JP5868286B2 - 多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン塊の製造方法、及び、単結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Description
α(T)/αR(T)≧0.10×10-3T+0.80 (1)
α(25℃)/αR(25℃)≧0.80 (2)
α(900℃)/αR(900℃)≧0.90 (3)
α(1000℃)/αR(1000℃)≧0.91 (4)
FZ法にて育成された単結晶シリコンインゴット(直径12mm×長さ170cm)から、輪切りにより厚さ2mmで採取した。
10 多結晶シリコン棒
11 ロッド
20 板状試料
Claims (7)
- 単結晶シリコン製造用原料として用いる多結晶シリコン棒を選択するための方法であって、
前記多結晶シリコン棒は化学成長法による析出で育成されたものであり、前記多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を主面とする板状試料を採取し、1100℃以下の温度T(℃)で前記板状試料の熱拡散率α(T)を測定し、該熱拡散率α(T)と<100>面を主面とする単結晶シリコン板状試料である標準試料の熱拡散率αR(T)との比(α(T)/αR(T))を求め、該熱拡散率の比(α(T)/αR(T))が下式(1)を満足する多結晶シリコン棒を単結晶シリコン製造用原料として選択する、ことを特徴とする多結晶シリコン棒の選択方法。
α(T)/α R (T)≧0.10×10 -3 T+0.80 (1) - 前記測定温度Tが25℃であり、前記熱拡散率α(25℃)が下式(2)を満足する多結晶シリコン棒を単結晶シリコン製造用原料として選択する、請求項1に記載の多結晶シリコン棒の選択方法。
α(25℃)/αR(25℃)≧0.80 (2) - 前記測定温度Tが900℃であり、前記熱拡散率α(900℃)が下式(3)を満足する多結晶シリコン棒を単結晶シリコン製造用原料として選択する、請求項1に記載の多結晶シリコン棒の選択方法。
α(900℃)/αR(900℃)≧0.90 (3) - 前記測定温度Tが1000℃であり、前記熱拡散率α(1000℃)が下式(4)を満足する多結晶シリコン棒を単結晶シリコン製造用原料として選択する、請求項1に記載の多結晶シリコン棒の選択方法。
α(1000℃)/αR(1000℃)≧0.91 (4) - 請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法により選択された多結晶シリコン棒を破砕する工程を備えている多結晶シリコン塊の製造方法。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法により選択された多結晶シリコン棒をシリコン原料として用いる単結晶シリコンの製造方法。
- 請求項5に記載の方法により得られた多結晶シリコン塊を原料として用いる単結晶シリコンの製造方法。
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