JP2009135277A - 膜の形成方法、薄膜トランジスタ、太陽電池、製造装置および表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板G上にゲート酸化膜10を形成後、2.0eVの電子温度以下の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する第1の工程と、2.0eVの電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマを用いて超微結晶シリコン膜を形成する第2の工程と、を繰り返し成膜する。これにより、微結晶シリコン膜と超微結晶シリコン膜とが積層された積層膜20が形成される。前記方法により、積層膜20を活性層として機能させるnチャネル薄膜トランジスタおよびpチャネル薄膜トランジスタの少なくともいずれかを製造することができる。
【選択図】図9
Description
本実施形態のTFTプロセスでは、活性層として形成された微結晶シリコン膜からみてゲート電極(ドープされたシリコン基板)が下側に配置されたボトムゲート構造の薄膜トランジスタが製造される。図1および図2には、ボトムゲート型TFTプロセスが示されている。図では、nチャネルTFTプロセスの各工程を示しているが、ドープする不純物を変えればpチャネルTFTプロセスの各工程となる。
ボトムゲート構造TFTプロセスでは、まず、リン(P)をドープしたドープドシリコン膜(低抵抗層(n+))のシリコン基板G上に、図1(a)に示したゲート酸化(SiO2)膜10が形成される。ゲート酸化膜10は、低圧、基板温度400℃の状態においてシラン(SiH4)および酸素(O2)の混合ガスを励起させてプラズマを生成し、そのプラズマにより100nmの厚さに成膜される(低圧プラズマCVD:Chemical Vapor Deposition)。なお、シリコン基板Gはゲート電極として機能し、ゲート酸化膜10はゲート絶縁膜として機能する。
つぎに、図1(b)に示したように、ゲート酸化膜10上に微結晶シリコン(μc(micro crystal)−Si)膜と超微結晶シリコン膜との積層膜20をマイクロ波プラズマCVD(低圧CVD:Low−Pressure Chemical Vapor Deposition)により100nmの厚さまで成膜する。
つぎに、図1(c)に示したように、たとえば、基板温度を300℃に設定し、シランおよび水素の混合ガスを励起させてプラズマを生成し、さらにリン(P)をドープしたドープドシリコン膜(低抵抗層(n+))30を100nmの厚さまで成膜する。低抵抗層(n+)30は、ソース領域およびドレイン領域として機能する。
低抵抗層30の形成後、図1(d)に示したように、パターン化されたレジスト膜Rを用いて積層膜20および低抵抗層30をアイランド状にパターニングする。パターニング後、レジスト膜Rは、バッファードフッ酸(BHF:Buffered Hydrogen Fluoride)などのHF系薬液により除去される。
つぎに、図2(a)に示したように、アルミ配線用膜(Al層)40をスパッタリングにより形成する。アルミ配線用膜40は、真空蒸着またはCVDにより形成してもよい。
ついで、図2(b)に示したように、電極パターンを形成するために、パターン化されたレジスト膜Rを用いてアルミ配線用膜40および低抵抗層30エッチングする(チャネルエッチング)。これにより、微結晶シリコン膜20に隣接してソース/ドレイン電極30s、30dが形成される。パターニング後、レジスト膜Rはバッファードフッ酸BHFにより除去される。
つぎに、図2(c)に示したように、蒸着により基板Gの裏面にAl層50を成膜する。
最後に、以上のようにして基板G上に積層されたTFTを保護するために、図2(d)に示したように、プラズマCVDによりSiN膜等の絶縁膜がパッシベーション層60として形成される。なお、パッシベーション層60を熱処理しながら水素プラズマ処理を実行してもよい。
つぎに、積層膜20を成膜するマイクロ波プラズマ処理装置(PM3)について、縦断面を模式的に示した図3を参照しながら説明する。なお、マイクロ波プラズマ処理装置は、微結晶シリコン膜および超微結晶シリコン膜の積層膜を成膜する製造装置の一例である。
単層膜の微結晶膜の状態を図4のAおよび図14に示す。図14の上部(U:微結晶膜(単層膜)と移動度)に示したように、微結晶膜の結晶粒は柱状に成長するため、結晶粒(グレイン)間の結合は弱く、結晶粒間の粒界(グレインバウンダリ)には障壁hができる。この障壁hは、キャリアが微結晶膜のグレインバウンダリを移動するとき、大きな電気抵抗(膜の横方向の電気抵抗)を生じさせる。このため、障壁hは、移動度μを低下させ、薄膜トランジスタの動作を遅延させるとともに薄膜トランジスタの動作特性を不安定にさせる。
そこで、発明者は、本実施形態にかかる薄膜トランジスタの活性層に、図4のAの単層膜に替えて、図4のBの積層膜20を用いることを考案し、この場合、薄膜トランジスタの動作にどのような変化が見られるかを実験した。
発明者は、TFTの特性を評価するために、図3に示したマイクロ波プラズマ処理装置を用いた。ゲート酸化膜10を成膜する際、マイクロ波のパワーを2.25kW、処理容器内の圧力を150mTorrに設定し、ガス導入管29a、29cから625sccmの流量の酸素ガスを導入し、ガス導入管29b、29dを介してガスパイプ28から、酸素ガスの導入位置より下方に向けてシランガスおよび水素ガスをそれぞれ100sccm、1500sccmの流量だけ導入した。また、誘電体板31とサセプタ11とのギャップが166mmになるようにサセプタ11の位置を移動させた。以上のプロセス条件下、ゲート酸化膜10が100nmの膜厚になるまで成膜した。
第1実施形態では、微結晶シリコン膜と超微結晶シリコン膜とを積層させた積層膜を活性層として成膜することにより、移動度μおよびon/off比が高く、BHF耐性に強い薄膜トランジスタを製造することができた。この結果から、発明者は、微結晶シリコン膜と超微結晶シリコン膜との膜厚の組み合わせに最適値があるのではないかと考えた。そこで、第2実施形態では、微結晶シリコン膜と超微結晶シリコン膜との膜厚の組み合わせの適正化を図るために、発明者が行った実験およびその結果について説明する。
