JP2012522383A - 光焼結及び／またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層 - Google Patents

光焼結及び／またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層 Download PDF

Info

Publication number
JP2012522383A
JP2012522383A JP2012502281A JP2012502281A JP2012522383A JP 2012522383 A JP2012522383 A JP 2012522383A JP 2012502281 A JP2012502281 A JP 2012502281A JP 2012502281 A JP2012502281 A JP 2012502281A JP 2012522383 A JP2012522383 A JP 2012522383A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
thermal conductivity
substrate
low thermal
polyimide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012502281A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5740389B2 (ja
Inventor
ズヴィ・ヤニフ
モーシ・ヤング
ピーター・ビー・ラクストン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Nanotech Holdings Inc
Original Assignee
Applied Nanotech Holdings Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Nanotech Holdings Inc filed Critical Applied Nanotech Holdings Inc
Publication of JP2012522383A publication Critical patent/JP2012522383A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5740389B2 publication Critical patent/JP5740389B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/10—Sintering only
    • B22F3/105—Sintering only by using electric current other than for infrared radiant energy, laser radiation or plasma ; by ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/02—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
    • B22F7/04—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B23K26/32—Bonding taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34—Laser welding for purposes other than joining
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244—Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4664—Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52—Ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/062—Means for thermal insulation, e.g. for protection of parts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • H05K3/125—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49156—Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

電子部品間に電気を伝えるための配線を製造するために、基板上に導電線を堆積させる。基板上にパターン形成された金属層が形成され、次いで低熱伝導率を有する材料の層が、パターン形成された金属層及び基板上に被覆される。低熱伝導率を有する材料の層を通るビアが形成されることによって、パターン化された金属層の一部が露出される。次いで、導電性インクの膜が低熱伝導率を有する材料の層上及びビア内に被覆されることによって、パターン化された金属層の前記部分が被覆され、その後焼結される。パターン化された金属層の部分に被覆された導電性インクの膜は、低熱伝導率を有する材料の層上に被覆された導電性インクの膜ほど、焼結由来のエネルギーを吸収しない。低熱伝導率を有する材料の層は、ポリイミドなどのポリマーであり得る。

