JP6314097B2 - 多結晶シリコン棒 - Google Patents
多結晶シリコン棒 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6314097B2 JP6314097B2 JP2015030344A JP2015030344A JP6314097B2 JP 6314097 B2 JP6314097 B2 JP 6314097B2 JP 2015030344 A JP2015030344 A JP 2015030344A JP 2015030344 A JP2015030344 A JP 2015030344A JP 6314097 B2 JP6314097 B2 JP 6314097B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- sample
- plate
- silicon rod
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 9
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/12—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state
- C30B28/14—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state by chemical reaction of reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/74—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by peak-intensities or a ratio thereof only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/78—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by stacking-plane distances or stacking sequences
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
(1a)前記多結晶シリコン棒の中心(r=0)からR/3までの領域から、該多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を主面とする板状試料を採取する。
(1b)前記板状試料を、ミラー指数面(111)からのブラッグ反射が検出される位置に配置する。
(1c)スリットにより定められるX線照射領域が前記板状試料の主面上をφスキャンするように前記板状試料の中心を回転中心として回転角度φで面内回転させ、前記ミラー指数面(111)からのブラッグ反射強度の前記板状試料の回転角度依存性を示す回折チャートを求める。
(1d)該回折チャートに現れたピーク部の面積Spと、前記回折チャートの全面積Stの比(Sp/St)を算出する。
(2a)前記多結晶シリコン棒の中心(r=0)からr=R/3までの第1の領域、r=R/3からr=R/2までの第2の領域、r=R/2からr=Rまでの第3の領域の各領域から、前記多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を主面とする板状試料を少なくとも1枚採取する。
(2b)前記板状試料を、ミラー指数面(111)からのブラッグ反射が検出される位置に配置する。
(2c)スリットにより定められるX線照射領域が前記板状試料の主面上をφスキャンするように前記板状試料の中心を回転中心として回転角度φで面内回転させ、前記ミラー指数面(111)からのブラッグ反射強度の前記板状試料の回転角度依存性を示す回折チャートを求める。
(2d)該回折チャートに現れたピーク部の面積Spと、前記回折チャートの全面積Stの比(Sp/St)を算出する。
(2e)前記複数の板状試料についての前記面積比Sp/Stの平均値を算出する。
(1a)前記多結晶シリコン棒の中心(r=0)からR/3までの領域から、該多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を主面とする板状試料を採取する。
(1b)前記板状試料を、ミラー指数面(111)からのブラッグ反射が検出される位置に配置する。
(1c)スリットにより定められるX線照射領域が前記板状試料の主面上をφスキャンするように前記板状試料の中心を回転中心として回転角度φで面内回転させ、前記ミラー指数面(111)からのブラッグ反射強度の前記板状試料の回転角度依存性を示す回折チャートを求める。
(1d)該回折チャートに現れたピーク部の面積Spと、前記回折チャートの全面積Stの比(Sp/St)を算出する。
(2a)前記多結晶シリコン棒の中心(r=0)からr=R/3までの第1の領域、r=R/3からr=R/2までの第2の領域、r=R/2からr=Rまでの第3の領域の各領域から、前記多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を主面とする板状試料を少なくとも1枚採取する。
(2b)前記板状試料を、ミラー指数面(111)からのブラッグ反射が検出される位置に配置する。
(2c)スリットにより定められるX線照射領域が前記板状試料の主面上をφスキャンするように前記板状試料の中心を回転中心として回転角度φで面内回転させ、前記ミラー指数面(111)からのブラッグ反射強度の前記板状試料の回転角度依存性を示す回折チャートを求める。
(2d)該回折チャートに現れたピーク部の面積Spと、前記回折チャートの全面積Stの比(Sp/St)を算出する。
(2e)前記複数の板状試料についての前記面積比Sp/Stの平均値を算出する。
r=0.862※※>>r0(38,0.01)=0.402
となり、危険率1%の判定条件により、「高度に有意な相関関係が認められる。」と判定される。危険率5%の場合は、r0(38,0.05)=0.314となる。判定の基準値r0は、自由度と危険率で定まる値であり、自由度は、データ数−2であり、この場合は、40−2=38となる。
10 多結晶シリコン棒
11 ロッド
20 板状試料
30 スリット
40 X線ビーム
Claims (3)
- 化学気相法による析出で育成された半径Rが65mm以上の多結晶シリコン棒であって、下記の手順でX線回折法により評価した面積比Sp/Stが2%以下であり、かつ、引張応力が認められない、多結晶シリコン棒。
(1a)前記多結晶シリコン棒の中心(r=0)からR/3までの領域から、該多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を主面とする板状試料を採取する。
(1b)前記板状試料を、ミラー指数面(111)からのブラッグ反射が検出される位置に配置する。
(1c)スリットにより定められるX線照射領域が前記板状試料の主面上をφスキャンするように前記板状試料の中心を回転中心として回転角度φで面内回転させ、前記ミラー指数面(111)からのブラッグ反射強度の前記板状試料の回転角度依存性を示す回折チャートを求める。
(1d)該回折チャートに現れたピーク部の面積Sp (回折強度の平均値I a にスキャン角度幅を掛けて得られた数値)と、前記回折チャートの全面積St (回折強度からベースライン強度を引いた数値をスキャン角度幅の領域で積分して得られた数値)の比(Sp/St)を算出する。 - 化学気相法による析出で育成された半径Rが65mm以上の多結晶シリコン棒であって、下記の手順でX線回折法により評価した面積比Sp/Stの平均値が0.5%以下であり、かつ、引張応力が認められない、多結晶シリコン棒。
(2a)前記多結晶シリコン棒の中心(r=0)からr=R/3までの第1の領域、r=R/3からr=R/2までの第2の領域、r=R/2からr=Rまでの第3の領域の各領域から、前記多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を主面とする板状試料を少なくとも1枚採取する。
(2b)前記板状試料を、ミラー指数面(111)からのブラッグ反射が検出される位置に配置する。
(2c)スリットにより定められるX線照射領域が前記板状試料の主面上をφスキャンするように前記板状試料の中心を回転中心として回転角度φで面内回転させ、前記ミラー指数面(111)からのブラッグ反射強度の前記板状試料の回転角度依存性を示す回折チャートを求める。
(2d)該回折チャートに現れたピーク部の面積Sp (回折強度の平均値I a にスキャン角度幅を掛けて得られた数値)と、前記回折チャートの全面積St (回折強度からベースライン強度を引いた数値をスキャン角度幅の領域で積分して得られた数値)の比(Sp/St)を算出する。
(2e)前記複数の板状試料についての前記面積比Sp/Stの平均値を算出する。 - 前記面積比S p /S t を、回折チャートに現れたS/N比が3以上のピーク部の面積と、回折チャートの全面積の比で求める、請求項1または2に記載の多結晶シリコン棒。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015030344A JP6314097B2 (ja) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | 多結晶シリコン棒 |
CN201580076377.8A CN107250038B (zh) | 2015-02-19 | 2015-12-10 | 多晶硅棒及其制造方法和fz硅单晶 |
EP15882516.6A EP3260415B1 (en) | 2015-02-19 | 2015-12-10 | Production method for a polycrystalline silicon rod |
PCT/JP2015/006156 WO2016132411A1 (ja) | 2015-02-19 | 2015-12-10 | 多結晶シリコン棒とその製造方法およびfzシリコン単結晶 |
US15/548,569 US10343922B2 (en) | 2015-02-19 | 2015-12-10 | Polycrystalline silicon rod, production method therefor, and FZ silicon single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015030344A JP6314097B2 (ja) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | 多結晶シリコン棒 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016150885A JP2016150885A (ja) | 2016-08-22 |
JP6314097B2 true JP6314097B2 (ja) | 2018-04-18 |
Family
ID=56692188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015030344A Active JP6314097B2 (ja) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | 多結晶シリコン棒 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10343922B2 (ja) |
EP (1) | EP3260415B1 (ja) |
JP (1) | JP6314097B2 (ja) |
CN (1) | CN107250038B (ja) |
WO (1) | WO2016132411A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6969917B2 (ja) * | 2017-07-12 | 2021-11-24 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒および多結晶シリコン棒の製造方法 |
JP6951936B2 (ja) | 2017-10-20 | 2021-10-20 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒および単結晶シリコンの製造方法 |
JP7050581B2 (ja) * | 2018-06-04 | 2022-04-08 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンロッドの選別方法 |
CN110133017B (zh) * | 2019-05-31 | 2022-07-01 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 多晶硅熔化参数的检测方法、多晶硅、单晶硅及其制造方法 |
JP2022003004A (ja) | 2020-06-23 | 2022-01-11 | 信越化学工業株式会社 | ポリシリコンロッド及びポリシリコンロッド製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999031013A1 (en) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
DE102007023041A1 (de) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Wacker Chemie Ag | Polykristalliner Siliciumstab für das Zonenziehen und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
US8507051B2 (en) | 2009-07-15 | 2013-08-13 | Mitsubishi Materials Corporation | Polycrystalline silicon producing method |
JP5655429B2 (ja) | 2009-08-28 | 2015-01-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法、製造装置及び多結晶シリコン |
DE102010003068A1 (de) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von rissfreien polykristallinen Siliciumstäben |
CN201864575U (zh) | 2010-10-12 | 2011-06-15 | 浙江中宁硅业有限公司 | 有效提高硅烷法多晶硅硅棒生长速度的系统 |
WO2012164803A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の選択方法および単結晶シリコンの製造方法 |
JP5719282B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2015-05-13 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法 |
JP5696063B2 (ja) | 2012-02-02 | 2015-04-08 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒搬出冶具および多結晶シリコン棒の刈取方法 |
JP5792658B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2015-10-14 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の製造方法 |
JP5969230B2 (ja) | 2012-03-16 | 2016-08-17 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッド |
JP5828795B2 (ja) | 2012-04-04 | 2015-12-09 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの結晶配向度評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、および単結晶シリコンの製造方法 |
JP2014001096A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-01-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多結晶シリコンの結晶配向度評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊、および、単結晶シリコンの製造方法 |
JP5712176B2 (ja) * | 2012-08-06 | 2015-05-07 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン塊の製造方法、及び、単結晶シリコンの製造方法 |
JP6038625B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2016-12-07 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッドの製造方法と製造装置 |
JP5947248B2 (ja) * | 2013-06-21 | 2016-07-06 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の選択方法 |
JP2016041636A (ja) | 2014-08-18 | 2016-03-31 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の製造方法および多結晶シリコン棒 |
-
2015
- 2015-02-19 JP JP2015030344A patent/JP6314097B2/ja active Active
- 2015-12-10 CN CN201580076377.8A patent/CN107250038B/zh active Active
- 2015-12-10 US US15/548,569 patent/US10343922B2/en active Active
- 2015-12-10 EP EP15882516.6A patent/EP3260415B1/en active Active
- 2015-12-10 WO PCT/JP2015/006156 patent/WO2016132411A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10343922B2 (en) | 2019-07-09 |
CN107250038A (zh) | 2017-10-13 |
WO2016132411A1 (ja) | 2016-08-25 |
US20180002180A1 (en) | 2018-01-04 |
EP3260415B1 (en) | 2020-03-11 |
CN107250038B (zh) | 2019-11-15 |
EP3260415A1 (en) | 2017-12-27 |
EP3260415A4 (en) | 2018-08-22 |
JP2016150885A (ja) | 2016-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5828795B2 (ja) | 多結晶シリコンの結晶配向度評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、および単結晶シリコンの製造方法 | |
JP6314097B2 (ja) | 多結晶シリコン棒 | |
WO2013190829A1 (ja) | 多結晶シリコンの結晶配向度評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊、および、単結晶シリコンの製造方法 | |
JP5947248B2 (ja) | 多結晶シリコン棒の選択方法 | |
JP5868286B2 (ja) | 多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン塊の製造方法、及び、単結晶シリコンの製造方法 | |
JP2022009646A (ja) | 多結晶シリコン棒および多結晶シリコン棒の製造方法 | |
JP5969956B2 (ja) | 多結晶シリコンの粒径評価方法および多結晶シリコン棒の選択方法 | |
JP5923463B2 (ja) | 多結晶シリコンの結晶粒径分布の評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊、および、単結晶シリコンの製造方法 | |
JP6470223B2 (ja) | 単結晶シリコンの製造方法 | |
JP6951936B2 (ja) | 多結晶シリコン棒および単結晶シリコンの製造方法 | |
JP5984741B2 (ja) | 多結晶シリコン棒の選択方法、および、fz単結晶シリコンの製造方法 | |
JP6345108B2 (ja) | 多結晶シリコン棒、多結晶シリコン棒の加工方法、多結晶シリコン棒の結晶評価方法、および、fz単結晶シリコンの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170725 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170922 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180326 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6314097 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |