JPWO2016158429A1 - スイッチ素子および記憶装置 - Google Patents
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- JPWO2016158429A1 JPWO2016158429A1 JP2017509542A JP2017509542A JPWO2016158429A1 JP WO2016158429 A1 JPWO2016158429 A1 JP WO2016158429A1 JP 2017509542 A JP2017509542 A JP 2017509542A JP 2017509542 A JP2017509542 A JP 2017509542A JP WO2016158429 A1 JPWO2016158429 A1 JP WO2016158429A1
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- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 19
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 85
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims abstract description 85
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 198
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 50
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 30
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 20
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 7
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 274
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 40
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 40
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 titanium tungsten nitride Chemical class 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
- H10B63/24—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes of the Ovonic threshold switching type
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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- H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
- H10B61/10—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having two electrodes, e.g. diodes or MIM elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
- H10N70/235—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect between different crystalline phases, e.g. cubic and hexagonal
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
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- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
- H10N70/8416—Electrodes adapted for supplying ionic species
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- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8822—Sulfides, e.g. CuS
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- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
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- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8825—Selenides, e.g. GeSe
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- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
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- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
Description
1.実施の形態
スイッチ層が2層で構成されている例
2.変形例
変形例A:スイッチ層内に拡散抑制層を設けた例
変形例B:スイッチ層を3つ以上の層で構成した例
変形例C:スイッチ層内の組成比が積層方向にグラデーションを有する例
変形例D:メモリ層のバリエーション
変形例E:スイッチ素子とメモリ素子の接続方法のバリエーション
変形例F:ビット線またはワード線が積層方向に延在している例
3.実施例
図1は、本開示の一実施の形態に係るメモリセルアレイ1の斜視構成を表したものである。メモリセルアレイ1は、本開示の「記憶装置」の一具体例に相当する。メモリセルアレイ1は、所謂クロスポイントアレイ構造を備えており、例えば、図1に示したように、各ワード線WLと各ビット線BLとが互いに対向する位置(クロスポイント)に1つずつ、メモリセル10を備えている。つまり、メモリセルアレイ1は、複数のワード線WLと、複数のビット線BLと、クロスポイントごとに1つずつ配置された複数のメモリセル10とを備えている。メモリセル10は、本開示の「メモリセル」の一具体例に相当する。ワード線WLおよびビット線BLは、本開示の「第1配線」「第2配線」の一具体例に相当する。
メモリセルアレイ1は、基板上に2次元もしくは3次元配置された複数のメモリセル10を備えている。基板は、例えば、各ワード線WLおよび各ビット線BLと電気的に接続された配線群や、その配線群と外部回路とを連結するための回路などを有している。メモリセル10は、メモリ素子30と、メモリ素子30に直接接続されたスイッチ素子20とを含んで構成されている。スイッチ素子20は、本開示の「スイッチ素子」の一具体例に相当する。メモリ素子30は、本開示の「メモリ素子」の一具体例に相当する。
スイッチ素子20は、第1電極21と、第1電極21に対向配置された第2電極23と、第1電極21と第2電極23との間に設けられたスイッチ層22とを有している。第1電極21および第2電極23は、本開示の「第1電極」「第2電極」の一具体例に相当する。第1電極21は、図2A、図2Bに示したようにビット線BLまたはワード線WLを兼ねていてもよいし、ビット線BLおよびワード線WLとは別体で設けられていてもよい。第1電極21がビット線BLおよびワード線WLとは別体で設けられている場合には、第1電極21は、ビット線BLまたはワード線WLと電気的に接続されている。第2電極23は、メモリ素子30の電極を兼ねていてもよいし、メモリ素子30の電極とは別体で設けられていてもよい。第2電極23がメモリ素子30の電極とは別体で設けられている場合には、第2電極23は、メモリ素子30の電極と電気的に接続されている。
メモリ素子30は、第3電極31と、第3電極31に対向配置された第4電極33と、第3電極31および第4電極33の間に設けられたメモリ層32とを有している。メモリ素子は、双方向抵抗変化メモリである。メモリ層32は、抵抗変化層32Aおよびイオン源層32Bが積層された積層構造によって構成されている。
以下に、上記実施の形態のメモリセルアレイ1の変形例について説明する。なお、以下では、上記実施の形態と共通の構成要素に対しては、上記実施の形態で付されていた符号と同一の符号が付される。また、上記実施の形態と異なる構成要素の説明を主に行い、上記実施の形態と共通の構成要素の説明については、適宜、省略するものとする。
図15A、図15Bは、上記実施の形態のスイッチ素子20の一変形例を表したものである。本変形例では、スイッチ層22は、第1領域22αと第2領域22βとの間で、または、第1層22Aと第2層22Bとの間で、第1領域22αおよび第2領域22β(または、第1層22Aおよび第2層22B)に含まれるカルコゲン元素やその他の成分元素が拡散するのを抑制する拡散抑制層24を有している。拡散抑制層24は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、または、これらから選ばれる少なくとも1種の元素の窒化物を含んで構成されている。
図16A、図16Bは、上記実施の形態および変形例Aのスイッチ素子20の一変形例を表したものである。上記実施の形態および変形例Aでは、スイッチ層22は、第1層22Aおよび第2層22Bが積層された積層構造によって構成されていた。しかし、上記実施の形態および変形例Aにおいて、スイッチ層22が、第1層22Aおよび第2層22Bを含む3つ以上の層が積層された積層構造によって構成されていてもよい。例えば、スイッチ層22が、第1層22Aと第2層22Bとの間に第5層25が挿入された3つの層によって構成されていてもよい。このようにした場合であっても、上記実施の形態と同様、過消去によるメモリ素子30の劣化を抑制し、信頼性の高いメモリ動作を行うことができる。
図17は、上記実施の形態および変形例Aのスイッチ素子20の一変形例を表したものである。上記実施の形態および変形例Aでは、スイッチ層22は、第1層22Aおよび第2層22Bが積層された積層構造によって構成されていた。しかし、上記実施の形態および変形例Aにおいて、スイッチ層22が、第1領域22αと第2領域22βとにおいて、カルコゲン元素の組成比が互いに異なるように構成された単層で構成されていてもよい。ただし、本変形例では、スイッチ層22は、カルコゲン元素の組成比がスイッチ素子20の積層方向において連続的に変化するグラデーション構造となっている。このようにした場合であっても、上記実施の形態と同様、過消去によるメモリ素子30の劣化を抑制し、信頼性の高いメモリ動作を行うことができる。
上記実施の形態および変形例A〜Cでは、メモリ層32は、抵抗変化層32Aおよびイオン源層32Bが積層された積層構造によって構成されていた。しかし、上記実施の形態および変形例A〜Cにおいて、メモリ層32は、そのような構成に限定されるものではなく、例えば、TaOx、HfOxまたはTiOxなどの酸化物を用いた抵抗変化メモリや、GeTeSbなどを用いた相変化メモリ、トンネル磁気抵抗素子を用いたスピントランスファートルク型MRAM(STT−MRAM)、PCM(相変化メモリ)、カーボンナノチューブもしくはグラフェンなどの炭素材料を用いた抵抗変化メモリであってもよい。
上記実施の形態および変形例A〜Dでは、スイッチ素子20とメモリ素子30とが互いに積層されている場合が例示されていた。しかし、上記実施の形態および変形例A〜Dにおいて、スイッチ素子20とメモリ素子30との間に、非線形抵抗素子が挟み込まれていてもよい。また、スイッチ素子20とメモリ素子30が電極を共有せずに、別体で形成されていてもよい。
上記実施の形態および変形例A〜Eにおいて、ワード線WLまたはビット線BLがメモリセルアレイ1の積層方向に延在していてもよい。この場合、各ワード線WLと、各ビット線BLとは、メモリセルアレイ1の積層面内方向において互いに対向することになり、各メモリセル10に含まれるスイッチ素子20およびメモリ素子30は、メモリセルアレイ1の積層面内方向に直列に接続されることになる。
次に、上記実施の形態のメモリセルアレイ1の実施例について、比較例を参照しつつ説明する。
(1)
第1電極と、
前記第1電極に対向配置された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられると共に、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素を含むスイッチ層と
を備え、
前記スイッチ層では、前記第1電極寄りの第1領域と、前記第1領域と比べて前記第2電極寄りの第2領域とにおいて、前記カルコゲン元素の組成比、または、前記カルコゲン元素の種類が互いに異なっている
スイッチ素子。
(2)
前記スイッチ層は、さらに、ホウ素(B)、炭素(C)およびケイ素(Si)から選ばれる少なくとも1種の付随元素をさらに含み、
前記スイッチ層では、前記第1領域と前記第2領域とにおいて、前記付随元素の組成比、または、前記付随元素の種類が互いに異なっている
(1)に記載のスイッチ素子。
(3)
前記スイッチ層は、前記第1電極の電圧が前記第2電極の電圧よりも高くなる第1電圧が前記第1電極および前記第2電極間に印加されたときに、前記第1電圧の絶対値が第1閾値電圧以上に上がることにより低抵抗状態に変化し、前記第1電圧の絶対値が前記第1閾値電圧より低い電圧に下がることにより高抵抗状態に変化するようになっており、
前記スイッチ層は、前記第2電極の電圧が前記第1電極の電圧よりも高くなる第2電圧が前記第1電極および前記第2電極間に印加されたときに、前記第2電圧の絶対値が第2閾値電圧以上に上がることにより低抵抗状態に変化し、前記第2電圧の絶対値が前記第2閾値電圧より低い電圧に下がることにより高抵抗状態に変化するようになっており、
前記スイッチ層では、前記第1閾値電圧の絶対値と前記第2閾値電圧の絶対値とが互いに異なるように、前記第1領域と前記第2領域とにおいて、前記カルコゲン元素の組成比、または、前記カルコゲン元素の種類が互いに異なっている
(1)または(2)に記載のスイッチ素子。
(4)
前記スイッチ層は、前記第1領域と前記第2領域との間で、前記第1領域および前記第2領域に含まれる前記カルコゲン元素が拡散するのを抑制する拡散抑制層を有する
(1)ないし(3)のいずれか1つに記載のスイッチ素子。
(5)
前記拡散抑制層は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、または、これらから選ばれる少なくとも1種の元素の窒化物を含んで構成されている
(4)に記載のスイッチ素子。
(6)
複数のメモリセルを備え、
各前記メモリセルは、メモリ素子および前記メモリ素子に直接接続されたスイッチ素子を含み、
前記スイッチ素子は、
第1電極と、
前記第1電極に対向配置された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられると共に、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素を含むスイッチ層と
を有し、
前記スイッチ層では、前記第1電極寄りの第1領域と、前記第1領域と比べて前記第2電極寄りの第2領域とにおいて、前記カルコゲン元素の組成比、または、前記カルコゲン元素の種類が互いに異なっている
記憶装置。
(7)
前記スイッチ層は、前記メモリセルを低抵抗化する書き込み電圧が前記メモリセルに印加されたときの、前記第1電極および前記第2電極間の第3電圧の絶対値が第3閾値電圧以上に上がることにより低抵抗状態に変化し、前記第3電圧の絶対値が前記第3閾値電圧より低い電圧に下がることにより高抵抗状態に変化するようになっており、
前記スイッチ層は、前記メモリセルを高抵抗化する消去電圧が前記メモリセルに印加されたときの、前記第1電極および前記第2電極間の第4電圧の絶対値が第4閾値電圧以上に上がることにより低抵抗状態に変化し、前記第4電圧の絶対値が前記第4閾値電圧より低い電圧に下がることにより高抵抗状態に変化するようになっており、
前記スイッチ層では、前記第3閾値電圧の絶対値と前記第4閾値電圧の絶対値とが互いに異なるように、前記第1領域と前記第2領域とにおいて、前記カルコゲン元素の組成比、または、前記カルコゲン元素の種類が互いに異なっている
(6)に記載の記憶装置。
(8)
前記スイッチ層では、前記第4閾値電圧の絶対値が前記第3閾値電圧の絶対値よりも大きくなるように、前記第1領域と前記第2領域とにおいて、前記カルコゲン元素の組成比、または、前記カルコゲン元素の種類が互いに異なっている
(7)に記載の記憶装置。
(9)
前記メモリ素子は、双方向抵抗変化メモリである
(6)ないし(8)のいずれか1つに記載の記憶装置。
(10)
前記メモリ素子は、
イオンを供給するイオン源層として、銅(Cu)、テルル(Te)、ジルコニウム(Zr)およびアルミニウム(Al)から選ばれる少なくとも1種の元素を含むカルコゲナイド層と、
抵抗変化層として、アルミニウム(Al)を含む酸化物層と
を有する
(9)に記載の記憶装置。
(11)
前記抵抗変化層が前記イオン源層よりも前記スイッチ素子寄りの位置に設けられており、
前記第1領域および前記第2領域のうち、前記カルコゲン元素の組成比が相対的に小さい方の領域が、前記メモリ素子から離れた位置に配置されている
(9)に記載の記憶装置。
(12)
前記抵抗変化層が前記イオン源層よりも前記スイッチ素子から離れた位置に設けられており、
前記第1領域および前記第2領域のうち、前記カルコゲン元素の組成比が相対的に小さい方の領域が、前記メモリ素子寄りの位置に配置されている
(9)に記載の記憶装置。
(13)
所定の方向に延在する複数の第1配線と、
前記第1配線と交差する方向に延在する複数の第2配線と
をさらに備え、
複数の前記メモリセルは、各前記第1配線と各前記第2配線とが互いに対向する位置に設けられている
(6)ないし(12)のいずれか1つに記載の記憶装置。
Claims (13)
- 第1電極と、
前記第1電極に対向配置された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられると共に、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素を含むスイッチ層と
を備え、
前記スイッチ層では、前記第1電極寄りの第1領域と、前記第1領域と比べて前記第2電極寄りの第2領域とにおいて、前記カルコゲン元素の組成比、または、前記カルコゲン元素の種類が互いに異なっている
スイッチ素子。 - 前記スイッチ層は、さらに、ホウ素(B)、炭素(C)およびケイ素(Si)から選ばれる少なくとも1種の付随元素をさらに含み、
前記スイッチ層では、前記第1領域と前記第2領域とにおいて、前記付随元素の組成比、または、前記付随元素の種類が互いに異なっている
請求項1に記載のスイッチ素子。 - 前記スイッチ層は、前記第1電極の電圧が前記第2電極の電圧よりも高くなる第1電圧が前記第1電極および前記第2電極間に印加されたときに、前記第1電圧の絶対値が第1閾値電圧以上に上がることにより低抵抗状態に変化し、前記第1電圧の絶対値が前記第1閾値電圧より低い電圧に下がることにより高抵抗状態に変化するようになっており、
前記スイッチ層は、前記第2電極の電圧が前記第1電極の電圧よりも高くなる第2電圧が前記第1電極および前記第2電極間に印加されたときに、前記第2電圧の絶対値が第2閾値電圧以上に上がることにより低抵抗状態に変化し、前記第2電圧の絶対値が前記第2閾値電圧より低い電圧に下がることにより高抵抗状態に変化するようになっており、
前記スイッチ層では、前記第1閾値電圧の絶対値と前記第2閾値電圧の絶対値とが互いに異なるように、前記第1領域と前記第2領域とにおいて、前記カルコゲン元素の組成比、または、前記カルコゲン元素の種類が互いに異なっている
請求項1に記載のスイッチ素子。 - 前記スイッチ層は、前記第1領域と前記第2領域との間で、前記第1領域および前記第2領域に含まれる前記カルコゲン元素が拡散するのを抑制する拡散抑制層を有する
請求項1に記載のスイッチ素子。 - 前記拡散抑制層は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、または、これらから選ばれる少なくとも1種の元素の窒化物を含んで構成されている
請求項4に記載のスイッチ素子。 - 複数のメモリセルを備え、
各前記メモリセルは、メモリ素子および前記メモリ素子に直接接続されたスイッチ素子を含み、
前記スイッチ素子は、
第1電極と、
前記第1電極に対向配置された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられると共に、テルル(Te)、セレン(Se)および硫黄(S)から選ばれる少なくとも1種のカルコゲン元素を含むスイッチ層と
を有し、
前記スイッチ層では、前記第1電極寄りの第1領域と、前記第1領域と比べて前記第2電極寄りの第2領域とにおいて、前記カルコゲン元素の組成比、または、前記カルコゲン元素の種類が互いに異なっている
記憶装置。 - 前記スイッチ層は、前記メモリセルを低抵抗化する書き込み電圧が前記メモリセルに印加されたときの、前記第1電極および前記第2電極間の第3電圧の絶対値が第3閾値電圧以上に上がることにより低抵抗状態に変化し、前記第3電圧の絶対値が前記第3閾値電圧より低い電圧に下がることにより高抵抗状態に変化するようになっており、
前記スイッチ層は、前記メモリセルを高抵抗化する消去電圧が前記メモリセルに印加されたときの、前記第1電極および前記第2電極間の第4電圧の絶対値が第4閾値電圧以上に上がることにより低抵抗状態に変化し、前記第4電圧の絶対値が前記第4閾値電圧より低い電圧に下がることにより高抵抗状態に変化するようになっており、
前記スイッチ層では、前記第3閾値電圧の絶対値と前記第4閾値電圧の絶対値とが互いに異なるように、前記第1領域と前記第2領域とにおいて、前記カルコゲン元素の組成比、または、前記カルコゲン元素の種類が互いに異なっている
請求項6に記載の記憶装置。 - 前記スイッチ層では、前記第4閾値電圧の絶対値が前記第3閾値電圧の絶対値よりも大きくなるように、前記第1領域と前記第2領域とにおいて、前記カルコゲン元素の組成比、または、前記カルコゲン元素の種類が互いに異なっている
請求項7に記載の記憶装置。 - 前記メモリ素子は、双方向抵抗変化メモリである
請求項6に記載の記憶装置。 - 前記メモリ素子は、
イオンを供給するイオン源層として、銅(Cu)、テルル(Te)、ジルコニウム(Zr)およびアルミニウム(Al)から選ばれる少なくとも1種の元素を含むカルコゲナイド層と、
抵抗変化層として、アルミニウム(Al)を含む酸化物層と
を有する
請求項9に記載の記憶装置。 - 前記抵抗変化層が前記イオン源層よりも前記スイッチ素子寄りの位置に設けられており、
前記第1領域および前記第2領域のうち、前記カルコゲン元素の組成比が相対的に小さい方の領域が、前記メモリ素子から離れた位置に配置されている
請求項9に記載の記憶装置。 - 前記抵抗変化層が前記イオン源層よりも前記スイッチ素子から離れた位置に設けられており、
前記第1領域および前記第2領域のうち、前記カルコゲン元素の組成比が相対的に小さい方の領域が、前記メモリ素子寄りの位置に配置されている
請求項9に記載の記憶装置。 - 所定の方向に延在する複数の第1配線と、
前記第1配線と交差する方向に延在する複数の第2配線と
をさらに備え、
複数の前記メモリセルは、各前記第1配線と各前記第2配線とが互いに対向する位置に設けられている
請求項6に記載の記憶装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015073053 | 2015-03-31 | ||
JP2015073053 | 2015-03-31 | ||
PCT/JP2016/058389 WO2016158429A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-03-16 | スイッチ素子および記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016158429A1 true JPWO2016158429A1 (ja) | 2018-01-25 |
JP6772124B2 JP6772124B2 (ja) | 2020-10-21 |
Family
ID=57005777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017509542A Active JP6772124B2 (ja) | 2015-03-31 | 2016-03-16 | スイッチ素子および記憶装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10403680B2 (ja) |
JP (1) | JP6772124B2 (ja) |
KR (1) | KR102488896B1 (ja) |
CN (1) | CN107431069B (ja) |
WO (1) | WO2016158429A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018063322A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Intel Corporation | Spacer-based patterning for tight-pitch and low-variability random access memory (ram) bit cells and the resulting structures |
CN107732010B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-07-10 | 华中科技大学 | 一种选通管器件及其制备方法 |
JP2019129239A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 記憶素子および記憶装置 |
US10693060B2 (en) | 2018-04-27 | 2020-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Phase change memory structure and the same |
KR102557911B1 (ko) * | 2018-08-31 | 2023-07-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR102630031B1 (ko) | 2018-10-05 | 2024-01-30 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 |
KR102669148B1 (ko) * | 2018-10-11 | 2024-05-27 | 삼성전자주식회사 | 독출 마진을 증대시키기 위한 저항성 메모리 장치의 동작 방법 |
TWI771597B (zh) * | 2019-02-22 | 2022-07-21 | 日商東芝記憶體股份有限公司 | 半導體儲存裝置 |
JP7255853B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2023-04-11 | ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 | 非線形抵抗素子、スイッチング素子、および非線形抵抗素子の製造方法 |
KR20210001262A (ko) * | 2019-06-27 | 2021-01-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
KR20210032762A (ko) * | 2019-09-17 | 2021-03-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 칼코게나이드 물질, 가변 저항 메모리 장치 및 전자 장치 |
JP2021048258A (ja) * | 2019-09-18 | 2021-03-25 | キオクシア株式会社 | 抵抗変化素子 |
CN110760805B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-02-08 | 成都先锋材料有限公司 | 一种薄膜、镀层、化合物靶材及其制作方法、应用 |
US20220138544A1 (en) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | Applied Materials, Inc. | Crested barrier device enhanced with interface switching modulation |
JP2022112985A (ja) * | 2021-01-22 | 2022-08-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
CN113113534A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-13 | 华为技术有限公司 | 选通材料、选通管器件及存储器 |
US11903333B2 (en) * | 2021-05-27 | 2024-02-13 | Micron Technology, Inc. | Sidewall structures for memory cells in vertical structures |
KR102567759B1 (ko) * | 2021-07-12 | 2023-08-17 | 한양대학교 산학협력단 | 선택 소자 및 이를 이용한 메모리 소자 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006086526A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Ovonyx Inc | オボニック閾値スイッチを有する相変化メモリ |
JP2010531062A (ja) * | 2007-06-22 | 2010-09-16 | オヴォニクス,インコーポレイテッド | 改善動作特性を有する多層カルコゲナイド及び関連デバイス |
JP2012018964A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Sony Corp | 記憶素子およびその駆動方法、並びに記憶装置 |
JP2012104826A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Micron Technology Inc | カルコゲナイド勾配を有するカルコゲナイド含有半導体 |
JP2014033041A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Tokyo Electron Ltd | スイッチ素子およびそれを用いたクロスバー型メモリアレイ |
JP2014530491A (ja) * | 2011-09-14 | 2014-11-17 | インテル・コーポレーション | 抵抗変化メモリ装置用電極 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5780828A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
US6867996B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Single-polarity programmable resistance-variable memory element |
US6990017B1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-24 | Intel Corporation | Accessing phase change memories |
US7190048B2 (en) | 2004-07-19 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device and method of fabrication |
US7326950B2 (en) | 2004-07-19 | 2008-02-05 | Micron Technology, Inc. | Memory device with switching glass layer |
US7272037B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-09-18 | Macronix International Co., Ltd. | Method for programming a multilevel phase change memory device |
US7525117B2 (en) | 2005-08-09 | 2009-04-28 | Ovonyx, Inc. | Chalcogenide devices and materials having reduced germanium or telluruim content |
US7767992B2 (en) | 2005-08-09 | 2010-08-03 | Ovonyx, Inc. | Multi-layer chalcogenide devices |
US20070034850A1 (en) | 2005-08-09 | 2007-02-15 | Ovonyx, Inc. | Chalcogenide devices incorporating chalcogenide materials having reduced germanium or telluruim content |
KR100745761B1 (ko) | 2006-02-07 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 다이오드겸용 저항소자를 구비하는 상변화 램과 그 제조 및동작 방법 |
JPWO2009122569A1 (ja) | 2008-04-01 | 2011-07-28 | 株式会社東芝 | 情報記録再生装置 |
CN101840994B (zh) * | 2009-03-16 | 2016-01-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 相变随机存取存储器及制造方法 |
JP5957375B2 (ja) | 2012-11-30 | 2016-07-27 | 株式会社日立製作所 | 相変化メモリ |
KR102014375B1 (ko) * | 2013-04-05 | 2019-08-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 이를 포함하는 전자 장치 |
JP6613142B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2019-11-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | スイッチ素子および記憶装置 |
-
2016
- 2016-03-16 US US15/559,571 patent/US10403680B2/en active Active
- 2016-03-16 CN CN201680017522.XA patent/CN107431069B/zh active Active
- 2016-03-16 KR KR1020177026221A patent/KR102488896B1/ko active IP Right Grant
- 2016-03-16 JP JP2017509542A patent/JP6772124B2/ja active Active
- 2016-03-16 WO PCT/JP2016/058389 patent/WO2016158429A1/ja active Application Filing
-
2019
- 2019-08-07 US US16/534,062 patent/US10804321B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006086526A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Ovonyx Inc | オボニック閾値スイッチを有する相変化メモリ |
JP2010531062A (ja) * | 2007-06-22 | 2010-09-16 | オヴォニクス,インコーポレイテッド | 改善動作特性を有する多層カルコゲナイド及び関連デバイス |
JP2012018964A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Sony Corp | 記憶素子およびその駆動方法、並びに記憶装置 |
JP2012104826A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Micron Technology Inc | カルコゲナイド勾配を有するカルコゲナイド含有半導体 |
JP2014530491A (ja) * | 2011-09-14 | 2014-11-17 | インテル・コーポレーション | 抵抗変化メモリ装置用電極 |
JP2014033041A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Tokyo Electron Ltd | スイッチ素子およびそれを用いたクロスバー型メモリアレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10804321B2 (en) | 2020-10-13 |
KR102488896B1 (ko) | 2023-01-17 |
WO2016158429A1 (ja) | 2016-10-06 |
US10403680B2 (en) | 2019-09-03 |
CN107431069A (zh) | 2017-12-01 |
CN107431069B (zh) | 2022-03-01 |
US20190363134A1 (en) | 2019-11-28 |
US20180047784A1 (en) | 2018-02-15 |
JP6772124B2 (ja) | 2020-10-21 |
KR20170134381A (ko) | 2017-12-06 |
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|
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