KR20120013350A - 광 및/또는 레이저 소결을 향상시키기 위한 버퍼층 - Google Patents

광 및/또는 레이저 소결을 향상시키기 위한 버퍼층 Download PDF

Info

Publication number
KR20120013350A
KR20120013350A KR1020117025555A KR20117025555A KR20120013350A KR 20120013350 A KR20120013350 A KR 20120013350A KR 1020117025555 A KR1020117025555 A KR 1020117025555A KR 20117025555 A KR20117025555 A KR 20117025555A KR 20120013350 A KR20120013350 A KR 20120013350A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
thermal conductivity
low thermal
substrate
polyimide
Prior art date
Application number
KR1020117025555A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101735710B1 (ko
Inventor
즈비 야니브
모시 양
피터 비. 렉스톤
Original Assignee
어플라이드 나노테크 홀딩스, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 나노테크 홀딩스, 인크. filed Critical 어플라이드 나노테크 홀딩스, 인크.
Publication of KR20120013350A publication Critical patent/KR20120013350A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101735710B1 publication Critical patent/KR101735710B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/10Sintering only
    • B22F3/105Sintering only by using electric current other than for infrared radiant energy, laser radiation or plasma ; by ultrasonic bonding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/02Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers
    • B22F7/04Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite layers with one or more layers not made from powder, e.g. made from solid metal
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20Bonding
    • B23K26/32Bonding taking account of the properties of the material involved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34Laser welding for purposes other than joining
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4867Applying pastes or inks, e.g. screen printing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1283After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4664Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/52Ceramics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06Thermal details
    • H05K2201/062Means for thermal insulation, e.g. for protection of parts
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107Using laser light
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • H05K3/125Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49156Manufacturing circuit on or in base with selective destruction of conductive paths

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

전도성 라인이 기판상에 증착되어 전자 부품들 사이의 전도성을 위한 트레이스를 생성시킨다. 패턴화된 금속 층이 기판상에 형성되며, 이어서, 저열전도성을 지닌 물질의 층이 패턴화된 금속 층과 기판상에 코팅된다. 비아가 저열전도성을 지닌 물질의 층을 통해서 형성되어서, 패턴화된 금속층의 일부를 노출시킨다. 이어서, 전도성 잉크의 필름이 저열전도성을 지닌 물질의 층상에 및 비아내로 코팅되어 패턴화된 층의 일부를 코팅시키고, 이어서, 소결된다. 패턴화된 금속 층의 일부상에 코팅된 전도성 잉크의 필름은 저열전도성을 지닌 물질의 층 상에 코팅된 전도성 잉크의 필름만큼 많은 소결로부터의 에너지를 흡수하지 않는다. 저열전도성을 지닌 물질의 층은 폴리머, 예컨대, 폴리이미드일 수 있다.

