TW201443272A - 基板的壓差吸附之裝置與方法 - Google Patents

Abstract

茲描述用於處理半導體晶圓，使晶圓於處理期間仍留在適當位置的裝置和方法。晶圓受到頂表面與底表面間的壓差作用，因而有足夠的力量防止晶圓於處理時移動。

Description

基板的壓差吸附之裝置與方法

本發明的實施例大體係關於處理期間支托基板的裝置和方法。特別地，本發明的實施例係針對在大加速力作用下，利用壓差使基板留在基座上的裝置和方法。

在一些化學氣相沉積(CVD)與原子層沉積(ALD)處理腔室中，基板(在此亦稱作晶圓)會相對前驅物注入器和加熱組件移動。若移動造成的加速力比摩擦力大，則晶圓將會位移，以致發生損壞或相關問題。

為防止處理期間轉動力引起晶圓變位，需額外設置用以夾持或吸附使晶圓留在適當位置的硬體。附加硬體可能很昂貴、難以安裝、難以使用及/或於使用時損壞晶圓。

因此，此技術仍需能於處理期間將晶圓保持在適當位置，以防偶發損壞晶圓與硬體的方法和裝置。

本發明的實施例係針對包含至少一氣體分配組件和基座組件的處理腔室。基座組件設在至少一氣體分配組件下 方，且包括頂表面、底表面和位於頂表面的至少一凹部，用以支撐晶圓邊緣。至少一凹部具有至少一通道，通道形成使凹部與底表面間流體連通。

在一些實施例中，加熱組件設在基座組件下方。在一或更多個實施例中，加熱組件包含複數個燈具，用以將輻射能導向基座組件的底表面。

在一些實施例中，至少一通道各自轉向，以免出自加熱組件的輻射能直接衝擊晶圓。在一或更多個實施例中，至少一通道各自包含多個支腳，且至少一支腳實質平行晶圓延伸，以免出自加熱組件的輻射能直接衝擊晶圓。

在一些實施例中，基座組件的頂表面的凹部係按尺寸製作，使凹部支撐的晶圓具有與基座組件頂表面實質共平面的頂表面。

在一或更多個實施例中，氣體分配組件包含複數個實質平行的氣體流道。在一些實施例中，複數個氣體流道包含第一反應氣體流道、第二反應氣體流道和至少一淨化氣體流道。在一或更多個實施例中，第一反應氣體流道、第二反應氣體流道和至少一淨化氣體流道經個別控制以提供正壓至晶圓的頂表面上，且晶圓置於基座組件的凹部。

在一些實施例中，置於基座組件凹部的晶圓頂表面與晶圓底表面間的壓差大於約10托耳。在一些實施例中，當晶圓置於基座組件的凹部時，晶圓頂表面與凹部內壓力間的壓差等同足以在約320毫米(mm)的螺栓中心半徑、以約200rpm(每分鐘轉數)的轉速支托300mm晶圓的吸附力。

在一些實施例中，至少一通道係按尺寸製作，以減少晶圓的背側與處理腔室的背景壓力間的壓降。

本發明的附加實施例係針對包含至少一氣體分配組件、基座組件和加熱組件的處理腔室。氣體分配組件包括複數個實質平行的氣體流道，用以將氣流導向晶圓的頂表面。基座組件設在至少一氣體分配組件下方，且包括面對至少一氣體分配組件的頂表面、底表面和位於頂表面的至少一凹部，用以支撐晶圓邊緣。至少一凹部係按尺寸製作，使凹部支撐的晶圓具有與基座組件頂表面實質共平面的頂表面。至少一凹部具有至少一通道，通道從至少一凹部的底部延伸到基座組件的底表面。加熱組件設在基座組件下方，用以將熱導向基座組件的底表面。基座組件的至少一通道不直接垂直基座組件的頂表面延伸。

在一些實施例中，加熱組件包含複數個燈具，用以將輻射能導向基座組件的底表面。在一或更多個實施例中，複數個氣體流道可個別控制，以提供置於基座組件凹部的晶圓頂表面的壓力相對處理腔室的壓力間的壓差。

