JP2013051370A5 - 成膜方法及び記憶媒体並びに太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の成膜方法は、処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行う方法において、
予めシラン系のガス及び水素ガスを混合した混合ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、得られたプラズマにより前記基板上に第１のシリコン層を成膜する第１の工程と、
次いで、水素ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化すると共に水素ガスとは別個にシラン系のガスを前記処理容器内に供給して、プラズマ化された水素ガスにより前記シラン系のガスをラジカル化し、こうして生成されたラジカルにより前記基板上における前記第１のシリコン層の上に第２のシリコン層を成膜する第２の工程と、を含むことを特徴とする。
他の発明は、処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行う方法において、
予めシラン系のガス及び水素ガスを混合した混合ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、得られたプラズマにより前記基板上に第１のシリコン層を成膜する第１の工程と、
水素ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化すると共に水素ガスとは別個にシラン系のガスを前記処理容器内に供給して、プラズマ化された水素ガスにより前記シラン系のガスをラジカル化し、こうして生成されたラジカルにより前記基板上に第２のシリコン層を成膜する第２の工程と、を含み、
前記第１の工程及び第２の工程を同時に行い、同時に行われている間に、第１の工程で供給されるシラン系のガスと第２の工程で供給されるシラン系のガスとの比率を時間と共に変化させることを特徴とする成膜方法である。
更に他の発明は、予めモノシランガス及び水素ガスを混合した混合ガスをプラズマ化することにより基板上に第１のシリコン層を形成し、
次いで、水素ガス及びモノシランガスを別々に処理雰囲気に供給して水素ガス及びモノシランガスをプラズマ化し、前記第１のシリコン層に比べて微結晶シリコン含有率が高く、シリコン層中の欠陥密度が低い第２のシリコン層を前記第１のシリコン層の上に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法である。
予めシラン系のガス及び水素ガスを混合した混合ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、得られたプラズマにより前記基板上に第１のシリコン層を成膜する第１の工程と、
次いで、水素ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化すると共に水素ガスとは別個にシラン系のガスを前記処理容器内に供給して、プラズマ化された水素ガスにより前記シラン系のガスをラジカル化し、こうして生成されたラジカルにより前記基板上における前記第１のシリコン層の上に第２のシリコン層を成膜する第２の工程と、を含むことを特徴とする。
他の発明は、処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行う方法において、
予めシラン系のガス及び水素ガスを混合した混合ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、得られたプラズマにより前記基板上に第１のシリコン層を成膜する第１の工程と、
水素ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化すると共に水素ガスとは別個にシラン系のガスを前記処理容器内に供給して、プラズマ化された水素ガスにより前記シラン系のガスをラジカル化し、こうして生成されたラジカルにより前記基板上に第２のシリコン層を成膜する第２の工程と、を含み、
前記第１の工程及び第２の工程を同時に行い、同時に行われている間に、第１の工程で供給されるシラン系のガスと第２の工程で供給されるシラン系のガスとの比率を時間と共に変化させることを特徴とする成膜方法である。
更に他の発明は、予めモノシランガス及び水素ガスを混合した混合ガスをプラズマ化することにより基板上に第１のシリコン層を形成し、
次いで、水素ガス及びモノシランガスを別々に処理雰囲気に供給して水素ガス及びモノシランガスをプラズマ化し、前記第１のシリコン層に比べて微結晶シリコン含有率が高く、シリコン層中の欠陥密度が低い第２のシリコン層を前記第１のシリコン層の上に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法である。
Claims (8)
- 処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行う方法において、
予めシラン系のガス及び水素ガスを混合した混合ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、得られたプラズマにより前記基板上に第１のシリコン層を成膜する第１の工程と、
次いで、水素ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化すると共に水素ガスとは別個にシラン系のガスを前記処理容器内に供給して、プラズマ化された水素ガスにより前記シラン系のガスをラジカル化し、こうして生成されたラジカルにより前記基板上における前記第１のシリコン層の上に第２のシリコン層を成膜する第２の工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 基板、シラン系のガスの供給口及び水素ガスの供給口が下からこの順に配置されていることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
- 基板の上方空間をプラズマ生成空間と排気空間とに横方向に分割するために設けられ、前記処理容器の天井部から下方に伸びると共にその下端と基板との間に、前記プラズマ生成空間から排気空間にガスが流れるための隙間が形成された仕切り壁と、プラズマ生成空間に水素ガスを供給するための供給口と、前記プラズマ生成空間に供給された水素ガスをプラズマ化するための活性化手段と、前記プラズマ生成空間内の下部側または当該プラズマ生成空間よりも下方側にシラン系のガスを供給するための供給口と、前記排気空間を真空排気するための真空排気口と、を備えた成膜装置を用いて前記第１の工程と第２の工程とを行うことを特徴とする請求項２記載の成膜方法。
- 前記第１の工程と第２の工程を交互に複数回行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 前記第１の工程と第２の工程との切替えは、連続的または段階的に変化させることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の成膜方法。
- 処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行う方法において、
予めシラン系のガス及び水素ガスを混合した混合ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化し、得られたプラズマにより前記基板上に第１のシリコン層を成膜する第１の工程と、
水素ガスを前記処理容器内に供給してプラズマ化すると共に水素ガスとは別個にシラン系のガスを前記処理容器内に供給して、プラズマ化された水素ガスにより前記シラン系のガスをラジカル化し、こうして生成されたラジカルにより前記基板上に第２のシリコン層を成膜する第２の工程と、を含み、
前記第１の工程及び第２の工程を同時に行い、同時に行われている間に、第１の工程で供給されるシラン系のガスと第２の工程で供給されるシラン系のガスとの比率を時間と共に変化させることを特徴とする成膜方法。 - 処理容器内に載置された基板に対してプラズマにより成膜を行うための成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１ないし６のいずれか一つに記載された成膜方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。 - 太陽電池の製造方法であって、
予め水素ガス及びモノシランガスを混合した混合ガスをプラズマ化することにより基板上に第１のシリコン層を形成し、
次いで、水素ガス及びモノシランガスを別々に処理雰囲気に供給して水素ガス及びモノシランガスをプラズマ化し、前記第１のシリコン層に比べて微結晶シリコン含有率が高く、シリコン層中の欠陥密度が低い第２のシリコン層を前記第１のシリコン層の上に形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
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