Description

本出願は、米国特許仮出願第６１／１７４，７５８号及び第６１／１６３，８９４号の優先権を主張するものである。
マイクロエレクトロニクス及び半導体パッケージ産業は、プリンタブルエレクトロニクスにシフトし始めている。電子回路は、互いに電気的に接続されたさまざまな部品を備えている。このような異なる部品間の電気的接続は、基板上に導電インクで印刷可能な導電金属線からなり得る。導電性にするために、インクは、基板上に堆積された後に処理及び焼結される。熱焼結では、インク中のナノ粒子を溶かすために高温（例えば２５０℃以上）が使用される。光及びレーザー焼結では、下部の基板を損傷しないように低温で非常に短期間（例えばマイクロ秒）でナノ粒子を溶かすために、非常に高強度のランプ／レーザーが使用される。しかしながら、光／レーザー焼結工程では、ナノ粒子が効果的にエネルギーを吸収し、熱エネルギーが基板へと散逸する前に焼結するために、基板に低熱伝導性材料を使用しなければならないという制限がある。言い換えると、これらの用途で使用することができる基板は、低熱伝導性材料に非常に限定されることになる。
一方で、低熱伝導性基板は、フレキシブルプリンタブルエレクトロニクスに使用され得る。ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエステル（ＰＥＴ）などの低融点材料では、ナノ粒子インクの適切な焼結が妨げられ、基板が損傷し、結果として抵抗が非常に高くなることになる。
米国特許出願第２００８／０２８６４８８号明細書
本発明の実施形態は、ポリイミド基板上の金属ナノ粒子を効果的に焼結することによって、バルク材料に近い、非常に高い導電性を膜にもたらすための光焼結について開示する。
４つのシリコンウエハ上で光焼結された銅インクを示すデジタル写真である。 光焼結される前の銅インクを示すデジタル写真である。 光焼結された後の銅インクを示すデジタル写真である。 カプトン基板上のレーザー焼結された線を示すデジタル写真である。 図４のレーザー焼結された線を示す拡大デジタル写真である。 レーザーによって焼結された銅インクの抵抗が、レーザー出力に反比例するだけでなく、ポリイミドからなるバッファ層の厚さにも反比例することを示すグラフである。 さまざまな回転速度で測定された硬化後のポリイミドの厚さを示すグラフである。 焼結銅膜の抵抗がポリイミドの厚さに反比例することを示すグラフである。 銅インク膜のポリイミドへの接着力がポリイミドの厚さに比例することを示すグラフである。 レーザー書き込み線幅がレーザー出力密度に比例することを示すグラフである。 図１１Ａから１１Ｆは、本発明の実施形態による工程を示す。
一方で、光焼結工程は、セラミック及びシリコンウエハなどの高熱伝導率を保有する基板上に被覆されたナノ粒子インク上ではうまく機能しない。表１は、さまざまな材料の熱伝導率を示す。
ナノ粒子がより効果的に溶融するように、光焼結工程の間にナノ粒子から熱エネルギー散逸を分離するために、ポリイミドなどの低熱伝導性材料を、セラミック及びシリコンウエハなどの他の高熱伝導性基板上への被覆材料として使用することができる。熱散逸の速度は、低熱伝導性材料（例えばポリイミド膜）の厚さに依存する。
本発明を実施する方法を示すために、以下の実験を行った。３つのウエハをそれぞれ１、１．５、及び２．３マイクロメートル厚のＤｕＰｏｎｔ社のＰＩ−２６１０ポリイミドでスピンコートし、３５０℃で３０分間熱硬化した。未処理のシリコンウエハ（ウエハ１）を比較のために使用した。ドローダウン法を使用して４つのウエハ全てに銅インクを被覆した。１００℃で６０分間の乾燥工程の後、各ウエハを３つの異なるエネルギーレベルで個別に焼結した３つの領域に分割した。各領域及び各ウエハの抵抗を電圧計で測定した結果を表２に示す。表２は、シリコンウエハ上のさまざまな被覆厚のポリイミドを光焼結した後の銅膜の電気抵抗を示す。
ウエハ４の領域３以外、４つのウエハの全ての領域において、光焼結後に抵抗の変化は見られなかった。図１に示すように、ウエハ４の領域３では、最も高いエネルギーレベルで金属色に変化が見られた。該部分は、激しい吹き出し（ｂｌｏｗ ｏｆｆ）を有していた。周囲の部分には、導電性を有する銅破片が残されていた。これは、ポリイミド材料が断熱材として使用され得ることの明確な根拠である。ポリイミドの厚さは、３マイクロメートルを超え得る。ポリイミド及びシリコンの熱伝導率はそれぞれ、０．１２及び１４８Ｗ／ｍ．Ｋである。ポリイミド材料がないために、シリコン基板（ウエハ１）への熱散逸は非常に高速であり、銅ナノ粒子を焼結することが出来なかった。
ウエハ１、２、及び３は全て高抵抗（２０メガオーム超）を有する。図１に示すように、中央領域で２０オームの抵抗を有するウエハ４では、銅ナノ粒子が溶融、焼結し、銅色に変化した。従って、低熱伝導性材料の厚さが厚いほど、優れた断熱材として使用することができる。
上記に記載した液体ポリイミドに加えて、乾燥ポリイミド膜をさらに利用した。銅インクを５０マイクロメートルのポリイミド膜（カプトン）上に被覆した。図２に示すように、サンプルをシリコンウエハ及びｃａｒｂＡＬ（登録商標）高熱伝導性ヒートシンク上に配置した。優れた熱的接触を確保するために、シリコングリースをカプトンとシリコンウエハとｃａｒｂＡＬとの間に塗布した。サンプルは、単一ショットで同時に光焼結した。図３に示すように、銅は、非常に良好に焼結され、光沢のある銅色に変わった。カプトンが配置された材料には関係しなかった。少なくとも５０マイクロメートル厚のポリイミドは、光焼結工程の熱エネルギー散逸を防止し、分離するために十分な厚さであったが、より導電線に望まれる導電率がより低い実施形態では、５０マイクロメートル未満の厚さを利用することも可能である。
さらに、上述のものと同一の組立を有するシリコンウエハ上でレーザー焼結を行った。レーザーは、８３０ｎｍの波長及び８００ｍＷの出力を有する固体ダイオードである。図４及び５に示すように、焦点ビームサイズは１５マイクロメートル径であり、コリメータ及び対物レンズで制御した。
このレーザーは、ナノ粒子を焼結及び溶融させ、銅インクを導電性にするために十分な出力を有する。４つのシリコンウエハに、それぞれ１、１．５、２及び３マイクロメートルのさまざまな厚さのポリイミドを被覆し、未処理のシリコンウエハを比較用とした。図６に、レーザー出力と各ウエハの抵抗をプロットした。このグラフは、銅膜の導電性がポリイミドの厚さに比例し、レーザーによって生成された熱が、ポリイミドが被覆されていない未処理シリコンよりもポリイミドが被覆された基板に伝わりにくいことを示唆している。このことから、ポリイミド材料などの低熱伝導率を有するいかなる材料も断熱材として使用することが可能であり、光及びレーザー焼結工程を強化することが明確に証明されている。
さらに、さまざまな厚さのポリイミドをシリコンウエハ上に被覆し、３５０℃で１時間硬化した。次いで、ドローダウンによって標準銅インクを被覆し、炉内で乾燥させ、光／レーザー焼結した。電気的測定を行い、銅インクサンプルの特性を明らかにした。
ＤｕＰｏｎｔ社製の３種のポリイミド材料を使用して、シリコンウエハ上に１０００、２０００、３０００、４０００、及び５０００ｒｐｍでスピンコートした。図７は、さまざまな回転速度で測定された硬化後のポリイミドの厚さを示すグラフである。各ウエハの範囲はそれぞれ１から２０マイクロメートルであった。
サンプルを調製した後、光及びレーザー焼結の両方を銅インク上で行った。異なる種類の焼結での抵抗及び接着性、並びにレーザー焼結での線幅を比較した。表３は、さまざまな厚さのポリイミドに同一のエネルギーレベルで光焼結したサンプルを示す。表４は、さまざまな厚さのポリイミドに一定の出力レベルでレーザー焼結したサンプルを示す。
図８は、焼結後の銅膜の抵抗がポリイミドの厚さに反比例することを示すグラフである。抵抗の飽和点は、光焼結では約１０マイクロメートルの場合であり、レーザー焼結では約５マイクロメートルの場合であった。光焼結の出力密度はレーザー焼結よりもずっと低く、抵抗がより高いことの理由が示される。
図９は、銅インク膜の接着性がポリイミドの厚さに比例することを示すグラフである。いくつかのノイズがあるが、グラフから傾向は明確である。ポリイミドが厚いほど、接着性が高くなる。再度になるが、ポリイミドの厚さの臨界点は、光焼結では約１０マイクロメートルの場合であり、レーザー焼結では約５マイクロメートルの場合である。
図１０は、レーザー書込み線幅がレーザー出力密度に比例することを示すグラフである。所与のレーザー出力では、レーザー書込み線幅はポリイミド膜厚に比例し、これらの工程でポリイミドが優れた断熱材であることのさらなる根拠となる。ポリイミドの厚さが増大すると同時に、銅インク表面上に蓄積されるレーザーエネルギー及び熱は、垂直方向にはそれ以上深く拡散しないが、横方向に拡散する。
図１１Ａ〜１１Ｆには、本発明の実施形態を実施するための工程を示す。電子回路がその上に搭載される基板１１０１を提供する。図１１Ｂでは、周知の製造方法を使用して、少量の金属材料１１０２を基板１１０１上に所望のパターンに堆積する。図１１Ｃでは、ポリイミドなどの低熱伝導性材料１１０３の層を金属線１１０２及び基板１１０１上に被覆する。堆積されるべき導電線のさらなるパターンを形成するために、材料１１０３を通るビア１１０４を形成し、金属線１１０２の一部を露出させる。図１１Ｅでは、インクジェット装置１１０６によって銅ナノ粒子などの導電インク１１０５を、ビア１１０４によって露出された金属線１１０２及び基板１１０３上に堆積させる。図１１Ｆでは、堆積された導電インクナノ粒子１１０５に光またはレーザー焼結工程を実施して導電線１１０７へと焼結させる。導電インクの堆積及び焼結工程は、特許文献１に開示されており、その内容は参照によりここに組み込まれる。
１．光焼結工程の有効性は、金属ナノ粒子サイズだけでなく、基板の種類にも依存する。
２．効果的な光焼結は、３００ｎｍ未満のナノ粒子によってもたらされる。
３．基板の熱伝導率は、金属インクの光焼結に影響を及ぼし得る。基板の熱伝導率が低いほど、ナノ粒子膜の導電性が優れる。
４．高熱伝導性基板は、効果的な光焼結工程のために、ポリイミドまたはポリマーなどの低熱伝導性材料で被覆することによって、調整及び分離することができる。
５．熱散逸を分離するために必要なポリイミド被膜の厚さは、約１〜５０マイクロメートルである。
６．レーザー焼結及び光焼結の両方によって、シリコンウエハなどの高熱伝導性材料上で銅インクが導電膜となることが実証された。
７．高熱伝導性シリコンウエハ上での熱散逸が、ウエハ上に被覆されたさまざまな厚さのポリイミドで示された。低熱伝導性材料は、熱散逸の速度を落とし、光またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層として使用することができる。
８．銅インクは、光焼結では、１ｘ１０−５Ω・ｃｍの抵抗を有するシリコンウエハ上に被覆されたポリイミドの場合、レーザー焼結では、４ｘ１０−６Ω・ｃｍの場合に良好に焼結され得る。
９．ポリイミド材料は、高熱伝導性基板上で断熱材として利用して、銅インク光及びレーザー焼結の効果を増大させることができるだけでなく、低融点の基板に適用して焼結工程の間に熱的損傷から基板を保護する断熱材としても利用することができる。
１０．ポリイミド層及び金属線層は、多層回路として数回繰り返すことができる。
１１．ポリイミド層は、誘電材料として使用することができ、キャパシタとして組み込まれることができる。
１２．ナノ−銅インクは、二次元及び三次元チップパッケージ用途におけるコンタクト金属として上層導体で使用することができる。
１１０１ 基板
１１０２ 金属材料
１１０３ 低熱伝導性材料
１１０４ ビア
１１０５ 導電インク
１１０６ インクジェット装置
１１０７ 導電線

