JP2014031297A - 多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン塊の製造方法、及び、単結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン塊の製造方法、及び、単結晶シリコンの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン棒の選択方法では、多結晶シリコン棒から採取された板状試料の主面に電子線を照射して得られる電子後方散乱回折像を解析し、粒径が0.5μm以上の結晶粒が検出されない領域の総和面積が、電子線照射された面積全体の10%以下であること(条件1)、および、粒径が0.5μm以上で3μm未満の範囲にある結晶粒の個数が、検出された結晶粒の全体の45%以上であること(条件2)、を同時に満足する多結晶シリコン棒を単結晶シリコン製造用原料として選択する。係る多結晶シリコン棒を用いて単結晶シリコンの育成を行うと、結晶線の消失が生じない。その結果、単結晶シリコンの安定的製造が可能となる。
【選択図】図3A
Description
条件1:粒径が0.5μm以上の結晶粒が検出されない領域の総和面積が、電子線照射された面積全体の10%以下であること。
条件2:粒径が0.5μm以上で3μm未満の範囲にある結晶粒の個数が、検出された結晶粒の全体の45%以上であること。
選択された多結晶シリコン棒を破砕して結晶配向性の低い多結晶シリコン塊を得、これをCZ法による単結晶シリコンの製造用原料として用いるようにしてもよいことは言うまでもない。
10 多結晶シリコン棒
11 ロッド
20 板状試料
100 走査型顕微鏡
101 照射系コントロールユニット
102 試料ステージコントロールユニット
103 カメラコントロールユニット
104 試料ステージ
105 試料
106 電子線
107 スクリーン
108 高感度カメラ
109 コンピュータ
109a SEMの本体を制御する処理部
109b 画像の撮影乃至取込を制御する処理部
109c 演算部
109d 記録部
Claims (6)
- 単結晶シリコン製造用原料として用いる多結晶シリコン棒を選択するための方法であって、多結晶シリコン棒から採取された板状試料の主面に電子線を照射して得られる電子後方散乱回折像を解析して、下記の2条件を同時に満足する多結晶シリコン棒を単結晶シリコン製造用原料として選択する、ことを特徴とする多結晶シリコン棒の選択方法。
条件1:粒径が0.5μm以上の結晶粒が検出されない領域の総和面積が、電子線照射された面積全体の10%以下であること。
条件2:粒径が0.5μm〜3μmの範囲にある結晶粒の個数が、検出された結晶粒の全体の45%以上であること。 - 前記板状試料は、前記多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を主面とするように採取される、請求項1に記載の多結晶シリコン棒の選択方法。
- 前記板状試料は、前記多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を底面とする柱状試料からスライスにより採取される、請求項2に記載の多結晶シリコン棒の選択方法。
- 請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法により選択された多結晶シリコン棒を破砕する工程を備えている多結晶シリコン塊の製造方法。
- 請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法により選択された多結晶シリコン棒をシリコン原料として用いる単結晶シリコンの製造方法。
- 請求項4に記載の方法により得られた多結晶シリコン塊を原料として用いる単結晶シリコンの製造方法。
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