20 積層膜
20a 微結晶シリコン膜
20b 超微結晶シリコン膜
30 低抵抗層
40 アルミ配線用膜
50 裏面Al層
60 パッシベーション層
100 基板処理システム
PM1、PM2、PM3、PM4 プロセスモジュール
G 基板
Claims (26)
- nチャネル薄膜トランジスタ、pチャネル薄膜トランジスタおよび太陽電池の少なくともいずれかに用いられる膜を形成する方法であって、
所定の電子温度以下の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する第1の工程と、
前記所定の電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマを用いて超微結晶シリコン膜を形成する第2の工程と、を備える膜の形成方法。 - 前記第1の工程および前記第2の工程は同一の処理容器内にて実行され、
前記第2の工程の処理容器内の圧力は、前記第1の工程の処理容器内の圧力より低く設定される請求項1に記載された膜の形成方法。 - 前記第1の工程では、
前記第2の工程より電子密度を高くした状態の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する請求項1または請求項2のいずれかに記載された膜の形成方法。 - 前記第1の工程では、
前記第2の工程より水素ラジカルの量を増やした状態の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する請求項1〜3のいずれかに記載された膜の形成方法。 - 前記第1の工程にて処理容器内に投入するパワーは、前記第2の工程にて処理容器内に投入するパワーより高く設定する請求項3または請求項4のいずれかに記載された膜の形成方法。
- 前記所定の電子温度は、4.5eV以下である請求項1〜5のいずれかに記載された膜の形成方法。
- 前記所定の電子温度は、2eV以下である請求項6に記載された膜の形成方法。
- 前記第2の工程の電子密度は、5×1010cm−3以上である請求項1〜7のいずれかに記載された膜の形成方法。
- 前記第2の工程の電子密度は、1×1011cm−3以上である請求項8に記載された膜の形成方法。
- 前記第2の工程にて形成される超微結晶膜は、前記第1の工程にて形成される微結晶膜より緻密に形成されるように各工程のプロセス条件を設定する請求項1〜9のいずれかに記載された膜の形成方法。
- 前記第2の工程にて形成される超微結晶膜は、前記第1の工程にて形成される微結晶膜より結晶粒が小さくなるように各工程のプロセス条件を設定する請求項1〜10のいずれかに記載された膜の形成方法。
- 前記第1の工程にて形成される微結晶膜は、前記第2の工程にて形成される超微結晶膜より結晶体積分率が高くなるように各工程のプロセス条件を設定する請求項1〜11のいずれかに記載された膜の形成方法。
- 前記高電子密度プラズマは、
誘導結合型プラズマ処理装置またはマイクロ波プラズマ処理装置を用いて所望のガスを励起させることにより生成される請求項1〜12のいずれかに記載された膜の形成方法。 - 前記マイクロ波プラズマ処理装置は、タイル状に形成された複数の誘電体板の各誘電体板にマイクロ波を透過させることにより前記処理容器内にマイクロ波を投入する請求項13に記載された膜の形成方法。
- 前記第1の工程と前記第2の工程とをそれぞれ2回以上交互に繰り返すことにより前記微結晶シリコン膜と前記超微結晶シリコン膜とを被処理体上にそれぞれ2層以上積層する請求項1〜14のいずれかに記載された膜の形成方法。
- 前記積層膜を形成する前記微結晶シリコン膜と前記超微結晶シリコン膜とが、薄膜トランジスタとしての機能を有するために必要な膜厚であって、それぞれが最も薄い膜厚になるように各層を被処理体上に積層する請求項15に記載された膜の形成方法。
- 前記第2の工程を実行する前後に前記第1の工程を実行することにより、前記超微結晶シリコン膜が前記微結晶シリコン膜に挟まれるように各層を被処理体上に積層する請求項1〜14のいずれかに記載された膜の形成方法。
- 前記第1の工程および前記第2の工程中、被処理体近傍の温度を600℃以下に制御する請求項1〜17のいずれかに記載された膜の形成方法。
- 所定の電子温度以下の高電子密度プラズマにより形成された微結晶シリコン膜上に、前記所定の電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマにより形成された超微結晶シリコン膜を積層させた積層膜を活性層として有する薄膜トランジスタ。
- 前記微結晶シリコン膜および前記超微結晶シリコン膜を交互に繰り返し2層以上積層させた積層膜を有する請求項19に記載された薄膜トランジスタ。
- 所定の電子温度以下の高電子密度プラズマにより形成された微結晶シリコン膜上に、前記所定の電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマにより形成された超微結晶シリコン膜を積層させた積層膜を活性層として有する太陽電池。
- 前記微結晶シリコン膜および前記超微結晶シリコン膜を交互に繰り返し2層以上積層させた積層膜を有する請求項21に記載された太陽電池。
- 請求項1〜18のいずれかに記載された膜の形成方法を用いて薄膜トランジスタを製造する製造装置。
- 請求項1〜18のいずれかに記載された膜の形成方法を用いて太陽電池を製造する製造装置。
- 請求項23に記載された製造装置により製造された薄膜トランジスタを組み込んだ表示装置。
- 膜を形成する方法であって、
所定の電子温度以下の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する第1の工程と、
前記所定の電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマを用いて超微結晶シリコン膜を形成する第2の工程と、を備える膜の形成方法。
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