JP6131135B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

従来、配線層と絶縁層とが交互に積層され、配線層同士が絶縁層を貫通するビアホールを介して接続された所謂ビルドアップ配線基板が知られている。このようなビルドアップ配線基板は、例えば、支持体上に配線層と絶縁層とを積層後、支持体を除去することにより作製される。

ビルドアップ配線基板の製造工程において、支持体の表面を粗化面とする場合がある。この場合、支持体を除去すると支持体の粗化面が支持体上に形成される絶縁層等に転写される。そのため、支持体を除去後、絶縁層の粗化面上にソルダーレジスト層やアンダーフィル樹脂等を形成する際に、絶縁層とソルダーレジスト層やアンダーフィル樹脂等との密着性を向上できる（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１２−２０９５８０号公報

しかしながら、上記のビルドアップ配線基板の製造工程では、支持体の粗化面が、半導体チップの電極等と接続されるパッドの表面にも転写され、パッドの表面まで粗化されてしまう。そのため、パッドの表面のはんだ濡れ性が悪くなり、ビルドアップ配線基板のパッドと半導体チップの電極等との接続信頼性を十分に確保できない問題があった。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、対象物との接続信頼性を向上可能なパッドを備えた配線基板等を提供することを課題とする。

本配線基板は、第１面に第１凹部が形成された絶縁層と、前記絶縁層の前記第１凹部内に埋設され、前記第１凹部の底面と一方の面が接し、前記第１凹部の内壁面を露出するように前記絶縁層の第１面よりも低い位置に他方の面が露出するパッドと、前記パッドの他方の面周縁部を除く中心部に形成された、底面が平滑面である第２凹部と、前記絶縁層の第１面に設けられ、前記第２凹部を露出する開口部を備えたソルダーレジスト層と、を有し、前記開口部の周縁部の前記ソルダーレジスト層は、前記第１凹部内に延在して前記第１凹部の内壁面及び前記パッドの他方の面周縁部を被覆し、更に前記パッドの他方の面周縁部から前記パッドの中心部に張り出して前記第２凹部の上方に庇状に突起し、前記パッドの前記絶縁層と接する面及び前記パッドの他方の面周縁部は粗化面を有し、前記絶縁層の第１面は粗化面とされており、前記絶縁層の第１面の前記第１凹部の周縁部の粗度は、前記絶縁層の第１面における、前記第１凹部の周縁部の周辺領域の粗度よりも小さいことを要件とする。

開示の技術によれば、対象物との接続信頼性を向上可能なパッドを備えた配線基板等を提供できる。

本実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。 本実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。 本実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。 本実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。 本実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。 本実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

［本実施の形態に係る配線基板の構造］
まず、本実施の形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、本実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。なお、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ部を拡大して例示する部分断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ部を拡大して例示する部分平面図である。又、図１（ｂ）は、図１（ｃ）のＢ−Ｂ線に沿う断面を示している。又、図１（ａ）において、表面処理層２０の図示は省略されている。又、図１（ｃ）において、ソルダーレジスト層１９の図示は省略されている。

図１を参照するに、本実施の形態に係る配線基板１０は、パッド１１と、絶縁層１２と、配線層１３と、絶縁層１４と、配線層１５と、絶縁層１６と、配線層１７と、ソルダーレジスト層１８及び１９と、表面処理層２０と、配線パターン２１とを有する。配線基板１０は、所謂コアレスのビルドアップ配線基板である。

本実施の形態では、便宜上、ソルダーレジスト層１９側を上側又は他方の側、ソルダーレジスト層１８側を下側又は一方の側とする。又、各部位のソルダーレジスト層１９側の面を上面又は他方の面、ソルダーレジスト層１８側の面を下面又は一方の面とする。又、平面視とは対象物を絶縁層１２の上面１２ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層１２の上面１２ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

配線基板１０において、絶縁層１２はパッド１１及び配線パターン２１が形成される層である。但し、絶縁層１２に配線パターン２１を形成せず、パッド１１のみを形成してもよい。絶縁層１２の材料としては、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を主成分とする材料を用いることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

絶縁層１２には、絶縁層１２の上面１２ａ（第１面）から絶縁層１４側に窪んだ第１凹部１２ｙが設けられている。第１凹部１２ｙの断面形状は、上面１２ａ側より底面側（絶縁層１４側）の方が幅の狭いテーパ形状とすることができる。絶縁層１２の第１凹部１２ｙは、例えば、逆円錐台状とすることができる。

絶縁層１２の上面１２ａは粗化面とされており、絶縁層１２の上面１２ａの第１凹部１２ｙの周縁部（図１（ｂ）の領域Ｅ）の粗度は、絶縁層１２の上面１２ａの他の部分（領域Ｅの周辺領域である領域Ｆ）の粗度よりも小さくされている。領域Ｅの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．２μｍ以上０．３μｍ未満程度とすることができ、領域Ｆの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度とすることができる。粗度は、例えば、光干渉式の装置を用いて測定することができる。

言い換えると、本実施の形態における絶縁層１２の上面１２ａは、第１凹部１２ｙの周縁部（領域Ｅ）の粗化面と、第１凹部１２ｙの周縁部の周辺領域（領域Ｆ）の粗化面とからなる２種の粗化面を備えている。又、領域Ｆは、領域Ｅを除く、絶縁層１２の上面１２ａの全面に設けられている。

なお、配線パターン２１の絶縁層１２の上面１２ａの第１凹部１２ｙの周縁部（領域Ｅ）の粗度も絶縁層１２の上面１２ａの他の部分（第１凹部１２ｙの周縁部の周辺領域である領域Ｆ）の粗度よりも小さくされている。

図１（ｃ）を参照するに、絶縁層１２の上面１２ａにおいて、パッド１１及び配線パターン２１を埋設する第１凹部１２ｙの周縁部（領域Ｅ）は、パッド１１を包囲するように設けられていると共に、配線パターン２１に沿って設けられている。

このように、絶縁層１２の上面１２ａを粗化面とすることにより、絶縁層１２の上面１２ａと上面１２ａに形成されるソルダーレジスト層１９との密着性を向上できる。但し、ソルダーレジスト層１９との密着性を考えると粗度は大きい方が好ましいが、領域Ｅにおいて粗度を大きくすると絶縁層１２が薄くなり、絶縁性やクラック防止等の機能が低下するおそれがある。そこで、本実施の形態では、これらの機能を確保するために、領域Ｅの粗度を領域Ｆの粗度よりも小さくし、主に領域Ｆにおいてソルダーレジスト層１９との密着性を確保している。

なお、本実施の形態では、絶縁層１２の上面１２ａを粗化面とし、領域Ｅの粗度を領域Ｆの粗度よりも小さくする例を示した。しかし、主に領域Ｆにおいてソルダーレジスト層１９との密着性を確保できるため、領域Ｅは粗化面とせずに平滑面（Ｒａ＝０．１μｍ以上０．２μｍ未満程度）としてもよい。この場合には、絶縁層１２の上面１２ａにおいて、領域Ｆのみが粗化面となる。

パッド１１は、絶縁層１２の第１凹部１２ｙ内に埋設されている。パッド１１の上面１１ａは、絶縁層１２の上面１２ａに形成された第１凹部１２ｙ内に露出している。具体的には、パッド１１の上面１１ａは、絶縁層１２の上面１２ａよりも低い位置で第１凹部１２ｙ内に露出している。そのため、パッド１１の上面１１ａと絶縁層１２の上面１２ａの間には、第１凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚが設けられている。段差部Ｚの部分の第１凹部１２ｙの内壁面は、領域Ｅと同程度か、それよりも小さい程度の粗度に粗化されている。

パッド１１の平面形状は、例えば、円形状とすることができる。パッド１１の断面形状は、例えば、絶縁層１２の上面１２ａ側より底面側の方が幅が狭いテーパ形状とすることができる。パッド１１は、例えば、逆円錐台状とすることができる。パッド１１の上面周縁部１１ｙを除く、中心部（周縁部１１ｙの内側の領域）には、底面及び内壁面が平滑面である第２凹部１１ｘが形成されている。第２凹部１１ｘの底面（平滑面）の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．１μｍ以上０．２μｍ未満程度とすることができる。第２凹部１１ｘの内壁面（平滑面）は、第２凹部１１ｘの底面と同様の工程により形成される。そのため、第２凹部１１ｘの内壁面の粗度は、凹部１１ｘの底面の粗度と同じ程度とすることができる。説明の便宜上、底面及び内壁面とペアで記す。

パッド１１の材料としては、例えば、銅等を用いることができる。パッド１１の厚さＴは、例えば、１０μｍ程度とすることができる。第２凹部１１ｘのパッド１１の上面周縁部１１ｙからの深さＤ_１は、例えば、１〜２μｍ程度とすることができる。

パッド１１の絶縁層１２と接する面である下面１１ｃ及び側面１１ｂは、粗化面とされている。これによりアンカー効果が生じ、パッド１１と絶縁層１２との密着性を向上できると共に、応力の影響による絶縁層１２と配線層１３との剥離やクラックを防止できる。パッド１１の下面１１ｃの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．２μｍ以上０．３μｍ未満程度とすることができる。パッド１１の側面１１ｂの粗化面は、下面１１ｃと同様の工程により形成される。そのため、パッド１１の側面１１ｂの粗度は、下面１１ｃの粗度と同じ程度とすることができる。説明の便宜上、下面及び側面とペアで記す。

又、パッド１１の上面周縁部１１ｙ（ソルダーレジスト層１９の下面の突起部と接する面）は、粗化面とされている。パッド１１の上面周縁部１１ｙの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．５μｍ以上０．８μｍ未満程度とすることができる。これによりアンカー効果が生じ、パッド１１とソルダーレジスト層１９との密着性を向上できる。

配線パターン２１は、絶縁層１２の第１凹部１２ｙに埋設されている。配線パターン２１の上面２１ａは、絶縁層１２の上面１２ａに形成された第１凹部１２ｙ内に露出している。配線パターン２１の上面２１ａは、パッド１１の上面１１ａと同じ高さとすることができる。配線パターン２１の断面形状は、絶縁層１２の上面１２ａ側より底面側の方が幅の狭いテーパ形状とすることができる。

配線パターン２１もパッド１１と同様の形態とすることができる。具体的には、配線パターン２１の上面２１ａは、絶縁層１２の上面１２ａよりも低い位置で第１凹部１２ｙ内に露出している。そのため、配線パターン２１の上面２１ａと絶縁層１２の上面１２ａの間には、第１凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚが設けられている。段差部Ｚの部分の第１凹部１２ｙの内壁面は、領域Ｅと同程度か、それよりも小さい程度の粗度に粗化されている。配線パターン２１の材料としては、例えば、銅等を用いることができる。配線パターン２１の厚さは、例えば、１０μｍ程度とすることができる。

配線パターン２１の絶縁層１２と接する面である下面２１ｃ及び側面２１ｂは、粗化面とされている。これによりアンカー効果が生じ、配線パターン２１とソルダーレジスト層１９との密着性を向上できる。配線パターン２１の下面２１ｃの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．２μｍ以上０．３μｍ未満程度とすることができる。配線パターン２１の側面２１ｂの粗化面は、下面２１ｃと同様の工程により形成される。そのため、配線パターン２１の側面２１ｂの粗度は、下面２１ｃの粗度と同じ程度とすることができる。説明の便宜上、下面及び側面とペアで記す。又、配線パターン２１の上面２１ａは、粗化面とされている。配線パターン２１の上面２１ａの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．５μｍ以上０．８μｍ未満程度とすることができる。

なお、パッド１１の上面周縁部１１ｙ及び配線パターン２１の上面２１ａの粗度を、絶縁層１２の上面１２ａの領域Ｆの粗度よりも大きくすることにより、パッド１１及び配線パターン２１とソルダーレジスト層１９との密着性を大幅に向上できる。その結果、絶縁層１２の上面１２ａの領域Ｅの粗度を領域Ｆの粗度よりも小さくした点を補うことが可能となり、例えば、開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９が絶縁層１２から剥離することを防止できる等の効果を奏する。

ソルダーレジスト層１９は、絶縁層１２の上面１２ａに設けられている。ソルダーレジスト層１９は、パッド１１の第２凹部１１ｘを露出する開口部１９ｘを備えている。開口部１９ｘの平面形状は、例えば、円形状とすることができる。開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９は、第１凹部１２ｙ内に延在して第１凹部１２ｙの内壁面（段差部Ｚ）及びパッド１１の上面周縁部１１ｙを被覆している。パッド１１の上面周縁部１１ｙを被覆するソルダーレジスト層１９は、更にパッド１１の上面周縁部１１ｙから側方（水平方向。パッド１１の中心方向）に張り出して第２凹部１１ｘの上方に庇状に突起している。ソルダーレジスト層１９の第２凹部１１ｘの上方に庇状に突起している部分の幅Ｗ_１は、例えば、１〜２μｍ程度とすることができる。

なお、図１（ａ）を参照するに、ソルダーレジスト層１９は、第１凹部１２ｙ内に延在して配線パターン２１の上面２１ａを被覆しているが、これに限らない。例えば、配線パターン２１を露出する開口部を備えていてもよい。ソルダーレジスト層１９の材料としては、例えば、感光性のエポキシ系絶縁性樹脂等を用いることができる。ソルダーレジスト層１９の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

このように、ソルダーレジスト層１９がパッド１１の上面周縁部１１ｙを被覆することにより、ソルダーレジスト層１９がパッド１１の上面周縁部１１ｙを被覆しない場合と比べて、半導体チップ等を実装する際の応力によるパッド１１の抜けを防止できる。又、パッド１１を絶縁層１２に埋設し、ソルダーレジスト層１９が第１凹部１２ｙの内壁面を被覆することにより、ソルダーレジスト層１９と絶縁層１２との接触面積が絶縁層１２の内壁面と接する分だけ大きくなるため、よりパッド１１の抜けを防止できる。

又、ソルダーレジスト層１９が第２凹部１１ｘの上方に、パッド１１の中心に向かって庇状に突起していることにより、半導体チップ等を実装する場合に第２凹部１１ｘ内にはんだ等が形成された際に、庇が楔の作用をして、はんだ等の抜けを防止できる。

ソルダーレジスト層１９の開口部１９ｘの底部に露出する第２凹部１１ｘ内には、第２凹部１１ｘの底面及び内壁面を覆う表面処理層２０が、第２凹部１１ｘを充填しないように形成されている。言い換えれば、表面処理層２０は、第２凹部１１ｘの形状に沿って、底面及び内壁面を備えるように形成されている。表面処理層２０としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を形成できる。又、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施して表面処理層２０を形成してもよい。表面処理層２０の厚さは、例えば、０．５〜１μｍ程度とすることができる。

パッド１１の表面処理層２０が形成された部分は、半導体チップ等と電気的に接続することができる。前述のように、第２凹部１１ｘの底面は、粗化面ではなく平滑面である。そのため、第２凹部１１ｘの底面上に形成される表面処理層２０の上面も平滑面となる。又、第２凹部１１ｘの底面が粗化面であると、その影響により表面処理層２０の厚さのばらつきが生じやすいが、本実施の形態では、第２凹部１１ｘの底面が平滑面であるため、表面処理層２０の厚さを均一にできる。

これにより、例えば、表面処理層２０の上にはんだを介して半導体チップの電極を接続する際に、はんだの濡れ性が向上するため、配線基板１０と半導体チップとの接続信頼性を向上できる。

配線層１３は、絶縁層１２の下側に形成されている。配線層１３は、絶縁層１２を貫通しパッド１１の下面を露出するビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２の下面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１２ｘは、絶縁層１４側に開口されている開口部の径がパッド１１の下面１１ｃを露出するように形成された開口部の底面の径よりも大となる円錐台状の凹部とすることができる。言い換えれば、パッド１１の下面１１ｃと接続されるビア配線の断面形状は、絶縁層１２の上面１２ａ側より上面１２ａとは反対面側の方が幅の広いテーパ形状とすることができる。

配線層１３は、ビアホール１２ｘの底部に露出したパッド１１と電気的に接続されている。配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１３を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。なお、配線層１３のビア配線と接続されていないパッド１１が存在してもよいし、配線層１３のビア配線と接続されている配線パターン２１が存在してもよい。

絶縁層１４は、絶縁層１２の下面に、配線層１３を覆うように形成されている。絶縁層１４の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１４は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

配線層１５は、絶縁層１４の下側に形成されている。配線層１５は、絶縁層１４を貫通し配線層１３の下面を露出するビアホール１４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１４の下面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１４ｘは、絶縁層１６側に開口されている開口部の径が配線層１３の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる円錐台状の凹部とすることができる。

配線層１５は、ビアホール１４ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続されている。配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

