JP2012186296A5 - - Google Patents

Description

本発明の一観点によれば、配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ最外層の絶縁層の表面から露出されるパッドが形成された配線基板であって、前記パッドは、前記最外層の絶縁層の表面から露出される第１金属層と、前記第１金属層に積層された第２金属層と、前記第２金属層と前記配線層との間に形成された第３金属層とからなり、前記第１金属層は、金又は銀から選択される金属、もしくは金及び銀の少なくとも一種を含む合金からなり、前記第２金属層は、パラジウム又はパラジウム合金からなり、前記第３金属層は、銅又は銅合金からなり、前記最外層の絶縁層には、前記パッドを露出させる凹部が形成され、前記凹部の側壁の一部には、前記パッドの一部を覆うように突出された突出部が形成されている。

Claims (8)

1. 配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ最外層の絶縁層の表面から露出されるパッドが形成された配線基板であって、
   前記パッドは、前記最外層の絶縁層の表面から露出される第１金属層と、前記第１金属層に積層された第２金属層と、前記第２金属層と前記配線層との間に形成された第３金属層とからなり、
   前記第１金属層は、金又は銀から選択される金属、もしくは金及び銀の少なくとも一種を含む合金からなり、
   前記第２金属層は、パラジウム又はパラジウム合金からなり、
   前記第３金属層は、銅又は銅合金からなり、
   前記最外層の絶縁層には、前記パッドを露出させる凹部が形成され、
   前記凹部の側壁の一部には、前記パッドの一部を覆うように突出された突出部が形成されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記最外層の絶縁層の表面から露出される、前記第１金属層の第１主面の粗度が、表面粗さＲａ値で０．２１μｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記最外層の絶縁層の表面には、平坦面及び粗化面が形成されるとともに、前記パッドを露出させる凹部が形成され、
   前記平坦面は、前記凹部の側壁近傍の前記表面に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 配線層と絶縁層が積層され、前記配線層に接続され且つ最外層の絶縁層の表面から露出するパッドが形成される配線基板の製造方法であって、
   支持体の第１主面に前記パッドの形状に対応する開口部を有するレジスト層を形成するレジスト形成工程と、
   前記レジスト層の開口部から露出される前記支持体の第１主面に、電解めっきにより、表面が平滑化されためっき層を形成する工程と、
   前記めっき層の表面上に、金又は銀から選択される金属、もしくは金及び銀の少なくとも一種を含む合金からなる第１金属層と、パラジウム又はパラジウム合金からなる第２金属層と、銅又は銅合金からなる第３金属層とを順次積層して前記パッドを形成するパッド形成工程と、
   前記レジスト層を除去する工程と、
   前記めっき層の側壁の一部を除去する工程と、
   前記支持体の第１主面上に、前記パッドを被覆するとともに、前記第１金属層の下に入り込むように前記めっき層の側壁を被覆する第１絶縁層を形成する工程と、
   前記第１絶縁層上に、所要数の前記配線層と前記絶縁層とを交互に積層する工程と、
   前記支持体及び前記めっき層を除去する除去工程と
   を有する配線基板の製造方法。
5. 前記めっき層を形成する工程は、
   前記レジスト層の開口部から露出される前記支持体の第１主面を平滑化する平滑化工程と、
   前記レジスト層の開口部から露出される前記支持体の第１主面に、電解めっきにより、表面が平滑化された前記めっき層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記めっき層を形成する工程では、前記めっき層の表面の粗度が、表面粗さＲａ値で０．２１μｍ未満になるように前記めっき層が形成されることを特徴とする請求項４又は５に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記めっき層の側壁の一部を除去する工程では、前記第３金属層の表面、前記支持体の第１主面及び前記めっき層の側壁に粗化処理を施すことを特徴とする請求項４〜６のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
8. 前記レジスト形成工程前に、前記支持体の第１主面に粗化処理を施す粗化工程を含むことを特徴とする請求項４〜７のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。