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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6038625B2 (ja) * 2012-12-10 2016-12-07 株式会社トクヤマ 多結晶シリコンロッドの製造方法と製造装置
JP2016016999A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒製造用のシリコン芯線および多結晶シリコン棒の製造装置
JP2016041636A (ja) * 2014-08-18 2016-03-31 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒の製造方法および多結晶シリコン棒
JP6181620B2 (ja) * 2014-09-04 2017-08-16 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン製造用反応炉、多結晶シリコン製造装置、多結晶シリコンの製造方法、及び、多結晶シリコン棒または多結晶シリコン塊
JP6345108B2 (ja) * 2014-12-25 2018-06-20 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒、多結晶シリコン棒の加工方法、多結晶シリコン棒の結晶評価方法、および、ｆｚ単結晶シリコンの製造方法
JP6370232B2 (ja) * 2015-01-28 2018-08-08 株式会社トクヤマ 多結晶シリコンロッドの製造方法
JP6314097B2 (ja) 2015-02-19 2018-04-18 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒
JP6343592B2 (ja) * 2015-07-28 2018-06-13 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン製造用反応炉及び多結晶シリコンの製造方法
JP6440601B2 (ja) * 2015-09-04 2018-12-19 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒の製造方法およびｆｚ単結晶シリコンの製造方法
JP6378147B2 (ja) * 2015-09-04 2018-08-22 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン棒の製造方法およびｃｚ単結晶シリコンの製造方法
CN106206266B (zh) * 2016-07-22 2020-02-04 上海芯导电子科技有限公司 一种推阱工艺
TWI791486B (zh) * 2017-02-20 2023-02-11 日商德山股份有限公司 多晶矽的製造方法
CN106865551B (zh) * 2017-03-24 2017-12-19 亚洲硅业（青海）有限公司 用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴
CN109399641B (zh) * 2018-12-25 2021-01-01 亚洲硅业(青海)股份有限公司 一种进料流速可变的还原炉底盘装置
JP7239432B2 (ja) * 2019-09-27 2023-03-14 東海カーボン株式会社 多結晶ＳｉＣ成形体の製造方法
US20240010502A1 (en) * 2020-11-27 2024-01-11 Tokuyama Corporation Polycrystal silicon rod, polycrystal silicon rod production method, and polycrystal silicon thermal processing method
CN112624121B (zh) * 2020-12-21 2021-09-28 亚洲硅业(青海)股份有限公司 多晶硅生产控制系统及控制方法
CN120247033A (zh) * 2025-04-02 2025-07-04 句容市星辰新型材料有限公司 一种多晶硅还原方法及设备
CN120383316B (zh) * 2025-06-30 2025-09-02 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 基于硅芯棒生长特征的多晶硅沉积进气装置及控制方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2727305A1 (de) * 1977-06-16 1979-01-04 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von feinkristallinem silicium aus der gasphase an der oberflaeche eines erhitzten traegerkoerpers
DE2831816A1 (de) * 1978-07-19 1980-01-31 Siemens Ag Verfahren zum abscheiden von silicium in feinkristalliner form
JP3343508B2 (ja) * 1997-05-26 2002-11-11 株式会社トクヤマ 表面状態の改善された多結晶シリコンロッド
JP3660617B2 (ja) * 2001-10-23 2005-06-15 住友チタニウム株式会社 半導体級多結晶シリコンの製造方法
AU2003211024A1 (en) * 2002-02-14 2003-09-04 Advanced Silicon Materials Llc Energy efficient method for growing polycrystalline silicon
DE102007047210A1 (de) * 2007-10-02 2009-04-09 Wacker Chemie Ag Polykristallines Silicium und Verfahren zu seiner Herstellung
JP5339945B2 (ja) * 2009-02-04 2013-11-13 株式会社トクヤマ 多結晶シリコンの製法
JP5651104B2 (ja) * 2009-02-27 2015-01-07 株式会社トクヤマ 多結晶シリコンロッド及びその製造装置
US8507051B2 (en) * 2009-07-15 2013-08-13 Mitsubishi Materials Corporation Polycrystalline silicon producing method
JP5655429B2 (ja) * 2009-08-28 2015-01-21 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンの製造方法、製造装置及び多結晶シリコン
JP5560018B2 (ja) 2009-10-14 2014-07-23 信越化学工業株式会社 多結晶シリコン製造用芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法
RU106893U1 (ru) * 2011-02-28 2011-07-27 Открытое акционерное общество "Красноярский машиностроительный завод" (ОАО "Красмаш") Реактор для выращивания стержней поликристаллического кремния

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