Description

광 및/또는 레이저 소결을 향상시키기 위한 버퍼층{BUFFER LAYER TO ENHANCE PHOTO AND/OR LASER SINTERING}
본 출원은 미국가특허출원 제 61/174,758호 및 제61/163,894호에 대한 우선권을 주장한다.
배경 정보
마이크로전자 및 반도체 패키징 산업은 인쇄 전자로 이동하기 시작했다. 전자회로는 서로 전기 전도되는 다양한 부품을 포함한다. 상이한 부품들 사이의 그러한 전기적 연결은 전도성 잉크에 의해서 기판상에 인쇄될 수 있는 전도성 금속 트레이스(conductive metal trace)로 제조될 수 있다. 그러한 잉크는 전도성이 되게 하기 위해서 기판상에 증착된 후에 가공되고 소결된다. 열 소결은 높은 온도(예, ≥250℃)를 이용하여 잉크중의 나노입자들을 융합시킨다. 광자(광) 및 레이저 소결은 하부 기판을 손상시키지 않기 위해서 및 낮은 온도에서 아주 짧은 시간(예, 마이크로 초(microsecond)) 내에 나노입자들을 융합시키기 위해서 아주 높은 세기의 램프/레이저를 이용한다. 그러나, 광/레이저 소결 공정은 나노입자들이 에너지를 효과적으로 흡수하고 열에너지가 기판 내로 소산되기 전에 소결시키기 이해서 기판용의 저열전도성 물질을 필요로 하는 제한이 있다. 달리 설명하면, 이들 적용에서 사용될 수 있는 기판은 저열전도성 물질로 아주 제한될 것이다.
다른 한편으로는, 저열전도성 기판이 가요성 인쇄 전자에 사용될 수 있다. 저온 융점 물질, 예컨대, 폴리에틸렌(PE), 폴리에스테르(PET) 등은 나노입자 잉크가 적절히 소결되는 것을 억제할 것이며, 저항이 매우 높은 결과로 인해서 기판이 손상될 것이다.
도면의 간단한 설명
도 1은 4개의 실리콘 웨이퍼상에서 광(photo) 소결된 구리 잉크를 나타내는 디지탈 사진이다.
도 2는 광 소결되기 전의 구리 잉크를 나타내는 디지탈 사진이다.
도 3은 광 소결된 후의 구리 잉크를 나타내는 디지탈 사진이다.
도 4는 캡톤 기판(Kapton substrate)상의 레이저 소결된 라인을 나타내는 디지탈 사진이다.
도 5는 도 4의 레이저 소결된 라인을 나타내는 확대된 디지탈 사진이다.
도 6은 레이저에 의해서 소결된 구리 잉크 저항이 레이저 파워에 반비례할 뿐만 아니라, 폴리이미드로 제조된 버퍼층 두께에 반비례함을 나타내는 그래프를 예시하고 있다.
도 7은 다양한 스핀 속도(spin speed)에서 측정된 경화된 폴리이미드의 두께를 나타내는 그래프를 예시하고 있다.
도 8은 소결된 구리 필름의 저항이 폴리이미드 두께에 반비례함을 나타내는 그래프를 예시하고 있다.
도 9는 구리 잉크 필름의 폴리이미드에 대한 용착이 폴리이미드 두께에 비례함을 나타내는 그래프를 예시하고 있다.
도 10은 레이저 기록 라인 폭이 레이저 파워 밀도에 비례함을 나타내는 그래프를 예시하고 있다.
도 11a 내지 도 11f는 본 발명의 구체예에 따른 공정을 예시하고 있다.
상세한 설명
본 발명의 구체예는 폴리이미드 기판상의 금속성 나노입자를 효과적으로 소결시켜서 필름이 벌크 물질(bulk material) 근처에서 매우 전도성이 되게 하기 위한 광 소결 공정을 개시하고 있다. 다른 한편으로, 광 소결 공정은 고열전도성을 지니는 기판, 예컨대, 세라믹 및 실리콘 웨이퍼 상에 코팅된 나노입자 잉크 상에서는 잘 수행되지 않는다. 표 1은 다양한 물질의 열전도성을 나타낸다.
표 1
Figure pct00001
Figure pct00002
광 소결 과정 동안에 나노입자들로부터의 열에너지 소산을 단절시켜 나노입자들이 더 효과적으로 융합되게 하기 위해서, 저열전도성 물질, 예컨대, 폴리이미드가 다른 고열전도성 기판, 예컨대, 세라믹 및 실리콘 웨이퍼에의 코팅 물질로서 사용될 수 있다. 열 소산의 신속한 정도는 저열전도성 물질(예, 폴리이미드 필름)의 두께에 좌우된다.
하기 실험은 본 발명의 작동 방법을 나타내기 위해서 수행되었다. 세 개의 웨이퍼를 1, 1.5 및 2.3 마이크론 두께 DuPont PI-2610 폴리이미드로 각각 스핀 코팅시키고, 350℃에서 30분 동안 열 경화시켰다. 하나의 베어(bare) 실리콘 웨이퍼를 참조(웨이퍼 #1)로 사용하였다. 모든 네 개의 웨이퍼를 강하 공정(drawdown process)을 이용하여 구리 잉크로 코팅하였다. 100℃의 60분 건조 공정 후에, 각각의 웨이퍼를 세 가지의 상이한 에너지 수준으로 각각 소결된 세 개의 구역으로 분할하였다. 각각의 구역 및 각각의 웨이퍼에 대한 저항을 접압계로 측정하였고, 그 결과를 표 2에 기재한다. 표 2는 실리콘 웨이퍼상의 다양한 코팅 두께의 폴리이미드와 함께 광 소결된 후의 구리 필름의 전기 저항을 나타낸다.
표 2
Figure pct00003
여기서, 에너지 1 = 850/1050 V, 1000 μsec에 의한 3회 소결 샷(shot)
에너지 2 = 850/1150 V, 1000 μsec에 의한 4회 소결 샷
에너지 3 = 850/1250 V, 2000 μsec에 의한 5회 소결 샷
웨이퍼 4의 구역 3을 제외하고는, 4 개의 웨이퍼의 모든 구역이 광 소결 후의 저항에 변화가 없었다. 웨이퍼 4의 구역 3은, 도 1에 도시된 바와 같이, 가장 높은 에너지 수준에서 금속성 색상에서의 변화가 나타났다. 그 부분은 심각한 블로우 오프(blow off)를 지녔다. 주변 부분은 전도성인 구리 단편이 남았다. 이는 폴리이미드 물질이 단열체로서 사용될 수 있음을 나타내는 명백한 증거이다. 폴리이미드의 두께는 3 마이크론 초과일 수 있다. 열 전도성은 폴리이미드와 규소의 경우 각각 0.12 및 148 W/m.K이다. 열은 규소 기판(웨이퍼 #1)내로 너무 빨리 소산되어서 구리 나노입자를 소결시킬 수 없었는데, 그 이유는 폴리이미드 물질이 없었기 때문이다.
웨이퍼 1, 2 및 3은 모두 높은 저항(20 메가 오옴 초과)을 지녔다. 도 1에 도시된 바와 같이 저항이 20오옴인 중심 구역에서의 웨이퍼 4는 구리 나노입자 필름이 융합되고, 소결되고, 구리색으로 변화되기 시작하는 듯했다. 따라서, 더 두꺼운 저열전도성 물질이 양호한 단열체로서 사용될 수 있다.
상기 개시된 액체 폴리이미드 외에, 건조한 폴리이미드 필름이 또한 이용되었다. 구리 잉크를 50 마이크론 폴리이미드 필름(Kapton)상에 코팅시켰다. 샘플을, 도 2에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼 및 카브발 고열전도성 히트 씽크(carbAL high thermal conductive heat sink) 상에 올려놓았다. 실리콘 그리스(Silicon grease)가 Kapton 및 실리콘 웨이퍼 및 carbAL 사이에 코팅되어 양호한 열 접촉이 이루어지게 하였다. 샘플을 단일 샷으로 동시에 광 소결하였다. 도 3에 도시된 바와 같이, 구리는 아주 잘 소결되었으며, 광택성 구리 색상으로 변하였다. Kapton이 어떠한 물질 상에 자리하였는지는 문제가 되지 않았다. 50 마이크론 이상의 두께의 폴리이미드가 광 소결 과정 동안에 열에너지 소산을 단절시키고 억제하기에 충분한 두께이지만, 전도성 트레이스의 전도성이 덜 요구되는 구체예에는 50 마이크론 미만의 두께가 이용될 수 있다.
또한, 레이저 소결이 상기 기재된 바와 동일한 설정으로 실리콘 웨이퍼에 대해서 이용되었다. 레이저는 830 nm 파장 및 800 mW 전력을 제공하는 솔리드 스테이트 다이오드였다. 포커스 빔 크기(focus beam size)는 직경 15 마이크론이었고, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 콜리메이터(collimator)와 대물렌즈에 의해서 조절되었다.
이러한 레이저는 나노입자를 소결하고 융합시키며 전도성 구리 잉크를 변화시키기에 충분한 파워를 지녔다. 각각 1, 1.5, 2 및 3 마이크론 두께의 다양한 폴리이미드로 코팅된 4개의 실리콘 웨이퍼와 참조로서 베어 실리콘 웨이퍼를 사용하였다. 각각의 웨이퍼의 저항을 도 6에 레이저 파워로 플롯팅하였으며, 도 6은, 구리 필름 전도성이 폴리이미드 두께에 비례하고, 레이저에 의해서 생성된 열이 폴리이미드가 없는 베어 실리콘 웨이퍼에 존재하는 것보다 폴리이미드가 있는 경우에 기판에 덜 전달됨을 나타내고 있다. 이는 저열전도성을 지닌 어떠한 물질, 예컨대, 폴리이미드 물질이 단열체로서 사용될 수 있고 광 및 레이저 소결 공정을 향상시킴을 나타내는 명백한 증거이다.
추가로, 다양한 폴리이미드 두께를 실리콘 웨이퍼상에 코팅하고 350℃에서 1 시간 동안 경화시켰다. 이어서, 표준 구리 잉크를 강하(drawdown)에 의해서 코팅하고, 오븐에서 건조시키고, 광/레이저 소결시켰다. 전기적 측정을 수행하고 구리 잉크 샘플을 특정화하였다.
DuPont에 의해서 제조된 3 가지 유형의 폴리이미드 물질을 사용하여 1000, 2000, 3000, 4000 및 5000 rpm으로 실리콘 웨이퍼상에 스핀 코팅하였다. 도 7은 다양한 스핀 속도에서 측정된 경화 폴리이미드의 두께를 나타내는 그래프를 예시하고 있다. 범위는 각각의 웨이퍼상에 각각 1 내지 20 마이크론이었다.
샘플이 제조된 후에, 광 및 레이저 소결 둘 모두를 구리 잉크에 대해서 수행하였다. 상이한 유형의 소결을 저항 및 용착력 뿐만 아니라 레이저 소결의 경우의 라인 폭에 대해서 비교하였다. 표 3은 다양한 두께의 폴리이미드와 함께 동일한 에너지 수준에서 광 소결된 샘플을 나타내고 있다. 표 4는 다양한 두께의 폴리이미드와 함께 고정된 전력 수준에서 레이저 소결된 샘플을 나타내고 있다.
표 3
Figure pct00004
표 4
Figure pct00005
도 8은 소결된 구리 필름의 저항이 폴리이미드 두께에 반비례함을 나타내는 그래프를 예시하고 있다. 저항에 대한 포화점은 광 소결의 경우에는 대체로 10 마이크론이고, 레이저 소결의 경우에는 대체로 5 마이크론이다. 광 소결의 전력 밀도는 레이저 소결의 전력 밀도보다 아주 낮아서, 저항이 더 높은 이유를 제공한다.
도 9는 폴리이미드에 대한 구리 잉크 필름의 용착력이 폴리이미드 두께에 비례함을 나타내는 그래프를 예시하고 있다. 일부 노이즈 점(noise point)이 존재하지만 경향은 그래프로부터 명확하다. 폴리이미드가 더 두꺼우면 두꺼울수록 용착력은 더 우수하다. 또한, 양호한 용착력을 위한 폴리이미드 두께의 임계점은 광 소결의 경우에는 대체로 10 마이크론이고 레이저 소결의 경우에는 대체로 5 마이크론이다.
도 10은 레이저 기록 라인 폭(laser writing line width)이 레이저 파워 밀도에 비례함을 나타내는 그래프를 예시하고 있다. 주어진 레이저 파워에서, 레이저 기록 라인 폭은 또한 폴리이미드 필름 두께에 비례하여 폴리이미드가 이들 공정에 양호한 단열체임을 나타내는 증거를 제공한다. 구리 잉크 표면상에 조사된 레이저 에너지 및 열은 폴리이미드 두께가 증가하면 수직으로는 어떠한 깊이로 확산되지 않지만 측면으로는 확산될 수 있다.
도 11a 내지 도 11f를 참조하면, 본 발명의 구체예를 수행하는 공정이 예시되어 있다. 기판(1101)이 제공되고 그 위에 전자 회로가 탑재된다. 도 11b에서, 공지된 제조 공정을 이용함으로써, 금속 물질의 트레이스(1102)가 기판(1101)상에 요망되는 패턴으로 증착된다. 도 11c에서, 저열전도성 물질(1103), 예컨대, 폴리이미드의 층이 금속 트레이스(1102)와 기판(1101)상에 코팅된다. 증착되는 전도성 트레이스에 대한 추가의 패턴을 생성시키기 위해서, 비아(1104)들이 물질(1103)을 통해서 형성되어 금속 트레이스(1102)의 일부를 노출시킨다. 도 11e에서, 잉크 젯 장치(1106)가 전도성 잉크(1105), 예컨대, 구리 나노입자를 물질(1103) 및 비아(1104)들에 의해서 노출된 금속 트레이스(1102)상에 증착시킨다. 도 11F에서는, 본원에서 기재된 바와 같이, 광 또는 레이저 소결 공정이 증착된 전도성 잉크 나노입자(1105)상에서 수행되어 이들을 전도성 트레이스(1107)로 소결시킨다. 전도성 잉크의 증착 및 소결 공정은 본원에서 참조로 통합되는 미국특허공보 2008/0286488 A1에 기재되어 있다.
요약
1. 광 소결 공정의 효과는 금속성 나노입자 크기뿐만 아니라 물질의 유형에 좌우된다.
2. 효과적인 광 소결은 300nm 미만의 나노입자에 의해서 달성된다.
3. 기판의 열 전도성은 금속성 잉크 광 소결에 영향을 줄 것이다. 기판의 열전도성이 낮으면 낮을수록 나노입자 필름의 전기 전도성이 우수하다.
4. 고열전도성 기판은 효과적인 광 소결 공정을 위해서 저열전도성 물질, 예컨대, 폴리이미드 또는 폴리머를 코팅함으로써 개조되고 단열처리된다.
5. 열 소산을 단절시키는데 요구되는 폴리이미드의 코팅 두께는 약 1 내지 50 마이크론이다.
6. 전도성 필름이 되는 구리 잉크가 레이저 및 광 소결 둘 모두에 의해서 고열전도성 물질, 예컨대, 실리콘 웨이퍼상에서 입증되었다.
7. 고열전도성 실리콘 웨이퍼상에서의 열 소산이 웨이퍼상에 코팅된 다양한 폴리이미드 두께로 밝혀졌다. 저열전도성 물질이 버퍼층으로서 사용되어 열 소산을 저하시키고 광 또는 레이저 소결을 향상시킬 수 있다.
8. 구리 잉크는 광 소결의 경우 1x10-5 ohm-cm 및 레이저 소결의 경우 4x10-6 ohm-cm의 저항으로 실리콘 웨이퍼상에 코팅된 폴리이미드와 함께 소결될 수 있다.
9. 폴리이미드 물질은 고열전도성 기판상에서 단열체로서 사용되어 구리 잉크 광 및 레이저 소결 효과를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 저융점 기판에 단열체로서 적용되어 소결 공정 동안 열 손상을 방지할 수 있다.
10. 폴리이미드 층 및 금속 트레이스 층이 다층회로로서 여러 번 반복될 수 있다.
11. 폴리이미드 층은 유전물질로서 사용될 수 있으며 커패시터로서 혼입될 수 있다.
12. 나노-구리 잉크는 2-차원 및 3-차원 칩 패키징 적용에서 접촉 금속으로서 탑 층(top layer) 전도체에 사용될 수 있다.

