JP3568869B2 - 半導体集積回路装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器に搭載、内蔵される半導体集積回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体集積回路チップ(以下、ICチップと称する)を包括する半導体集積回路装置は、ICチップの機能、使用目的、プリント基板への実装等の観点から、様々な外形が考案されている。
【0003】
特に近年、小型携帯機器の分野では、内部に搭載される電子部品の高密度実装の必要性から、より一層小型化された半導体集積回路装置が要求されている。このような小型化された半導体集積回路装置は、CSP(Chip Size Package あるいは Chip Scale Package )と呼ばれている。該CSPの外部接続用端子としては、マトリクス状に配置されたハンダボールの使用が一般的である。
【0004】
図6(a)は、従来の半導体集積回路装置の一構成例を示す平面図であり、図6(b)は図6(a)のD−D断面図である。この半導体集積回路装置101は、第1の電極パッド103が表面に複数形成されたICチップ102と、各第1の電極パッド103の少なくとも一部が露出するようにICチップ102上に積層された第1の絶縁層104と、第1の電極パッド103をそれぞれに対応する第2の電極パッド106と電気的に接続させるために配設された複数の配線(再配線)105と、各第2の電極パッド106の少なくとも一部を露出させてICチップ102上に積層された第2の絶縁層107と、各第2の電極パッド106上に設けられた複数の外部接続用端子108とを備えており、各外部接続用端子108はハンダボールによって形成されている。
【0005】
上記のような構造の半導体集積回路装置101は、他の半導体集積回路装置(CSP)と共に、日経BP社発光の日経マイクロデバイス1998−8(8月1日号)の特集記事Part1およびPart2(42頁ないし59頁)の中でも紹介されている。
【0006】
この記事によれば、上記配線105に相当する部分の形成方法は、まず高分子パッシベーション膜(第1の絶縁層104に相当)を形成し、その上に配線の形成を行う。図7(a)ないし図7(e)は、上記のような一般的な形成方法にて、上記配線105部分を形成する工程を示す工程図である。尚、この段階においては、半導体集積回路装置101はまだ個々の半導体集積回路に切り離されておらず、ウエハーの状態である。
【0007】
まず、配線105の下地となる配線下地メタル109をスパッタによりウエハーの全面(ICチップ102の全面)に成膜する(図7(a)参照)。次に、その上にフォトレジスト110を塗布して(図7(b)参照)、露光、現像を行うことにより配線105の形成領域に配されているフォトレジスト110を除去する(図7(c)参照)。さらにフォトレジスト110を除去した部分にメッキ等により配線105を形成する(図7(d)参照)。配線105の形成後フォトレジスト110を全て除去し、薬品等で配線105間に存在する配線下地メタル109をエッチングして、その後、第2の絶縁層107および外部接続用端子108を形成する(図7(e)参照)。このような工程を経て、各配線105を電気的に独立したパターンとなるように形成することができる。
【0008】
また、上記のような形成方法の他に、鋼板をエッチングしたマスクやメッシュを施したスクリーンマスク等を使用して導電ペーストを単純に印刷し、配線を形成する方法も考えられる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように、従来の半導体集積回路装置内部の配線(再配線)105を、フォトリソグラフィ法と呼ばれるICチップの微細回路を形成する技法と基本原理を同じくする方法にて形成するためには、以下のような7工程が必要となる。
【0010】
▲1▼ 配線下地メタルをスパッタにて成膜する工程
▲2▼ フォトレジストを塗布する工程
▲3▼ フォトレジストを露光する工程
▲4▼ フォトレジストを現像する工程
▲5▼ 配線(再配線)材料をメッキする工程
▲6▼ フォトレジストを除去する工程
▲7▼ 配線(再配線)下地メタルをエッチングする工程
上記従来の方法では、配線105が第1の絶縁層104上を走る構造とするために、上記のような多数(7つ)の工程が必要となる。これらの各工程には専用の装置が必要であることから、配線105の機能を低下させない範疇で上記7工程のうち省略できる工程、あるいは置き換えて製造コストを抑制できる別の工程が存在するのであれば、その工程の分だけ余分なコストがかかっていることになる。