絶縁層１６は、絶縁層１４の下面に、配線層１５を覆うように形成されている。絶縁層１６の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１６の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

配線層１７は、絶縁層１６の下側に形成されている。配線層１７は、絶縁層１６を貫通し配線層１５の下面を露出するビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６の下面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１６ｘは、ソルダーレジスト層１８側に開口されている開口部の径が配線層１５の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大となる円錐台状の凹部とすることができる。

配線層１７は、ビアホール１６ｘの底部に露出した配線層１５と電気的に接続されている。配線層１７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

ソルダーレジスト層１８は、絶縁層１６の下面に、配線層１７を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層１８は開口部１８ｘを有し、開口部１８ｘの底部には配線層１７の一部が露出している。開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７は、他の配線基板や半導体パッケージ等と電気的に接続されるパッドとして機能する。ソルダーレジスト層１８の材料としては、例えば、感光性のエポキシ系絶縁性樹脂等を用いることができる。ソルダーレジスト層１８の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

必要に応じ、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の下面に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、前述の通り、表面処理層２０と同様の構成を用いることができる。又、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の下面に、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。

なお、配線基板１０において、配線層１７を構成する配線パターンを絶縁層１６の下面に引き出して形成し、絶縁層１６の下面に引き出された配線パターンをソルダーレジスト層１８の開口部１８ｘから露出させ、パッドとして機能させてもよい。つまり、配線層１７のビアホール１６ｘ以外の部分をパッドとして機能させてもよい。

［本実施の形態に係る配線基板の製造方法］
次に、本実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２〜図６は、本実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。本実施の形態では、支持体上に複数の配線基板となる部分を作製し支持体を除去後、個片化して各配線基板とする工程の例を示すが、支持体上に１個ずつ配線基板を作製し支持体を除去する工程としてもよい。

まず、図２（ａ）に示す工程では、一方の面が平滑面である支持体３００を準備し、支持体３００の一方の面を粗化面とする。支持体３００の一方の面の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度とすることができる。そして、支持体３００の一方の面（粗化面）に、パッド１１形成部及び配線パターン２１形成部に開口部３２０ｘを備えたレジスト層３２０を形成する。

支持体３００としては、シリコン板、ガラス板、金属板、金属箔等を用いることができるが、本実施の形態では、支持体３００として銅箔を用いる。後述する図２（ｃ）や図３（ａ）に示す工程等において電解めっきを行う際の給電層として利用でき、後述する図５（ｂ）に示す工程において容易にエッチングで除去可能だからである。支持体３００の厚さは、例えば３５〜１００μｍ程度とすることができる。支持体３００の一方の面は、例えば、蟻酸や酢酸系のエッチング液により粗化できる。但し、支持体３００の一方の面の粗化方法は、これには限定されず、ブラスト処理等の各種方法を用いることができる。

レジスト層３２０を形成するには、支持体３００の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなる液状又はペースト状のレジストを塗布する。或いは、支持体３００の一方の面に、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等を含む感光性樹脂組成物からなるフィルム状のレジスト（例えば、ドライフィルムレジスト等）をラミネートする。

そして、塗布又はラミネートしたレジストを露光及び現像することで開口部３２０ｘを形成する。これにより、支持体３００の一方の面に開口部３２０ｘを備えたレジスト層３２０が形成される。なお、予め開口部３２０ｘを形成したフィルム状のレジストを支持体３００の一方の面にラミネートしても構わない。パッド１１形成部の開口部３２０ｘの平面形状は、例えば円形とすることができる。

次に、図２（ｂ）に示す工程では、開口部３２０ｘ内に露出する支持体３００の一部を除去し、凹部３００ｘを形成する。銅箔である支持体３００は、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。エッチングは垂直方向のみならず水平方向にも進行するため、凹部３００ｘの内壁面は、開口部３２０ｘ内からレジスト層３２０に覆われている部分に食い込んで形成される。

つまり、平面形状が開口部３２０ｘの外周側に拡大された凹部３００ｘが形成される。例えば、開口部３２０ｘの平面形状が円形であれば、開口部３２０ｘよりも拡径された平面形状が円形の凹部３００ｘが形成される。なお、エッチングは垂直方向と水平方向に同程度に進行するため、凹部３００ｘの内壁面がレジスト層３２０に食い込む部分の幅Ｗ_２は、凹部３００ｘの深さＤ_２と同程度となる。幅Ｗ_２及び深さＤ_２は、例えば、２μｍ程度とすることができる。又、幅Ｗ_２は、図１を参照するに、領域Ｅに位置づけされる。

次に、図２（ｃ）に示す工程では、支持体３００をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、凹部３００ｘを充填する金属層３３０（バリア層）を形成する。金属層３３０の一方の面（凹部３００ｘから露出する面）は、支持体３００の一方の面と略面一とすることができる。金属層３３０の材料としては、後工程でエッチングにより支持体３００を除去する際に、同時に除去されない材料を用いることができる。本実施の形態では、支持体３００として銅箔を用いているので、金属層３３０は、例えば、銅のエッチング液では除去されないニッケル（Ｎｉ）を用いることができる。金属層３３０の厚さは、例えば、２μｍ程度とすることができる。

具体的には、例えば、硫酸ニッケル、ホウ酸、塩化ニッケル等を混合しためっき液を用いた電解めっき法により金属層３３０（ニッケル層）を形成できる。この場合、使用するめっき液の組成や電流密度を適切に調整することにより、電解めっき法で形成された金属層３３０（ニッケル層）の一方の面は粗化され、微細な凹凸形状が形成される。金属層３３０の一方の面の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．２μｍ以上０．３μｍ未満程度とすることができる。なお、本実施の形態では、金属層３３０（ニッケル層）の一方の面の粗度が支持体３００の一方の面の粗度よりも小さくなるように、金属層３３０（ニッケル層）を形成するめっき液の組成や電流密度を調整する。