本發明的進一步實施例係針對在處理腔室中處理晶圓的方法。具有頂表面和底表面的晶圓放置到基座組件的頂表面的凹部。凹部包括至少一通道，通道延伸穿過基座組件而至基座組件的底表面。晶圓和基座組件通過氣體分配組件下方，氣體分配組件包含複數個實質平行的氣體流道，以將氣流導向基座組件的頂表面。在晶圓的頂表面與底表面間產生壓差，使導向晶圓頂表面的氣流所產生的壓力比晶圓底表 面的壓力大。

在一些實施例中，至少一通道設置流體連通處理腔室，使晶圓底表面的壓力和處理腔室內的壓力實質相同。

在一或更多個實施例中，晶圓的頂表面與基座組件的頂表面實質共平面。

一些實施例進一步包含利用加熱組件來加熱基座組件，加熱組件包含複數個加熱燈具設在基座組件底下。在一或更多個實施例中，基座組件的至少一通道經轉向，使出自複數個加熱燈具的輻射能無法直接衝擊晶圓的底表面。

100‧‧‧處理腔室

101‧‧‧腔室

102‧‧‧反應區域

110‧‧‧氣體分配組件

111‧‧‧氣體流道

112、113‧‧‧箭頭

120‧‧‧晶圓

121‧‧‧頂表面

122‧‧‧外緣

123‧‧‧背側/底表面

130‧‧‧基座組件

131‧‧‧頂表面

132‧‧‧底表面

133‧‧‧凹部

134‧‧‧階梯

135‧‧‧底部

140‧‧‧通道

141、142、143‧‧‧支腳

150‧‧‧加熱組件

為讓本發明的上述概要特徵更明顯易懂，可配合參考實施例說明，部分實施例乃圖示在附圖。然應注意所附圖式僅說明本發明典型實施例，故不宜視為限定本發明範圍，因為本發明可接納其他等效實施例。

第1圖圖示根據本發明一或更多個實施例，處理腔室的局部截面圖；及第2圖圖示根據本發明一或更多個實施例，基座組件的局部截面圖。

為助於瞭解，盡可能以相同的元件符號代表各圖中共同的相似元件。應理解某一實施例所述的元件和特徵結構當可有益地併入其他實施例，在此不另外詳述。

本發明的實施例係針對從獨特的前驅物注入器設計發展產生壓差的裝置和方法，且壓差量級足以在高轉速下使 基板留在適當位置。本說明書和後附申請專利範圍所用「晶圓」、「基板」等用語可互換使用。在一些實施例中，晶圓係剛性不連續基板。

在一些空間ALD腔室中，沉積用前驅物係注入到緊鄰晶圓表面附近。為發展預定的氣體動力學，可在比周圍腔室高的壓力下，個別控制注入器流道。藉由在基座背側設置孔洞，可使壓力近似腔室壓力，從而在晶圓各處形成壓差。此將產生適於抵抗相當大加速力的正壓力量來支托晶圓。

本發明的實施例係針對在大加速力作用下，利用壓差使基板(晶圓)留在基座上。大加速力係由高轉速所引起，在迴轉料架型處理腔室中，為得較多晶圓產量，施以較大批量和較高處理速度或較快往復移動都可能歷經高轉速。

在一些空間ALD腔室中，如圖所示，為達前驅物分離的目的，前驅物注入器組件可間隙控制離晶圓表面1mm內。此可相對周圍腔室產生特意正壓條件至晶圓工作面上。可相對腔室環境獨立正壓控制注入器流道，以產生供ALD循環處理的優先反應條件。在標準製程條件下，注入器壓力為約30托耳，腔室則維持在約18托耳。採用300mm晶圓時，摩擦力為0.2，此將產生約14g的力量。此等同足以在約320mm的螺栓中心半徑、以約200rpm的轉速支托300mm晶圓的吸附力。