【0011】
一方、鋼板をエッチングしたマスクやメッシュを施したスクリーンマスク等を使用して単純に導電ペーストを印刷することにより配線105を形成する場合には、以下のような問題が発生する。
【0012】
▲1▼ マスクを取り外した後に、導電ペーストが水平方向に広がりやすいという問題。
【0013】
▲2▼ 現在のマスク(鋼板をエッチングしたマスクやメッシュを施したスクリーンマスク等)自体の加工技術を考慮すると、50μm以下の配線を安定して(隣り合う配線同士が接触しない、配線自体がとぎれないで)形成することが困難であるという問題。
【0014】
配線105は半導体集積回路装置101における外部接続用端子108間を複数本通るように設けられるので、微細加工できなければ、外部接続用端子108間の距離を狭めることができない。従って、このような方法を用いる場合は、半導体集積回路装置101自体を大きく設計せざるをえない。
【0015】
特開平8−264932号公報には、はんだバンプ形成の際にはんだの移動が起こらず、はんだボールの形成不良が発生しないような、はんだバンプの形成方法が開示されている。
【0016】
図8に示すように、上記公報に開示されている方法によれば、まずプリント配線板111に対し、印刷工程の前にスペーサ112を位置合わせしてから貼り合わせ(図8(a)参照)、メタルマスク113をスペーサ112に嵌め込み、ペースト114を乗せてスキージ115を矢印イで示すように右から左へ移動させて、通常のスクリーン印刷法を用いてはんだペースト114を開口部116に充填印刷する(図8(b)参照)。次に、メタルマスク113をスペーサ112から外して、リフロー装置を用いて加熱する(図8(c)参照)と、はんだペースト114は表面張力により球状になる(図8(d)参照)。この状態で冷却してからスペーサ112をプリント配線板111から取り外すと、はんだバンプ116がプリント配線板111上に形成される。
【0017】
以上のような方法を用いると、リフロー中にはんだペースト中のフラックスの固形分が接触することがないので、配線パッドの面積を小さくでき、はんだペーストの量が多い場合でも、はんだペーストの移動によりはんだバンプの形成不良が発生することがない。
【0018】
しかしながら、上記公報に開示されている技術は、あくまではんだバンプの形成のためのものであり、もし配線(再配線)の形成に適用しようとするならば厚さ10μm以下のスペーサが必要となる。このように薄いスペーサを作製することが極めて困難であることは、上記▲2▼の問題と同様である。このように、上記公報の技術は、はんだボールの形成方法であるので、そのまま配線の形成に適用するには様々な問題がある。
【0019】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、微細な配線の加工が可能で、且つ従来の装置と同様の機能も備えた低コストの半導体集積回路装置と、その製造方法とを提供することを課題とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体集積回路装置は、半導体集積回路チップと、該半導体集積回路チップの回路形成面側に設けられた第1の電極と、上記半導体集積回路チップの回路形成面上に積層され、少なくとも上記第1の電極上の一部を開口する第1の絶縁層と、上記第1の絶縁層上に配置され、一端部が上記第1の絶縁層の開口を介して上記第1の電極に接続し、他端部が外部接続用の第2の電極に接続された配線とを備えた半導体集積回路装置において、感光性を有する材料からなり、上記第1の電極の少なくとも一部と、上記配線と、上記第2の電極の少なくとも一部とを露出させる開口部を有して、上記第1の絶縁層上に配置された第2の絶縁層をさらに備え、上記配線および第2の電極が、上記第2の絶縁層の開口部に導電体の粒子を充填することにより形成されていることを特徴とする。
【0021】
上記の構成によれば、第2の絶縁層は、上記配線および第2の電極の形成時に導電体の粒子を充填するための開口部を有しており、配線および第2の電極形成時のマスクとして機能している。このようにマスクとして機能する第2の絶縁層は、装置完成後、隣接する配線間の接触を防ぐ絶縁膜となるため、一般的な印刷法で使用されるマスクと異なり、導電体の粒子の充填後に取り除く必要がない。さらに、この第2の絶縁層は感光性を有する材料からなるので、例えばフォトリソグラフィの技法にてパターンを形成する際のフォトレジストそのものとして機能する。従って、フォトリソグラフィの技法を用いて第2の絶縁層のパターンを形成する場合に、フォトレジストを別途設ける工程を省略することができる。
【0022】
