JP2012209362A - 半導体集積回路のesd保護回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CDM用のESD保護回路のOFFトランジスタ11、13に直列に、寄生ダイオードが、前記OFFトランジスタと逆向きになるようにトランジスタ素子を挿入する回路構成とすることで、上記課題を解決した。
【選択図】 図1
Description
つまり、CDMのESD保護回路として従来と同様の機能を果たす。
11D Nchトランジスタ11の寄生ダイオード
12 Pchトランジスタ
12D Pchトランジスタ12の寄生ダイオード
13 Pchトランジスタ
13D Pchトランジスタ12の寄生ダイオード
14 Pchトランジスタ
14D Pchトランジスタ12の寄生ダイオード
15 抵抗
100 主ESD保護素子
110 CDM用ESD保護素子
120 IN端子(入力)
121 VDD端子
122 VSS端子(GND)
Claims (4)
- 少なくとも正(プラス)の電源端子と、負(マイナス)の電源端子と、入力端子とを有し、
前記入力端子は、抵抗を介して内部回路のゲートに接続されている半導体集積回路であって、
ゲートとソースと基板が負の電源端子に接続されたNチャネル型(以下Nchと記載する)トランジスタと、
ゲートが負の電源端子に接続され、ドレインが内部回路のゲートに接続され、ソースと基板(well)が、前記Nchトランジスタのドレインに接続されている第一のPチャネル型(以下Pchと記載する)トランジスタを有することを特徴とするESD保護回路。 - 少なくとも正(プラス)の電源端子と、負(マイナス)の電源端子と、入力端子とを有し、
前記入力端子は、抵抗を介して内部回路のゲートに接続されている半導体集積回路であって、
ゲートとソースと基板が負の電源端子に接続されたNチャネル型(以下Nchと記載する)トランジスタと、
ゲートが負の電源端子に接続され、ドレインが内部回路のゲートに接続され、ソースと基板(well)が、前記Nchトランジスタのドレインに接続されている第一のPチャネル型(以下Pchと記載する)トランジスタと、
ゲートが正の電源端子に接続され、ドレインが、前記内部回路のゲートに接続された、第二のPchトランジスタと、
ゲートが、前記内部回路に接続され、ドレインが正の電源端子に接続され、ソースと基板が、前記第二のPchトランジスタのソースと基板に接続された第三のPchトランジスタを有することを特徴とするESD保護回路。 - 少なくとも正(プラス)の電源端子と、負(マイナス)の電源端子と、入力端子とを有し、
前記入力端子は、抵抗を介して内部回路のゲートに接続されている半導体集積回路であって、
ゲートとソースと基板が負の電源端子に接続されたNチャネル型(以下Nchと記載する)トランジスタと、
ゲートが負の電源端子に接続され、ドレインが内部回路のゲートに接続され、ソースと基板(well)が、前記Nchトランジスタのドレインに接続されている第一のPチャネル型(以下Pchと記載する)トランジスタと、
ゲートとソースと基板が正の電源端子に接続された、第二のPchトランジスタと、
ゲートとソースと基板が、前記内部回路のゲートに接続され、ドレインが前記第二のPchトランジスタのドレインに接続された第三のPchトランジスタを有することを特徴とするESD保護回路。 - 前記Nchトランジスタ及び、第一のPchトランジスタの幅(W長)が、50μm以下であることを特徴とする請求項1乃至4記載のESD保護回路。
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