JP5984741B2 - 多結晶シリコン棒の選択方法、および、fz単結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
多結晶シリコン棒の選択方法、および、fz単結晶シリコンの製造方法 Download PDFInfo
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Description
である。
10 多結晶シリコン棒
11 ロッド
20 板状試料
30 スリット
40 X線ビーム
Claims (3)
- FZ単結晶シリコン製造用の原料として用いる多結晶シリコン棒をX線回折法により選択するための方法であって、
前記多結晶シリコン棒は化学気相法による析出により育成されたものであり、該多結晶シリコン棒の径方向に垂直な断面を主面とする板状試料を採取し、ミラー指数面<111>および<220>のそれぞれにつき、前記板状試料を前記ミラー指数面からのブラッグ反射が検出される位置に配置し、スリットにより定められるX線照射領域が前記板状試料の主面上をφスキャンするように該板状試料の中心を回転中心として回転角度φで面内回転させ、前記ミラー指数面からのブラッグ反射強度の前記板状試料の回転角度(φ)依存性を示すチャートを求め、該チャートからピークトップの回折強度値とベースラインの回折強度値を求め、前記ピークトップの回折強度値(P)を前記ベースラインの回折強度値(B)で除した値(回折強度比:P/B=R)を求め、
前記ミラー指数面<111>の回折強度比(R 111 )が1.8以下で、かつ、前記ミラー指数面<220>の回折強度比(R 220 )が12以下である場合に、FZ単結晶シリコン製造用の原料として用いる多結晶シリコン棒として選択する、多結晶シリコン棒の選択方法。 - 前記多結晶シリコン棒はシーメンス法で育成されたものである、請求項1に記載の多結晶シリコン棒の選択方法。
- 請求項1に記載の方法で選択された多結晶シリコン棒をシリコン原料として用いるFZ単結晶シリコンの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013111864A JP5984741B2 (ja) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | 多結晶シリコン棒の選択方法、および、fz単結晶シリコンの製造方法 |
PCT/JP2014/002609 WO2014192245A1 (ja) | 2013-05-28 | 2014-05-19 | 多結晶シリコン中の局所配向ドメインの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013111864A JP5984741B2 (ja) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | 多結晶シリコン棒の選択方法、および、fz単結晶シリコンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014231440A JP2014231440A (ja) | 2014-12-11 |
JP5984741B2 true JP5984741B2 (ja) | 2016-09-06 |
Family
ID=51988298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013111864A Active JP5984741B2 (ja) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | 多結晶シリコン棒の選択方法、および、fz単結晶シリコンの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5984741B2 (ja) |
WO (1) | WO2014192245A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107389709B (zh) * | 2017-06-29 | 2019-06-25 | 中国建筑材料科学研究总院 | 基于xrd优选硅质物料的方法及其应用 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4711430B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2011-06-29 | 株式会社リガク | X線回折装置 |
JP5012386B2 (ja) * | 2007-10-04 | 2012-08-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンロッドの製造方法 |
WO2010098319A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンロッド及びその製造装置 |
US8399072B2 (en) * | 2009-04-24 | 2013-03-19 | Savi Research, Inc. | Process for improved chemcial vapor deposition of polysilicon |
US9605356B2 (en) * | 2011-06-02 | 2017-03-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for selecting polycrystalline silicon rod, and method for producing single crystalline silicon |
JP5689382B2 (ja) * | 2011-07-25 | 2015-03-25 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンロッドの破砕方法 |
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2013
- 2013-05-28 JP JP2013111864A patent/JP5984741B2/ja active Active
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2014
- 2014-05-19 WO PCT/JP2014/002609 patent/WO2014192245A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014192245A1 (ja) | 2014-12-04 |
JP2014231440A (ja) | 2014-12-11 |
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