これに対し、本願明細書において従来技術として示した、下地配線メタルをフォトリソグラフィの技法を用いて形成し、その後メッキ工程を経て配線や第2の電極が形成される半導体集積回路装置の場合、その配線や第2の電極の形成工程は、非常に多くなる。
【0023】
また、本発明の場合、上述したように第2の絶縁層は導電体の粒子を充填した後に取り除く必要がないため、本願明細書において従来技術として示した、単に導電ペーストを印刷法にて塗布する方法を用いて形成される半導体集積回路装置のように、マスクを取り外した後で水平方向に導電ペーストが広がることもない。さらに、本発明においてマスクとして機能する第2の絶縁層のパターンは、例えば微細加工が可能なフォトリソグラフィの技術を用いて形成することができるので、上記従来の方法にて形成される装置よりも微細な配線を得ることができる。
【0024】
以上のような本発明の構成により、微細な配線を有し、且つ従来と同様の機能も有する小型の半導体集積回路装置を、低コストで提供することができる。
【0025】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置は、第2の電極の少なくとも一部を露出させる開口部を有する第3の絶縁層がさらに配置され、上記第3の絶縁層の開口部を介して露出する上記第2の電極に接続される外部接続用端子が突起状に設けられていることが好ましい。
【0026】
上記の構成によれば、第3の絶縁層に設けられた開口部を介して第2の電極が露出し、この第2の電極の露出部分が外部接続用端子の土台部分となる。この土台部分に突起状の外部接続用端子を設けることができるので、従来の装置と同様に、本発明に係る半導体集積回路装置も小型の半導体集積回路装置に広く用いられる突起状の外部接続端子を備えることができる。
【0027】
これにより、上述した本発明の効果に加えて、従来の装置の機能も兼ね備えた半導体集積回路装置を実現することができる。
【0028】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置は、上記外部接続用端子が、上記配線の材料よりも融点が低い材料からなり、熱処理にて上記第2の電極に接続されていることが好ましい。
【0029】
上記の構成により、外部接続用端子を溶融させて第2の電極に接続する際に必要とされる熱で、配線が再度溶融することがなくなる。従って、微細に形成した配線が再度溶融して水平方向に広がり、隣接する配線同士が接触する虞れがなくなる。これにより、微細な配線を電気的に独立したパターンとなるように形成することができる。
【0030】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置は、上記配線の上面に、さらにメッキ処理が施される構成とすることもできる。
【0031】
導電体の粒子からなる本発明の配線材料が、例えば適度な粘度を得ることを目的としてバインダや溶剤を含有したペースト状の物質である場合、非導電体のバインダの影響により、配線として要求される抵抗値を超えてしまうことがある。このような場合、配線の上面にさらにメッキ処理を施すことにより配線の抵抗を低減することができ、電気特性に優れた電気経路を確保することができる。
【0032】
これにより、従来のメッキ処理にて形成した配線と同程度良好な電気特性を有する半導体集積回路装置を実現することができる。
【0033】
また、本発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、半導体集積回路チップの回路形成面に設けられた第1の電極上の少なくとも一部を露出させる開口部が設けられた第1の絶縁層を形成する第1の工程と、上記第1の絶縁層上に、感光性を有する絶縁膜を形成する第2の工程と、上記絶縁膜に対して露光および現像を行うことにより、上記第1の電極上の少なくとも一部と、該第1の電極と接続される配線および第2の電極の形成領域とを露出させる開口部が設けられた第2の絶縁層を形成する第3の工程と、上記第2の絶縁層に形成された開口部に導電体の粒子を充填して、配線および第2の電極を形成する第4の工程とを含むことを特徴とする。
【0034】
上記の方法によれば、第2の絶縁層の材料が感光性を有するため、第2の絶縁層自体がフォトレジストとして機能している。従って、フォトリソグラフィの技法にて第2の絶縁層をパターニングする際に、フォトレジストを別途設ける工程を省略することができる。このため、(1)第2の絶縁層用の絶縁膜を成膜する工程と、(2)該絶縁膜を露光する工程と、(3)該絶縁膜を現像する工程と、(4)第2の電極および配線形成用の導電体を充填する工程との4工程により、第2の電極および配線を形成することができる。
