JPS638136Y2 - - Google Patents
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- JPS638136Y2 JPS638136Y2 JP9395881U JP9395881U JPS638136Y2 JP S638136 Y2 JPS638136 Y2 JP S638136Y2 JP 9395881 U JP9395881 U JP 9395881U JP 9395881 U JP9395881 U JP 9395881U JP S638136 Y2 JPS638136 Y2 JP S638136Y2
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-
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- H01L2924/15165—Monolayer substrate
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体装置に係り、特に集積回路チツ
プの裏面を接地する必要がある場合に使用される
グランドチツプに関するものである。
プの裏面を接地する必要がある場合に使用される
グランドチツプに関するものである。
従来から集積回路装置で集積回路チツプ(以下
ICチツプと記す)の裏面を接地する場合、グラ
ンドチツプを利用することが行なわれて来た。グ
ランドチツプの材料は一般に半導体を用いる場合
と金属を用いる場合とがあり主に後者が使用され
る例が多かつた。これは半導体のグランドチツプ
では電気抵抗が高すぎることと、大量に製造する
ことができないからである。したがつてグランド
チツプが金属であればこの欠点は無くなり、大量
に使われる場合にはこの金属グランドチツプが使
用された。
ICチツプと記す)の裏面を接地する場合、グラ
ンドチツプを利用することが行なわれて来た。グ
ランドチツプの材料は一般に半導体を用いる場合
と金属を用いる場合とがあり主に後者が使用され
る例が多かつた。これは半導体のグランドチツプ
では電気抵抗が高すぎることと、大量に製造する
ことができないからである。したがつてグランド
チツプが金属であればこの欠点は無くなり、大量
に使われる場合にはこの金属グランドチツプが使
用された。
しかし、従来までに使用されて来たグランドチ
ツプは1つのチツプにワイヤーボンデイング金属
とダイボンデイング金属が組合わされて構成され
ていて、特にダイボンデイング金属にはAu系の
合金が使用された。従つて、ダイボンデイング金
属のAu系合金は主にAu−Si,Au−Sn,Au−Ge
等の低融点合金が使われ、他の構成材料と比較し
て硬くさらにもろい特性を有するので望ましい組
合せではなかつた。つまり製造はワイヤーボンデ
イング金属とダイボンデイング金属とを中間金属
を介して圧接法で接着しているので製造中にAu
系合金の割れ、剥れの事故が発生し、品質が悪い
ものとなつてしまう欠点があつた。
ツプは1つのチツプにワイヤーボンデイング金属
とダイボンデイング金属が組合わされて構成され
ていて、特にダイボンデイング金属にはAu系の
合金が使用された。従つて、ダイボンデイング金
属のAu系合金は主にAu−Si,Au−Sn,Au−Ge
等の低融点合金が使われ、他の構成材料と比較し
て硬くさらにもろい特性を有するので望ましい組
合せではなかつた。つまり製造はワイヤーボンデ
イング金属とダイボンデイング金属とを中間金属
を介して圧接法で接着しているので製造中にAu
系合金の割れ、剥れの事故が発生し、品質が悪い
ものとなつてしまう欠点があつた。
本考案は上記欠点を無くすことを目的として、
製造が容易で品質の良いグランドチツプを有する
半導体装置を提供することである。
製造が容易で品質の良いグランドチツプを有する
半導体装置を提供することである。
本考案はアルミニウム−シリコン合金(Al−
Si)と、中間金属と、スズ(Sn)もしくはスズ
合金からなるグランドチツプを有することを特徴
とする半導体装置である。
Si)と、中間金属と、スズ(Sn)もしくはスズ
合金からなるグランドチツプを有することを特徴
とする半導体装置である。
次に本考案の実施例に用いるグランドチツプを
第1図に示す。グランドチツプは3層に分けら
れ、一般にAl/Si層とFeNi合金層とAu系合金層
から構成されている。本考案ではワイヤーボンデ
イング金属1としてAl/1%Siを用い、中間金
属2として42%Ni−Fe合金を用い、ダイボンデ
イング金属3としてSn及びSn合金を用いた。該
ダイボンデイング金属3のSn及びSn合金はダイ
ボンデイングに適した低融点の金属でありさらに
硬度は低くSnにAg及びAuを添加することにより
適当に硬度の調整が可能であるので、圧接作業に
は材料特性が良く製造が容易となる。さらにグラ
ンドチツプのダイボンデイングはAg及びAuがメ
タライズされた面に行なわれるのが一般的であ
り、Sn−Ag、またはSn−Auの反応が早く、300
℃前後の温度でも充分に実用可であることからグ
イボンデイング作業が安定して行なわれることと
なる。
第1図に示す。グランドチツプは3層に分けら
れ、一般にAl/Si層とFeNi合金層とAu系合金層
から構成されている。本考案ではワイヤーボンデ
イング金属1としてAl/1%Siを用い、中間金
属2として42%Ni−Fe合金を用い、ダイボンデ
イング金属3としてSn及びSn合金を用いた。該
ダイボンデイング金属3のSn及びSn合金はダイ
ボンデイングに適した低融点の金属でありさらに
硬度は低くSnにAg及びAuを添加することにより
適当に硬度の調整が可能であるので、圧接作業に
は材料特性が良く製造が容易となる。さらにグラ
ンドチツプのダイボンデイングはAg及びAuがメ
タライズされた面に行なわれるのが一般的であ
り、Sn−Ag、またはSn−Auの反応が早く、300
℃前後の温度でも充分に実用可であることからグ
イボンデイング作業が安定して行なわれることと
なる。
以下実施例を用いて本考案をより詳細に説明す
る。第2図に示したようにサーデイツプパツケー
ジにグランドチツプ4を用いた場合にグランドチ
ツプが第1図のワイヤーボンデイング金属1を
Al−1%Siとし、中間金属2を42%Ni−Fe合金
とし、ダイボンデイング金属3をSn単体とする
構造とし、1.0mmφの大きさで厚さを0.5mmとし
た。この場合ワイヤーボンデイング9はAl−1
%SiであるのでAl−1%Si層1で可能であり、
ダイボンデイングはサーデイツプパツケージの
Auペースト面とSn層3が300℃の熱によつてSu
−Auの合金を作つて接合される。該ダイボンデ
イングはAuとSnの拡散により成立つもので、Au
とSnは非常に早く反応し拡散することは既に知
られている通りであり簡単にできるものである。
従つて第2図のように100g程度の低荷重でグラ
ンドチツプ4がAuペースト面10に1秒末満の
短時間でダイボンデイングができる。中間金属2
はAl−1%SiとSnのバリヤー金属であると共に
厚さをコントロールするためのものである。Al
−1%Siの厚さは1.5μ以上あれば充分に可能であ
り、2〜10μ程度が望ましい。さらにSnの厚さは
5μあれば充分に可能であり、Sn圧接加工を考え
れば5〜10μが適当である。
る。第2図に示したようにサーデイツプパツケー
ジにグランドチツプ4を用いた場合にグランドチ
ツプが第1図のワイヤーボンデイング金属1を
Al−1%Siとし、中間金属2を42%Ni−Fe合金
とし、ダイボンデイング金属3をSn単体とする
構造とし、1.0mmφの大きさで厚さを0.5mmとし
た。この場合ワイヤーボンデイング9はAl−1
%SiであるのでAl−1%Si層1で可能であり、
ダイボンデイングはサーデイツプパツケージの
Auペースト面とSn層3が300℃の熱によつてSu
−Auの合金を作つて接合される。該ダイボンデ
イングはAuとSnの拡散により成立つもので、Au
とSnは非常に早く反応し拡散することは既に知
られている通りであり簡単にできるものである。
従つて第2図のように100g程度の低荷重でグラ
ンドチツプ4がAuペースト面10に1秒末満の
短時間でダイボンデイングができる。中間金属2
はAl−1%SiとSnのバリヤー金属であると共に
厚さをコントロールするためのものである。Al
−1%Siの厚さは1.5μ以上あれば充分に可能であ
り、2〜10μ程度が望ましい。さらにSnの厚さは
5μあれば充分に可能であり、Sn圧接加工を考え
れば5〜10μが適当である。
Al−1%Si箔と42%Ni−Fe合金とSn箔をトー
タル厚さ0.5mmに圧接して、1.0mmφに打抜いて製
造する該グランドチツプは各層の材料の延性が良
いので従来の欠点である割れ、剥れはまつたくな
く安定なものとなつた。
タル厚さ0.5mmに圧接して、1.0mmφに打抜いて製
造する該グランドチツプは各層の材料の延性が良
いので従来の欠点である割れ、剥れはまつたくな
く安定なものとなつた。
本実施例ではグランドチツプを円形にしたが、
これは正方形または長方形及びその他の形状は打
抜きにより色々と変えることは可能で同様の効果
はあるものである。さらに中間金属はCu合金で
も良いものである。さらに中間金属は1層でなく
とも良く、必要ならば4層以上にすることも容易
に考えられる。
これは正方形または長方形及びその他の形状は打
抜きにより色々と変えることは可能で同様の効果
はあるものである。さらに中間金属はCu合金で
も良いものである。さらに中間金属は1層でなく
とも良く、必要ならば4層以上にすることも容易
に考えられる。
第1図は本考案の実施例に用いるグランドチツ
プを示す断面図である。第2図aはサーデイツプ
パツケージにグランドチツプを用いた本考案実施
例の封止前の上から見た図で、第2図bは第2図
aの断面図である。 尚、図において、1……ワイヤーボンデイング
金属、2……中間金属、3……ダイボンデイング
金属、4……グランドチツプ、5……ICチツプ、
6……リードフレーム、7……Al、8……低融
点ガラス、9……Al/Si線、10……Auペース
ト、11……セラミツクスである。
プを示す断面図である。第2図aはサーデイツプ
パツケージにグランドチツプを用いた本考案実施
例の封止前の上から見た図で、第2図bは第2図
aの断面図である。 尚、図において、1……ワイヤーボンデイング
金属、2……中間金属、3……ダイボンデイング
金属、4……グランドチツプ、5……ICチツプ、
6……リードフレーム、7……Al、8……低融
点ガラス、9……Al/Si線、10……Auペース
ト、11……セラミツクスである。
Claims (1)
- サーデイツプパツケージの半導体チツプ搭載面
に半導体チツプと共にこれと離隔して一端が前記
チツプ搭載面に接着され、他端が前記パツケージ
の所定リードにワイヤボンデイングされてなるグ
ランドチツプを有する半導体装置において、前記
グランドチツプは前記一端がスズもしくはスズ合
金からなりこの上にアルミニウム‐シリコン合金
とスズもしくはスズ合金とのバリア金属層となる
中間金属層を介して前記他端がアルミニウム−シ
リコン合金からなることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9395881U JPS58429U (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9395881U JPS58429U (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58429U JPS58429U (ja) | 1983-01-05 |
JPS638136Y2 true JPS638136Y2 (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=29888914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9395881U Granted JPS58429U (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58429U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60167449A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9395881U patent/JPS58429U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58429U (ja) | 1983-01-05 |
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