JP2013153135A5 - - Google Patents

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[ウエハ搬入]
まず、ウエハWを周縁膜除去装置10に搬入する。搬入に先立ち、カップ20が下降位置に下降し、天板30が退避位置に上昇する。この状態で、ウエハWを保持した搬送アーム104が開口15(図1にのみ表示)を介してケーシング12内に進入し、ウエハWを基板保持部16上に置く。バキュームチャックとして形成された基板保持部16がウエハWを吸着した後、搬送アーム104はケーシング12内から退出する。ウエハWの搬入に先立ち、電力供給源52からヒータ51に給電がされてヒータ51は150℃程度に既に加熱されており、上部周縁部材50のガス通流空間に面する表面は高温になっている。その後、図2に示されるように、カップ20が上昇位置に上昇するとともに天板30が処理位置に下降する。このカップ20および天板30の位置はウエハ搬出の開始前まで維持される。前述したようにカップ20の内部空間は排出口22を介して常時吸引されているため、吸入口55から引き込まれたエアは上部周縁部材50により加熱されながら図2中黒塗り矢印で示すようにガス通流空間53内を流れる。100℃程度になったエア(第1ガス)は流出口56から吐出され、ウエハWの周縁部分に衝突し、ウエハWの周縁部分を加熱する。なお、このときには、加圧ガス供給源44から加圧された常温のN2ガスは供給されていない。
[スピン乾燥]
次に、リンス液ノズル63を切除部57内から退出させ、引き続き加圧ガス供給源44から加圧された常温のN2ガスを供給するとともに、ウエハWの回転速度を増す。これにより、ウエハWの周縁部分が振り切り乾燥される。このとき、図2中の白抜き矢印で示す常温のN2ガスの流れにより、乾燥が促進される。このとき、更に乾燥効率を上げるために、加圧ガス供給源44から加圧された常温のN2ガス供給を停止することにより、第1ガス(加熱されたガス)を流出口56からウエハWの周縁部分に吐出させてもよい。
カバー部材300の中央部の開口部301内には、加圧ガス供給源44から、ウエハWの中央部に向けて常温のN2ガス、すなわち第2ガスを供給する第2ガスノズル316が設けられている。第2ガスノズル316は、アーム318を介してノズル移動機構320に接続されている。ノズル移動機構320により、第2ガスノズル316は、ガスの吐出を行うときにウエハW表面近くまで下降し、ガスの吐出を行わないときにはウエハW表面から離れた位置(例えば、カバー部材300より上側、若しくはカバー部材300よりも上側かつ半径方向外側の位置)に退避することができる。なお、第2ガスノズル316は、カバー部材300の中央部の開口部301内の所定位置(例えば図8に示す位置)に常時位置するように、カバー部材300にアームを介して固定することもできる。
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