【0035】
これにより、本願明細書の従来技術として示した、下地配線メタルをフォトリソグラフィの技法にて形成してからメッキ工程を経て配線部分を形成する方法よりも、配線部分製造のための工程数を低減することができる。従って、低コストで小型の半導体集積回路装置を製造することができる。
【0036】
また、本発明の方法では、第2の電極や配線を形成する前に、第2の電極パッドおよび配線の配置領域と、第1の電極パッド上の少なくとも一部を除く領域とに、予め第2の絶縁層を形成している。該第2の絶縁層は、導電体を充填する際のマスクとして機能しているが、一般的な印刷法で使用されるマスクと異なり、装置完成後、隣接する配線同士の接触を防ぐ絶縁膜として機能するため、取り除く必要がない。従って、本願明細書の従来技術として示した、単に導電ペーストを印刷法にて形成する方法のように、マスクを取り外した後で水平方向に導電ペーストが広がることもない。さらに、マスクとして機能する第2の絶縁層のパターンは、微細加工が可能なフォトリソグラフィの技術を用いて形成されるので、上記従来の方法を用いるよりも微細な配線を得ることができる。
【0037】
以上のような本発明に係る方法を用いることにより、微細な配線を有し、且つ従来と同様の機能も有する小型の半導体集積回路装置を、低コストで製造することができる。
【0038】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、上記第4の工程の後、感光性を有する絶縁膜をさらに成膜し、該絶縁膜に対して露光および現像を行うことにより、第2の電極の少なくとも一部を露出させる開口部が設けられた第3の絶縁層を形成する第5の工程と、上記第3の絶縁層の開口部を介して露出する上記第2の電極部分に、外部接続用端子を突起状に形成する第6の工程とをさらに含むことが好ましい。
【0039】
上記の方法によれば、第3の絶縁層を感光性を有する材料にて形成しているので、第3の絶縁層のパターニングをフォトリソグラフィの技法にて行う際に、該第3の絶縁層形成用の絶縁膜自体がフォトレジストとして機能する。従って、第3の絶縁層のパターニングを行う際に、フォトレジストを別途設ける工程を省略することができる。
【0040】
これにより、工程数の増加を極力抑えて、従来の半導体集積回路装置と同様に、突起状の外部接続用端子を備えた半導体集積回路装置を製造することができる。
【0041】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、上記外部接続用端子を、上記配線の材料よりも融点が低い材料にて形成し、さらに熱処理を施して上記第2の電極に接続することが好ましい。
【0042】
上記の方法によれば、外部接続用端子を熱処理にて溶融させて第2の電極に接続する際の熱で、配線が再度溶融することはない。従って、微細に形成した配線が溶融して水平方向に広がり、隣接する配線同士が接触する虞れがなくなる。これにより、微細な配線を電気的に独立したパターンとなるように形成することができる。
【0043】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、上記の各製造工程は、半導体集積回路チップが個々に分割されないウエハーの状態で行われることが好ましい。
【0044】
上記の方法によれば、ウエハーの状態のままで配線や外部接続用の電極などを形成してパッケージを製造するので、基本的に半導体集積回路チップを縮小する程パッケージの外形寸法を縮小することができる。これは、ウエハー状態でパッケージの製造を実施することにより、パッケージの外形寸法を半導体集積回路チップと略同程度に形成することができるからである。
【0045】
これにより、半導体集積回路装置の生産性が向上するので、結果的にコストを低減できることになる。
【0046】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について図1ないし図5に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【0047】
まず、図1に基づき、本実施の形態に係る半導体集積回路装置1の構成について説明する。図1(a)は上記半導体集積回路装置1の構成を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。
【0048】
