを含む研磨溶液）は、ノズル１３０からウェーハ１１の研削面に向かって連続して供給される。本例では、ウェーハ１１の厚さを測定するためのプローブ１４０（図１に示す例の超音波発信受信器２６，２７に相当する。）がノズル１３０の内部に設けられている。

そして、研削中において超音波を発信すると、発信された超音波は連続して供給される研磨剤の中を伝播し、上述した実施形態と同様にウェーハ１１の研削面と当該研削面の裏面とで反射し、この反射波またはその多重反射波を用いてウェーハ１１の厚さを測定することができる。

この測定されたウェーハ１１の厚さデータは、研磨剤の供給量、チャックテーブル１１０の回転速度、研削ホイール１２０の回転速度、研削時間などにフィードバックされ、それぞれ又はいずれかが制御されることにより目的とする厚さのウェーハ１１を得ることができる。

なお、図５及び図６に示す研削装置１００は片面研削装置を示したが、ウェーハ１１の両面を同時に研削する両面研削装置に適用することもできる。

発明の実施形態に係る枚葉式エッチング装置を示す要部縦断面図である。 図１のエッチング装置の平面図である。 図１のエッチング装置のノズル部分の拡大断面図である。 図１に示すエッチング装置のセンサで検出される反射波を示すグラフである。 発明の他の実施形態に係る片面研削装置を示す側面図である。 図５の片面研削装置の平面図である。

符号の説明

１０…枚葉式エッチング装置
１１…シリコンウェーハ
１２…ウェーハチャック
１４…エッチング液
２６，２７…ノズル
２６ａ，２７ａ…供給口
４１，４２…センサ
４１ａ，４２ａ…超音波発信受信器（プローブ）
４１ｂ，４２ｂ…データ解析装置

Claims (8)

1. 被加工物である半導体ウェーハを実質的に水平に載置する基台と、
   前記半導体ウェーハに加工用流体を供給するべく前記半導体ウェーハの加工面に対向する供給口を有するノズルと、
   前記ノズル内部に配置され、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に音波または電磁波を出射して前記半導体ウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段と、を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。
2. 請求項１に記載の半導体ウェーハの加工装置において、
   前記厚さ測定手段は、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に超音波を出射し、前記半導体ウェーハの加工面からの反射波と当該加工面の裏面からの反射波との受波時間差に基づいて、前記半導体ウェーハの厚さを測定することを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。
3. 請求項１に記載の半導体ウェーハの加工装置において、
   前記厚さ測定手段は、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に超音波を出射し、前記半導体ウェーハの加工面の裏面からの反射波が当該半導体ウェーハの表裏面で多重反射して発生する波形ピークに基づいて、前記半導体ウェーハの厚さを測定することを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。
4. 請求項３に記載の半導体ウェーハの加工装置において、
   前記厚さ測定手段は、多重反射して発生する波形ピークを検出し、第Ｎ番目（Ｎは自然数）に検出された時刻と第Ｎ＋Ｍ番目（Ｍは自然数）に検出された時刻との時間差ｔに基づいて、下記式により前記半導体ウェーハの厚さＴを測定することを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。
   ＜式１＞半導体ウェーハの厚さＴ＝ｔ×音速／Ｍ／２
   ただし、音速は半導体ウェーハ内における音速である。
5. 請求項１に記載の半導体ウェーハの加工装置において、
   前記厚さ測定手段は、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に光を出射し、前記半導体ウェーハの加工面からの反射光と当該加工面の裏面からの反射光との光干渉作用に基づいて、前記半導体ウェーハの厚さを測定することを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの加工装置において、
   前記ノズルの供給口を前記半導体ウェーハの加工面に対して相対的に移動させる移動手段と、
   前記供給口から供給される前記加工用液体の単位時間当たりの供給量を調節する調節手段と、の少なくとも一方を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。
7. 請求項６に記載の半導体ウェーハの加工装置において、
   前記ノズルの供給口を前記半導体ウェーハの加工面に対して相対的に移動させる移動手段を備え、
   前記厚さ測定手段により測定された前記半導体ウェーハの厚さが目標厚さより小さいときは前記移動手段による前記供給口の移動速度を増加させ、前記厚さ測定手段により測定された前記半導体ウェーハの厚さが目標厚さより大きいときは前記移動手段による前記供給口の移動速度を減少させることを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。
8. 請求項６に記載の半導体ウェーハの加工装置において、
   前記供給口から供給される前記加工用液体の単位時間当たりの供給量を調節する調節手段を備え、
   前記厚さ測定手段により測定された前記半導体ウェーハの厚さが目標厚さより小さいときは前記調節手段による前記加工用液体の単位時間当たりの供給量を減少させ、前記厚さ測定手段により測定された前記半導体ウェーハの厚さが目標厚さより大きいときは前記調節手段による前記加工用液体の単位時間当たりの供給量を増加させることを特徴とする半導体ウェーハの加工装置。

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