Claims (25)

  1. 基板上に導電線を堆積する方法であって、
    前記基板上に金属層をパターン状に堆積するステップと、
    パターン形成された前記金属層及び前記基板上に低熱伝導率を有する材料の層を被覆するステップと、
    前記低熱伝導率を有する材料の層上に導電性インクの膜を堆積するステップと、
    前記導電性インクの膜を焼結するステップと、
    を含む方法。
  2. 前記低熱伝導率を有する材料の層を通るビアを形成することによって、前記パターン形成された金属層の一部分を露出させるステップをさらに含み、前記導電性インクの膜を堆積するステップが、導電性インクの膜を前記ビア内に堆積することによって、前記パターン化された金属層の前記部分を前記導電性インクの膜で被覆するステップを有し、前記パターン化された金属層の前記部分を被覆する前記導電性インクの膜もまた焼結される、請求項１に記載の方法。
  3. 前記パターン形成された金属層の前記部分上に被覆された導電性インクの膜が、前記低熱伝導率を有する材料の層上に被覆された導電性インクの膜よりも、焼結からのエネルギーを散逸しない、請求項２に記載の方法。
  4. 前記低熱伝導率を有する材料の層がポリマーを含む、請求項３に記載の方法。
  5. 前記低熱伝導率を有する材料の層がポリイミドを含む、請求項３に記載の方法。
  6. 前記ポリイミドが少なくとも５０マイクロメートルの厚さを有する、請求項５に記載の方法。
  7. 前記焼結を光焼結装置で実施する、請求項５に記載の方法。
  8. 前記焼結をレーザー焼結装置で実施する、請求項５に記載の方法。
  9. 前記レーザー焼結装置が、８３０ｎｍの波長及び８００ｍＷの出力を有する固体ダイオードを含む、請求項８に記載の方法。
  10. 前記固体ダイオードが直径１５マイクロメートルの焦点ビームサイズを有する、請求項９に記載の方法。
  11. 前記ポリイミドが少なくとも５マイクロメートルの厚さを有する、請求項５に記載の方法。
  12. 前記ポリイミドが少なくとも２．３マイクロメートルの厚さを有する、請求項５に記載の方法。
  13. 前記基板がシリコンを含む、請求項５に記載の方法。
  14. 前記基板がセラミックを含む、請求項５に記載の方法。
  15. 前記基板が、前記低熱伝導率を有する材料の層より大きな熱伝導率を有する、請求項１に記載の方法。
  16. 前記導電性インクの膜が銅ナノ粒子を含む、請求項５に記載の方法。
  17. 基板と、
    前記基板上に堆積された金属線のパターンと、
    前記基板、及び前記基板上に堆積された前記金属線のパターンの上に被覆された低熱伝導性材料の層であって、前記金属線のパターンの部分上に前記低熱伝導性材料の層を通るビアが形成された、低熱伝導性材料の層と、
    前記基板上に被覆された前記低熱伝導性材料の層上に被覆された焼結導電インクの膜であって、前記焼結導電インクの膜が、前記低熱伝導性材料の層を通って形成されたビア内の金属線のパターンの部分上に被覆された、焼結導電インクの膜と、
    を含む電子回路。
  18. 前記基板が前記低熱伝導性材料の層より大きな熱伝導率を有する、請求項１７に記載の電子回路。
  19. 前記低熱伝導性材料の層がポリイミドを含む、請求項１８に記載の電子回路。
  20. 前記ポリイミドが少なくとも５０マイクロメートルの厚さを有する、請求項１９に記載の電子回路。
  21. 前記焼結導電性インクが、光焼結装置で焼結された焼結銅ナノ粒子を含む、請求項１９に記載の電子回路。
  22. 前記焼結導電性インクが、レーザー焼結装置で焼結された焼結銅ナノ粒子を含む、請求項１９に記載の電子回路。
  23. 前記ポリイミドが少なくとも５マイクロメートルの厚さを有する、請求項１９に記載の電子回路。
  24. 前記ポリイミドが少なくとも２．３マイクロメートルの厚さを有する、請求項１９に記載の電子回路。
  25. 前記基板がシリコンを含む、請求項１９に記載の電子回路。
JP2012502281A 2009-03-27 2010-03-26 光焼結及び／またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層 Expired - Fee Related JP5740389B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16389409P 2009-03-27 2009-03-27
US61/163,894 2009-03-27
US17475809P 2009-05-01 2009-05-01
US61/174,758 2009-05-01
PCT/US2010/028811 WO2010111581A1 (en) 2009-03-27 2010-03-26 Buffer layer to enhance photo and/or laser sintering

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012522383A true JP2012522383A (ja) 2012-09-20
JP5740389B2 JP5740389B2 (ja) 2015-06-24

Family

ID=42781539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012502281A Expired - Fee Related JP5740389B2 (ja) 2009-03-27 2010-03-26 光焼結及び／またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8647979B2 (ja)
EP (1) EP2412007B1 (ja)
JP (1) JP5740389B2 (ja)
KR (1) KR101735710B1 (ja)
CN (1) CN102365713B (ja)
TW (1) TWI492303B (ja)
WO (1) WO2010111581A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014194070A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Jsr Corp 金属膜形成方法および前記方法に用いる導電性インク

