JP2008235625A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】直流電源が逆極性で電源端子に接続された場合に貫通電流を阻止するための逆流阻止回路を内蔵した半導体集積回路において、内部回路の基準電位におけるノイズ特性を改善する。
【解決手段】この半導体集積回路は、P型の半導体基板と、直流電源が接続される第1の電源端子及び第2の電源端子と、第1の電源端子から第1の電位が供給されると共に半導体基板に接続された基準ノードから第2の電位が供給されて動作する内部回路と、一端が第1の電源端子に接続された抵抗と、半導体基板のNウエル内に設けられたP型領域内に形成されて第2の電源端子と基準ノードとの間に接続されたソース・ドレイン、及び、抵抗の他端に接続されたゲートを有するNチャネルトランジスタであって、直流電源が正常に接続されたときにオン状態となり、直流電源が逆極性で接続されたときにオフ状態となるトランジスタとを具備する。
【選択図】図1
【解決手段】この半導体集積回路は、P型の半導体基板と、直流電源が接続される第1の電源端子及び第2の電源端子と、第1の電源端子から第1の電位が供給されると共に半導体基板に接続された基準ノードから第2の電位が供給されて動作する内部回路と、一端が第1の電源端子に接続された抵抗と、半導体基板のNウエル内に設けられたP型領域内に形成されて第2の電源端子と基準ノードとの間に接続されたソース・ドレイン、及び、抵抗の他端に接続されたゲートを有するNチャネルトランジスタであって、直流電源が正常に接続されたときにオン状態となり、直流電源が逆極性で接続されたときにオフ状態となるトランジスタとを具備する。
【選択図】図1
Description
本発明は、乾電池やバッテリ等の直流電源によって駆動される半導体集積回路に関し、特に、直流電源が逆極性で電源端子に接続された場合に貫通電流を阻止するための逆流阻止回路を内蔵した半導体集積回路に関する。
乾電池やバッテリ等の直流電源を用いる電子機器においては、直流電源が逆極性で接続されると、電子機器に搭載されている半導体集積回路に貫通電流が流れて、半導体集積回路の破壊、バッテリ寿命の低下、電池の液漏れ、システムの誤動作、過熱による発火等の問題が発生する可能性があった。そこで、直流電源が逆極性で電源端子に接続されても貫通電流が流れないように、様々な工夫がされている。
関連する技術として、下記の特許文献1には、正常動作時における電圧降下及び電力損失の小さい逆流阻止回路を有する回路装置が開示されている。この回路装置は、直流電源を接続するための一対の電源端子と、保護対象回路と、前記直流電源が前記一対の電源端子間に正常な極性で接続された時にソースからドレインに向かって電流が流れる方向性を有するように前記一対の電源端子の一方と前記保護対象回路との間に接続された電界効果トランジスタと、前記直流電源が正常な極性で前記一対の電源端子間に接続された時には前記電界効果トランジスタをオン状態に制御し、前記直流電源が逆極性で前記一対の電源端子間に接続された時には前記電界効果トランジスタをオフ状態に制御する制御回路とを備えている。
しかしながら、この電界効果トランジスタは、ソースがサブストレート(バルク)に接続された構造を有するディスクリートのMOSFET(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)であり、特許文献1の回路構成をそのまま半導体集積回路(IC)に取り込むことはできない。
また、下記の特許文献2には、逆流阻止回路を内蔵する半導体装置が開示されている。この半導体装置は、第1及び第2の電源端子に与えられる電源電圧の大小関係が正常な場合には導通し、異常な場合には非導通となる少なくとも1つのスイッチング素子と、ソースが前記第1及び第2の電源端子の一方及び前記スイッチング素子の一端に電気的に接続され、サブが前記スイッチング素子の他端に電気的に接続され、ドレインが前記電源端子の他方に電気的に接続されたMISFETを少なくとも1つ含む内部回路素子を同一半導体基板上に有する。
しかしながら、前記第1及び第2の電源端子の一方と内部回路との間にスイッチング素子が接続されることにより、内部回路の基準電位におけるノイズ特性が不十分となる可能性がある。
特開平8−308116号公報(第1−2頁、図4)
特開平11−191595号公報(第2頁、図1)
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、直流電源が逆極性で電源端子に接続された場合に貫通電流を阻止するための逆流阻止回路を内蔵した半導体集積回路において、内部回路の基準電位におけるノイズ特性を改善することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の1つの観点に係る半導体集積回路は、P型の半導体基板と、直流電源が接続される第1の電源端子及び第2の電源端子と、半導体基板に形成され、第1の電源端子から第1の電位が供給されると共に半導体基板に電気的に接続された基準ノードから第2の電位が供給されて動作する内部回路と、半導体基板に形成され、一端が第1の電源端子に電気的に接続された抵抗と、半導体基板のNウエル内に設けられたP型領域内に形成されて第2の電源端子と基準ノードとの間に電気的に接続されたソース・ドレイン、及び、抵抗の他端に電気的に接続されたゲートを有するNチャネルトランジスタであって、直流電源が接続されて第1の電源端子の電位が第2の電源端子の電位よりも所定の値以上高くなったときにオン状態となり、直流電源が逆極性で接続されて第1の電源端子の電位が第2の電源端子の電位よりも低くなったときにオフ状態となるトランジスタとを具備する。
ここで、内部回路の基準電位におけるノイズ特性をさらに改善するために、P型領域が、基準ノードに電気的に接続されていることが望ましい。また、上記トランジスタが、内部回路を構成する各々のトランジスタよりも大きいサイズを有することが望ましい。この半導体集積回路は、外付けのコンデンサを接続するために、基準ノードに電気的に接続された外部接続端子をさらに具備するようにしても良い。あるいは、半導体基板を、例えばPLP(被覆リードパッケージ)型のパッケージの様な、ダイパッドが露出しているタイプのパッケージに収納しても良い。
本発明によれば、直流電源が逆極性で電源端子に接続された場合の貫通電流を阻止するために、半導体基板のNウエル内に設けられたP型領域内に形成されて第2の電源端子と基準ノードとの間に電気的に接続されたソース・ドレインを有するNチャネルトランジスタを用いることにより、大きな面積を有する半導体基板の電位を、基準ノードの電位、即ち、内部回路の基準電位と等しくすることができるので、内部回路の基準電位におけるノイズ特性を改善することができる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の一部の回路構成を示す回路図である。本発明は、安定化された電源電圧を供給するための電源ICや、液晶表示パネルを駆動するためのLCDドライバ等、各種の半導体集積回路に適用することができるが、本実施形態においては、ディジタル信号を伝送するための複数のインバータを含む回路構成を例にとって説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体集積回路の一部の回路構成を示す回路図である。本発明は、安定化された電源電圧を供給するための電源ICや、液晶表示パネルを駆動するためのLCDドライバ等、各種の半導体集積回路に適用することができるが、本実施形態においては、ディジタル信号を伝送するための複数のインバータを含む回路構成を例にとって説明する。
図1に示すように、半導体集積回路1は、入力端子に入力される信号SIG1を反転して信号SIG2を出力するインバータINV1と、信号SIG2を反転して信号SIG3を出力するインバータINV2と、信号SIG3を反転して信号SIG4を出力端子に出力するインバータINV3とを、内部回路として有している。インバータINV2は、PチャネルMOSトランジスタQP1と、NチャネルMOSトランジスタQN1とを含んでいる。また、図2に示すように、NチャネルMOSトランジスタQN1のサブ電位を図1におけるのと逆に接続しても、同様の効果が得られる。
乾電池やバッテリ等の直流電源VDCが電源端子11及び12に接続されることにより、電源電位VSS(本実施形態においては、接地電位とする)に対して、電源電位VDDが決定される。インバータINV1〜INV3等の内部回路には、電源電位VDDが供給されると共に、電源電位VSSの替わりに基準ノード14の電位(内部回路の基準電位IGND)が供給される。なお、基準ノード14に外付け部品を接続するための外部接続端子を設けても設けなくても良いが、後で詳しく説明するように、電源電圧のノイズ特性を改善するためには、基準電位IGNDの端子を設けることが望ましい。
さらに、半導体集積回路1は、直流電源VDCが逆極性で電源端子11及び12に接続された場合に貫通電流を阻止するための逆流阻止回路13を内蔵している。逆流阻止回路13は、抵抗R1と、NチャネルMOSトランジスタQN2と、寄生ダイオードD1及びD2とを含んでいる。抵抗R1の一端は、電源端子11に接続されている。NチャネルMOSトランジスタQN2は、電源端子12に接続されたソースと、基準ノード14に接続されたドレインと、抵抗R1の他端に接続されたゲートとを有している。
直流電源VDCが正常に電源端子11及び12に接続された場合には、電源電位VDDが電源電位VSSよりも所定の値(トランジスタQN2のしきい電圧)以上高くなる。電源電位VDDが抵抗R1を介してトランジスタQN2のゲートに供給されるので、トランジスタQN2がオン状態となって、基準電位IGNDの値が電源電位VSSの値に近付く。
一方、直流電源VDCが逆極性で電源端子11及び12に接続された場合には、電源電位VDDが電源電位VSSよりも低くなる。低い電源電位VDDが抵抗R1を介してトランジスタQN2のゲートに供給されるので、トランジスタQN2がオフ状態となって、貫通電流が阻止される。
図3は、図1に示す回路の構造を示す断面図である。図3においては、図1に示す一点鎖線3に囲まれた回路に対応する構造が示されている。本実施形態に係る半導体集積回路の製造には、トリプルウエルプロセスが用いられる。
図3に示すように、P型の半導体基板21内には、Nウエル22及びディープNウエル24と、Pウエル23とが形成されており、さらに、ディープNウエル24内には、Pウエル25が形成されている。ここで、Pウエル25とディープNウエル24とによって寄生ダイオードD1が形成され、P型の半導体基板21とディープNウエル24とによって寄生ダイオードD2が形成される。
一方、半導体基板21上には、ゲート絶縁膜を介して、トランジスタQP1のゲート電極26と、トランジスタQN1のゲート電極27と、トランジスタQN2のゲート電極28とが形成されている。
Nウエル22内において、N型のコンタクト領域22aが形成されて、Nウエル22が電源電位VDDの配線に接続される。また、ゲート電極26の両側に、トランジスタQP1のソース・ドレインとなるP型不純物拡散領域31及び32が形成されており、ソース31は、電源電位VDDの配線に接続される。
Pウエル23内において、P型のコンタクト領域23aが形成されて、Pウエル23が基準電位IGNDの配線に接続される。また、ゲート電極27の両側に、トランジスタQN1のソース・ドレインとなるN型不純物拡散領域33及び34が形成されており、ソース33は、基準電位IGNDの配線に接続される。
インバータを構成するトランジスタQP1及びQN1のゲート電極26及び27には、信号SIG2が入力され、トランジスタQP1及びQN1のドレイン32及び34からは、信号SIG3が出力される。
ディープNウエル24内には、N型のコンタクト領域24aが形成されて、ディープNウエル24が電源電位VDDの配線に接続される。さらに、Pウエル25には、P型のコンタクト領域25aが形成されて、Pウエル25が基準電位IGNDの配線に接続される。Pウエル25内において、ゲート電極28の両側に、トランジスタQN2のソース・ドレインとなるN型不純物拡散領域35及び36が形成されている。ソース35は、電源電位VSSの配線に接続され、ドレイン36は、基準電位IGNDの配線に接続される。ゲート電極28は、半導体基板21に形成されている抵抗R1を介して、電源電位VDDの配線に接続される。なお、電源電位VDDの配線は、図1に示す電源端子11に電気的に接続されており、電源電位VSSの配線は、図1に示す電源端子12に電気的に接続されている。
このような構造において、直流電源が正常に電源端子に接続されて、電源電位VDDが電源電位VSSよりも所定の値以上高い場合には、トランジスタQN2がオン状態となって、基準電位IGNDの値が電源電位VSSの値に近付く。一方、直流電源が逆極性で電源端子に接続されて、電源電位VDDが電源電位VSSよりも低い場合には、トランジスタQN2がオフ状態となって、貫通電流が阻止される。
本実施形態においては、トリプルウエルプロセスを用いることにより、大きな面積を有する半導体基板21の電位を内部回路の基準電位IGNDと等しくすることができるので、基準電位IGNDにおけるノイズ特性を改善することができる。また、同一の半導体基板21内にノイズを発生する回路を集積化した場合に、当該回路の基準電位と半導体基板21の電位とを分離することができるので、当該回路が発生するノイズの影響による基準電位IGNDにおけるノイズ特性の悪化を低減することができる。
次に、本実施形態に係る半導体集積回路におけるノイズ対策について説明する。
図1に示すような回路構成によれば、直流電源VDCから基準電位IGNDが直接与えられないことになるので、例えば、ノイズに対して敏感なアナログ回路の場合には、ノイズ対策が不十分となる可能性がある。そこで、以下に述べるようなノイズ対策をとることが有効である。
図1に示すような回路構成によれば、直流電源VDCから基準電位IGNDが直接与えられないことになるので、例えば、ノイズに対して敏感なアナログ回路の場合には、ノイズ対策が不十分となる可能性がある。そこで、以下に述べるようなノイズ対策をとることが有効である。
図3に示すトランジスタQN2のサイズを、他のトランジスタ(内部回路を構成する各々のトランジスタ)のサイズ(幅)よりも大きくすることにより、ノイズ対策、さらには、静電気対策を施すことができる。例えば、トランジスタQN2のサイズを、他のトランジスタのサイズの1.5倍程度、さらに好ましくは、2倍以上とする。
また、基準電位IGNDに外付けのコンデンサを接続するために、半導体集積回路に基準電位IGNDの端子を設けることが望ましい。図4は、図1に示す半導体集積回路におけるノイズ対策を説明するための図である。基準電位IGNDの端子を設ける場合には、電源電位VDDと電源電位VSSとの間に接続される外付けのコンデンサC1に加えて、電源電位VDDと基準電位IGNDとの間に接続される外付けのコンデンサC2を追加することができる。従って、基準電位IGNDをさらに安定化させてノイズレベルを下げることが可能である。
さらに、単品レギュレータ製品のようにサイズが小さく外部接続端子の数が少ない半導体集積回路においては、PLP(Plating Lead Package:被覆リードパッケージ)方式のパッケージを用いることがノイズ対策に有効である。図5は、PLP方式のパッケージの例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は裏面図、(C)は、図5の(A)及び(B)に示す一点鎖線4C−4C'における断面図である。
図5の(A)及び(C)に示すように、パッケージの内部には半導体チップ(半導体基板)41が収納されており、図5の(A)に示すように、パッケージの上面には、半導体チップの方向を示す目印となるインデックス42が形成されている。また、図5の(B)に示すように、パッケージの下面には、平面状のリード43〜47が設けられており、中央部には、半導体チップに電気的に接続されたダイパッド48が設けられている。そこで、このようなPLP方式のパッケージを用いる場合には、基準電位IGND(図1参照)用の端子を別途設けなくても、基準電位IGNDが与えられる半導体チップに電気的に接続されたダイパッド48を用いることにより、図4に示すのと同様に、外付けコンデンサを接続することができる。
1 半導体集積回路、 11、12 電源端子、 13 逆流阻止回路、 21 半導体基板、 22 Nウエル、 23、25 Pウエル、 24 ディープNウエル、 22a〜25a コンタクト領域、 26〜28 ゲート電極、 31〜36 不純物拡散領域、 INV1〜INV3 インバータ、 R1 抵抗、 QP1 PチャネルMOSトランジスタ、 QN1、QN2 NチャネルMOSトランジスタ、 D1、D2 寄生ダイオード
Claims (5)
- P型の半導体基板と、
直流電源が接続される第1の電源端子及び第2の電源端子と、
前記半導体基板に形成され、前記第1の電源端子から第1の電位が供給されると共に前記半導体基板に電気的に接続された基準ノードから第2の電位が供給されて動作する内部回路と、
前記半導体基板に形成され、一端が前記第1の電源端子に電気的に接続された抵抗と、
前記半導体基板のNウエル内に設けられたP型領域内に形成されて前記第2の電源端子と前記基準ノードとの間に電気的に接続されたソース・ドレイン、及び、前記抵抗の他端に電気的に接続されたゲートを有するNチャネルトランジスタであって、前記直流電源が接続されて前記第1の電源端子の電位が前記第2の電源端子の電位よりも所定の値以上高くなったときにオン状態となり、前記直流電源が逆極性で接続されて前記第1の電源端子の電位が前記第2の電源端子の電位よりも低くなったときにオフ状態となる前記トランジスタと、
を具備する半導体集積回路。 - 前記P型領域が、前記基準ノードに電気的に接続されている、請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記トランジスタが、前記内部回路を構成する各々のトランジスタよりも大きいサイズを有する、請求項1又は2記載の半導体集積回路。
- 外付けのコンデンサを接続するために、前記基準ノードに電気的に接続された外部接続端子をさらに具備する請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体集積回路。
- 前記半導体基板が、ダイパッドが露出しているタイプのパッケージに収納されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体集積回路。
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