由於迴轉料架腔室設計係讓晶圓繞著中心軸旋轉，且多個注入器組件大於在上面構成連續陣列的基板，故一些迴轉料架型空間ALD腔室可善用此固有屬性。當晶圓轉移通 過注入器以進行沉積時，從晶圓的觀點來看，壓差仍相對不變。

在一些實施例中，晶圓置於注入器組件下方基座的淺袋部。基座提供熱傳、改善氣體動力學和基板運載工具。藉由在晶圓背側增設基座的小孔，可產生壓差。孔洞可按尺寸製作成足以減少壓降，使晶圓背側接近背景腔室壓力。一些孔洞實施例亦可轉向，以阻擋出自熱源的入射輻射在基座下方的光學路徑。

第1圖圖示根據本發明一或更多個實施例的局部處理腔室100。處理腔室100包括至少一氣體分配組件110，用以分配反應氣體至腔室中。第1圖所示實施例具有單一氣體分配組件110，但熟諳此技術者將明白，氣體分配組件可為任何適合數量。可有多個組件，且各組件間可存有間隔或幾乎無間隔。例如，在一些實施例中，多個氣體分配組件110設置彼此相鄰，如此晶圓120將有效看到一致的再現氣流。

儘管可採用各種類型的氣體分配組件110(例如噴淋頭)，但第1圖所示實施例包括複數個實質平行的氣體流道111。本說明書和後附申請專利範圍所用「實質平行」一詞意指氣體流道111的長軸朝大致相同的方向延伸。氣體流道111的平行度可有些許不完美。複數個實質平行的氣體流道111可包括至少一第一反應氣體A流道、至少一第二反應氣體B流道、至少一淨化氣體P流道及/或至少一真空V流道。流自一或更多個第一反應氣體A流道、一或更多個第二反應氣體B流道和一或更多個淨化氣體P流道的氣體將導向晶圓 120的頂表面121。此流動情形如箭頭112所示。如箭頭113所示，一些氣流水平移動越過晶圓120的表面121，及經由一或更多個淨化氣體P流道往上流出處理區。從左邊移到右邊的基板將依次接觸各製程氣體，進而於基板表面形成層。所示基板可在單一晶圓處理系統中，其中基板在氣體分配組件下方依往復運動線性移動，或者基板可在迴轉料架型系統中，其中一或更多個基板繞著中心軸旋轉通過氣體流道下方。

基座組件130設在氣體分配組件110下方。基座組件130包括頂表面131、底表面132和位於頂表面131的至少一凹部133。凹部133可視待處理晶圓120的形狀和尺寸而具有任何適合形狀和尺寸。在所示實施例中，凹部133具有兩個階梯區域134於凹部133的外緣周圍。該等階梯134可按尺寸製作，以支撐晶圓120的外緣122。階梯134支撐晶圓120的外緣122多寡可因如晶圓厚度和已存在晶圓背側上的特徵結構而異。

在一些實施例中，如圖所示，位於基座組件130的頂表面131的凹部133可按尺寸製作，使凹部133支撐的晶圓120具有頂表面121，且頂表面121與基座組件130的頂表面131實質共平面。本說明書和後附申請專利範圍所用「實質共平面」一詞意指晶圓的頂表面和基座組件的頂表面係在±0.2mm內共平面。在一些實施例中，頂表面係在±0.15mm、±0.10mm或±0.05mm內共平面。

凹部底部135具有至少一通道140，通道140從凹部底部135延伸穿過基座組件130而至基座組件130的底表 面132。一或更多個通道140可具任何適合形狀和尺寸，並且流體連通凹部133與基座組件130的底表面132，使凹部133內的壓力和基座組件130下方腔室101中的壓力實質相等。此外，晶圓120上方反應區域102的壓力大於凹部133內的壓力。此壓差提供足夠的力量來防止晶圓120於處理時移動。在一或更多個實施例中，至少一通道140可按尺寸製作，以減少晶圓120的背側123與處理腔室101的背景壓力間的壓降。