次に、図３（ａ）に示す工程では、支持体３００をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、凹部３００ｘを充填する金属層３３０上から開口部３２０ｘ内に延在するパッド１１及び配線パターン２１を形成する。すなわち、開口部３２０ｘ内に露出する金属層３３０の一方の面に、パッド１１及び配線パターン２１を積層する。パッド１１及び配線パターン２１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。パッド１１及び配線パターン２１の厚さは、例えば、数１０μｍ程度とすることができる。

次に、図３（ｂ）に示す工程では、レジスト層３２０を除去する。これにより、支持体３００の一方の面、金属層３３０の一方の面、パッド１１の一方の面１１ｃ及び側面１１ｂ、配線パターン２１の一方の面２１ｃ及び側面２１ｂが露出する。なお、金属層３３０は、パッド１１及び配線パターン２１の周縁部（外周）に位置する一部の面（幅Ｗ_２）が露出する。

次に、図３（ｃ）に示す工程では、支持体３００から露出する面であるパッド１１の一方の面１１ｃ及び側面１１ｂ、配線パターン２１の一方の面２１ｃ及び側面２１ｂをエッチングして粗化面とする。パッド１１の一方の面１１ｃ及び配線パターン２１の一方の面２１ｃの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．２μｍ以上０．３μｍ未満程度とすることができる。パッド１１の側面１１ｂ及び配線パターン２１の側面２１ｂの粗度は、パッド１１の一方の面１１ｃ及び配線パターン２１の一方の面２１ｃの粗度と同じ程度とすることができる。

粗化には、例えば、蟻酸や酢酸系のエッチング液を用いることができる。なお、エッチングにより、パッド１１の一方の面１１ｃ及び側面１１ｂの一部、配線パターン２１の一方の面２１ｃ及び側面２１ｂの一部が除去され、パッド１１及び配線パターン２１の側面１１ｂ及び２１ｂは傾斜面となる。例えば、エッチング前にパッド１１の形状が円柱状であれば、パッド１１はエッチング後には円錐台状となる。

又、パッド１１及び配線パターン２１をエッチングして粗化面とする際、支持体３００の一方の面もエッチングされる。そのため、支持体３００の一方の面の粗度は、更に大きくなる。一方で、金属層３３０（ニッケル層）は、パッド１１や配線パターン２１、支持体３００よりエッチングされない。そのため、支持体３００の粗度と金属層３３０の粗度との差が更に大きくなる。

次に、図４（ａ）に示す工程では、支持体３００の一方の面にパッド１１及び配線パターン２１の一部（パッド１１の一方の面１１ｃ及び側面１１ｂ、配線パターン２１の一方の面２１ｃ及び側面２１ｂ）を被覆する絶縁層１２を形成する。この時、絶縁層１２の他方の面１２ａに、パッド１１又は配線パターン２１の形状に沿って第１凹部１２ｙが形成される。絶縁層１２の材料としては、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を主成分とする材料を用いることができる。絶縁層１２は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１２の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有するフィルム状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を用いた場合には、パッド１１及び配線パターン２１を覆うように支持体３００の一方の面にフィルム状の絶縁性樹脂を半硬化状態でラミネートする。そして、ラミネートした絶縁性樹脂を押圧しつつ、硬化温度以上に加熱して硬化させる。なお、絶縁性樹脂を真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを防止できる。

絶縁層１２の材料として、例えば熱硬化性を有する液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を用いた場合には、以下のようにする。すなわち、パッド１１及び配線パターン２１を覆うように支持体３００の一方の面に液状又はペースト状の絶縁性樹脂を例えばスピンコート法等により塗布する。そして、塗布した絶縁性樹脂を硬化温度以上に加熱して硬化させる。

次に、図４（ｂ）に示す工程では、絶縁層１２に、絶縁層１２を貫通しパッド１１の一方の面１１ｃを露出させるビアホール１２ｘを形成する。ビアホール１２ｘは、例えばＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。レーザ加工法により形成したビアホール１２ｘは、絶縁層１４が形成される側に開口されている開口部の径がパッド１１の一方の面１１ｃによって形成された開口部の底面の径よりも大となる逆円錐台状の凹部となる。

なお、他のビアホールもレーザ加工法により形成すると同様の形状となる。ビアホール１２ｘをレーザ加工法により形成した場合には、デスミア処理を行い、ビアホール１２ｘの底部に露出するパッド１１の一方の面１１ｃに付着した絶縁層１２の樹脂残渣を除去することが好ましい。

次に、図４（ｃ）に示す工程では、絶縁層１２上に配線層１３を形成する。配線層１３は、ビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層１３は、ビアホール１２ｘの底部に露出したパッド１１と電気的に接続される。配線層１３の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１３は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できる。

次に、図５（ａ）に示す工程では、上記と同様な工程を繰り返すことにより、絶縁層１２の一方の側に、絶縁層１４、配線層１５、絶縁層１６、配線層１７、及びソルダーレジスト層１８を積層する。すなわち、絶縁層１２の一方の面に配線層１３を被覆する絶縁層１４を形成した後に、絶縁層１４を貫通し配線層１３の一方の面を露出するビアホール１４ｘを形成する。絶縁層１４の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１４は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１４の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

更に、絶縁層１４の一方の側に、ビアホール１４ｘを介して配線層１３に接続される配線層１５を形成する。配線層１５は、ビアホール１４ｘ内を充填するビア配線、及び絶縁層１４の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線層１５は、ビアホール１４ｘの底部に露出した配線層１３と電気的に接続される。配線層１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１５は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層１５を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

