JP2004204308A - 鉛フリー錫合金めっき方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】めっき電流値制御において、めっき電流は間欠的にON−OFFが繰り返される。OFF時間(a)とON時間(b)の比は、a/bが0.2以上であることが望ましい。MAX側については総めっき時間をのばさないために0.3程度が望ましい。OFF−ONを繰り返す周期は、5回/秒もしくはそれ以下の周期が望ましい。また、単なるON−OFFでなく、OFF時を逆電位にする。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は鉛フリー錫合金めっき方法に関し、特にめっき皮膜表面に発生する異常析出を防止と、局部的なめっき析出の防止する鉛フリー錫合金めっき方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来技術として特許文献1を引用する。この例は、錫―鉛合金めっきに関する先行技術であるが、めっき時の異常析出防止のためにめっき電流を間欠的に停止もしくは逆転させる方法をとっている。
【0003】
【特許文献1】
特開昭61−194196(第2頁)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の鉛フリー錫合金めっき方法においては、通電の停止もしくは逆転の時間は3秒以上と長く、この条件では錫?ビスマスなどの鉛フリー錫合金めっきに適用しても、次の2点の不具合が生じる。
【0005】
このめっき方法ではON−OFFの周期が遅すぎるため、異常析出を抑制する効果が得られない。錫―ビスマス合金めっきの場合には、OFF時に、イオン化傾向の高いビスマスが両極に無電解析出を起こし均一な合金めっきが行えない等の不具合があった。
【0006】
以上説明したように、従来の、一定電流を通電するめっき方法では、めっき皮膜表面に針状または糸状の異常析出が発生することがある。この異常析出発生のメカニズムについては明らかではないが、陰極表面の結晶構造、結晶の異方成長性、化学的親和力などが原因となってデンドライト前駆体が生成し、この前駆体に局部的に高電流密度の電流が流れ、その部分の電解析出が加速度的に成長するためと考えられる。この異常析出は、半導体装置の端子間の短絡の原因となり、半導体装置の品質を損なうおそれがある。
【0007】
電解析出を続けると陰極面近傍の金属イオン濃度が低下する、いわゆる電解二重層ができ、前述のデンドライト前駆体のような陰極面から離れた部位の金属イオン濃度が相対的に高くなり、めっきの析出が集中するという欠点がある。
【0008】
したがって、本発明の目的は、このめっき皮膜表面に発生する異常析出を防止することにある。本発明のめっき方法では、その電解析出を間欠的に行うことにより、電流OFF時に前記電解二重層を消滅させるため、局部的なめっき析出の集中は防止できる効果がある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の鉛フリー錫合金めっき方法は、半導体装置の外部リードに施す合金のめっき方法において、めっき電流を間欠的に停止することを特徴とする。また、半導体装置の外部リードに施す合金のめっき方法において、めっき電流を間欠的に逆転することを特徴とする。また、めっき電流の停止もしくは逆転する割合が通電時間の20%以上の条件であることを特徴とする。また、めっき電流の停止もしくは逆転、と通電の周期が5回/秒以下の条件であることを特徴とする。また、電流密度が5A/dm2以下の電流密度であることを特徴とする請求項1または2記載の鉛フリー錫合金めっき方法。また、前記合金が錫−ビスマス、錫−銅、錫−銀、錫−亜鉛のいずれかで有ることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施形態を図面を用いて説明する。図1は本発明のめっき方法に使用される代表的なめっき装置の断面図である。このめっき装置は、電解槽1に電解液2を満たし、電解液の中には陽極板3と陰極につながれためっき対象である外部リード5を持った半導体装置4が浸されている、これら陽極板3と陰極は電源である整流器6に結線されている。この装置自体は特に従来のめっき装置と変る点はない。半導体装置を陰極として、錫板を陽極として、めっき槽中に浸漬しており、その2極に整流器からめっき電流を流す構成となっている。めっき液としては、例として錫―ビスマス合金めっきの場合、アルカノールスルフォン酸浴を使う場合が多いが、市販の石原薬品製PF浴であるならば、下記のような組成のめっき液を構成して用いる、
・アルカノールスルフォン酸濃度 200±25g/l
・アルカノールスルフォン酸錫濃度 45±5g/l
・アルカノールスルフォン酸ビスマス 1.1±0.6g/l
・添加剤 (商品名PF05M) 40±10ml/l
浴温度は、40±5℃
めっき電流密度は、5A/dm2以下(推奨4.5A/dm2)である。
【0011】
本発明での特色はそのめっき電流値制御にあり、その電流値を図2に示す。めっき電流は図2にしめされるように間欠的にON−OFFが繰り返される。OFF時間(a)とON時間(b)の比は、a/bが0.2以上であることが望ましい。MAX側については総めっき時間をのばさないために0.3程度が望ましい。OFF−ONを繰り返す周期は、5回/秒もしくはそれ以下の周期が望ましい。
【0012】
第二の実施形態として、図3において、OFF時間にめっき電位を逆にする事例をしめす。単なるON−OFFでなく、OFF時を逆電位にすることにより、陰極面近傍の金属イオン濃度低下を防止する効果はより大きく、異常析出を防止する効果も大きいと推定される。
【0013】
次に、実験結果を図4a、図4bに示す。この実験結果に明らかなように、連続してめっき電流を流している場合には60%の割合で異常析出が発生していたものが、間欠的にめっき電流を流すことにより発生が0になることが確認されている。ON−OFF比としてはOFF比が20%以上ある領域が良好であり、ON−OFFサイクルとしては5回/秒以下が良好な結果を示している。
【0014】
【発明の効果】
以上説明したように、従来の、一定電流を通電するめっき方法では、めっき皮膜表面に針状または糸状の異常析出が発生することがあり、半導体装置の品質を損なうおそれがあったが、本発明のめっき方法ではこのめっき皮膜表面に発生する異常析出を防止することができる。
【0015】
電解析出を続けると陰極面近傍の金属イオン濃度が低下する、いわゆる電解二重層ができめっきの析出が集中するが、本発明のめっき方法では、その電解析出を間欠的に行うことにより、電流OFF時に前記電解二重層を消滅させるため、局部的なめっき析出の集中を防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のめっき方法に使用する代表的なめっき装置の断面図である。
【図2】本発明のめっき電流値制御(電流ON−OFFの場合)の概念図である。
【図3】本発明のめっき電流値制御(電流逆転の場合)の概念図である。
【図4】本発明に関わる実験結果。
【符号の説明】
1 電解槽
2 電解液
3 陽極板
4 半導体装置
5 外部リード
6 整流器
Claims (6)
- 半導体装置の外部リードに施す合金のめっき方法において、めっき電流を間欠的に停止することを特徴とする鉛フリー錫合金めっき方法。
- 半導体装置の外部リードに施す合金のめっき方法において、めっき電流を間欠的に逆転することを特徴とする鉛フリー錫合金めっき方法。
- めっき電流の停止もしくは逆転する割合が通電時間の20%以上の条件であることを特徴とする請求項1または2記載のいずれかの鉛フリー錫合金めっき方法。
- めっき電流の停止もしくは逆転、と通電の周期が5回/秒以下の条件であることを特徴とする請求項1乃至3記載のいずれかの鉛フリー錫合金めっき方法。
- 電流密度が5A/dm2以下の電流密度であることを特徴とする請求項1乃至4記載のいずれかの鉛フリー錫合金めっき方法。
- 前記合金が錫−ビスマス、錫−銅、錫−銀、錫−亜鉛のいずれかで有ることを特徴とする請求項1乃至5記載のいずれかの鉛フリー錫合金めっき方法。
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