Claims (25)

  1. 기판상에 전도성 라인을 증착시키는 방법으로서,
    기판상에 금속층을 일정한 패턴으로 증착시키고;
    패턴화된 금속층과 기판 상에 저열전도성을 지니는 물질의 층을 코팅하고;
    저열전도성을 지니는 물질의 층상에 전도성 잉크의 필름을 증착시키고;
    전도성 잉크의 필름을 소결시킴을 포함하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 저열전도성을 지니는 물질의 층을 통해서 비아(via)를 형성시켜서 패턴화된 금속층의 일부를 노출시킴을 추가로 포함하고, 전도성 잉크의 필름의 증착이 전도성 잉크의 필름을 비아내로 증착시켜서 패턴화된 금속층의 일부를 전도성 잉크의 필름으로 코팅하는 것을 포함하고, 패턴화된 금속층의 일부를 코팅하는 전도성 잉크의 필름이 또한 소결되는 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 패턴화된 금속층의 일부상에 코팅된 전도성 잉크의 필름이 저열전도성을 지닌 물질의 층 상에 코팅된 전도성 잉크의 필름만큼 많은 소결로부터의 에너지를 소산시키지 않는 방법.
  4. 제 3항에 있어서, 저열전도성을 지니는 물질의 층이 폴리머를 포함하는 방법.
  5. 제 3항에 있어서, 저열전도성을 지니는 물질의 층이 폴리이미드를 포함하는 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 폴리이미드의 두께가 50 마이크론 이상인 방법.
  7. 제 5항에 있어서, 소결이 광 소결 장치에 의해서 수행되는 방법.
  8. 제 5항에 있어서, 소결이 레이저 소결 장치에 의해서 수행되는 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 레이저 소결 장치가 830nm 파장 및 800mW 전력을 제공하는 솔리드 스테이트 다이오드(solid state diode)를 포함하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 솔리드 스테이트 다이오드의 포커스 빔 크기(focus beam size)가 직경 15 마이크론인 방법.
  11. 제 5항에 있어서, 폴리이미드의 두께가 5 마이크론 이상인 방법.
  12. 제 5항에 있어서, 폴리이미드의 두께가 2.3 마이크론 이상인 방법.
  13. 제 5항에 있어서, 기판이 규소를 포함하는 방법.
  14. 제 5항에 있어서, 기판이 세라믹을 포함하는 방법.
  15. 제 1항에 있어서, 기판이 저열전도성을 지닌 물질의 층보다 더 큰 열전도성을 지니는 방법.
  16. 제 5항에 있어서, 전도성 잉크의 필름이 구리 나노입자를 포함하는 방법.
  17. 기판;
    기판상에 증착된 금속 트레이스의 일정한 패턴;
    기판과 기판상에 증착된 금속 트레이스의 패턴상에 코팅된 저열전도성 물질의 층으로서, 비아(via)들이 금속 트레이스의 일부 패턴상에 있는 저열전도성 물질의 층을 통해서 형성되어 있는 저열전도성 물질의 층; 및
    기판상에 코팅된 저열전도성 물질의 층상에 코팅된 소결된 전도성 잉크의 필름으로서, 저열전도성 물질의 층을 통해서 형성된 비아들 내의 금속 트레이스의 일부 패턴상에 코팅되어 있는 소결된 전도성 잉크의 필름을 포함하는 전자회로.
  18. 제 17항에 있어서, 기판이 저열전도성 물질의 층보다 더 높은 열전도성을 지니는 전자회로.
  19. 제 18항에 있어서, 저열전도성 물질의 층이 폴리이미드를 포함하는 전자회로.
  20. 제 19항에 있어서, 폴리이미드의 두께가 50 마이크론 이상인 전자회로.
  21. 제 19항에 있어서, 소결된 전도성 잉크가 광 소결 장치에 의해서 소결된 구리 나노입자를 포함되는 전자회로.
  22. 제 19항에 있어서, 소결된 전도성 잉크가 레이저 소결 장치에 의해서 소결된 구리 나노입자를 포함되는 전자회로.
  23. 제 19항에 있어서, 폴리이미드의 두께가 5 마이크론 이상인 전자회로.
  24. 제 19항에 있어서, 폴리이미드의 두께가 2.3 마이크론 이상인 전자회로.
  25. 제 19항에 있어서, 기판이 규소를 포함하는 전자회로.
KR1020117025555A 2009-03-27 2010-03-26 광 및/또는 레이저 소결을 향상시키기 위한 버퍼층 KR101735710B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16389409P 2009-03-27 2009-03-27
US61/163,894 2009-03-27
US17475809P 2009-05-01 2009-05-01
US61/174,758 2009-05-01
PCT/US2010/028811 WO2010111581A1 (en) 2009-03-27 2010-03-26 Buffer layer to enhance photo and/or laser sintering