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10231344B2 (en) * 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US9730333B2 (en) 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
JP5740389B2 (ja) * 2009-03-27 2015-06-24 アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド 光焼結及び／またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層
KR20120051991A (ko) * 2010-11-15 2012-05-23 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US9779874B2 (en) 2011-07-08 2017-10-03 Kemet Electronics Corporation Sintering of high temperature conductive and resistive pastes onto temperature sensitive and atmospheric sensitive materials
KR101357179B1 (ko) * 2011-10-31 2014-02-12 한국과학기술원 나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노와이어
JP5489305B2 (ja) * 2012-06-27 2014-05-14 石原ケミカル株式会社 回路基板及び導電膜形成方法
TW201419315A (zh) 2012-07-09 2014-05-16 Applied Nanotech Holdings Inc 微米尺寸銅粒子的光燒結法
US8940627B2 (en) 2012-11-19 2015-01-27 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Conductive ink for filling vias
US20150201504A1 (en) * 2014-01-15 2015-07-16 Applied Nanotech, Inc. Copper particle composition
US9999137B2 (en) 2014-11-04 2018-06-12 Intrinsiq Materials, Inc. Method for forming vias on printed circuit boards
US11185918B2 (en) * 2015-07-03 2021-11-30 National Research Council Of Canada Self-aligning metal patterning based on photonic sintering of metal nanoparticles
FR3038534A1 (fr) * 2015-07-10 2017-01-13 Commissariat Energie Atomique Assemblage d'un element avec un substrat isole electriquement et a faible resistance thermique notamment pour des applications haute temperature, ensemble comprenant ledit assemblage et un drain thermique et procede de fabrication
WO2017160288A1 (en) * 2016-03-16 2017-09-21 Ncc Nano, Llc Method for depositing a functional material on a substrate
US9935079B1 (en) 2016-12-08 2018-04-03 Nxp Usa, Inc. Laser sintered interconnections between die
US9865527B1 (en) 2016-12-22 2018-01-09 Texas Instruments Incorporated Packaged semiconductor device having nanoparticle adhesion layer patterned into zones of electrical conductance and insulation
US9941194B1 (en) 2017-02-21 2018-04-10 Texas Instruments Incorporated Packaged semiconductor device having patterned conductance dual-material nanoparticle adhesion layer
KR101930159B1 (ko) * 2017-04-20 2018-12-17 한양대학교 산학협력단 광 소결 입자 제조방법, 광 소결 타겟 제조방법 및 광 소결 방법
CN110421839B (zh) * 2019-07-26 2021-09-28 成都职业技术学院 基于3d打印的二极管及其打印方法
US11557565B2 (en) 2020-10-06 2023-01-17 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device assembly and method therefor
US11502054B2 (en) 2020-11-11 2022-11-15 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device assembly and method therefor
WO2023215125A1 (en) * 2022-05-02 2023-11-09 Corning Incorporated Electronic devices and methods of forming an electrically conductive trace

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997008924A1 (en) * 1995-08-23 1997-03-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser write process for making a conductive metal circuit
JP2001244366A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Sharp Corp 半導体集積回路装置及びその製造方法
JP2004273592A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2006186330A (ja) * 2004-11-30 2006-07-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 絶縁膜及び半導体装置の作製方法
JP2006229212A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2007042725A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Konica Minolta Holdings Inc 金属パターンの形成方法
JP2009016626A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Panasonic Corp 半導体モジュール装置および半導体モジュール装置の製造方法ならびにフラットパネル型表示装置，プラズマディスプレイパネル
JP2010161251A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Hitachi Cable Ltd 導電性回路形成方法および導電回路装置