更に、絶縁層１４の一方の面に配線層１５を被覆する絶縁層１６を形成した後、絶縁層１６を貫通し配線層１５の一方の面を露出するビアホール１６ｘを形成する。絶縁層１６の材料としては、絶縁層１２と同様の絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１６は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層１６の厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。

更に、絶縁層１６の一方の側に、ビアホール１６ｘを介して配線層１５に接続される配線層１７を形成する。配線層１７は、ビアホール１６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１６の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。配線層１７は、ビアホール１６ｘの底部に露出した配線層１５と電気的に接続される。配線層１７の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層１７は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層１７を構成する配線パターンの厚さは、例えば１０〜２０μｍ程度とすることができる。

このようにして、支持体３００の一方の面に所定のビルドアップ配線層が形成される。本実施の形態では、３層のビルドアップ配線層（配線層１３、配線層１５、及び配線層１７）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。

次に、絶縁層１６の一方の面に配線層１７を被覆するソルダーレジスト層１８を形成する。ソルダーレジスト層１８は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６の一方の面にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。或いは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６の一方の面にラミネートすることにより形成してもよい。

そして、塗布又はラミネートした絶縁性樹脂を露光及び現像することで開口部１８ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。これにより、開口部１８ｘを有するソルダーレジスト層１８が形成される。なお、予め開口部１８ｘを形成したフィルム状の絶縁性樹脂を、配線層１７を被覆するように絶縁層１６の一方の面にラミネートしても構わない。又、ソルダーレジスト層１８の材料として、非感光性の絶縁性樹脂を用いてもよい。この場合には、絶縁層１６の一方の面にソルダーレジスト層１８を形成して硬化させた後、例えばＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法や、アルミナ砥粒等の研磨剤を用いたブラスト処理により開口部１８ｘを形成できる。

配線層１７の一部が開口部１８ｘ内に露出する。開口部１８ｘ内に露出する配線層１７は、他の配線基板や半導体パッケージ等と電気的に接続されるパッドとして機能する。

必要に応じ、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の一方の面に、例えば無電解めっき法等により金属層を形成してもよい。金属層の例としては、前述の通りである。又、開口部１８ｘの底部に露出する配線層１７の一方の面に、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施してもよい。

次に、図５（ｂ）に示す工程では、図５（ａ）に示す支持体３００を除去する。これにより、絶縁層１２の他方の面１２ａから金属層３３０が露出（突出）する。絶縁層１２の他方の面１２ａの領域Ｆには、支持体３００の粗化面が転写される。領域Ｆの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．３μｍ以上０．５μｍ未満程度とすることができる。銅箔である支持体３００は、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。金属層３３０の材料として、銅のエッチング液では除去されない金属（ニッケル（Ｎｉ）等）を用いているため、銅箔である支持体３００のみを金属層３３０に対して選択的にエッチングで除去できる。すなわち、金属層３３０は、エッチング停止層（バリア層）として機能する。

次に、図５（ｃ）に示す工程では、図５（ｂ）に示す金属層３３０を除去する。これにより、絶縁層１２の他方の面１２ａからパッド１１及び配線パターン２１の他方の面１１ａ，２１ａが露出する。パッド１１及び配線パターン２１の一方の面１１ａ，２１ａには、金属層３３０の粗化面が転写される。又、絶縁層１２の他方の面１２ａの領域Ｅには、金属層３３０の粗化面が転写される。パッド１１及び配線パターン２１の一方の面１１ａ，２１ａの粗度、及び領域Ｅの粗度は、例えば、Ｒａ＝０．２μｍ以上０．３μｍ未満程度とすることができる。絶縁層１２の他方の面１２ａとパッド１１及び配線パターン２１の他方の面１１ａ，２１ａとは、同じ高さとすることができる。

前述の工程から、本実施の形態では、パッド１１及び配線パターン２１の周縁部（外周）に露出した金属層３３０の面の粗度が支持体３００の一方の面の粗度よりも小さくなる。そのため、絶縁層１２の他方の面１２ａのパッド１１及び配線パターン２１の周縁部の領域Ｅの粗度は、絶縁層１２の他方の面１２ａの他の部分の領域Ｆの粗度よりも小さくなる。

金属層３３０が、例えば、ニッケル（Ｎｉ）である場合には、例えば、過酸化水素・硝酸系の溶液（過酸化水素及び硝酸を含む溶液）を用いたウェットエッチングにより除去できる。パッド１１及び配線パターン２１の材料として、ニッケル（Ｎｉ）のエッチング液では除去されない金属（銅（Ｃｕ）等）を用いているため、ニッケル（Ｎｉ）である金属層３３０のみをパッド１１及び配線パターン２１に対して選択的にエッチングで除去できる。すなわち、パッド１１及び配線パターン２１は、エッチング停止層として機能する。

次に、図６（ａ）に示す工程では、絶縁層１２から露出するパッド１１の一部を除去して絶縁層１２に絶縁層１２の第１凹部１２ｙの内壁面を露出させた段差部Ｚを形成すると共に、パッド１１の他方の面（上面）を粗化面とする。同時に、絶縁層１２から露出する配線パターン２１の一部を除去して絶縁層１２に絶縁層１２の第１凹部１２ｙの内壁面を露出させた段差部Ｚを形成すると共に、配線パターン２１の他方の面（上面）を粗化面とする。

例えば、パッド１１の上面１１ａは、絶縁層１２の上面１２ａよりも低い位置で第１凹部１２ｙ内に露出するようにエッチングされる。そのため、パッド１１の上面１１ａと絶縁層１２の上面１２ａの間には、第１凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚが設けられる。又、配線パターン２１も同様に、配線パターン２１の上面２１ａは、絶縁層１２の上面１２ａよりも低い位置で第１凹部１２ｙ内に露出するようにエッチングされる。そのため、配線パターン２１の上面２１ａと絶縁層１２の上面１２ａの間には、第１凹部１２ｙの内壁面が露出する段差部Ｚが設けられる。