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120013350A true KR20120013350A (ko) 2012-02-14
KR101735710B1 KR101735710B1 (ko) 2017-05-15

Family

ID=42781539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117025555A KR101735710B1 (ko) 2009-03-27 2010-03-26 광 및/또는 레이저 소결을 향상시키기 위한 버퍼층

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8647979B2 (ko)
EP (1) EP2412007B1 (ko)
JP (1) JP5740389B2 (ko)
KR (1) KR101735710B1 (ko)
CN (1) CN102365713B (ko)
TW (1) TWI492303B (ko)
WO (1) WO2010111581A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018194389A1 (ko) * 2017-04-20 2018-10-25 한양대학교 산학협력단 광 소결 입자 제조방법, 광 소결 타겟 제조방법 및 광 소결 방법

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10231344B2 (en) * 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US9730333B2 (en) 2008-05-15 2017-08-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Photo-curing process for metallic inks
JP5740389B2 (ja) * 2009-03-27 2015-06-24 アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド 光焼結及び/またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層
KR20120051991A (ko) * 2010-11-15 2012-05-23 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조 방법
US9779874B2 (en) 2011-07-08 2017-10-03 Kemet Electronics Corporation Sintering of high temperature conductive and resistive pastes onto temperature sensitive and atmospheric sensitive materials
KR101357179B1 (ko) * 2011-10-31 2014-02-12 한국과학기술원 나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노와이어
JP5489305B2 (ja) * 2012-06-27 2014-05-14 石原ケミカル株式会社 回路基板及び導電膜形成方法
TW201419315A (zh) 2012-07-09 2014-05-16 Applied Nanotech Holdings Inc 微米尺寸銅粒子的光燒結法
US8940627B2 (en) 2012-11-19 2015-01-27 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Conductive ink for filling vias
JP2014194070A (ja) * 2013-02-28 2014-10-09 Jsr Corp 金属膜形成方法および前記方法に用いる導電性インク
US20150201504A1 (en) * 2014-01-15 2015-07-16 Applied Nanotech, Inc. Copper particle composition
US9999137B2 (en) 2014-11-04 2018-06-12 Intrinsiq Materials, Inc. Method for forming vias on printed circuit boards
US11185918B2 (en) * 2015-07-03 2021-11-30 National Research Council Of Canada Self-aligning metal patterning based on photonic sintering of metal nanoparticles
FR3038534A1 (fr) * 2015-07-10 2017-01-13 Commissariat Energie Atomique Assemblage d'un element avec un substrat isole electriquement et a faible resistance thermique notamment pour des applications haute temperature, ensemble comprenant ledit assemblage et un drain thermique et procede de fabrication
WO2017160288A1 (en) * 2016-03-16 2017-09-21 Ncc Nano, Llc Method for depositing a functional material on a substrate
US9935079B1 (en) 2016-12-08 2018-04-03 Nxp Usa, Inc. Laser sintered interconnections between die
US9865527B1 (en) 2016-12-22 2018-01-09 Texas Instruments Incorporated Packaged semiconductor device having nanoparticle adhesion layer patterned into zones of electrical conductance and insulation
US9941194B1 (en) 2017-02-21 2018-04-10 Texas Instruments Incorporated Packaged semiconductor device having patterned conductance dual-material nanoparticle adhesion layer
CN110421839B (zh) * 2019-07-26 2021-09-28 成都职业技术学院 基于3d打印的二极管及其打印方法
US11557565B2 (en) 2020-10-06 2023-01-17 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device assembly and method therefor
US11502054B2 (en) 2020-11-11 2022-11-15 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device assembly and method therefor
WO2023215125A1 (en) * 2022-05-02 2023-11-09 Corning Incorporated Electronic devices and methods of forming an electrically conductive trace

Family Cites Families (232)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3239597A (en) 1963-09-16 1966-03-08 Honeywell Inc Self-repair circuit apparatus
US3580731A (en) 1967-09-26 1971-05-25 Gen Technologies Corp Method of treating the surface of a filament
GB1198900A (en) 1967-10-25 1970-07-15 Hitachi Ltd Planar Transistor and Method of Making the Same
CA962933A (en) 1969-12-05 1975-02-18 Yutaka Hori Metal foil-plastic laminated film and method of producing the same
US4151008A (en) 1974-11-15 1979-04-24 Spire Corporation Method involving pulsed light processing of semiconductor devices
US4093466A (en) 1975-05-06 1978-06-06 Amp Incorporated Electroless tin and tin-lead alloy plating baths
US4194913A (en) 1975-05-06 1980-03-25 Amp Incorporated Electroless tin and tin-lead alloy plating baths
USRE30434E (en) 1978-12-21 1980-11-11 Amp Incorporated Electroless tin and tin-lead alloy plating baths
US4234631A (en) 1979-07-20 1980-11-18 Amp Incorporated Method for immersion deposition of tin and tin-lead alloys
US4331518A (en) 1981-01-09 1982-05-25 Vulcan Materials Company Bismuth composition, method of electroplating a tin-bismuth alloy and electroplating bath therefor
US4591951A (en) 1984-07-24 1986-05-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Mounting arrangement for electronic components
US4640746A (en) 1984-10-11 1987-02-03 Learonal, Inc. Bath and process for plating tin/lead alloys on composite substrates
US4749626A (en) 1985-08-05 1988-06-07 Olin Corporation Whisker resistant tin coatings and baths and methods for making such coatings
US4681670A (en) 1985-09-11 1987-07-21 Learonal, Inc. Bath and process for plating tin-lead alloys
JPH0241112Y2 (ko) 1986-01-30 1990-11-01
US4756791A (en) 1986-08-25 1988-07-12 Gte Laboratories Incorporated Chemical vapor deposition process for producing metal carbide or nitride whiskers
JPS642330A (en) 1987-06-25 1989-01-06 Nippon Mining Co Ltd Film carrier and manufacture thereof
US4959278A (en) 1988-06-16 1990-09-25 Nippon Mining Co., Ltd. Tin whisker-free tin or tin alloy plated article and coating technique thereof
US5008997A (en) 1988-09-16 1991-04-23 National Semiconductor Gold/tin eutectic bonding for tape automated bonding process
US4922322A (en) 1989-02-09 1990-05-01 National Semiconductor Corporation Bump structure for reflow bonding of IC devices
JPH02307551A (ja) 1989-05-20 1990-12-20 Abisare:Kk 静電吸着シート
US5039576A (en) 1989-05-22 1991-08-13 Atochem North America, Inc. Electrodeposited eutectic tin-bismuth alloy on a conductive substrate
US5160422A (en) 1989-05-29 1992-11-03 Shimizu Co., Ltd. Bath for immersion plating tin-lead alloys
US4997722A (en) 1989-07-10 1991-03-05 Edward Adler Composition and method for improving adherence of copper foil to resinous substrates
US4997516A (en) 1989-07-10 1991-03-05 Edward Adler Method for improving adherence of copper foil to resinous substrates
US5320737A (en) 1989-08-10 1994-06-14 Olin Corporation Treatment to reduce solder plating whisker formation
US5049718A (en) 1989-09-08 1991-09-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of laser bonding for gold, gold coated and gold alloy coated electrical members
US5260849A (en) 1990-03-06 1993-11-09 Abisare Co., Ltd. Electrostatic attracting sheet
US5130275A (en) 1990-07-02 1992-07-14 Digital Equipment Corp. Post fabrication processing of semiconductor chips
JPH0484449A (ja) 1990-07-27 1992-03-17 Shinko Electric Ind Co Ltd Tabテープ
JPH04130049A (ja) 1990-09-18 1992-05-01 Mitsubishi Materials Corp セラミックス複合材料及びその製造方法
JP2536685B2 (ja) 1990-10-22 1996-09-18 日本鋼管株式会社 Agメッキ性に優れたリ―ドフレ―ム素材用Fe―Ni合金およびその製造方法
US5393573A (en) 1991-07-16 1995-02-28 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of inhibiting tin whisker growth
US5861076A (en) 1991-07-19 1999-01-19 Park Electrochemical Corporation Method for making multi-layer circuit boards
JP3364968B2 (ja) 1992-09-01 2003-01-08 株式会社デンソー 電 池
US5698087A (en) 1992-03-11 1997-12-16 Mcgean-Rohco, Inc. Plating bath and method for electroplating tin and/or lead
US5439639A (en) 1994-01-05 1995-08-08 Sandia Corporation Tin-silver-bismuth solders for electronics assembly
US5492595A (en) 1994-04-11 1996-02-20 Electrochemicals, Inc. Method for treating an oxidized copper film
US5798286A (en) 1995-09-22 1998-08-25 Tessera, Inc. Connecting multiple microelectronic elements with lead deformation
CA2143606C (en) 1995-02-24 1999-07-20 Peter Arrowsmith Method of making electronic housings more reliable by preventing formation of metallic whiskers on the sheets used to fabricate them
US5576074A (en) * 1995-08-23 1996-11-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser write process for making a conductive metal circuit
EP0857348A4 (en) 1995-10-07 2000-07-05 Bemis Co Inc WITH A COMPONENT FOR ELECTRICAL CIRCUITS PRODUCED ON A SUBSTRATE PRINTED ON A SUBSTRATE
DE69716332T2 (de) 1996-04-15 2003-02-20 Teijin Seiki Co Ltd Verwendung einer photohärtbaren Harzzusammensetzung zur Herstellung eines Objektes mittels Stereolithographie
TW331698B (en) 1996-06-18 1998-05-11 Hitachi Chemical Co Ltd Multi-layered printed circuit board
JPH106346A (ja) 1996-06-19 1998-01-13 Takemoto Oil & Fat Co Ltd プラスチック成形型の製造方法及びプラスチック成形型
US5724727A (en) * 1996-08-12 1998-03-10 Motorola, Inc. Method of forming electronic component
US5750017A (en) 1996-08-21 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Tin electroplating process
US5889083A (en) 1996-09-06 1999-03-30 Videojet Systems International, Inc. Aqueous jet ink compositions
US5990197A (en) 1996-10-28 1999-11-23 Eastman Chemical Company Organic solvent based ink for invisible marking/identification
US6099713A (en) 1996-11-25 2000-08-08 C. Uyemura & Co., Ltd. Tin-silver alloy electroplating bath and tin-silver alloy electroplating process
US6679937B1 (en) 1997-02-24 2004-01-20 Cabot Corporation Copper powders methods for producing powders and devices fabricated from same
JP3630920B2 (ja) 1997-05-02 2005-03-23 株式会社アルバック 金属ペーストの焼成方法
US6238847B1 (en) 1997-10-16 2001-05-29 Dmc Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag Laser marking method and apparatus
US20050097987A1 (en) 1998-02-24 2005-05-12 Cabot Corporation Coated copper-containing powders, methods and apparatus for producing such powders, and copper-containing devices fabricated from same
SG111958A1 (en) 1998-03-18 2005-06-29 Hitachi Cable Semiconductor device
US6139777A (en) 1998-05-08 2000-10-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive paste for filling via-hole, double-sided and multilayer printed circuit boards using the same, and method for producing the same
JPH11319538A (ja) 1998-05-20 1999-11-24 Nippon Paint Co Ltd 貴金属又は銅のコロイドの製造方法
US6277740B1 (en) 1998-08-14 2001-08-21 Avery N. Goldstein Integrated circuit trenched features and method of producing same
US7294366B2 (en) 1998-09-30 2007-11-13 Optomec Design Company Laser processing for heat-sensitive mesoscale deposition
KR100629923B1 (ko) 1998-09-30 2006-09-29 돗빤호무즈가부시기가이샤 도전성페이스트와 도전성페이스트의 경화방법, 및 도전성페이스트를 이용한 비접촉형 데이터송수신체용 안테나의 형성방법과, 비접촉형 데이터송수신체