在一些實施例中，如第1圖所示，處理腔室100包括加熱組件150。加熱組件可設在處理腔室內的任何適當位置，包括基座組件130下方及/或基座組件130與氣體分配組件110的對側，但不以此為限。加熱組件150提供足夠的熱給處理腔室，使晶圓120的溫度升高達製程進行溫度。適合的加熱組件包括電阻加熱器和輻射加熱器(例如複數個燈具)，用以將輻射能導向基座組件130的底表面，但不以此為限。

為避免直接加熱晶圓，特別係採用輻射加熱器時，一或更多個通道140不會在晶圓120的背側123與加熱組件150間提供直接視線。在第1圖所示實施例中，通道140包含多個支腳141、142、143。支腳142之一實質平行晶圓120延伸，以免出自加熱組件150的輻射能直接衝擊晶圓120的背側123。熟諳此技術者將理解，所示一或更多個通道140的形狀僅為舉例說明一可行形狀，其他形狀當落在本發明範圍內。例如，如第2圖所示，至少一通道140包含單一支腳， 該支腳經轉向，以免出自加熱組件的輻射能直接衝擊晶圓120。當設置一個以上的通道時，各通道可有大致相同的形狀或具不同形狀(例如，某一通道的形狀類似第1圖，另一通道的形狀類似第2圖)。

氣體分配組件110射出的氣流施加壓力至晶圓120的頂表面121有助於使晶圓留在適當位置。此尤其適用於迴轉料架型處理腔室，其中晶圓偏離且繞著中心軸旋轉。基座組件轉動相關離心力會造成晶圓滑離中心軸。出自氣體分配組件的氣壓對腔室壓力將引起晶圓上側對晶圓下側的壓差，因而有助於防止晶圓移動。氣體分配組件的氣體流道可同時(例如一起控制所有的輸出流道-反應氣體與淨化流道)、分組(例如一起控制所有的第一反應氣體流道)或個別(例如分別控制最左邊的流道和相鄰流道等)控制。本說明書與後附申請專利範圍所用「輸出流道」、「氣體流道」、「氣體注入器」等用語可互換表示狹槽、流道或噴嘴型開口，氣體由此注入處理腔室。在一些實施例中，個別控制第一反應氣體流道、第二反應氣體流道和至少一淨化氣體流道。個別控制有益於提供正壓至置於基座組件凹部的晶圓頂表面。在一些實施例中，可個別及獨立控制各個第一反應氣體注入器、第二反應氣體注入器、淨化氣體注入器和泵抽流道。

可改變如氣體分配組件的氣壓、出自氣體分配組件的氣體流率和氣體分配組件與晶圓或基座表面間的距離，以調整晶圓頂表面與晶圓底表面間的壓差。本說明書與後附申請專利範圍所用「壓差」係測量晶圓上面壓力對晶圓底下壓 力。晶圓上面壓力係施加至晶圓表面的壓力或處理腔室100的反應區域102的壓力。晶圓底下壓力係凹部內的壓力、晶圓底表面的壓力或基座組件130下方腔室101中的壓力。若通道足使凹部133與基座下方區域102間的壓力相等，則該等測量將相同。壓差量級會直接影響吸附晶圓的程度。在一些實施例中，晶圓120的頂表面121與晶圓120的底表面123間的壓差大於約15托耳或大於約10托耳或大於約5托耳。在一或更多個實施例中，晶圓120的頂表面121與凹部133內的壓力間的壓差等同足以在約320mm的螺栓中心半徑、以約200rpm的轉速支托300mm晶圓的吸附力。

可調整氣體分配組件110與晶圓120的頂表面121間的距離，該距離會影響壓差和出自氣體分配組件的氣流效率。若距離太大，則氣流在遇到晶圓表面前就會往外擴散，以致壓降變小，原子層沉積反應效率變差。若距離太小，則氣流無法流過表面而至氣體分配組件的真空埠，導致壓降變大。在一些實施例中，晶圓表面與氣體分配組件間的間隙係約0.5mm至約2mm或約0.7mm至約1.5mm或約0.9mm至約1.1mm或約1.0mm。