本実施の形態に係る半導体集積回路装置1は、ICチップ(半導体集積回路チップ)2と、該ICチップ2の表面の両端部分に複数設けられた第1の電極パッド(第1の電極)3と、該第1の電極パッド3の少なくとも一部を露出させて上記ICチップ2上に積層された第1の絶縁層4と、前記第1の電極パッド3と第2の電極パッド(第2の電極)5とを電気的に接続するために配設された複数の配線(再配線)6と、上記第1の電極パッド3、第2の電極パッド5、および配線6以外の領域に形成された第2の絶縁層7と、上記第2の電極パッド5上部以外の領域に形成された第3の絶縁層8と、上記各第2の電極パッド5上に設けられた外部接続用端子9とにより構成されている。
【0049】
次に、図2ないし図4を用い、上記半導体集積回路装置1の製造工程について説明する。ここで、図2(a)は配線6の製造工程途中の様子を示す平面図であり、図2(b)は図2(a)のB−B断面図である。また、図3(a)は、図2よりもさらに進んだ配線6の製造工程途中の様子を示す平面図であり、図3(b)は図3(a)のC−C断面図である。また、図4(a)ないし図4(d)は、配線6形成後の製造工程を示す断面図である。
【0050】
図2(a)および図2(b)に示すように、ICチップ2表面上の第1の電極パッド3を露出させるように第1の絶縁層4が形成される。該第1の絶縁層4は、ICチップ2にあわせて二酸化ケイ素(SiO2 )等の酸化膜(約0.6μm厚)か、ポリイミド等の有機膜(約3μm厚)か、あるいはそれらが積層された膜によって形成される。このように形成された第1の絶縁層4上に、感光性および耐熱性を有する絶縁性材料(例えばカルド型ポリマー等)にて、第2の絶縁層7がパターン形成される。該第2の絶縁層7は、第1の電極パッド3上の少なくとも一部と、後の工程において形成される第2の電極パッド5および配線6の配置領域とを除く領域に形成される。該第2の絶縁層7は、いわゆるフォトリソグラフィの技術によりパターン形成されるので、例えば厚さ10μmに対して最小数μm幅にて形成することが可能である。この時、第2の絶縁層7自体がフォトレジストとして機能する。
【0051】
次に、図3(a)および図3(b)に示すように、図2に示す工程にて第2の絶縁層7を形成しなかった領域に、導電体10を充填する。該導電体10は、各第1の電極パッド3の上部10a部分で各第1の電極パッド3と接触し、さらに各第1の電極パッド3に対応する第2の電極パッド5の形成位置まで延びるように配設される。すなわち、該導電体10は、後に第2の電極パッド5および配線6となる。
【0052】
上記導電体10としては、導電粒子を集団化し、適度な粘性を得るためにバインダや溶剤を含有したペースト状の物質が用いられており、一般的には、銀ペーストや銅ペーストと呼ばれているものが使用される。このように、導電体10はペースト状であるため、印刷法にて第2の絶縁層7が形成されていない領域に充填される。
【0053】
尚、銀ペーストや銅ペーストによっては非導電体のバインダを含んでいるものもあり、導電体10にて形成される配線6が要求する抵抗値を超えてしまうことがあるが、このような場合、配線6の上面にさらにメッキ処理を施して抵抗値を低減することで、電気特性に優れた電気経路を確保することが可能となる。また、ガス中蒸発法と呼ばれる製法により製造される金属の微粒子を用い、溶剤を除去して例えば250℃で15分間焼成することでも、抵抗値を低下させることができる。これは、粒子のサイズが小さい程、単位体積当たりの粒子間の接触点が増すためである。
【0054】
以下に、上記半導体集積回路装置1におけるその後の製造工程について、図4を用いて説明する。
【0055】
図3に示す工程後、導電体10の溶剤部分を熱処理により蒸発させて、該導電体10を流動体から硬化体とし、第2の電極パッド5および配線6となる。この際に溶剤分が除去される等の理由で導電体10の体積が減少する(図4(a)参照)。
【0056】
次に、第2の電極パッド5上の少なくとも一部に開口部を有するように、第3の絶縁層8を形成する(図4(b)参照)。該第3の絶縁層8には感光性および耐熱性を有する絶縁材料が用いられ、上記第2の絶縁層7と同様にフォトリソグラフィの技術にてパターニングが行われる。このとき、第3の絶縁像8自体がフォトレジストとして機能する。
【0057】
その後、上記第2の電極5上の部分に外部接続用端子用の導電体11を印刷もしくは搭載し(図4(c)参照)、熱処理(約230℃で10秒程度)により溶融・硬化することで外部接続用端子9が形成される(図4(d)参照)。
【0058】
以上の工程を経て、半導体集積回路装置1が完成する。ただし、上記外部接続用端子9となる導電体11を溶融する際の熱処理によって、配線6が再度溶融しないように、配線6の材料である該導電体10には外部接続用端子9の材料である導電体11よりも融点が高いものを使用する。
【0059】