Family Cites Families (224)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3239597A (en) 1963-09-16 1966-03-08 Honeywell Inc Self-repair circuit apparatus
US3580731A (en) 1967-09-26 1971-05-25 Gen Technologies Corp Method of treating the surface of a filament
GB1198900A (en) 1967-10-25 1970-07-15 Hitachi Ltd Planar Transistor and Method of Making the Same
CA962933A (en) 1969-12-05 1975-02-18 Yutaka Hori Metal foil-plastic laminated film and method of producing the same
US4151008A (en) 1974-11-15 1979-04-24 Spire Corporation Method involving pulsed light processing of semiconductor devices
US4093466A (en) 1975-05-06 1978-06-06 Amp Incorporated Electroless tin and tin-lead alloy plating baths
US4194913A (en) 1975-05-06 1980-03-25 Amp Incorporated Electroless tin and tin-lead alloy plating baths
USRE30434E (en) 1978-12-21 1980-11-11 Amp Incorporated Electroless tin and tin-lead alloy plating baths
US4234631A (en) 1979-07-20 1980-11-18 Amp Incorporated Method for immersion deposition of tin and tin-lead alloys
US4331518A (en) 1981-01-09 1982-05-25 Vulcan Materials Company Bismuth composition, method of electroplating a tin-bismuth alloy and electroplating bath therefor
US4591951A (en) 1984-07-24 1986-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Mounting arrangement for electronic components
US4640746A (en) 1984-10-11 1987-02-03 Learonal, Inc. Bath and process for plating tin/lead alloys on composite substrates
US4749626A (en) 1985-08-05 1988-06-07 Olin Corporation Whisker resistant tin coatings and baths and methods for making such coatings
US4681670A (en) 1985-09-11 1987-07-21 Learonal, Inc. Bath and process for plating tin-lead alloys
JPH0241112Y2 (ja) 1986-01-30 1990-11-01
US4756791A (en) 1986-08-25 1988-07-12 Gte Laboratories Incorporated Chemical vapor deposition process for producing metal carbide or nitride whiskers
JPS642330A (en) 1987-06-25 1989-01-06 Nippon Mining Co Ltd Film carrier and manufacture thereof
US4959278A (en) 1988-06-16 1990-09-25 Nippon Mining Co., Ltd. Tin whisker-free tin or tin alloy plated article and coating technique thereof
US5008997A (en) 1988-09-16 1991-04-23 National Semiconductor Gold/tin eutectic bonding for tape automated bonding process
US4922322A (en) 1989-02-09 1990-05-01 National Semiconductor Corporation Bump structure for reflow bonding of IC devices
JPH02307551A (ja) 1989-05-20 1990-12-20 Abisare:Kk 静電吸着シート
US5039576A (en) 1989-05-22 1991-08-13 Atochem North America, Inc. Electrodeposited eutectic tin-bismuth alloy on a conductive substrate
US5160422A (en) 1989-05-29 1992-11-03 Shimizu Co., Ltd. Bath for immersion plating tin-lead alloys
US4997722A (en) 1989-07-10 1991-03-05 Edward Adler Composition and method for improving adherence of copper foil to resinous substrates
US4997516A (en) 1989-07-10 1991-03-05 Edward Adler Method for improving adherence of copper foil to resinous substrates
US5320737A (en) 1989-08-10 1994-06-14 Olin Corporation Treatment to reduce solder plating whisker formation
US5049718A (en) 1989-09-08 1991-09-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of laser bonding for gold, gold coated and gold alloy coated electrical members
US5260849A (en) 1990-03-06 1993-11-09 Abisare Co., Ltd. Electrostatic attracting sheet
US5130275A (en) 1990-07-02 1992-07-14 Digital Equipment Corp. Post fabrication processing of semiconductor chips
JPH0484449A (ja) 1990-07-27 1992-03-17 Shinko Electric Ind Co Ltd Ｔａｂテープ
JPH04130049A (ja) 1990-09-18 1992-05-01 Mitsubishi Materials Corp セラミックス複合材料及びその製造方法
JP2536685B2 (ja) 1990-10-22 1996-09-18 日本鋼管株式会社 Ａｇメッキ性に優れたリ―ドフレ―ム素材用Ｆｅ―Ｎｉ合金およびその製造方法
US5393573A (en) 1991-07-16 1995-02-28 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of inhibiting tin whisker growth
US5861076A (en) 1991-07-19 1999-01-19 Park Electrochemical Corporation Method for making multi-layer circuit boards
JP3364968B2 (ja) 1992-09-01 2003-01-08 株式会社デンソー 電 池
US5698087A (en) 1992-03-11 1997-12-16 Mcgean-Rohco, Inc. Plating bath and method for electroplating tin and/or lead
US5439639A (en) 1994-01-05 1995-08-08 Sandia Corporation Tin-silver-bismuth solders for electronics assembly
US5492595A (en) 1994-04-11 1996-02-20 Electrochemicals, Inc. Method for treating an oxidized copper film
US5798286A (en) 1995-09-22 1998-08-25 Tessera, Inc. Connecting multiple microelectronic elements with lead deformation
CA2143606C (en) 1995-02-24 1999-07-20 Peter Arrowsmith Method of making electronic housings more reliable by preventing formation of metallic whiskers on the sheets used to fabricate them
EP0857348A4 (en) 1995-10-07 2000-07-05 Bemis Co Inc WITH A COMPONENT FOR ELECTRICAL CIRCUITS PRODUCED ON A SUBSTRATE PRINTED ON A SUBSTRATE
DE69716332T2 (de) 1996-04-15 2003-02-20 Teijin Seiki Co Ltd Verwendung einer photohärtbaren Harzzusammensetzung zur Herstellung eines Objektes mittels Stereolithographie
TW331698B (en) 1996-06-18 1998-05-11 Hitachi Chemical Co Ltd Multi-layered printed circuit board
JPH106346A (ja) 1996-06-19 1998-01-13 Takemoto Oil & Fat Co Ltd プラスチック成形型の製造方法及びプラスチック成形型
US5724727A (en) * 1996-08-12 1998-03-10 Motorola, Inc. Method of forming electronic component
US5750017A (en) 1996-08-21 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Tin electroplating process
US5889083A (en) 1996-09-06 1999-03-30 Videojet Systems International, Inc. Aqueous jet ink compositions
US5990197A (en) 1996-10-28 1999-11-23 Eastman Chemical Company Organic solvent based ink for invisible marking/identification
US6099713A (en) 1996-11-25 2000-08-08 C. Uyemura & Co., Ltd. Tin-silver alloy electroplating bath and tin-silver alloy electroplating process
US6679937B1 (en) 1997-02-24 2004-01-20 Cabot Corporation Copper powders methods for producing powders and devices fabricated from same
JP3630920B2 (ja) 1997-05-02 2005-03-23 株式会社アルバック 金属ペーストの焼成方法
US6238847B1 (en) 1997-10-16 2001-05-29 Dmc Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag Laser marking method and apparatus
US20050097987A1 (en) 1998-02-24 2005-05-12 Cabot Corporation Coated copper-containing powders, methods and apparatus for producing such powders, and copper-containing devices fabricated from same
SG111958A1 (en) 1998-03-18 2005-06-29 Hitachi Cable Semiconductor device
US6139777A (en) 1998-05-08 2000-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive paste for filling via-hole, double-sided and multilayer printed circuit boards using the same, and method for producing the same
JPH11319538A (ja) 1998-05-20 1999-11-24 Nippon Paint Co Ltd 貴金属又は銅のコロイドの製造方法
US6277740B1 (en) 1998-08-14 2001-08-21 Avery N. Goldstein Integrated circuit trenched features and method of producing same
US7294366B2 (en) 1998-09-30 2007-11-13 Optomec Design Company Laser processing for heat-sensitive mesoscale deposition
KR100629923B1 (ko) 1998-09-30 2006-09-29 돗빤호무즈가부시기가이샤 도전성페이스트와 도전성페이스트의 경화방법, 및 도전성페이스트를 이용한 비접촉형 데이터송수신체용 안테나의 형성방법과, 비접촉형 데이터송수신체
US6248455B1 (en) 1998-12-22 2001-06-19 International Business Machines Corporation Alloy-plated sheet steel cured with a thin layer of insulating polymer material forming an electrically nonconductive breachable metal substrate
US6306947B1 (en) 1999-05-27 2001-10-23 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd. Printing ink and paint composed of an aqueous emulsion of self-emulsifiable urethane copolymer
US6245849B1 (en) 1999-06-02 2001-06-12 Sandia Corporation Fabrication of ceramic microstructures from polymer compositions containing ceramic nanoparticles
US6361823B1 (en) 1999-12-03 2002-03-26 Atotech Deutschland Gmbh Process for whisker-free aqueous electroless tin plating
US6348125B1 (en) 2000-01-17 2002-02-19 Micron Technology, Inc. Removal of copper oxides from integrated interconnects
US6530944B2 (en) 2000-02-08 2003-03-11 Rice University Optically-active nanoparticles for use in therapeutic and diagnostic methods
US20060110424A1 (en) 2000-03-24 2006-05-25 Lyles Mark B Ceramic and metal compositions
US20050019543A1 (en) 2003-07-24 2005-01-27 Materials Evolution And Development Usa, Inc. Ceramic and metal compositions
US6638847B1 (en) 2000-04-19 2003-10-28 Advanced Interconnect Technology Ltd. Method of forming lead-free bump interconnections
JP2001325831A (ja) 2000-05-12 2001-11-22 Bando Chem Ind Ltd 金属コロイド液、導電性インク、導電性被膜及び導電性被膜形成用基底塗膜
JP3475910B2 (ja) 2000-05-24 2003-12-10 株式会社村田製作所 電子部品、電子部品の製造方法および回路基板
JP3350026B2 (ja) 2000-08-01 2002-11-25 エフシーエム株式会社 電子部品用材料、電子部品用材料の接続方法、ボールグリッドアレイ型電子部品およびボールグリッドアレイ型電子部品の接続方法
US6602653B1 (en) 2000-08-25 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Conductive material patterning methods
DE50106133D1 (de) 2000-09-20 2005-06-09 Schloetter Fa Dr Ing Max Elektrolyt und verfahren zur abscheidung von zinn-kupfer-legierungsschichten