本發明的一些實施例係針對處理晶圓的方法。晶圓置於基座組件頂表面的凹部。凹部中的一或更多個通道流體連通基座下方的處理腔室部分，使得凹部內的壓力與基座下方的區域大致相同。晶圓和基座通過氣體分配組件下方。出自氣體分配組件的氣體流向晶圓的頂表面，以在晶圓的頂表面與底表面間產生壓差。基座移動或轉動時，此壓差足以使 晶圓留在適當位置。

配合本發明實施例使用的基板可為任何適合基板。在詳細實施例中，基板係剛性、不連續且通常為平面基板。本說明書與後附申請專利範圍以「不連續」一詞描述基板時係指基板具有固定尺寸。特定的基板實施例係半導體晶圓，例如直徑為200mm或300mm的矽晶圓。

本說明書與後附申請專利範圍所用「反應氣體」、「反應前驅物」、「第一前驅物」、「第二前驅物」等用語係指能與基板表面或基板表面上的層反應的氣體和氣態物種。

在一些實施例中，可在電漿加強原子層沉積(PEALD)製程期間，形成一或更多個層。在一些製程中，電漿提供足夠的能量，以促進物種變成激態，而使表面反應變得有利又可行。可以連續或脈衝方式將電漿引入製程。在一些實施例中，使用相繼脈衝供應的前驅物(或反應氣體)和電漿來處理層。在一些實施例中，可於本地(即處理區域內)或遠端(即處理區域外)離子化試劑。在一些實施例中，可在沉積腔室上游進行遠端離子化，使離子或其他高能或發光物種不直接接觸沉積膜。在一些PEALD製程中，電漿係在處理腔室外產生，例如利用遠端電漿產生器系統。可利用任何適合的電漿產生製程或熟諳此技術者所知技術來產生電漿。例如，可以一或更多個微波(MW)頻率產生器或射頻(RF)產生器產生電漿。可依據所用特定反應物種，調整電漿頻率。適合頻率包括2兆赫(MHz)、13.56MHz、40MHz、60MHz 和100MHz，但不以此為限。雖然本文所述沉積製程期間會使用電漿，但應注意也可不需要電漿。事實上，其他實施例係關於在無電漿且非常溫和條件下的沉積製程。

根據一或更多個實施例，在形成層之前及/或之後，處理基板。此處理可在同一腔室或在一或更多個不同的處理腔室中進行。在一些實施例中，基板從第一腔室移到不同的第二腔室供進一步處理。基板可從第一腔室直接移到不同的處理腔室，或者基板可從第一腔室移到一或更多個移送室，然後移到不同的預定處理腔室。因此，處理裝置可包含連接移送站的多個腔室。此類裝置稱作「叢集工具」或「叢集系統」等。

通常，叢集工具係包含多個腔室的模組系統，腔室執行各種功能，包括基板中心找尋及定位、除氣、退火、沉積及/或蝕刻。根據一或更多個實施例，叢集工具包括至少一第一腔室和中央移送室。中央移送室可容納機器人，用以在處理腔室與負載鎖定室間運送基板。移送室一般維持呈真空條件，且提供中間臺階供基板從某一腔室運送到另一腔室及/或位於叢集工具前端的負載鎖定室。兩種已知適於本發明的叢集工具為Centura®和Endura®，二者均取自美國加州聖克拉拉的應用材料公司。此一分階真空基板處理裝置細節描述於西元1993年2月16日授予Tepman等人、名稱為「分階真空晶圓處理裝置和方法(Staged-Vacuum Wafer Processing Apparatus and Method)」的美國專利案第5,186,718號。然為進行本文所述製程的特定步驟，可改變腔室的確切配置和 組合方式。其他可用處理腔室包括循環層沉積(CLD)、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、蝕刻、預清洗、化學清洗、諸如RTP的熱處理、電漿氮化、除氣、定位、羥化和其他基板處理，但不以此為限。藉由在叢集工具的腔室中進行處理，可避免基板表面在沉積後續膜前還未氧化即遭大氣雜質污染。