パッド１１及び配線パターン２１の他方の面（上面）の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．５μｍ以上０．８μｍ未満程度とすることができる。なお、段差部Ｚの部分の第１凹部１２ｙの内壁面も、領域Ｅと同程度か、それよりも小さい程度の粗度に粗化される。

段差部Ｚの形成及び、パッド１１又は配線パターン２１の上面の粗化には、例えば、蟻酸や酢酸系のエッチング液を用いることができる。パッド１１を露出する第１凹部１２ｙは、パッド１１及び配線パターン２１の形状に沿った、例えば、逆円錐台状とすることができる。段差部Ｚの深さは、例えば、２μｍ程度とすることができる。なお、図６は、図２〜図５とは上下が反転した状態で描かれている。

次に、図６（ｂ）に示す工程では、絶縁層１２の他方の面（上面）１２ａに、パッド１１の一部を露出する開口部１９ｘを備えたソルダーレジスト層１９を形成する。具体的には、開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９が、第１凹部１２ｙ内に延在して第１凹部１２ｙの内壁面（段差部Ｚ）及びパッド１１の上面周縁部１１ｙを被覆するようにソルダーレジスト層１９及び開口部１９ｘを形成する。ソルダーレジスト層１９及び開口部１９ｘは、例えば、ソルダーレジスト層１８及び開口部１８ｘと同様な方法により形成できる。

次に、図６（ｃ）に示す工程では、表面処理層２０を形成する前処理として、パッド１１に第２凹部１１ｘを形成する。具体的には、ソルダーレジスト層１９の開口部１９ｘ内に露出するパッド１１の一部を除去し、底面が平滑面である第２凹部１１ｘを形成する。そして、開口部１９ｘの周縁部のソルダーレジスト層１９をパッド１１の上面周縁部１１ｙから側方（パッド１１の中心方向）に張り出させて第２凹部１１ｘの上方に庇状に突起させる。

この工程では、第２凹部１１ｘ内が粗化面とならないようなエッチング液を選択するため、第２凹部１１ｘの底面及び内壁面は粗化面とはならず、平滑面となる。第２凹部１１ｘの底面（平滑面）の粗度は、例えば、Ｒａ＝０．１μｍ以上０．２μｍ未満程度とすることができる。第２凹部１１ｘの内壁面（平滑面）の粗度は、凹部１１ｘの底面の粗度と同じ程度とすることができる。パッド１１が銅である場合には、例えば、塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等のエッチング液を選択できる。エッチングは垂直方向のみならず水平方向にも進行するため、第２凹部１１ｘの内壁面は、開口部１９ｘ内からソルダーレジスト層１９に覆われている部分に食い込んで形成される。

つまり、平面形状が開口部１９ｘの外周側に拡大された第２凹部１１ｘが形成される。例えば、開口部１９ｘの平面形状が円形であれば、開口部１９ｘよりも拡径された平面形状が円形の第２凹部１１ｘが形成される。なお、エッチングは垂直方向と水平方向に同程度に進行するため、第２凹部１１ｘの内壁面がソルダーレジスト層１９に食い込む部分の幅は、第２凹部１１ｘの深さと同程度となり、例えば、各々２μｍ程度とすることができる。

図６（ｃ）に示す工程の後、第２凹部１１ｘの底面及び内壁面に表面処理層２０を形成し、その後ダイシング等により切断位置Ｃで切断して個片化することにより、複数の配線基板１０（図１参照）が完成する。表面処理層２０としては、例えば、無電解めっき法等により、前述の金属層を形成できる。又、ＯＳＰ処理等の酸化防止処理を施して表面処理層２０を形成してもよい。

このように、本実施の形態に係る配線基板１０では、第２凹部１１ｘの底面が平滑面であるため、第２凹部１１ｘの底面上に形成される表面処理層２０の上面が平滑面となり、かつ、表面処理層２０の厚さを均一にできる。これにより、例えば、表面処理層２０の上に、はんだを介して半導体チップの電極を接続する際に、はんだの濡れ性が向上するため、配線基板１０と半導体チップとの接続信頼性を向上できる。

又、パッド１１及び配線パターン２１の絶縁層１２と接する面（下面１１ｃ、２１ｃ及び側面１１ｂ、２１ｂ）を粗化面としているため、アンカー効果が生じる。これにより、パッド１１及び配線パターン２１と絶縁層１２との密着性を向上できると共に、応力の影響による絶縁層１２と配線層１３との剥離やクラックを防止できる。

又、パッド１１の上面周縁部１１ｙを粗化面としているため、アンカー効果が生じ、パッド１１とソルダーレジスト層１９との密着性を向上できる。

又、ソルダーレジスト層１９がパッド１１の上面周縁部１１ｙを被覆しているため、半導体チップ等を実装する際の応力によるパッド１１の抜けを防止できる。又、ソルダーレジスト層１９が第１凹部１２ｙの内壁面（段差部Ｚ）を被覆しているため、ソルダーレジスト層１９と絶縁層１２との接触面積を大きくでき、よりパッド１１の抜けを防止できる。

又、ソルダーレジスト層１９が第２凹部１１ｘの上方に、パッド１１の中心に向かって庇状に突起していることにより、半導体チップ等を実装する場合に第２凹部１１ｘ内にはんだ等が形成された際に、庇が楔の作用をして、はんだ等の抜けを防止できる。

又、絶縁層１２の上面１２ａの第１凹部１２ｙの周縁部（領域Ｅ）の粗度を絶縁層１２の上面１２ａの他の部分（領域Ｆ）の粗度よりも小さくし、主に領域Ｆにおいてソルダーレジスト層１９との密着性を確保している。そのため、領域Ｅの粗度を大きくすることに起因する絶縁層１２の薄化を回避可能となり、第１凹部１２ｙの周縁部（領域Ｅ）の絶縁性やクラック防止等の機能を確保できる。

又、配線基板１０の両面にソルダーレジスト層１８及び１９が形成されているため、配線基板１０の片面のみにソルダーレジスト層が形成されている従来のビルドアップ基板よりも剛性を向上できる。その結果、絶縁層と配線層との境界における剥離やクラック等の発生を防止できる。

又、配線基板１０の両面にソルダーレジスト層１８及び１９が形成されているため、配線基板１０の上下方向（厚さ方向）の熱膨張係数のバランスが向上し、熱履歴に起因する配線基板１０の反りを低減できる。

以上、好ましい実施の形態について詳説した。しかし、上述した実施の形態
に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

１０ 配線基板
１１ パッド
１１ａ、１２ａ、２１ａ 上面（他方の面）
１１ｂ、２１ｂ 側面
１１ｃ、２１ｃ 下面（一方の面）
１１ｘ 第２凹部
１１ｙ 周縁部
１２、１４、１６ 絶縁層
１２ｘ、１４ｘ、１６ｘ ビアホール
１２ｙ 第１凹部
１３、１５、１７ 配線層
１８、１９ ソルダーレジスト層
１８ｘ、１９ｘ、３２０ｘ 開口部
２０ 表面処理層
２１ 配線パターン
３００ 支持体
３００ｘ 凹部
３２０ レジスト層
３３０ 金属層
Ｚ 段差部

Claims (5)

1. 第１面に第１凹部が形成された絶縁層と、
   前記絶縁層の前記第１凹部内に埋設され、前記第１凹部の底面と一方の面が接し、前記第１凹部の内壁面を露出するように前記絶縁層の第１面よりも低い位置に他方の面が露出するパッドと、
   前記パッドの他方の面周縁部を除く中心部に形成された、底面が平滑面である第２凹部と、
   前記絶縁層の第１面に設けられ、前記第２凹部を露出する開口部を備えたソルダーレジスト層と、を有し、
   前記開口部の周縁部の前記ソルダーレジスト層は、前記第１凹部内に延在して前記第１凹部の内壁面及び前記パッドの他方の面周縁部を被覆し、更に前記パッドの他方の面周縁部から前記パッドの中心部に張り出して前記第２凹部の上方に庇状に突起し、
   前記パッドの前記絶縁層と接する面及び前記パッドの他方の面周縁部は粗化面を有し、
   前記絶縁層の第１面は粗化面とされており、前記絶縁層の第１面の前記第１凹部の周縁部の粗度は、前記絶縁層の第１面における、前記第１凹部の周縁部の周辺領域の粗度よりも小さい配線基板。
2. 前記第１凹部の周縁部の粗化面は、前記パッドを包囲するように設けられている請求項１記載の配線基板。
3. 前記第２凹部の底面及び内壁面を覆う表面処理層が、前記第２凹部を充填しないように形成されている請求項１又は２記載の配線基板。
4. 前記パッドの断面形状は、前記絶縁層の第１面側より底面側の方が幅が狭いテーパ形状である請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
5. 支持体の一方の面を粗化面とする工程と、
   前記支持体の一方の面に、開口部を備えたレジスト層を形成する工程と、
   前記レジスト層の開口部内に露出する前記支持体の一部を除去し、平面形状が前記レジスト層の開口部の外周側に拡大された凹部を形成する工程と、
   前記凹部を充填し、前記凹部から露出する面に前記支持体の一方の面の粗度よりも粗度の小さい粗化面を有する金属層を形成する工程と、
   前記金属層上から前記開口部内に延在するパッドを形成する工程と、
   前記レジスト層を除去する工程と、
   前記支持体の一方の面と、前記支持体の一方の面から露出する前記金属層の一方の面並びに前記パッドの一方の面及び側面を粗化面とする工程と、
   前記支持体の一方の面、前記金属層及び前記パッドの粗化面を被覆し、前記パッドを埋設する第１凹部を有する絶縁層を形成する工程と、
   前記支持体を前記金属層に対して選択的に除去し、前記絶縁層の第１面における前記金属層の周辺領域に前記支持体の粗化面が転写される工程と、
   前記金属層を前記パッドに対して選択的に除去し、前記絶縁層の第１面における前記パッドの他方の面周縁部に前記金属層の粗化面が転写される工程と、
   前記絶縁層の第１面から露出する前記パッドの一部を除去して前記絶縁層の第１凹部の内壁面を露出すると共に、前記パッドの他方の面を粗化面とする工程と、
   前記絶縁層の第１面に前記パッドの他方の面の一部を露出する開口部を備えたソルダーレジスト層を、前記開口部の周縁部の前記ソルダーレジスト層が、前記第１凹部内に延在して前記第１凹部の内壁面及び前記パッドの他方の面周縁部を被覆するように形成する工程と、
   前記ソルダーレジスト層の開口部内に露出する前記パッドの一部を除去して底面が平滑面である第２凹部を形成し、前記開口部の周縁部の前記ソルダーレジスト層を前記パッドの他方の面周縁部から前記パッドの中心部に張り出させて前記第２凹部の上方に庇状に突起させる工程と、を有し、
   前記絶縁層の第１面において、前記パッドの周縁部の粗度は、前記パッドの周縁部の周辺領域の粗度よりも小さい配線基板の製造方法。

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