US6248455B1 (en) 1998-12-22 2001-06-19 International Business Machines Corporation Alloy-plated sheet steel cured with a thin layer of insulating polymer material forming an electrically nonconductive breachable metal substrate
US6306947B1 (en) 1999-05-27 2001-10-23 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd. Printing ink and paint composed of an aqueous emulsion of self-emulsifiable urethane copolymer
US6245849B1 (en) 1999-06-02 2001-06-12 Sandia Corporation Fabrication of ceramic microstructures from polymer compositions containing ceramic nanoparticles
US6361823B1 (en) 1999-12-03 2002-03-26 Atotech Deutschland Gmbh Process for whisker-free aqueous electroless tin plating
US6348125B1 (en) 2000-01-17 2002-02-19 Micron Technology, Inc. Removal of copper oxides from integrated interconnects
US6530944B2 (en) 2000-02-08 2003-03-11 Rice University Optically-active nanoparticles for use in therapeutic and diagnostic methods
JP3568869B2 (ja) * 2000-02-28 2004-09-22 シャープ株式会社 半導体集積回路装置及びその製造方法
US20060110424A1 (en) 2000-03-24 2006-05-25 Lyles Mark B Ceramic and metal compositions
US20050019543A1 (en) 2003-07-24 2005-01-27 Materials Evolution And Development Usa, Inc. Ceramic and metal compositions
US6638847B1 (en) 2000-04-19 2003-10-28 Advanced Interconnect Technology Ltd. Method of forming lead-free bump interconnections
JP2001325831A (ja) 2000-05-12 2001-11-22 Bando Chem Ind Ltd 金属コロイド液、導電性インク、導電性被膜及び導電性被膜形成用基底塗膜
JP3475910B2 (ja) 2000-05-24 2003-12-10 株式会社村田製作所 電子部品、電子部品の製造方法および回路基板
JP3350026B2 (ja) 2000-08-01 2002-11-25 エフシーエム株式会社 電子部品用材料、電子部品用材料の接続方法、ボールグリッドアレイ型電子部品およびボールグリッドアレイ型電子部品の接続方法
US6602653B1 (en) 2000-08-25 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Conductive material patterning methods
DE50106133D1 (de) 2000-09-20 2005-06-09 Schloetter Fa Dr Ing Max Elektrolyt und verfahren zur abscheidung von zinn-kupfer-legierungsschichten
JP3417395B2 (ja) 2000-09-21 2003-06-16 松下電器産業株式会社 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置
US20030151030A1 (en) 2000-11-22 2003-08-14 Gurin Michael H. Enhanced conductivity nanocomposites and method of use thereof
US7252699B2 (en) 2000-12-15 2007-08-07 The Arizona Board Of Regents Method for patterning metal using nanoparticle containing precursors
EP1223615A1 (en) 2001-01-10 2002-07-17 Eidgenössische Technische Hochschule Zürich A method for producing a structure using nanoparticles
US6554914B1 (en) 2001-02-02 2003-04-29 Novellus Systems, Inc. Passivation of copper in dual damascene metalization
US7189435B2 (en) 2001-03-14 2007-03-13 University Of Massachusetts Nanofabrication
US20020187364A1 (en) 2001-03-16 2002-12-12 Shipley Company, L.L.C. Tin plating
EP1244168A1 (en) 2001-03-20 2002-09-25 Francois Sugnaux Mesoporous network electrode for electrochemical cell
US20020148386A1 (en) 2001-04-17 2002-10-17 Woosman Nicole M. Ink compositions involving near-infrared absorber dyes and use in ink jet printing devices
WO2002087749A1 (en) 2001-04-30 2002-11-07 Postech Foundation Colloid solution of metal nanoparticles, metal-polymer nanocomposites and methods for preparation thereof
US6651521B2 (en) 2001-05-01 2003-11-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for sampling and testing data centers for metallic particulates
US20020185716A1 (en) 2001-05-11 2002-12-12 Abys Joseph Anthony Metal article coated with multilayer finish inhibiting whisker growth
US20020192492A1 (en) 2001-05-11 2002-12-19 Abys Joseph Anthony Metal article coated with near-surface doped tin or tin alloy
DE60226196T2 (de) 2001-05-24 2009-05-14 Shipley Co., L.L.C., Marlborough Zinn-Plattieren
US20030025182A1 (en) 2001-06-22 2003-02-06 Abys Joseph A. Metal article coated with tin or tin alloy under tensile stress to inhibit whisker growth
KR100438408B1 (ko) 2001-08-16 2004-07-02 한국과학기술원 금속간의 치환 반응을 이용한 코어-쉘 구조 및 혼합된합금 구조의 금속 나노 입자의 제조 방법과 그 응용
US20060001726A1 (en) 2001-10-05 2006-01-05 Cabot Corporation Printable conductive features and processes for making same
US20060159838A1 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
US6951666B2 (en) 2001-10-05 2005-10-04 Cabot Corporation Precursor compositions for the deposition of electrically conductive features
EP1468054A1 (en) 2001-11-01 2004-10-20 Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ink-jet inks containing metal nanoparticles
US6682584B2 (en) 2001-12-20 2004-01-27 Cima Nanotech, Inc. Process for manufacture of reacted metal nanoparticles
JP2003288812A (ja) 2001-12-29 2003-10-10 Samsung Electronics Co Ltd 金属ナノ粒子クラスターインクおよびこれを用いた金属パターン形成方法
WO2003061970A2 (en) 2002-01-23 2003-07-31 Contra Vision Ltd. Printing with differential adhesion
US6583500B1 (en) 2002-02-11 2003-06-24 Texas Instruments Incorporated Thin tin preplated semiconductor leadframes
JP4897187B2 (ja) 2002-03-05 2012-03-14 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. スズメッキ方法
JP2003292836A (ja) 2002-04-01 2003-10-15 Canon Inc インク及びインクジェット記録方法
US20040026684A1 (en) 2002-04-02 2004-02-12 Nanosys, Inc. Nanowire heterostructures for encoding information
JP4042497B2 (ja) * 2002-04-15 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
US6860981B2 (en) 2002-04-30 2005-03-01 Technic, Inc. Minimizing whisker growth in tin electrodeposits
EP2154212A1 (en) 2002-06-13 2010-02-17 Cima Nano Tech Israel Ltd A method for the production of conductive and transparent nano-coatings
AU2003237578A1 (en) 2002-07-03 2004-01-23 Nanopowders Industries Ltd. Low sintering temperatures conductive nano-inks and a method for producing the same
US6664492B1 (en) 2002-07-16 2003-12-16 Hewlett-Packard Development Company Method of eliminating electrically-conductive particles from an airstream
US7695689B2 (en) 2002-07-18 2010-04-13 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Micro reactor device and method of manufacturing micro reactor device
US20040026256A1 (en) 2002-08-08 2004-02-12 Lindgren Joseph T. Method and apparatus for protecting tooling in a lead-free bath
EP1400613A2 (en) 2002-09-13 2004-03-24 Shipley Co. L.L.C. Tin plating method
JP2004127676A (ja) 2002-10-01 2004-04-22 Seiko Epson Corp 配線パターン用インク、配線パターンの形成方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
KR101101698B1 (ko) 2002-10-21 2011-12-30 나노잉크, 인크. 나노미터-수준으로 제어된 구조, 이의 제작을 위한 방법 및장치, 및 마스크 복구, 강화, 및 제작에의 적용
GB0224871D0 (en) 2002-10-25 2002-12-04 Plastic Logic Ltd Self-aligned doping of source-drain contacts
JP2004204308A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Nec Semiconductors Kyushu Ltd 鉛フリー錫合金めっき方法
US6881250B2 (en) 2003-01-15 2005-04-19 Xerox Corporation Tailored ink for piston driven electrostatic liquid drop modulator
US6828660B2 (en) 2003-01-17 2004-12-07 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with double nickel-plated leadframe
US7183146B2 (en) * 2003-01-17 2007-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
WO2004108589A2 (en) 2003-01-21 2004-12-16 The Penn State Research Foundation Nanoparticle coated nanostructured surfaces for detection, catalysis and device applications
WO2004075211A1 (en) 2003-02-20 2004-09-02 The Regents Of The University Of California Method of forming conductors at low temperatures using metallic nanocrystals and product