尚、上記図4(d)に示す工程段階までの半導体集積回路装置1は、まだ個々の半導体集積回路装置に切り離されていない状態、つまり図5に示すようにウエハー12の状態で組み立てが行われており、その後ダイシングすることで個々の半導体集積回路装置となる。
【0060】
以上のように、本実施の形態に係る半導体集積回路装置1においては、(1)第2の絶縁層7用の絶縁膜を成膜する工程、(2)上記絶縁膜を露光する工程、(3)上記絶縁膜を現像する工程、(4)第2の電極パッド5および配線6用の導電体10を印刷する工程、により第2の電極パッド5および配線6を形成することができる。従って、本願明細書の従来技術として示した、下地配線メタルをフォトリソグラフィの技法にて形成してからメッキ工程を経て配線部分を形成する方法のように、多数の工程(7工程)を必要としない。これにより、工程短縮によるコスト低減の効果を得ることができる。
【0061】
また、本実施の形態に係る半導体集積回路装置1においては、第2の電極パッド5や配線6部分を形成する際、これら第2の電極パッド5および配線6の配設領域や、第1の電極パッド3上に領域を除く領域に、予め第2の絶縁層7を形成しておく。該第2の絶縁層7は、ペースト状の導電体10(後に第2の電極パッド5および配線6となる)を印刷法にて充填する際にマスクとして機能するが、一般的な印刷法で使用されるマスクと異なり、完成後、隣接する配線6間の接触を防ぐ絶縁膜となるため、印刷後に取り除く必要がない。従って、本願明細書の従来技術として示した、単に導電ペーストを印刷法にて形成する方法のように、マスクを取り外した後で水平方向に導電ペーストが広がることもない。さらに、マスクとして機能する第2の絶縁層7のパターンは、微細加工が可能なフォトリソグラフィの技術を用いて形成されるので、上記従来の方法を用いるよりも微細な配線を得ることができる。
【0062】
さらに、第2の絶縁層7には感光性を有する材料が用いられているので、フォトリソグラフィの技法にてパターン形成する場合に、第2の絶縁層7自体がフォトレジストとして機能する。これにより、フォトレジストを別途設ける必要がなくなり、工程数を低減できる。また、該第2の絶縁層7の材料は、耐熱性も有しているので、第2の電極パッド5や配線6の形成のための導電体10の熱処理や、外部接続用端子9の形成のための導電体11の溶融の際の熱にも耐えることができる。
【0063】
さらに、第3の絶縁層8にも感光性を有する材料が用いられているので、フォトリソグラフィの技法にてパターン形成する場合に、第3の絶縁層8自体がフォトレジストとして機能する。これにより、フォトレジストを別途設ける必要がなくなり、工程数を低減できる。また、該第3の絶縁層8の材料は、耐熱性も有しているので、外部接続用端子9の形成のための導電体11の溶融の際の熱にも耐えることができる。
【0064】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る半導体集積回路装置は、感光性を有する材料からなり、第1の電極の少なくとも一部と、配線と、第2の電極の少なくとも一部とを露出させる開口部を有して、第1の絶縁層上に配置された第2の絶縁層を備え、上記配線および第2の電極が、上記第2の絶縁層の開口部に導電体の粒子を充填することにより形成されている構成である。
【0065】
それゆえ、第2の絶縁層は、配線および第2の電極形成用の導電体の粒子を充填する際のマスクとしての機能と、例えばフォトリソグラフィの技法にて第2の絶縁層のパターン形成を行う際のフォトレジストとして機能とを兼ね備えている。従って、従来の装置よりも工程数を低減することができるという効果が得られる。
【0066】
また、本発明の場合、導電体の粒子を充填した後に第2の絶縁層を取り除く必要がないため、単に導電ペーストを印刷法にて塗布する方法を用いて形成される従来の半導体集積回路装置よりも微細な配線を得ることができる。
【0067】
以上のように、本発明の構成により、微細な配線を有し且つ従来と同様の機能も有する小型の半導体集積回路装置を、低コストで提供することができるという効果を得ることができる。
【0068】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置は、第2の電極の少なくとも一部を露出させる開口部を有する第3の絶縁層がさらに配置され、上記第3の絶縁層の開口部を介して露出する上記第2の電極に接続される外部接続用端子が突起状に設けられていることが好ましい。
【0069】
それゆえ、従来の装置と同様に、本発明に係る半導体集積回路装置も小型の半導体集積回路装置に広く用いられる突起状の外部接続端子を備えることができる。これにより、上述した本発明の効果に加えて、従来の装置の機能も兼ね備えた半導体集積回路装置を実現することができるという効果を奏する。
【0070】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置は、上記外部接続用端子が、上記配線の材料よりも融点が低い材料からなり、熱処理にて上記第2の電極に接続されていることが好ましい。
【0071】
それゆえ、外部接続用端子を溶融させて第2の電極に接続する際に必要とされる熱で、配線が再度溶融することがなくなり、微細に形成した配線が再度溶融して水平方向に広がり、隣接する配線同士が接触する虞れがなくなる。これにより、微細な配線を電気的に独立したパターンとなるように形成することができるという効果を奏する。
【0072】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置は、上記配線の上面に、さらにメッキ処理が施される構成とすることもできる。
【0073】
これにより、従来のメッキ処理にて形成した配線と同程度良好な電気特性を有する半導体集積回路装置を実現することができるという効果を奏する。
【0074】
また、本発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、半導体集積回路チップの回路形成面に設けられた第1の電極上の少なくとも一部を露出させる開口部が設けられた第1の絶縁層を形成する第1の工程と、上記第1の絶縁層上に、感光性を有する絶縁膜を形成する第2の工程と、上記絶縁膜に対して露光および現像を行うことにより、上記第1の電極上の少なくとも一部と、該第1の電極と接続される配線および第2の電極の形成領域とを露出させる開口部が設けられた第2の絶縁層を形成する第3の工程と、上記第2の絶縁層に形成された開口部に導電体の粒子を充填して、配線および第2の電極を形成する第4の工程とを含む方法である。
【0075】
それゆえ、(1)第2の絶縁層用の絶縁膜を成膜する工程と、(2)該絶縁膜を露光する工程と、(3)該絶縁膜を現像する工程と、(4)第2の電極および配線形成用の導電体を充填する工程との4工程により、第2の電極および配線を形成することができる。これにより、従来よりも工程数を低減して、低コストで小型の半導体集積回路装置を製造することができるという効果を奏する。
【0076】
また、本発明の方法では、導電体を充填する際のマスクとして機能している第2の絶縁層を、装置完成後に取り除く必要がない。従って、単に導電ペーストを印刷法にて形成する従来の方法を用いるよりも、微細な配線を得ることができるという効果を併せて奏する。
【0077】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、上記第4の工程の後、感光性を有する絶縁膜をさらに成膜し、該絶縁膜に対して露光および現像を行うことにより、第2の電極の少なくとも一部を露出させる開口部が設けられた第3の絶縁層を形成する第5の工程と、上記第3の絶縁層の開口部を介して露出する上記第2の電極部分に、外部接続用端子を突起状に形成する第6の工程とをさらに含むことが好ましい。
【0078】
それゆえ、第3の絶縁層のパターニングを行う際に、フォトレジストを別途設ける工程を省略することができる。これにより、工程数の増加を極力抑えて、従来の半導体集積回路装置と同様に、突起状の外部接続用端子を備えた半導体集積回路装置を製造することができるという効果を奏する。
【0079】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、上記外部接続用端子を、上記配線の材料よりも融点が低い材料にて形成し、さらに熱処理を施して上記第2の電極に接続することが好ましい。
【0080】
それゆえ、外部接続用端子を熱処理にて溶融させて第2の電極に接続する際の熱で、配線が再度溶融することはないため、微細に形成した配線が溶融して水平方向に広がり、隣接する配線同士が接触する虞れがなくなる。これにより、微細な配線を電気的に独立したパターンとなるように形成することができるという効果を奏する。
【0081】
さらに、本発明に係る半導体集積回路装置の製造方法は、上記の各製造工程は、半導体集積回路チップが個々に分割されないウエハーの状態で行われることが好ましい。
【0082】
それゆえ、半導体集積回路チップを縮小する程パッケージの外形寸法を縮小することができる。これは、ウエハー状態でパッケージの製造を実施することにより、パッケージの外形寸法を半導体集積回路チップと略同程度に形成することができるからである。これにより、半導体集積回路装置の生産性が向上するので、結果的にコストを低減できることになるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路装置の構成を示す平面図であり、(b)は、(a)のA−A断面図である。
【図2】(a)は、上記半導体集積回路装置の製造途中の様子を示す平面図であり、(b)は(a)のB−B断面図である。
【図3】(a)は、上記半導体集積回路装置の製造途中の様子を示す平面図であり、(b)は(a)のC−C断面図である。
【図4】(a)ないし(d)は、上記半導体集積回路装置の製造工程を示す工程図である。
【図5】上記半導体集積回路装置がウエハー状態で形成されている様子を示す斜視図である。
【図6】(a)は、従来の半導体集積回路形成装置の構成を示す平面図であり、(b)は、(a)のD−D断面図である。
【図7】(a)ないし(e)は、上記従来の半導体集積回路装置の製造工程を示す工程図である。
【図8】(a)ないし(e)は、上記従来の半導体集積回路装置の、図7に示す方法とは別の方法による製造工程を示す工程図である。
【符号の説明】
1 半導体集積回路装置
2 ICチップ(半導体集積回路チップ)
3 第1の電極パッド(第1の電極)
4 第1の絶縁層
5 第2の電極パッド(第2の電極)
6 配線
7 第2の絶縁層
8 第3の絶縁層
9 外部接続用端子
10 導電体
12 ウエハー
Claims (8)
- 半導体集積回路チップと、該半導体集積回路チップの回路形成面側に設けられた第1の電極と、上記半導体集積回路チップの回路形成面上に積層され、少なくとも上記第1の電極上の一部を開口する第1の絶縁層と、上記第1の絶縁層上に配置され、一端部が上記第1の絶縁層の開口を介して上記第1の電極に接続し、他端部が外部接続用の第2の電極に接続された配線とを備えた半導体集積回路装置において、
感光性を有する材料からなり、上記第1の電極の少なくとも一部と、上記配線と、上記第2の電極の少なくとも一部とを露出させる開口部を有して、上記第1の絶縁層上に配置された第2の絶縁層をさらに備え、
上記配線および第2の電極が、上記第2の絶縁層の開口部に導電体の粒子を充填することにより形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 第2の電極の少なくとも一部を露出させる開口部を有する第3の絶縁層がさらに配置され、
上記第3の絶縁層の開口部を介して露出する上記第2の電極に接続される外部接続用端子が突起状に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 上記外部接続用端子は、上記配線の材料よりも融点が低い材料からなり、熱処理にて上記第2の電極に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- 上記配線の上面に、さらにメッキ処理が施されることを特徴とする請求項1ないし3の何れか1つに記載の半導体集積回路装置。
- 半導体集積回路チップの回路形成面に設けられた第1の電極上の少なくとも一部を露出させる開口部が設けられた第1の絶縁層を形成する第1の工程と、
上記第1の絶縁層上に、感光性を有する絶縁膜を形成する第2の工程と、
上記絶縁膜に対して露光および現像を行うことにより、上記第1の電極上の少なくとも一部と、該第1の電極と接続される配線および第2の電極の形成領域とを露出させる開口部が設けられた第2の絶縁層を形成する第3の工程と、
上記第2の絶縁層に形成された開口部に導電体の粒子を充填して、配線および第2の電極を形成する第4の工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 上記第4の工程の後、感光性を有する絶縁膜をさらに成膜し、該絶縁膜に対して露光および現像を行うことにより、第2の電極の少なくとも一部を露出させる開口部が設けられた第3の絶縁層を形成する第5の工程と、
上記第3の絶縁層の開口部を介して露出する上記第2の電極部分に、外部接続用端子を突起状に形成する第6の工程とをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路装置の製造方法。 - 上記外部接続用端子を、上記配線の材料よりも融点が低い材料にて形成し、さらに熱処理を施して上記第2の電極に接続することを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
- 上記の各製造工程は、半導体集積回路チップが個々に分割されないウエハーの状態で行われることを特徴とする請求項5ないし7の何れか1つに記載の半導体集積回路装置の製造方法。
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