JP3417395B2 (ja) 2000-09-21 2003-06-16 松下電器産業株式会社 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置
US20030151030A1 (en) 2000-11-22 2003-08-14 Gurin Michael H. Enhanced conductivity nanocomposites and method of use thereof
US7252699B2 (en) 2000-12-15 2007-08-07 The Arizona Board Of Regents Method for patterning metal using nanoparticle containing precursors
EP1223615A1 (en) 2001-01-10 2002-07-17 Eidgenössische Technische Hochschule Zürich A method for producing a structure using nanoparticles
US6554914B1 (en) 2001-02-02 2003-04-29 Novellus Systems, Inc. Passivation of copper in dual damascene metalization
US7189435B2 (en) 2001-03-14 2007-03-13 University Of Massachusetts Nanofabrication
US20020187364A1 (en) 2001-03-16 2002-12-12 Shipley Company, L.L.C. Tin plating
EP1244168A1 (en) 2001-03-20 2002-09-25 Francois Sugnaux Mesoporous network electrode for electrochemical cell
US20020148386A1 (en) 2001-04-17 2002-10-17 Woosman Nicole M. Ink compositions involving near-infrared absorber dyes and use in ink jet printing devices
WO2002087749A1 (en) 2001-04-30 2002-11-07 Postech Foundation Colloid solution of metal nanoparticles, metal-polymer nanocomposites and methods for preparation thereof
US6651521B2 (en) 2001-05-01 2003-11-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for sampling and testing data centers for metallic particulates
US20020185716A1 (en) 2001-05-11 2002-12-12 Abys Joseph Anthony Metal article coated with multilayer finish inhibiting whisker growth
US20020192492A1 (en) 2001-05-11 2002-12-19 Abys Joseph Anthony Metal article coated with near-surface doped tin or tin alloy
DE60226196T2 (de) 2001-05-24 2009-05-14 Shipley Co., L.L.C., Marlborough Zinn-Plattieren
US20030025182A1 (en) 2001-06-22 2003-02-06 Abys Joseph A. Metal article coated with tin or tin alloy under tensile stress to inhibit whisker growth
KR100438408B1 (ko) 2001-08-16 2004-07-02 한국과학기술원 금속간의 치환 반응을 이용한 코어-쉘 구조 및 혼합된합금 구조의 금속 나노 입자의 제조 방법과 그 응용
US20060001726A1 (en) 2001-10-05 2006-01-05 Cabot Corporation Printable conductive features and processes for making same
US20060159838A1 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
US6951666B2 (en) 2001-10-05 2005-10-04 Cabot Corporation Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features
EP1468054A1 (en) 2001-11-01 2004-10-20 Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ink-jet inks containing metal nanoparticles
US6682584B2 (en) 2001-12-20 2004-01-27 Cima Nanotech, Inc. Process for manufacture of reacted metal nanoparticles
JP2003288812A (ja) 2001-12-29 2003-10-10 Samsung Electronics Co Ltd 金属ナノ粒子クラスターインクおよびこれを用いた金属パターン形成方法
WO2003061970A2 (en) 2002-01-23 2003-07-31 Contra Vision Ltd. Printing with differential adhesion
US6583500B1 (en) 2002-02-11 2003-06-24 Texas Instruments Incorporated Thin tin preplated semiconductor leadframes
JP4897187B2 (ja) 2002-03-05 2012-03-14 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． スズメッキ方法
JP2003292836A (ja) 2002-04-01 2003-10-15 Canon Inc インク及びインクジェット記録方法
US20040026684A1 (en) 2002-04-02 2004-02-12 Nanosys, Inc. Nanowire heterostructures for encoding information
JP4042497B2 (ja) * 2002-04-15 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
US6860981B2 (en) 2002-04-30 2005-03-01 Technic, Inc. Minimizing whisker growth in tin electrodeposits
EP2154212A1 (en) 2002-06-13 2010-02-17 Cima Nano Tech Israel Ltd A method for the production of conductive and transparent nano-coatings
AU2003237578A1 (en) 2002-07-03 2004-01-23 Nanopowders Industries Ltd. Low sintering temperatures conductive nano-inks and a method for producing the same
US6664492B1 (en) 2002-07-16 2003-12-16 Hewlett-Packard Development Company Method of eliminating electrically-conductive particles from an airstream
US7695689B2 (en) 2002-07-18 2010-04-13 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Micro reactor device and method of manufacturing micro reactor device
US20040026256A1 (en) 2002-08-08 2004-02-12 Lindgren Joseph T. Method and apparatus for protecting tooling in a lead-free bath
EP1400613A2 (en) 2002-09-13 2004-03-24 Shipley Co. L.L.C. Tin plating method
JP2004127676A (ja) 2002-10-01 2004-04-22 Seiko Epson Corp 配線パターン用インク、配線パターンの形成方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
KR101101698B1 (ko) 2002-10-21 2011-12-30 나노잉크, 인크. 나노미터-수준으로 제어된 구조, 이의 제작을 위한 방법 및장치, 및 마스크 복구, 강화, 및 제작에의 적용
GB0224871D0 (en) 2002-10-25 2002-12-04 Plastic Logic Ltd Self-aligned doping of source-drain contacts
JP2004204308A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Nec Semiconductors Kyushu Ltd 鉛フリー錫合金めっき方法
US6881250B2 (en) 2003-01-15 2005-04-19 Xerox Corporation Tailored ink for piston driven electrostatic liquid drop modulator
US6828660B2 (en) 2003-01-17 2004-12-07 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with double nickel-plated leadframe
US7183146B2 (en) * 2003-01-17 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
WO2004108589A2 (en) 2003-01-21 2004-12-16 The Penn State Research Foundation Nanoparticle coated nanostructured surfaces for detection, catalysis and device applications
WO2004075211A1 (en) 2003-02-20 2004-09-02 The Regents Of The University Of California Method of forming conductors at low temperatures using metallic nanocrystals and product
US7244513B2 (en) 2003-02-21 2007-07-17 Nano-Proprietary, Inc. Stain-etched silicon powder
KR100485388B1 (ko) * 2003-02-28 2005-04-27 삼성전자주식회사 트렌치 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US7061570B2 (en) * 2003-03-26 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US6773828B1 (en) 2003-04-18 2004-08-10 Ase Electronics (M) Sdn. Bhd. Surface preparation to eliminate whisker growth caused by plating process interruptions
JP4603812B2 (ja) 2003-05-12 2010-12-22 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 改良されたスズめっき方法
US7531267B2 (en) 2003-06-02 2009-05-12 Kh Chemicals Co., Ltd. Process for preparing carbon nanotube electrode comprising sulfur or metal nanoparticles as a binder
US7195702B2 (en) 2003-06-06 2007-03-27 Taskem, Inc. Tin alloy electroplating system
US7384862B2 (en) * 2003-06-30 2008-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device and display device
US7682970B2 (en) 2003-07-16 2010-03-23 The Regents Of The University Of California Maskless nanofabrication of electronic components
KR101160701B1 (ko) 2003-09-12 2012-06-28 도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠 기판 및 그 제조방법
US7062848B2 (en) 2003-09-18 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable compositions having anisometric nanostructures for use in printed electronics
US7391116B2 (en) 2003-10-14 2008-06-24 Gbc Metals, Llc Fretting and whisker resistant coating system and method
KR100771393B1 (ko) 2003-10-20 2007-10-30 하리마 카세이 가부시키가이샤 건조 분말상의 금속 미립자 및 금속 산화물 미립자와 그용도
US6917098B1 (en) 2003-12-29 2005-07-12 Texas Instruments Incorporated Three-level leadframe for no-lead packages
US7202154B2 (en) 2004-01-05 2007-04-10 International Business Machines Corporation Suspension for filling via holes in silicon and method for making the same
JP4069867B2 (ja) 2004-01-05 2008-04-02 セイコーエプソン株式会社 部材の接合方法
US20050249969A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components
US20050249968A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Whisker inhibition in tin surfaces of electronic components
US20070163643A1 (en) 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of chalcogen layer and the use of an inter-metallic material
US20070166453A1 (en) 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of chalcogen layer
US7605328B2 (en) 2004-02-19 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic thin-film cell produced from metallic blend using high-temperature printing
JP4449676B2 (ja) 2004-03-25 2010-04-14 住友金属鉱山株式会社 銅微粒子の製造方法
US20050218398A1 (en) 2004-04-06 2005-10-06 Availableip.Com NANO-electronics
US7019391B2 (en) 2004-04-06 2006-03-28 Bao Tran NANO IC packaging
US7129444B2 (en) 2004-05-17 2006-10-31 Exatec Llc High performance defrosters for transparent panels
US20050274480A1 (en) 2004-05-24 2005-12-15 Barsoum Michel W Reduction of spontaneous metal whisker formation
CN1972779A (zh) 2004-05-28 2007-05-30 P·凯金属公司 焊膏和方法
DE102004030930A1 (de) 2004-06-25 2006-02-23 Ormecon Gmbh Zinnbeschichtete Leiterplatten mit geringer Neigung zur Whiskerbildung
JP4535797B2 (ja) 2004-07-21 2010-09-01 ハリマ化成株式会社 金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法、該方法を応用した金属配線ならびに金属薄膜の形成方法
JP2006038999A (ja) 2004-07-23 2006-02-09 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ照射を用いた導電性回路形成方法と導電性回路
US7215014B2 (en) 2004-07-29 2007-05-08 Freescale Semiconductor, Inc. Solderable metal finish for integrated circuit package leads and method for forming
JP4292122B2 (ja) 2004-07-30 2009-07-08 タイコエレクトロニクスアンプ株式会社 電気コネクタ
WO2006110163A2 (en) 2004-08-20 2006-10-19 Yale University Epitaxial growth of aligned algainn nanowires by metal-organic chemical vapor deposition
WO2006030286A1 (en) 2004-09-14 2006-03-23 Cima Nano Tech Israel Ltd Ink jet printable compositions
US20080193667A1 (en) * 2004-08-23 2008-08-14 Arkady Garbar Ink Jet Printable Compositions
TW200610122A (en) 2004-09-14 2006-03-16 P Kay Metal Inc Soldering process
US20060068218A1 (en) 2004-09-28 2006-03-30 Hooghan Kultaransingh N Whisker-free lead frames
US20060091121A1 (en) 2004-10-06 2006-05-04 James Zanolli Method for reflowing a metal plating layer of a contact and contact formed thereby
US7242573B2 (en) 2004-10-19 2007-07-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive paste composition
US20060096867A1 (en) 2004-11-10 2006-05-11 George Bokisa Tin alloy electroplating system
US7705069B2 (en) 2004-11-22 2010-04-27 Xerox Corporation Ink jet composition
US7820097B2 (en) 2004-11-24 2010-10-26 Ncc Nano, Llc Electrical, plating and catalytic uses of metal nanomaterial compositions
CN101263078B (zh) 2004-11-24 2012-12-26 奈米系统股份有限公司 适用于纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统以及工艺
CN100577328C (zh) 2004-11-29 2010-01-06 大日本油墨化学工业株式会社 表面处理的含银粉末的制造方法、以及使用表面处理的含银粉末的银糊剂
US7732349B2 (en) * 2004-11-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of insulating film and semiconductor device
JP2006169592A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 金属微粒子分散液とそれを用いた配線およびその形成方法
JP2008527169A (ja) 2005-01-10 2008-07-24 イシウム リサーチ デベロップメント カンパニー オブ ザ ヘブリュー ユニバーシティー オブ イエルサレム 金属ナノ粒子の水系分散物
CN101378985A (zh) 2005-01-12 2009-03-04 纽约大学 利用全息光学镊子处理纳米导线的系统和方法
WO2006076613A2 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
US20060163744A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Cabot Corporation Printable electrical conductors
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
US20060183055A1 (en) 2005-02-15 2006-08-17 O'neill Mark L Method for defining a feature on a substrate
WO2006095611A1 (ja) 2005-03-11 2006-09-14 Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. 導電性インキ、導電回路、及び非接触型メディア
US7749922B2 (en) 2005-05-05 2010-07-06 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Nanowire structures and electrical devices
JP4844805B2 (ja) 2005-05-20 2011-12-28 住友電気工業株式会社 金属被膜の形成方法
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR101423204B1 (ko) 2005-07-01 2014-07-25 내셔널 유니버시티 오브 싱가포르 전기 전도성 복합체
CN101243210A (zh) 2005-07-11 2008-08-13 技术公司 具有最小化锡晶须生长性能或特性的锡电沉积物
JP4978844B2 (ja) 2005-07-25 2012-07-18 住友金属鉱山株式会社 銅微粒子分散液及びその製造方法
KR101333012B1 (ko) 2005-08-12 2013-12-02 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 나노와이어 기반의 투명 도전체
JP4716819B2 (ja) * 2005-08-22 2011-07-06 新光電気工業株式会社 インターポーザの製造方法
KR100703014B1 (ko) * 2005-10-26 2007-04-06 삼성전자주식회사 실리콘 산화물 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US7637415B2 (en) 2005-10-31 2009-12-29 General Electric Company Methods and apparatus for assembling a printed circuit board
US20070105395A1 (en) 2005-11-04 2007-05-10 Edward Kinzel Laser functionalization and patterning of thick-film inks
US20070117475A1 (en) 2005-11-23 2007-05-24 Regents Of The University Of California Prevention of Sn whisker growth for high reliability electronic devices
US20070144305A1 (en) 2005-12-20 2007-06-28 Jablonski Gregory A Synthesis of Metallic Nanoparticle Dispersions
JP4408432B2 (ja) 2005-12-26 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 ダマシン配線の形成方法
KR100790863B1 (ko) 2005-12-28 2008-01-03 삼성전자주식회사 나노 와이어 제조 방법
JP4956997B2 (ja) 2006-01-05 2012-06-20 住友電気工業株式会社 フラットケーブル
WO2007082112A2 (en) 2006-01-06 2007-07-19 Faraday Technology, Inc. Tin and tin alloy electroplating method with controlled internal stress and grain size of the resulting deposit
CN100363437C (zh) 2006-01-06 2008-01-23 浙江大学 硅钛微粗糙结构亲水薄膜的制备方法
JP2007204632A (ja) 2006-02-02 2007-08-16 Fujifilm Corp インク組成物およびこれを用いる記録方法
JP4868892B2 (ja) 2006-03-02 2012-02-01 富士通株式会社 めっき処理方法
US20070275262A1 (en) 2006-05-23 2007-11-29 Dechao Lin Reducing formation of tin whiskers on a tin plating layer
US20070281136A1 (en) 2006-05-31 2007-12-06 Cabot Corporation Ink jet printed reflective features and processes and inks for making them
JP2007321215A (ja) 2006-06-02 2007-12-13 Nippon Shokubai Co Ltd 金属ナノ粒子分散体および金属被膜
US7745101B2 (en) * 2006-06-02 2010-06-29 Eastman Kodak Company Nanoparticle patterning process
US7604871B2 (en) 2006-06-07 2009-10-20 Honeywell International Inc. Electrical components including abrasive powder coatings for inhibiting tin whisker growth
US20070295530A1 (en) 2006-06-07 2007-12-27 Honeywell International, Inc. Coatings and methods for inhibiting tin whisker growth
US20070287022A1 (en) 2006-06-07 2007-12-13 Honeywell International, Inc. Intumescent paint coatings for inhibiting tin whisker growth and methods of making and using the same
US20070284700A1 (en) 2006-06-07 2007-12-13 Honeywell International, Inc. Coatings and methods for inhibiting tin whisker growth
KR101386215B1 (ko) 2006-06-07 2014-04-17 삼성디스플레이 주식회사 전도성 고분자 조성물 및 이를 채용한 유기 광전 소자
US20070287023A1 (en) 2006-06-07 2007-12-13 Honeywell International, Inc. Multi-phase coatings for inhibiting tin whisker growth and methods of making and using the same
KR100777662B1 (ko) 2006-06-14 2007-11-29 삼성전기주식회사 잉크젯용 전도성 잉크 조성물
JP5062721B2 (ja) 2006-06-27 2012-10-31 国立大学法人京都大学 ナノサイズワイヤーの製造方法
US7262603B1 (en) 2006-06-28 2007-08-28 Lenovo (Singapore) Pte. Ltd System and method for sensing the formation of tin whiskers
DE112007001811T5 (de) 2006-08-07 2009-06-10 Pliant Corporation, Schaumburg Folien, Systeme und Verfahren für einen Nachweis eines Manipulationsereignisses
US7879131B2 (en) 2006-08-15 2011-02-01 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metal encapsulation
JP4250651B2 (ja) 2006-09-28 2009-04-08 株式会社東芝 粒子配列方法、及び、発光素子の製造方法
KR101082146B1 (ko) 2006-09-29 2011-11-09 주식회사 엘지화학 잉크젯 프린트용 잉크 및 상기 잉크에 사용되는 금속나노입자의 제조방법
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
WO2008046058A2 (en) 2006-10-12 2008-04-17 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
US7786024B2 (en) 2006-11-29 2010-08-31 Nanosys, Inc. Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation
KR100853193B1 (ko) * 2007-01-08 2008-08-21 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성방법
KR20080088712A (ko) 2007-03-30 2008-10-06 삼성전자주식회사 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 전도성 패턴의 형성방법
KR101398821B1 (ko) 2007-03-30 2014-05-30 삼성디스플레이 주식회사 금속 나노 입자의 제조방법, 이를 포함하는 전도성 잉크조성물 및 이를 이용한 전도성 패턴의 형성방법
US10231344B2 (en) 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US8143431B2 (en) 2007-06-05 2012-03-27 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature thermal conductive inks
GB0717055D0 (en) * 2007-09-01 2007-10-17 Eastman Kodak Co An electronic device
JP2009097082A (ja) 2007-09-26 2009-05-07 Fujifilm Corp 金属ナノ粒子及びその製造方法、並びに水性分散物、プリント配線・電極の製造方法、及びプリント配線基板・デバイス
EP2045028A1 (en) 2007-09-26 2009-04-08 Fujifilm Corporation Metal nanoparticles, method for producing the same, aqueous dispersion, method for manufacturing printed wiring or electrode, and printed wiring board or device
US7976733B2 (en) 2007-11-30 2011-07-12 Xerox Corporation Air stable copper nanoparticle ink and applications therefor
US8506849B2 (en) 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
US20090286383A1 (en) 2008-05-15 2009-11-19 Applied Nanotech Holdings, Inc. Treatment of whiskers
US20100000762A1 (en) 2008-07-02 2010-01-07 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic pastes and inks
JP5740389B2 (ja) * 2009-03-27 2015-06-24 アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド 光焼結及び／またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層
US8422197B2 (en) 2009-07-15 2013-04-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997008924A1 (en) * 1995-08-23 1997-03-06 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser write process for making a conductive metal circuit
JPH11515140A (ja) * 1995-08-23 1999-12-21 イメイション・コーポレイション 導電性金属回路を製造するためのレーザー書き込み方法
JP2001244366A (ja) * 2000-02-28 2001-09-07 Sharp Corp 半導体集積回路装置及びその製造方法
JP2004273592A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2006186330A (ja) * 2004-11-30 2006-07-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 絶縁膜及び半導体装置の作製方法
JP2006229212A (ja) * 2005-01-21 2006-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2007042725A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Konica Minolta Holdings Inc 金属パターンの形成方法
JP2009016626A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Panasonic Corp 半導体モジュール装置および半導体モジュール装置の製造方法ならびにフラットパネル型表示装置，プラズマディスプレイパネル
JP2010161251A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Hitachi Cable Ltd 導電性回路形成方法および導電回路装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014194070A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Jsr Corp 金属膜形成方法および前記方法に用いる導電性インク