US7244513B2 (en) 2003-02-21 2007-07-17 Nano-Proprietary, Inc. Stain-etched silicon powder
KR100485388B1 (ko) * 2003-02-28 2005-04-27 삼성전자주식회사 트렌치 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2004273592A (ja) 2003-03-06 2004-09-30 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法
US7061570B2 (en) * 2003-03-26 2006-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US6773828B1 (en) 2003-04-18 2004-08-10 Ase Electronics (M) Sdn. Bhd. Surface preparation to eliminate whisker growth caused by plating process interruptions
JP4603812B2 (ja) 2003-05-12 2010-12-22 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 改良されたスズめっき方法
US7531267B2 (en) 2003-06-02 2009-05-12 Kh Chemicals Co., Ltd. Process for preparing carbon nanotube electrode comprising sulfur or metal nanoparticles as a binder
US7195702B2 (en) 2003-06-06 2007-03-27 Taskem, Inc. Tin alloy electroplating system
US7384862B2 (en) * 2003-06-30 2008-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device and display device
US7682970B2 (en) 2003-07-16 2010-03-23 The Regents Of The University Of California Maskless nanofabrication of electronic components
KR101160701B1 (ko) 2003-09-12 2012-06-28 도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠 기판 및 그 제조방법
US7062848B2 (en) 2003-09-18 2006-06-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printable compositions having anisometric nanostructures for use in printed electronics
US7391116B2 (en) 2003-10-14 2008-06-24 Gbc Metals, Llc Fretting and whisker resistant coating system and method
KR100771393B1 (ko) 2003-10-20 2007-10-30 하리마 카세이 가부시키가이샤 건조 분말상의 금속 미립자 및 금속 산화물 미립자와 그용도
US6917098B1 (en) 2003-12-29 2005-07-12 Texas Instruments Incorporated Three-level leadframe for no-lead packages
US7202154B2 (en) 2004-01-05 2007-04-10 International Business Machines Corporation Suspension for filling via holes in silicon and method for making the same
JP4069867B2 (ja) 2004-01-05 2008-04-02 セイコーエプソン株式会社 部材の接合方法
US20050249969A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Preserving solderability and inhibiting whisker growth in tin surfaces of electronic components
US20050249968A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Enthone Inc. Whisker inhibition in tin surfaces of electronic components
US20070163643A1 (en) 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of chalcogen layer and the use of an inter-metallic material
US20070166453A1 (en) 2004-02-19 2007-07-19 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of chalcogen layer
US7605328B2 (en) 2004-02-19 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic thin-film cell produced from metallic blend using high-temperature printing
JP4449676B2 (ja) 2004-03-25 2010-04-14 住友金属鉱山株式会社 銅微粒子の製造方法
US20050218398A1 (en) 2004-04-06 2005-10-06 Availableip.Com NANO-electronics
US7019391B2 (en) 2004-04-06 2006-03-28 Bao Tran NANO IC packaging
US7129444B2 (en) 2004-05-17 2006-10-31 Exatec Llc High performance defrosters for transparent panels
US20050274480A1 (en) 2004-05-24 2005-12-15 Barsoum Michel W Reduction of spontaneous metal whisker formation
CN1972779A (zh) 2004-05-28 2007-05-30 P·凯金属公司 焊膏和方法
DE102004030930A1 (de) 2004-06-25 2006-02-23 Ormecon Gmbh Zinnbeschichtete Leiterplatten mit geringer Neigung zur Whiskerbildung
JP4535797B2 (ja) 2004-07-21 2010-09-01 ハリマ化成株式会社 金属微粒子焼結体型の薄膜導電体層の形成方法、該方法を応用した金属配線ならびに金属薄膜の形成方法
JP2006038999A (ja) 2004-07-23 2006-02-09 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ照射を用いた導電性回路形成方法と導電性回路
US7215014B2 (en) 2004-07-29 2007-05-08 Freescale Semiconductor, Inc. Solderable metal finish for integrated circuit package leads and method for forming
JP4292122B2 (ja) 2004-07-30 2009-07-08 タイコエレクトロニクスアンプ株式会社 電気コネクタ
WO2006110163A2 (en) 2004-08-20 2006-10-19 Yale University Epitaxial growth of aligned algainn nanowires by metal-organic chemical vapor deposition
WO2006030286A1 (en) 2004-09-14 2006-03-23 Cima Nano Tech Israel Ltd Ink jet printable compositions
US20080193667A1 (en) * 2004-08-23 2008-08-14 Arkady Garbar Ink Jet Printable Compositions
TW200610122A (en) 2004-09-14 2006-03-16 P Kay Metal Inc Soldering process
US20060068218A1 (en) 2004-09-28 2006-03-30 Hooghan Kultaransingh N Whisker-free lead frames
US20060091121A1 (en) 2004-10-06 2006-05-04 James Zanolli Method for reflowing a metal plating layer of a contact and contact formed thereby
US7242573B2 (en) 2004-10-19 2007-07-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive paste composition
US20060096867A1 (en) 2004-11-10 2006-05-11 George Bokisa Tin alloy electroplating system
US7705069B2 (en) 2004-11-22 2010-04-27 Xerox Corporation Ink jet composition
US7820097B2 (en) 2004-11-24 2010-10-26 Ncc Nano, Llc Electrical, plating and catalytic uses of metal nanomaterial compositions
CN101263078B (zh) 2004-11-24 2012-12-26 奈米系统股份有限公司 适用于纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统以及工艺
CN100577328C (zh) 2004-11-29 2010-01-06 大日本油墨化学工业株式会社 表面处理的含银粉末的制造方法、以及使用表面处理的含银粉末的银糊剂
US7732349B2 (en) * 2004-11-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of insulating film and semiconductor device
JP4749133B2 (ja) * 2004-11-30 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2006169592A (ja) 2004-12-16 2006-06-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 金属微粒子分散液とそれを用いた配線およびその形成方法
JP2008527169A (ja) 2005-01-10 2008-07-24 イシウム リサーチ デベロップメント カンパニー オブ ザ ヘブリュー ユニバーシティー オブ イエルサレム 金属ナノ粒子の水系分散物
CN101378985A (zh) 2005-01-12 2009-03-04 纽约大学 利用全息光学镊子处理纳米导线的系统和方法
WO2006076613A2 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
US20060163744A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-27 Cabot Corporation Printable electrical conductors
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
JP5094019B2 (ja) 2005-01-21 2012-12-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US20060183055A1 (en) 2005-02-15 2006-08-17 O'neill Mark L Method for defining a feature on a substrate
WO2006095611A1 (ja) 2005-03-11 2006-09-14 Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. 導電性インキ、導電回路、及び非接触型メディア
US7749922B2 (en) 2005-05-05 2010-07-06 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Nanowire structures and electrical devices
JP4844805B2 (ja) 2005-05-20 2011-12-28 住友電気工業株式会社 金属被膜の形成方法
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR101423204B1 (ko) 2005-07-01 2014-07-25 내셔널 유니버시티 오브 싱가포르 전기 전도성 복합체
CN101243210A (zh) 2005-07-11 2008-08-13 技术公司 具有最小化锡晶须生长性能或特性的锡电沉积物
JP4978844B2 (ja) 2005-07-25 2012-07-18 住友金属鉱山株式会社 銅微粒子分散液及びその製造方法
JP2007042725A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Konica Minolta Holdings Inc 金属パターンの形成方法
KR101333012B1 (ko) 2005-08-12 2013-12-02 캄브리오스 테크놀로지즈 코포레이션 나노와이어 기반의 투명 도전체
JP4716819B2 (ja) * 2005-08-22 2011-07-06 新光電気工業株式会社 インターポーザの製造方法
KR100703014B1 (ko) * 2005-10-26 2007-04-06 삼성전자주식회사 실리콘 산화물 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
US7637415B2 (en) 2005-10-31 2009-12-29 General Electric Company Methods and apparatus for assembling a printed circuit board
US20070105395A1 (en) 2005-11-04 2007-05-10 Edward Kinzel Laser functionalization and patterning of thick-film inks
US20070117475A1 (en) 2005-11-23 2007-05-24 Regents Of The University Of California Prevention of Sn whisker growth for high reliability electronic devices
US20070144305A1 (en) 2005-12-20 2007-06-28 Jablonski Gregory A Synthesis of Metallic Nanoparticle Dispersions
JP4408432B2 (ja) 2005-12-26 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 ダマシン配線の形成方法
KR100790863B1 (ko) 2005-12-28 2008-01-03 삼성전자주식회사 나노 와이어 제조 방법
JP4956997B2 (ja) 2006-01-05 2012-06-20 住友電気工業株式会社 フラットケーブル
WO2007082112A2 (en) 2006-01-06 2007-07-19 Faraday Technology, Inc. Tin and tin alloy electroplating method with controlled internal stress and grain size of the resulting deposit
CN100363437C (zh) 2006-01-06 2008-01-23 浙江大学 硅钛微粗糙结构亲水薄膜的制备方法
JP2007204632A (ja) 2006-02-02 2007-08-16 Fujifilm Corp インク組成物およびこれを用いる記録方法
JP4868892B2 (ja) 2006-03-02 2012-02-01 富士通株式会社 めっき処理方法
US20070275262A1 (en) 2006-05-23 2007-11-29 Dechao Lin Reducing formation of tin whiskers on a tin plating layer
US20070281136A1 (en) 2006-05-31 2007-12-06 Cabot Corporation Ink jet printed reflective features and processes and inks for making them
JP2007321215A (ja) 2006-06-02 2007-12-13 Nippon Shokubai Co Ltd 金属ナノ粒子分散体および金属被膜
US7745101B2 (en) * 2006-06-02 2010-06-29 Eastman Kodak Company Nanoparticle patterning process
US7604871B2 (en) 2006-06-07 2009-10-20 Honeywell International Inc. Electrical components including abrasive powder coatings for inhibiting tin whisker growth
US20070295530A1 (en) 2006-06-07 2007-12-27 Honeywell International, Inc. Coatings and methods for inhibiting tin whisker growth
US20070287022A1 (en) 2006-06-07 2007-12-13 Honeywell International, Inc. Intumescent paint coatings for inhibiting tin whisker growth and methods of making and using the same
US20070284700A1 (en) 2006-06-07 2007-12-13 Honeywell International, Inc. Coatings and methods for inhibiting tin whisker growth
KR101386215B1 (ko) 2006-06-07 2014-04-17 삼성디스플레이 주식회사 전도성 고분자 조성물 및 이를 채용한 유기 광전 소자
US20070287023A1 (en) 2006-06-07 2007-12-13 Honeywell International, Inc. Multi-phase coatings for inhibiting tin whisker growth and methods of making and using the same
KR100777662B1 (ko) 2006-06-14 2007-11-29 삼성전기주식회사 잉크젯용 전도성 잉크 조성물
JP5062721B2 (ja) 2006-06-27 2012-10-31 国立大学法人京都大学 ナノサイズワイヤーの製造方法
US7262603B1 (en) 2006-06-28 2007-08-28 Lenovo (Singapore) Pte. Ltd System and method for sensing the formation of tin whiskers
DE112007001811T5 (de) 2006-08-07 2009-06-10 Pliant Corporation, Schaumburg Folien, Systeme und Verfahren für einen Nachweis eines Manipulationsereignisses
US7879131B2 (en) 2006-08-15 2011-02-01 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metal encapsulation
JP4250651B2 (ja) 2006-09-28 2009-04-08 株式会社東芝 粒子配列方法、及び、発光素子の製造方法
KR101082146B1 (ko) 2006-09-29 2011-11-09 주식회사 엘지화학 잉크젯 프린트용 잉크 및 상기 잉크에 사용되는 금속나노입자의 제조방법
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
WO2008046058A2 (en) 2006-10-12 2008-04-17 Cambrios Technologies Corporation Nanowire-based transparent conductors and applications thereof
US7786024B2 (en) 2006-11-29 2010-08-31 Nanosys, Inc. Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation
KR100853193B1 (ko) * 2007-01-08 2008-08-21 삼성전자주식회사 반도체 소자 및 그 형성방법
KR20080088712A (ko) 2007-03-30 2008-10-06 삼성전자주식회사 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 전도성 패턴의 형성방법
KR101398821B1 (ko) 2007-03-30 2014-05-30 삼성디스플레이 주식회사 금속 나노 입자의 제조방법, 이를 포함하는 전도성 잉크조성물 및 이를 이용한 전도성 패턴의 형성방법
US10231344B2 (en) 2007-05-18 2019-03-12 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic ink
US8143431B2 (en) 2007-06-05 2012-03-27 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature thermal conductive inks
JP2009016626A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Panasonic Corp 半導体モジュール装置および半導体モジュール装置の製造方法ならびにフラットパネル型表示装置,プラズマディスプレイパネル
GB0717055D0 (en) * 2007-09-01 2007-10-17 Eastman Kodak Co An electronic device
JP2009097082A (ja) 2007-09-26 2009-05-07 Fujifilm Corp 金属ナノ粒子及びその製造方法、並びに水性分散物、プリント配線・電極の製造方法、及びプリント配線基板・デバイス
EP2045028A1 (en) 2007-09-26 2009-04-08 Fujifilm Corporation Metal nanoparticles, method for producing the same, aqueous dispersion, method for manufacturing printed wiring or electrode, and printed wiring board or device
US7976733B2 (en) 2007-11-30 2011-07-12 Xerox Corporation Air stable copper nanoparticle ink and applications therefor
US8506849B2 (en) 2008-03-05 2013-08-13 Applied Nanotech Holdings, Inc. Additives and modifiers for solvent- and water-based metallic conductive inks
US20090286383A1 (en) 2008-05-15 2009-11-19 Applied Nanotech Holdings, Inc. Treatment of whiskers
US20100000762A1 (en) 2008-07-02 2010-01-07 Applied Nanotech Holdings, Inc. Metallic pastes and inks
JP4983811B2 (ja) * 2009-01-09 2012-07-25 日立電線株式会社 導電性回路形成方法および導電回路装置
JP5740389B2 (ja) * 2009-03-27 2015-06-24 アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド 光焼結及び/またはレーザー焼結を強化するためのバッファ層
US8422197B2 (en) 2009-07-15 2013-04-16 Applied Nanotech Holdings, Inc. Applying optical energy to nanoparticles to produce a specified nanostructure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018194389A1 (ko) * 2017-04-20 2018-10-25 한양대학교 산학협력단 광 소결 입자 제조방법, 광 소결 타겟 제조방법 및 광 소결 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20140057428A1 (en) 2014-02-27
JP5740389B2 (ja) 2015-06-24
CN102365713B (zh) 2015-11-25
US8647979B2 (en) 2014-02-11
WO2010111581A1 (en) 2010-09-30
TWI492303B (zh) 2015-07-11
JP2012522383A (ja) 2012-09-20
EP2412007B1 (en) 2020-07-22
EP2412007A4 (en) 2014-11-12
CN102365713A (zh) 2012-02-29
EP2412007A1 (en) 2012-02-01
KR101735710B1 (ko) 2017-05-15
US9131610B2 (en) 2015-09-08
US20120049384A1 (en) 2012-03-01
TW201106426A (en) 2011-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101735710B1 (ko) 광 및/또는 레이저 소결을 향상시키기 위한 버퍼층
KR101777311B1 (ko) 금속 잉크
JP6015009B2 (ja) 電子装置及びその製造方法
US11251160B2 (en) Manufacturing of flip-chip electronic device with carrier having heat dissipation elements free of solder mask
KR20100040803A (ko) 금속계 잉크
JP4983811B2 (ja) 導電性回路形成方法および導電回路装置
CA2723620A1 (en) Treatment of whiskers
TWI500090B (zh) 半導體封裝件之製法
Cho et al. Monolithically Programmed Stretchable Conductor by Laser‐Induced Entanglement of Liquid Metal and Metallic Nanowire Backbone
Ryu et al. Electrical property and surface morphology of silver nanoparticles after thermal sintering
TWI722179B (zh) 陶瓷電路基板及其製造方法
JP2014527304A (ja) 金属クラッド回路基板
KR20100093492A (ko) 적어도 하나의 부품을 장착하기 위한 기판 및 그 제조방법
TWI332373B (en) Method for fabricating a pcb
KR101941751B1 (ko) 도전성패턴 형성방법
JP2007227788A (ja) 配線基板の製造方法および半田ペースト
US10658201B2 (en) Carrier substrate for a semiconductor device and a method for forming a carrier substrate for a semiconductor device
KR102206052B1 (ko) 나노 입자층의 소결 방법
KR20230174805A (ko) 열전도 부재가 임베디드된 방열 반도체 패키지 및 그 제조방법 그리고 그 제조에 이용하는 유도 가열 솔더링장치
KR20210099860A (ko) 반도체 패키지 및 패키지-온-패키지의 제조 방법
TWM565945U (zh) High thermal conductivity substrate and electronic device
TWM529178U (zh) 鏡頭模組的座體結構
JP2004281657A (ja) 導電層の形成方法
Hussain et al. Characteristic Effects of Pulse Overlapping During Pulsed Laser Sintering of Silver Nanoparticles

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant