JP2012195530A - 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 78
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 387
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 21
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 21
- 102100029563 Somatostatin Human genes 0.000 description 20
- 102100030851 Cortistatin Human genes 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010282 TiON Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000796673 Homo sapiens Transformation/transcription domain-associated protein Proteins 0.000 description 2
- 102100032762 Transformation/transcription domain-associated protein Human genes 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 101150058668 tra2 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/101—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including resistors or capacitors only
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/063—Shaping switching materials by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8836—Complex metal oxides, e.g. perovskites, spinels
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
【解決手段】1つの実施形態によれば、第1のラインと第2のラインとメモリセルとを備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。第2のラインは、第1のラインに交差する。メモリセルは、第1のラインと第2のラインとが交差する位置に配されている。メモリセルは、抵抗変化層と上部電極層と下部電極層とダイオード層と第1の酸化膜と第2の酸化膜とを有する。上部電極層は、抵抗変化層の上に配されている。下部電極層は、抵抗変化層の下に配されている。ダイオード層は、上部電極層の上又は下部電極層の下に配されている。第1の酸化膜は、上部電極及び下部電極の少なくとも一方の電極層の側壁を覆う。第2の酸化膜は、ダイオード層の側壁を覆う。第1の酸化膜は、第2の酸化膜より厚い。
【選択図】図3
Description
第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置1の構成について図1を用いて説明する。図1は、第1の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置1の回路構成を示す図である。
電極層61dの幅(平面視における面積)は、電極層61a、ダイオード層61b、本体部61c1、抵抗変化層61e、拡散バリア層61f、電極層61gのそれぞれの幅(平面視における面積)より狭い。電極層61dの側壁は、酸化膜61h及び側壁保護膜61jで覆われている。電極層61dの厚さは、例えば、20nmである。
次に、第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置300について図9を用いて説明する。図9は、第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置300における概略的な層構成の一例を示す図である。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
Claims (10)
- 半導体基板と、
第1のラインと、
前記第1のラインより前記半導体基板から遠い位置で前記第1のラインに交差する第2のラインと、
前記第1のラインと前記第2のラインとが交差する位置に配されたメモリセルと、
前記第2のラインを介して前記メモリセルの上に配された第2のメモリセルと、
を備え、
前記メモリセルは、
抵抗変化層と、
前記抵抗変化層の上に配された上部電極層と、
前記抵抗変化層の下に配された下部電極層と、
前記上部電極層の上又は前記下部電極層の下に配されたダイオード層と、
前記上部電極層及び前記下部電極層の少なくとも一方の電極層の側壁に存在する第1の酸化膜と、
前記少なくとも一方の電極層の側壁及び前記第1の酸化膜を覆う保護膜と、
前記ダイオード層の側壁に存在する第2の酸化膜と、
を有し、
前記第2のメモリセルは、
第2の抵抗変化層と、
前記第2の抵抗変化層の上に配された第2の上部電極層と、
前記第2の抵抗変化層の下に配された第2の下部電極層と、
前記第2の上部電極層の上又は前記第2の下部電極層の下に配された第2のダイオード層と、
前記第2の上部電極層及び前記第2の下部電極層の少なくとも一方の電極層の側壁に存在する第3の酸化膜と、
を有し、
前記第1の酸化膜の膜厚は、前記第2の酸化膜の膜厚および前記第3の酸化膜の膜厚より厚く
前記第3の酸化膜の膜厚は、前記第2の酸化膜の膜厚より厚い
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 第1のラインと、
前記第1のラインに交差する第2のラインと、
前記第1のラインと前記第2のラインとが交差する位置に配されたメモリセルと、
を備え、
前記メモリセルは、
抵抗変化層と、
前記抵抗変化層の上に配された上部電極層と、
前記抵抗変化層の下に配された下部電極層と、
前記上部電極層の上又は前記下部電極層の下に配されたダイオード層と、
前記上部電極層及び前記下部電極層の少なくとも一方の電極層の側壁に存在する第1の酸化膜と、
前記ダイオード層の側壁に存在する第2の酸化膜と、
を有し、
前記第1の酸化膜の膜厚は、前記第2の酸化膜の膜厚より厚い
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリセルは、前記少なくとも一方の電極層の側壁及び前記第1の酸化膜を覆う保護膜をさらに有する
ことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第2のラインは、前記メモリセルの上に配され、
前記メモリセルは、前記メモリセルにおける前記少なくとも一方の電極層と前記第2のラインとの間の積層構造の側壁を覆う第2の保護膜をさらに有し、
前記第2の保護膜は、前記保護膜より厚い
ことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 半導体基板上に第1のラインと、前記第1のラインに交差する第2のラインと、前記第1のラインと前記第2のラインとが交差する位置に配されたメモリセルとを有し、前記メモリセルがダイオード層、下部電極層、抵抗変化層、及び上部電極層を有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
前記メモリセルの形成では、
前記下部電極層及び前記上部電極層のいずれかの電極層となるべき層を形成し、
前記電極層となるべき層の上に、前記ダイオード層となるべき層を含む積層膜を形成し、
前記積層膜を加工して側壁の露出された積層構造を形成し、
前記積層構造の側壁を覆う保護膜を形成し、
前記積層構造の側壁が前記保護膜で覆われた状態で、前記電極層となるべき層を加工して側壁の露出された電極層を形成し、
前記積層構造の側壁が前記保護膜で覆われた状態で、前記側壁の露出された電極層の側壁を酸化する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記いずれかの電極層は、前記下部電極層であり、
前記積層膜では、前記抵抗変化層となるべき層、前記上部電極層となるべき層、前記ダイオード層となるべき層が前記半導体基板側から順に積層されており、
前記積層構造では、前記抵抗変化層、前記上部電極層、前記ダイオード層が前記半導体基板側から順に積層されている
ことを特徴とする請求項5に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記いずれかの電極層は、前記上部電極層であり、
前記メモリセルの形成では、
前記下部電極層となるべき層、前記抵抗変化層となるべき層、前記上部電極層となるべき層を前記半導体基板側から順に形成した後に、前記上部電極層となるべき層の上に前記積層膜を形成し、
前記上部電極層の側壁を酸化した後に、前記積層構造の側壁が前記保護膜で覆われた状態で、前記抵抗変化層となるべき層及び前記下部電極層となるべき層を加工してそれぞれ側壁の露出された前記下部電極層及び前記抵抗変化層を形成し、
前記下部電極層及び前記抵抗変化層の側壁を覆う第2の保護膜を形成する
ことを特徴とする請求項5に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上に第1のラインと、前記第1のラインに交差する第2のラインと、前記第1のラインと前記第2のラインとが交差する位置に配されたメモリセルとを有し、前記メモリセルがダイオード層、下部電極層、抵抗変化層、及び上部電極層を有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
前記メモリセルの形成では、
前記ダイオード層となるべき層を形成し、
前記ダイオード層となるべき層の上方に前記下部電極層及び前記上部電極層のいずれかの電極層となるべき層を形成し、
前記電極層となるべき層の上に積層膜を形成し、
前記積層膜を加工して側壁の露出された積層構造を形成し、
前記積層構造の側壁を覆う保護膜を形成し、
前記積層構造の側壁が前記保護膜で覆われた状態で、前記電極層となるべき層を加工して側壁の露出された電極層を形成し、
前記積層構造の側壁が前記保護膜で覆われた状態で、前記側壁の露出された電極層の側壁を酸化し、
前記積層構造の側壁が前記保護膜で覆われた状態で、前記ダイオード層となるべき層を加工して側壁の露出された前記ダイオード層を形成し、
前記ダイオード層の側壁を覆う第2の保護膜を形成する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記いずれかの電極層は、前記下部電極層であり、
前記積層膜では、前記抵抗変化層となるべき層、前記上部電極層となるべき層、前記ダイオード層となるべき層が前記半導体基板側から順に積層されており、
前記積層構造では、前記抵抗変化層、前記上部電極層、前記ダイオード層が前記半導体基板側から順に積層されている
ことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記いずれかの電極層は、前記上部電極層であり、
前記メモリセルの形成では、
前記下部電極層となるべき層、前記抵抗変化層となるべき層、前記上部電極層となるべき層を前記半導体基板側から順に形成した後に、前記上部電極層となるべき層の上に前記積層膜を形成し、
前記上部電極層の側壁を酸化した後に、前記積層構造の側壁が前記保護膜で覆われた状態で、前記抵抗変化層となるべき層、前記下部電極層となるべき層、及び前記ダイオード層となるべき層を加工してそれぞれ側壁の露出された前記抵抗変化層、前記下部電極層、及び前記ダイオード層を形成し、
前記抵抗変化層、前記下部電極層、及び前記ダイオード層の側壁を覆う前記第2の保護膜を形成する
ことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011060147A JP5439419B2 (ja) | 2011-03-18 | 2011-03-18 | 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
US13/334,848 US8766226B2 (en) | 2011-03-18 | 2011-12-22 | Non-volatile semiconductor storage device and manufacturing method of non-volatile semiconductor storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011060147A JP5439419B2 (ja) | 2011-03-18 | 2011-03-18 | 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012195530A true JP2012195530A (ja) | 2012-10-11 |
JP5439419B2 JP5439419B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=46827757
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8766226B2 (ja) |
JP (1) | JP5439419B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150054406A (ko) * | 2013-11-12 | 2015-05-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
KR20160113188A (ko) * | 2014-02-25 | 2016-09-28 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 교차점 메모리 및 그 제조 방법 |
KR20170098580A (ko) * | 2016-02-22 | 2017-08-30 | 삼성전자주식회사 | 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
WO2019176833A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN115148901A (zh) * | 2021-03-31 | 2022-10-04 | 科洛斯巴股份有限公司 | 具有受限丝状体的电阻切换存储器及其方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8976565B2 (en) * | 2012-12-04 | 2015-03-10 | Intermolecular, Inc. | Selector device using low leakage dielectric MIMCAP diode |
US9202931B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-12-01 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | Structure and method for manufacture of memory device with thin silicon body |
US9443763B2 (en) * | 2013-09-12 | 2016-09-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming interconnections between top electrodes in memory cells by a two-step chemical-mechanical polishing (CMP) process |
US9257431B2 (en) * | 2013-09-25 | 2016-02-09 | Micron Technology, Inc. | Memory cell with independently-sized electrode |
US10084016B2 (en) | 2013-11-21 | 2018-09-25 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory and methods for fabrication of same |
US11223014B2 (en) | 2014-02-25 | 2022-01-11 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor structures including liners comprising alucone and related methods |
US9484196B2 (en) | 2014-02-25 | 2016-11-01 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor structures including liners comprising alucone and related methods |
US9577010B2 (en) * | 2014-02-25 | 2017-02-21 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory and methods for fabrication of same |
US10249819B2 (en) | 2014-04-03 | 2019-04-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor structures including multi-portion liners |
US9768378B2 (en) | 2014-08-25 | 2017-09-19 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory and methods for fabrication of same |
US10424374B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-09-24 | Micron Technology, Inc. | Programming enhancement in self-selecting memory |
US20190115392A1 (en) * | 2017-10-16 | 2019-04-18 | International Business Machines Corporation | Access device and phase change memory combination structure in backend of line (beol) |
US10424730B2 (en) | 2018-02-09 | 2019-09-24 | Micron Technology, Inc. | Tapered memory cell profiles |
US10693065B2 (en) * | 2018-02-09 | 2020-06-23 | Micron Technology, Inc. | Tapered cell profile and fabrication |
US10854813B2 (en) | 2018-02-09 | 2020-12-01 | Micron Technology, Inc. | Dopant-modulated etching for memory devices |
US10361367B1 (en) * | 2018-07-17 | 2019-07-23 | International Business Machines Corporation | Resistive memory crossbar array with top electrode inner spacers |
US11823738B2 (en) | 2021-12-02 | 2023-11-21 | Winbond Electronics Corp. | Resistive memory apparatus |
CN116367552A (zh) * | 2021-12-22 | 2023-06-30 | 浙江驰拓科技有限公司 | 一种存储器及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009122569A1 (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | 株式会社 東芝 | 情報記録再生装置 |
JP2010045205A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
WO2010026624A1 (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-11 | 株式会社 東芝 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
WO2010048408A2 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Sandisk 3D, Llc | Carbon-based memory elements exhibiting reduced delamination and methods of forming the same |
JP2010225872A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6515888B2 (en) * | 2000-08-14 | 2003-02-04 | Matrix Semiconductor, Inc. | Low cost three-dimensional memory array |
US7335906B2 (en) * | 2003-04-03 | 2008-02-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phase change memory device |
KR100642645B1 (ko) | 2005-07-01 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 고집적 셀 구조를 갖는 메모리 소자 및 그 제조방법 |
KR100766504B1 (ko) | 2006-09-29 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
KR100827661B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-05-07 | 삼성전자주식회사 | 이중의 하부 전극을 갖는 상변화 기억소자 및 그 제조방법 |
US7704788B2 (en) * | 2007-04-06 | 2010-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of fabricating multi-bit phase-change memory devices and devices formed thereby |
US7838860B2 (en) * | 2007-06-21 | 2010-11-23 | Qimonda Ag | Integrated circuit including vertical diode |
US7742332B2 (en) | 2007-08-21 | 2010-06-22 | Elpida Memory, Inc. | Phase-change random access memory device and semiconductor memory device |
US7888165B2 (en) * | 2008-08-14 | 2011-02-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a phase change material |
JP2010087259A (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
KR20100090449A (ko) | 2009-02-06 | 2010-08-16 | 삼성전자주식회사 | 균일한 컨택 플러그들을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
-
2011
- 2011-03-18 JP JP2011060147A patent/JP5439419B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-22 US US13/334,848 patent/US8766226B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009122569A1 (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-08 | 株式会社 東芝 | 情報記録再生装置 |
JP2010045205A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法 |
WO2010026624A1 (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-11 | 株式会社 東芝 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
WO2010048408A2 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Sandisk 3D, Llc | Carbon-based memory elements exhibiting reduced delamination and methods of forming the same |
JP2012507150A (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-22 | サンディスク スリーディー,エルエルシー | 低減された層間剥離特性を示す炭素系メモリ素子およびその形成方法 |
JP2010225872A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150054406A (ko) * | 2013-11-12 | 2015-05-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
KR102131075B1 (ko) * | 2013-11-12 | 2020-07-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
KR101941346B1 (ko) * | 2014-02-25 | 2019-01-22 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 교차점 메모리 및 그 제조 방법 |
JP2020145434A (ja) * | 2014-02-25 | 2020-09-10 | マイクロン テクノロジー,インク. | クロスポイントメモリおよびその製造方法 |
JP2017510983A (ja) * | 2014-02-25 | 2017-04-13 | マイクロン テクノロジー, インク. | クロスポイントメモリおよびその製造方法 |
US11600665B2 (en) | 2014-02-25 | 2023-03-07 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory and methods for fabrication of same |
KR20190143501A (ko) * | 2014-02-25 | 2019-12-30 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 교차점 메모리 및 그 제조 방법 |
KR102061443B1 (ko) * | 2014-02-25 | 2019-12-31 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 교차점 메모리 및 그 제조 방법 |
KR20160113188A (ko) * | 2014-02-25 | 2016-09-28 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 교차점 메모리 및 그 제조 방법 |
US10854674B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-12-01 | Micron Technology, Inc. | Cross-point memory and methods for fabrication of same |
KR102177030B1 (ko) * | 2014-02-25 | 2020-11-11 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 교차점 메모리 및 그 제조 방법 |
KR20170098580A (ko) * | 2016-02-22 | 2017-08-30 | 삼성전자주식회사 | 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
KR102473660B1 (ko) * | 2016-02-22 | 2022-12-02 | 삼성전자주식회사 | 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US11587977B2 (en) | 2016-02-22 | 2023-02-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device and method of manufacturing the same |
US11770938B2 (en) | 2016-02-22 | 2023-09-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device and method of manufacturing the same |
WO2019176833A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN115148901A (zh) * | 2021-03-31 | 2022-10-04 | 科洛斯巴股份有限公司 | 具有受限丝状体的电阻切换存储器及其方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5439419B2 (ja) | 2014-03-12 |
US20120235109A1 (en) | 2012-09-20 |
US8766226B2 (en) | 2014-07-01 |
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