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120013350A (ko) 2012-02-14
US20140057428A1 (en) 2014-02-27
JP5740389B2 (ja) 2015-06-24
CN102365713B (zh) 2015-11-25
US8647979B2 (en) 2014-02-11
WO2010111581A1 (en) 2010-09-30
TWI492303B (zh) 2015-07-11
EP2412007B1 (en) 2020-07-22
EP2412007A4 (en) 2014-11-12
CN102365713A (zh) 2012-02-29
EP2412007A1 (en) 2012-02-01
KR101735710B1 (ko) 2017-05-15
US9131610B2 (en) 2015-09-08
US20120049384A1 (en) 2012-03-01
TW201106426A (en) 2011-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5740389B2 (ja) 光焼結及び／またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層
JP5957630B2 (ja) 金属インク
JP6015009B2 (ja) 電子装置及びその製造方法
Gu et al. Aerosol‐jet printed fillets for well‐formed electrical connections between different leveled surfaces
JP2014116315A (ja) 金属インク
JP2013165265A (ja) 貫通／埋込電極構造及びその製造方法
CN108511399B (zh) 半导体封装装置及其制造方法
TWI500090B (zh) 半導體封裝件之製法
TW200807677A (en) Low temperature deposition and ultra fast annealing of integrated circuit thin film capacitor
JP2018085412A (ja) 貫通電極基板及びその製造方法
JP7433318B2 (ja) パッケージング基板及びこれを含む半導体装置
TW200929476A (en) Interposer and method for manufacturing interposer
KR20100093492A (ko) 적어도 하나의 부품을 장착하기 위한 기판 및 그 제조방법
Das et al. Nano‐and micro‐filled conducting adhesives for z‐axis interconnections: new direction for high‐speed, high‐density, organic microelectronics packaging
JP2013008724A (ja) 高誘電絶縁放熱シートおよびその製造方法
US10153064B2 (en) Graphene interposer and method of manufacturing such an interposer
JP2015002345A (ja) 電気回路基板
JP2007019144A (ja) バンプ及びバンプの形成方法
JP2005259860A (ja) 電子回路装置
KR101918847B1 (ko) 주형을 이용한 일체형 히트싱크 제조방법
US20080212287A1 (en) Semiconductor package structure with buried electronic device and manufacturing method therof
JP7416868B2 (ja) パッケージング基板及びこれを含む半導体装置
JP2007227788A (ja) 配線基板の製造方法および半田ペースト
JP2009218287A (ja) スルーホール充填基板およびその製造方法
JP2005332936A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20120914

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20120914

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130319

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130709

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130716

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20131010

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131022

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20131022

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140811

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150330

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150427

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5740389

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees