JPH0484449A - Ｔａｂテープ - Google Patents

Ｔａｂテープ

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JPH0484449A
JPH0484449A JP2200184A JP20018490A JPH0484449A JP H0484449 A JPH0484449 A JP H0484449A JP 2200184 A JP2200184 A JP 2200184A JP 20018490 A JP20018490 A JP 20018490A JP H0484449 A JPH0484449 A JP H0484449A
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tin
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tin plating
tab tape
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Norio Wada
和田　則雄
Kazuhito Yumoto
和仁 湯本
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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    • Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＴＡＢ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）テープに関する。
（従来の技術） ＴＡＢテープは半導体素子と外部接続用リード等の外部
導体回路とを電気的に接続するもので、銅箔を用いて微
細なパターンに形成しうろことから、ワイヤを用いて接
続するよりも多ピンの接続が可能となる。
ＴＡＢテープのインナーリードと半導体素子との接合は
、半導体素子に形成した金等のバンブとの間で金−錫共
晶合金による場合が多く、そのためにＴＡＢテープは銅
箔で形成されたリードパターン上に錫めっき皮膜を形成
したものが用いられる。またＴＡＢテープの外部接続用
のアウターリードと外部導体回路との間は、通常錫めっ
き皮膜を利用してはんだ付けにより接合されるか、ある
いは金−錫共晶合金により接合される。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら上記のＴＡＢテープには次のような問題点
がある。
すなわち、錫めっき皮膜は酸化し易く、経時的に表面が
劣化してくるため、インナーリードを半導体素子に金−
錫共晶合金により接合する際、金−錫共晶合金による良
好なメニスカスが形成できず、接合が良好に行えないと
いう問題点がある。
また錫めっき皮膜からは針状のウィスカーが伸長し、Ｔ
ＡＢテープの密なパターンのリード間を短絡させるとい
う問題点もある。
そこで本発明は上記問題点を解消すべくなされたもので
、その目的とするところは、錫めっき皮膜の酸化、劣化
を防止でき、良好なボンディングが行なえると共に、ウ
ィスカーの発生も防止できるＴＡＢテープを提供するに
ある。
（課題を解決するための手段） 上記目的による本発明に係るＴＡＢテープでは、銅また
は銅合金により接続用回路パターンが形成され、インナ
ーリードおよびアウターリード上に錫めっき皮膜または
はんだめっき皮膜が形成されているＴＡＢテープにおい
て、前記錫めっき皮膜またははんだめっき皮膜を覆って
金めつき皮膜が形成されていることを特徴としている。
少なくともアウターリード上に前記錫めっき皮膜または
はんだめっき皮膜の下地としてニッケル、コバルト、金
、銀、白金、パラジウム、ロジウムから選ばれる金属に
よるめっき皮膜を形成するとよい。
あるいは、少なくともアウターリード上に前記錫めっき
皮膜またははんだめっき皮膜の下地として、二・νケル
、コバルト、錫−ニッケル合金、錫−コバルト合金、ニ
ッケル−コバルト合金、錫二・ンケルーコバルト合金か
ら選ばれる金属による第１のめっき皮膜と、この第１の
めっき皮膜上に形成される、金、銀、白金、パラジウム
、ロジウムから選ばれる金属による第２のめっき皮膜と
を形成すると好適である。
インナーリードに形成する錫めっき皮膜またははんだめ
っき皮膜はインナーリードの半導体素子と接合する側の
片面にのみ形成するのがよい。
インナーリードおよびアウターリード上に形成する錫め
っき皮膜の厚さは、該錫めっき皮膜と、半導体素子また
は外部導体回路の接合部に形成された金皮膜との間での
金−錫共晶合金による接合が妨げられない厚さに形成す
るのがよい。
（実施例） 以下では本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。
第１図はＴＡＢテープの断面図を示し、ポリイミド等の
耐熱性を有する支持フィルム１０上に形成されているｆ
Ｊ　Ｆ＆をエツチングして接続回路パターンが形成され
ている。１２はそのインナーリード、１３はアウターリ
ードである。なお銅箔は銅材もしくは銅合金材からなる
。
本発明の第１の発明に係るＴＡＢテープでは、インナー
リードＩ２、アウターリード上３上に錫めっき皮膜１４
が形成され、さらにこの錫めっき皮膜１４上に金めつき
皮Ｗ＃１６が形成されてなる。
このように錫めっき皮膜１４を金めつき皮膜１６で覆う
ので、錫めっき皮膜１４の酸化等による劣化を防止でき
、また錫めっき皮膜１４からのつイスカーの成長を抑止
できる。また金めっき皮膜１６自体も極めて安定なので
、良好なボンディングを行うことができる。
なお、特にインナーリード１２の半導体素子への接合は
、インナーリード１２に形成した錫めっき皮膜１４と半
導体素子に形成した金ハンプとの間で金−錫共晶合金に
より行うが、上記台めっき皮膜１６は上記の金−錫共晶
合金の形成を妨げない程度の厚さに形成する必要がある
。すなわち金めつき皮膜１６を厚く付けすぎると、金−
錫共晶合金が良好に形成されず、金めつき皮膜１６と金
バンプとの間の熱圧着による接合となり、低温での接合
が行えなくなるからである。そのため金めっき皮膜１６
の厚さは０．Ｏ１〜０．５μｍ程度が良好である。錫め
っき皮膜１４の厚さは、金−錫共晶合金の形成に過不足
の生じない０．３〜１μｍ程度の厚さとする。
このように本発明では、金−錫共晶合金による接合の場
合の金成分の一部を錫めっき皮膜１４の保護膜として錫
めっき皮膜１４上に形成したちのである。
アウターリード１３と外部導体回路との接続も外部導体
回路に形成した合皮膜との間で金−錫共晶合金により接
合する場合には、アウターリード１３上の金めつき皮膜
１６の厚さをやはり金−錫共晶合金の形成の妨げとなら
ぬ厚さとする。
なおアウターリードと外部導体回路との接合ははんだ付
は等によって行うこともできる。この場合にもアウター
リード側に金めつき皮膜１６が形成されているので、ウ
ィスカーの成長を抑止でき、ショートを防止できる。
インナーリード１２に形成する錫めっき皮膜１４は半導
体素子と接合する側の片面にのみ形成すると好適である
。これによりインナーリード１２をボンディングツール
で押圧して半導体素子にボンディングする際、溶融した
金−錫がボンディングツールに付着せず、良好なボンデ
ィングが行える。
本発明の第２の発明に係るＴＡＢテープでは、第３回に
示すように、少なくともアウターリード１３上に、錫め
っき皮膜１４の下地としてバリア用のめっき皮膜１８を
形成する。
このめっき皮膜１８は、半導体素子とインナーリード１
２との接合の際加わる４００°Ｃ〜５００°Ｃの高温条
件下にあっても、上層の錫めっき皮膜１４と合金化しに
くい金属あるいは合金化によりはんだ付は性を低下させ
ない金属皮膜から選択される。
このような金属皮膜は金、銀、白金、パラジウム、ロジ
ウムの貴金属皮膜およびニッケル、コバルト皮膜である
。
このようなめっき皮膜１４を直接銅箔上に形成した場合
、十分な厚みがない場合には、銅がやはりめっき皮膜１
８中に拡散してしまう。そこで上記の高温下にあっても
銅が上層の錫めっき皮膜１４に拡散しない程度の十分な
厚み、例えば０．１〜３．０μｍ程度の厚みにするのが
よい。
本発明の第３の発明に係るＴＡＢテープでは、少なくと
もアウターリード１３上に錫めっき皮膜１４の下地とし
て、第３図に示されるように、第１のめっき皮膜２０、
第２のめっき皮膜２２を形成する。
第１のめっき皮膜２０は、半導体素子とインナーリード
１２との接合の際加わる、４００’Ｃ〜５００°Ｃの高
温下にあっても、素材の銅が当該筒１のめっき皮膜２０
中に拡散しにくい金属皮膜とする。
このような第１のめっき皮膜２ｏは、ニッケル、コバル
ト、錫−ニッケル合金、錫−コバルト皮膜、ニッケル−
コバルト合金、および錫−ニソケルコバルト合金のめっ
き皮膜中より選択される。
上記の第１のめっき皮膜２ｏと錫めっき皮膜１４の合金
化を防止するため、第１のめっき皮膜２０と錫めっき皮
膜１４との間に第２のめっき皮膜２２を介在させる。こ
の第２のめっき皮膜２２は、前記の高温条件下にあって
も、下層の第１のめっき皮膜２０、上層の錫めっき皮膜
１４の各々と合金化しない金属皮膜もしくは合金化によ
りはんだ付は性を低下させない金属皮膜から選択される
。
このような金属皮膜は、金、銀、白金、パラジウム、ロ
ジウムの貴金属皮膜である。
第１のめっき皮膜２０の厚みは０．１〜１．５μｍ、第
２のめっき皮膜２２の厚みは０．０１〜１．０μｍ程度
が好ましい。
錫めっき皮膜１４は従来のように銅箔上に直接にめっき
する場合は無電解めっきによって形成できるが、上記の
ように下地が貴金属皮膜のときは無電解めっきでは形成
できないので電解めっきによって形成する。
なお、上記各実施例において錫めっき皮膜１４の代りに
、はんだめっき皮膜を形成しでもよい。
この場合にも、はんだめっき皮膜上に金めつき皮膜を形
成することにより、はんだめっき皮膜の酸化等による劣
化を防止できる。
以上、本発明の好適な実施例について種々述べて来たが
、本発明は上述の実施例に限定されるのではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲で多くの改変を施し得るのはも
ちろんである。
（発明の効果） 以上のように本発明によれば、錫めっき皮膜またははん
だめっき皮膜上に金めつき皮膜を形成したので、錫めっ
き皮膜またははんだめっき皮膜の酸化等による劣化を防
止でき、また金めっき皮膜が化学的に極めて安定なこと
もあって、半導体素子や外部導体回路との接合が良好に
行える。
また、特に錫めっき皮膜からのウィスカーの発生を抑止
でき、ショートを防止することができる。
少なくともアウターリード側に錫めっきまたははんだめ
っきの下地に前記所定のバリア用のめっき皮膜を形成す
ることによって、インナーリードを半導体素子に接合す
る際の熱がアウターリードに伝熱されても、素材の銅が
錫めっき皮膜あるいははんだめっき皮膜中に拡散するこ
とがなく、良好なボンディングを行うことができる。
インナーリード例の錫めっき皮膜またははんだめっき皮
膜を半導体素子との接合面側にのみ形成することによっ
て、インナーリードのボンディングの際、ボンディング
ツールに溶融した金−錫が付着することもなく、良好に
ボンディングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はＴＡＢテープの断面説明図、第２図、第３図、
第４図はそれぞれの他の実施例におけるアウターリード
の断面図を示す。 １０・・・支持フィルム、　　１２・・・インナーリー
ド、　　１３・　・　・アウターリード、１４・・・錫
めっき皮膜、　　１６・・・金めつき皮膜、　　１Ｂ、
２０．２２・・・めっき皮膜。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. １．銅または銅合金により接続用回路パターンが形成さ
    れ、インナーリードおよびアウターリード上に錫めっき
    皮膜またははんだめっき皮膜が形成されているＴＡＢテ
    ープにおいて、前記錫めっき皮膜またははんだめっき皮
    膜 を覆って金めっき皮膜が形成されていることを特徴とす
    るＴＡＢテープ。
  2. ２．少なくともアウターリード上に前記錫めっき皮膜ま
    たははんだめっき皮膜の下地としてニッケル、コバルト
    、金、銀、白金、パラジウム、ロジウムから選ばれる金
    属によるめっき皮膜が形成されていることを特徴とする
    請求項１記載のＴＡＢテープ。
  3. ３．少なくともアウターリード上に前記錫めっき皮膜ま
    たははんだめっき皮膜の下地として、ニッケル、コバル
    ト、錫−ニッケル合金、錫−コバルト合金、ニッケル−
    コバルト合金、３錫−ニッケル−コバルト合金から選ば
    れる金属による第１のめっき皮膜と、この第１のめっき
    皮膜上に形成される、金、銀、白金、パラジウム、ロジ
    ウムから選ばれる金属による第２のめっき皮膜とが形成
    されていることを特徴とする請求項１記載のＴＡＢテー
    プ。
  4. ４．インナーリードに形成されている錫めっき皮膜また
    ははんだめっき皮膜がインナーリードの半導体素子と接
    合する側の片面にのみ形成されていることを特徴とする
    請求項１、２または３記載のＴＡＢテープ。
  5. ５．インナーリードおよびアウターリード上に錫めっき
    皮膜が形成されており、該錫めっき皮膜上に形成される
    前記金めっき皮膜は、前記錫めっき皮膜と、半導体素子
    または外部導体回路の接合部に形成された金皮膜との間
    での金−錫共晶合金による接合が妨げられない厚さに形
    成されていることを特徴とする請求項１、２、３または
    ４記載のＴＡＢテープ。
JP2200184A 1990-07-27 1990-07-27 Ｔａｂテープ Pending JPH0484449A (ja)

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