根據一或更多個實施例，基板持續處於真空或「負載鎖定」條件，並且從某一腔室移到下一腔室時，不會接觸周遭空氣。故移送室處於真空且在真空壓力下「泵回」。鈍氣可存於處理腔室或移送室。在一些實施例中，鈍氣用作淨化氣體，以於基板表面上形成矽層後，移除部分或所有反應物。根據一或更多個實施例，於沉積腔室的出口處，注入淨化氣體，以防止反應物從沉積腔室移到移送室及/或附加處理腔室。故鈍氣流將在腔室出口處形成簾幕。

基板可在單一基板沉積腔室中處理，其中在處理另一基板前，裝載、處理及卸載單一基板。亦可以如運送系統般的連續方式處理基板，其中多個基板個別裝載至腔室的第一部分、移動通過腔室及自腔室的第二部分卸載。腔室和相關運送系統的形狀可構成直線路徑或彎曲路徑。此外，處理腔室可為迴轉料架，其中多個基板繞著中心軸移動，並在整個迴轉路徑經沉積、蝕刻、退火、清洗等處理。

處理期間，可加熱或冷卻基板。可以任何適合手段達成加熱或冷卻，包括改變基板支撐件的溫度及使加熱或冷卻氣體流至基板表面，但不以此為限。在一些實施例中，基 板支撐件包括加熱器/冷卻器，加熱器/冷卻器經控制以傳導改變基板溫度。在一或更多個實施例中，加熱或冷卻所用氣體(反應氣體或鈍氣)，以局部改變基板溫度。在一些實施例中，加熱器/冷卻器設在鄰近基板表面的腔室內，以對流改變基板溫度。

處理期間，基板亦可固定不動或轉動。轉動基板可持續旋轉或按不連續階段轉動。例如，基板可在整個製程過程旋轉，或者基板可在接觸不同反應氣體或淨化氣體之間少量旋轉。處理期間轉動基板(無論持續或分階段)有助於最小化如氣流幾何形狀的局部變異影響，從而得到更均勻的沉積或蝕刻。

雖然本發明已以特定實施例揭示如上，然應理解該等實施例僅為舉例說明本發明的原理和應用而已。在不脫離本發明的精神和範圍內，熟諳此技術者當可對本發明的方法和裝置作各種更動與潤飾。因此本發明擬包括在後附申請專利範圍所界定範圍內的修改例與變化例和其均等物。

100‧‧‧處理腔室

101‧‧‧腔室

102‧‧‧反應區域

110‧‧‧氣體分配組件

111‧‧‧氣體流道

112、113‧‧‧箭頭

120‧‧‧晶圓

121‧‧‧頂表面

122‧‧‧外緣

123‧‧‧背側/底表面

130‧‧‧基座組件

131‧‧‧頂表面

132‧‧‧底表面

133‧‧‧凹部

134‧‧‧階梯

135‧‧‧底部

140‧‧‧通道

141、142、143‧‧‧支腳

150‧‧‧加熱組件

Claims (20)

1. 一種處理腔室，包含：至少一氣體分配組件；及一基座組件，該基座組件設在該至少一氣體分配組件下方，該基座組件包括一頂表面、一底表面和位於該頂表面的至少一凹部，用以支撐一晶圓的一邊緣，該至少一凹部具有至少一通道，該至少一通道形成使該凹部與該底表面間流體連通。
2. 如請求項1所述之處理腔室，進一步包含一加熱組件，該加熱組件設在該基座組件下方。
3. 如請求項2所述之處理腔室，其中該加熱組件包含複數個燈具，用以將一輻射能導向該基座組件的該底表面。
4. 如請求項3所述之處理腔室，其中該至少一通道各自轉向，以免出自該加熱組件的輻射能直接衝擊該晶圓。
5. 如請求項3所述之處理腔室，其中該至少一通道各自包含多個支腳，且至少一支腳實質平行該晶圓延伸，以免出自該加熱組件的輻射能直接衝擊該晶圓。
6. 如請求項1所述之處理腔室，其中該基座組件的該頂表面的該凹部係按尺寸製作，使該凹部支撐的一晶圓具有一頂 表面，該頂表面與該基座組件的該頂表面實質共平面。
7. 如請求項1所述之處理腔室，其中該氣體分配組件包含複數個實質平行的氣體流道。
8. 如請求項7所述之處理腔室，其中該複數個氣體流道包含一第一反應氣體流道、一第二反應氣體流道和至少一淨化氣體流道。
9. 如請求項8所述之處理腔室，其中該第一反應氣體流道、該第二反應氣體流道和該至少一淨化氣體流道經個別控制以提供一正壓至一晶圓的一頂表面上，且該晶圓置於該基座組件的該凹部。
10. 如請求項9所述之處理腔室，其中一晶圓的該頂表面與一晶圓的該底表面間的一壓差大於約10托耳，且該晶圓置於該基座組件的該凹部。
11. 如請求項9所述之處理腔室，其中當一晶圓置於該基座組件的該凹部時，該晶圓的該頂表面與該凹部內該壓力間的一壓差等同一吸附力，該吸附力足以在約320mm的一螺栓中心半徑、以約200rpm的一轉速支托一300mm晶圓。
12. 如請求項1所述之處理腔室，其中該至少一通道係按尺 寸製作，以減少一晶圓的一背側與該處理腔室的一背景壓力間的一壓降。
13. 一種處理腔室，包含：至少一氣體分配組件，該氣體分配組件包括複數個實質平行的氣體流道，用以將一氣流導向一晶圓的一頂表面；一基座組件，該基座組件設在該至少一氣體分配組件下方，該基座組件包括面對該至少一氣體分配組件的一頂表面、一底表面和位於該頂表面的至少一凹部，用以支撐一晶圓的一邊緣，該至少一凹部係按尺寸製作，使該凹部支撐的一晶圓具有一頂表面，該頂表面與該基座組件的該頂表面實質共平面，該至少一凹部具有至少一通道，該至少一通道從該至少一凹部的一底部延伸到該基座組件的該底表面；及一加熱組件，該加熱組件設在該基座組件下方，用以將熱導向該基座組件的該底表面，其中該基座組件的該至少一通道不直接垂直該基座組件的該頂表面延伸。
14. 如請求項13所述之處理腔室，其中該加熱組件包含複數個燈具，用以將輻射能導向該基座組件的該底表面。
15. 如請求項13所述之處理腔室，其中該複數個氣體流道可個別控制，以提供一晶圓的一頂表面的一壓力相對該處理腔室的該壓力間的一壓差，且該晶圓置於該基座組件的該凹部。
16. 一種在一處理腔室中處理一晶圓的方法，該方法包含以下步驟：把一晶圓放置到一基座組件的一頂表面的一凹部，該晶圓具有一頂表面和一底表面，該凹部包括至少一通道，該通道延伸穿過該基座組件而至該基座組件的一底表面；使該晶圓和該基座組件通過一氣體分配組件下方，該氣體分配組件包含複數個實質平行的氣體流道，以將多個氣流導向該基座組件的該頂表面；及在該晶圓的該頂表面與該底表面間產生一壓差，使導向該晶圓的該頂表面的該等氣流所產生的一壓力比該晶圓的該底表面的一壓力大。
17. 如請求項16所述之方法，其中該至少一通道設置流體連通該處理腔室，使該晶圓的該底表面的該壓力和該處理腔室內的該壓力實質相同。
18. 如請求項16所述之方法，其中該晶圓的該頂表面與該基座組件的該頂表面實質共平面。
19. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟：利用一加熱組件，加熱該基座組件，該加熱組件包含複數個加熱燈具設在該基座組件底下。
20. 如請求項19所述之方法，其中該基座組件的該至少一通道經轉向，使出自該複數個加熱燈具的輻射能無法直接衝擊該晶圓的該底表面。