JP2021111674A - 配線体、タッチセンサ、及び実装基板 - Google Patents

Abstract

【課題】導電体による反射光に関する改善を図ることができる、配線体、タッチセンサ、及び実装基板を提供する。【解決手段】タッチセンサにおいて、配線体１は、導電体２と、絶縁体３と、を備える。導電体２は、その少なくとも一部が絶縁体３の表面３０において埋め込まれるように配置される。導電体２は、絶縁体３と接触する接触部位２０とは反対側の面２０２の、中央部２００に凹部Ｖ１を有する。タッチセンサは、操作体のタッチを検知可能である。タッチセンサは、上記の配線体１を備える。導電体２は、タッチを検知するセンサ電極及びセンサ電極と電気的に接続されて電気信号を外部に出力する配線のうちの、少なくとも一方を構成する。【選択図】図２

Description

本開示は、一般に、配線体、タッチセンサ、及び実装基板に関する。より詳細には、本開示は、導電体を備える配線体、当該配線体を備えるタッチセンサ、及び当該配線体を備える実装基板に関する。

特許文献１には、小さな線幅の導線を精度良く形成することができ、かつ導線が倒れたり剥がれたりするリスクを低くすることができる、タッチパネルセンサが記載されている。このタッチパネルセンサは、透光性を有する支持体と、支持体に設けられた導線とを備えている。導線は、導電性材料からなる導電層を少なくとも含んでいる。導線の導体層は、支持体の凹部内に設けられている。

特開２０１５−１３８２８６号公報

ところで、特許文献１における導電層が設けられた支持体（配線体）においては、導電層で光が反射する可能性があり、より低反射化が望まれる場合がある。

本開示は上記事由に鑑みてなされ、導電体による反射光に関する改善を図ることができる、配線体、タッチセンサ、及び実装基板を提供することを目的とする。

本開示の一態様の配線体は、導電体と、絶縁体と、を備える。前記導電体は、その少なくとも一部が前記絶縁体の表面において埋め込まれるように配置される。前記導電体は、前記絶縁体と接触する接触部位とは反対側の面の、中央部に凹部を有する。

本開示の一態様のタッチセンサは、操作体のタッチを検知可能である。前記タッチセンサは、上記の配線体を備える。前記導電体は、前記タッチを検知するセンサ電極、及び前記センサ電極と電気的に接続されて電気信号を外部に出力する配線のうちの、少なくとも一方を構成する。

本開示の一態様の実装基板は、少なくとも１つの回路部品が実装される。前記実装基板は、上記の配線体を備える。前記導電体は、前記回路部品が電気的に接続される導体パターンを構成する。

本開示によれば、導電体による反射光に関する改善を図ることができる、という利点がある。

図１Ａは、一実施形態に係る配線体を備えるタッチセンサの模式的な外観図である。図１Ｂは、同上のタッチセンサが車載用に適用された外観図である。 図２Ａは、同上の配線体の要部断面図である。図２Ｂは、同上の配線体における凹部に、第２導電層を形成した場合における要部断面図である。図２Ｃは、同上の配線体における導電体の表面の一部に黒化層を形成した場合における要部断面図である。図２Ｄは、同上の配線体の表面に別の絶縁体を形成した場合における要部断面図である。 図３は、同上の配線体の製造方法を説明するための図である。 図４Ａは、同上の配線体を備えるタッチセンサが一体化された有機ＥＬディスプレイの要部の模式図である。図４Ｂは、有機ＥＬディスプレイにおけるタッチセンサ及びその周辺の模式図である。 図５Ａは、同上の配線体を備えるタッチセンサが一体化された液晶ディスプレイの要部の模式図である。図５Ｂは、液晶ディスプレイにおけるタッチセンサ及びその周辺の模式図である。図５Ｃは、液晶ディスプレイの別の例におけるタッチセンサ及びその周辺の模式図である。 図６は、同上の配線体を備える実装基板の拡大図である。 図７Ａは、同上の配線体における変形例１の要部断面図である。図７Ｂは、同上の配線体の表面に別の絶縁体を形成した場合における、要部断面図である。図７Ｃは、同上の配線体の別例における要部断面図である。図７Ｄは、同上の配線体の更に別例における要部断面図である。 図８は、同上の変形例１の製造方法を説明するための図である。 図９Ａは、同上の配線体における変形例２を製造するために用いられるパターン版の要部断面図である。図９Ｂは、そのパターン版の別例の要部断面図である。 図１０は、同上の変形例２の配線体の製造方法である。 図１１Ａは、同上の配線体におけるその他の変形例の要部断面図である。図１１Ｂは、同上の配線体における更にその他の変形例の要部断面図である。

（１）概要
以下、本実施形態に係る配線体１について、図１Ａ〜図６を参照して説明する。なお、以下で説明する各図は、模式的な図であり、各図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

本実施形態に係る配線体１は、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、例えばタッチセンサＡ１に適用されることを想定する。タッチセンサＡ１は、例えば、静電容量式のセンサであり、操作体Ｕ１のタッチ（接触）を検知する。操作体Ｕ１は、一例として、人の指先（生体の一部）である。操作体Ｕ１は、生体の一部を覆う物（例えば手袋）を含んでもよいし、生体が保持する物（例えばペン型の操作部材）を含んでもよい。タッチセンサＡ１は、感度を高めることで操作体Ｕ１のタッチセンシングだけでなく、近接センシングを行えてもよい。

タッチセンサＡ１は、例えば、いわゆるアウトセル方式のフィルムセンサでもよい。タッチセンサＡ１は、電子機器における液晶パネル上に装着されて、電子機器への操作入力を受け付ける操作部として使用され得る。電子機器の一例としては、図１Ｂに示すように、車載のセンターコンソールが挙げられるが、その他にも、スマートフォン、タブレット端末、ノートＰＣ（パーソナルコンピュータ）、及びカーナビゲーションシステム等が挙げられる。またタッチセンサＡ１は、オンセル方式、又はインセル方式でディスプレイに一体的に組み込まれてもよい。

タッチセンサＡ１は、図１Ａに示すように、金属細線によりメッシュ状に形成された線状のセンサ電極Ａ２を有したフィルム体Ｆ１を備えている。ここでは一例として、配線体１が、メッシュ状のセンサ電極Ａ２を有したフィルム体Ｆ１の一部又は全部を構成するものとする。

ただし、本実施形態に係る配線体１は、タッチセンサＡ１に適用されることに限定されず、例えば、図６に示すように、実装基板Ｂ１に適用されてもよい。

本実施形態に係る配線体１は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、導電体２と、絶縁体３と、を備えている。ここでは、導電体２が、上述したセンサ電極Ａ２を構成し、絶縁体３が、フィルム体Ｆ１の一部を構成するものとする。図２Ａ及び図２Ｂは、導電体２（センサ電極Ａ２）の長手方向と直交する平面で切った模式的な要部断面図である。

導電体２は、その少なくとも一部（図２Ａの例では概ね全部）が絶縁体３の表面３０において埋め込まれるように配置される。導電体２は、絶縁体３と接触する接触部位２０とは反対側の面２０２の、中央部２００に凹部Ｖ１を有する。

この構成によれば、導電体２が中央部２００に凹部Ｖ１を有しているため、凹部Ｖ１の内面で光散乱が起きる可能性が高くなる。したがって、配線体１を見る人の目に直進する光（反射光）の光量が低減され得る。特に、中央部２００に黒化処理が施されなかった場合に、反射光の抑制を図ることができる。結果的に、本実施形態に係る配線体１は、導電体２による反射光に関する改善を図ることができるという利点がある。

（２）詳細
（２．１）タッチセンサの全体構成
まず、本実施形態に係るタッチセンサＡ１（図１Ａ参照）における全体的な概略構成について説明する。タッチセンサＡ１は、上述した通り、（人の指先等の）操作体Ｕ１のタッチを検知可能である。タッチセンサＡ１は、本実施形態に係る配線体１を備えている。

タッチセンサＡ１は、図１Ｂに示すように、例えば車載のセンターコンソール（電子機器）における液晶パネル上に装着されて、操作部として使用され得る。

タッチセンサＡ１は、図１Ａに示すように、その正面から見て、例えば略矩形状に形成されている。タッチセンサＡ１の平面視における領域は、操作体Ｕ１のタッチを検知可能なセンサ領域Ｒ１と、センサ領域Ｒ１の周囲に配置される配線領域Ｒ２（額縁部）とを含む。センサ領域Ｒ１には、複数の線状のセンサ電極Ａ２が配置されている。ここでは上述の通り、センサ電極Ａ２は、メッシュ形状に形成されている。一方、配線領域Ｒ２には、操作体Ｕ１とセンサ電極Ａ２との間で生じ得る静電容量の変化を電気信号として、電子機器の制御部に出力する複数の配線Ａ３が配置されている。

配線体１の導電体２は、センサ電極Ａ２を構成する。つまり、配線体１は、主に、タッチセンサＡ１のうちセンサ領域Ｒ１を構成する。ただし、導電体２は、センサ電極Ａ２のみに限定されず、配線Ａ３を構成してもよい。言い換えると、導電体２は、タッチを検知するセンサ電極Ａ２、及びセンサ電極Ａ２と電気的に接続されて電気信号を外部に出力する配線Ａ３のうちの、少なくとも一方を構成してもよい。

タッチセンサＡ１は、例えば、センサ電極Ａ２と操作体Ｕ１との間における静電容量の変化を検知する、自己容量式のセンサである。操作体Ｕ１が人の手指等のようにグランド電位の物体である場合、タッチセンサＡ１に接触（タッチ）することで、擬似的なコンデンサが形成され、静電容量の変化として現れる。

具体的には、タッチセンサＡ１は、図１Ａに示すように、フィルム体Ｆ１とフレキシブル配線基板Ｆ２とを備えている。フレキシブル配線基板Ｆ２は、例えば、フィルム体Ｆ１の下縁に貼り合せられている。フレキシブル配線基板Ｆ２は、電子機器側の入力端子と電気的に接続される。フィルム体Ｆ１は、例えば、メッシュ式の透明導電性フィルム体であり、上述したように、導電体２に相当する複数のセンサ電極Ａ２と、複数の配線Ａ３とを備えている。フィルム体Ｆ１は、可撓性を有している。またフィルム体Ｆ１は、センサ電極Ａ２を保持するための基材１０、絶縁体３（樹脂層）及び絶縁体３Ｘ（樹脂層）等を更に備えているが、これらの構成要素については、次の「（２．２）配線体、及び製造方法」の欄で詳しく説明する。

タッチセンサＡ１は、フィルム体Ｆ１を１つのみでもよいし、２つ備えてもよい。すなわち、タッチセンサＡ１は、２つのフィルム体Ｆ１からなる両面フィルム（Double-sided film）を備えてもよい。具体的には、２つのフィルム体Ｆ１は、送信電極（Ｔｘ）として機能する複数のセンサ電極Ａ２を有する第１フィルム体と、受信電極（Ｒｘ）として機能する複数のセンサ電極Ａ２を有する第２フィルム体とを含む。

第１フィルム体では、送信電極（Ｔｘ）に相当する各センサ電極Ａ２が、例えば、第１方向Ｄ１（図１Ａでは横方向）に沿って延びているメッシュ状の検出部を構成する。各検出部では、金属細線で囲まれた略菱形状の複数の領域Ｒ３（図１Ａ参照）が、第１方向Ｄ１に沿って並んでいる。そして、複数の検出部が、第２方向Ｄ２（図１では縦方向）に沿って、並んで配置されている。

第２フィルム体では、受信電極（Ｒｘ）に相当する各センサ電極Ａ２が、例えば、第２方向Ｄ２に沿って延びているメッシュ状の検出部を構成する。各検出部では、金属細線で囲まれた略菱形状の複数の領域（図１Ａでは図示を省略）が、第２方向Ｄ２に沿って並んでいる。そして、複数のメッシュ状の検出部が、第１方向Ｄ１に沿って、並んで配置されている。

タッチセンサＡ１では、第１フィルム体における複数の送信電極（Ｔｘ）の長手方向をＸ軸方向に向けて、第２フィルム体における複数の受信電極（Ｒｘ）の長手方向をＹ軸方向に向けて、２つのフィルム体Ｆ１を互いに貼り合わせて適用される。その結果、Ｘ軸方向に対する操作体Ｕ１のタッチ位置のセンシングとＹ軸方向に対する操作体Ｕ１のタッチ位置のセンシングが可能となる。ただし、タッチセンサＡ１は、１つのフィルム体Ｆ１からなる片面フィルム（Single-sided film）を備えてもよい。

タッチセンサＡ１は、例えば、比較的大画面の液晶パネル上に装着されることを想定すると、たとえサイズの大きいセンサ領域Ｒ１であっても低抵抗を実現できる材質であることが望ましい。

（２．２）配線体、及びその製造方法
本実施形態におけるタッチセンサＡ１のセンサ領域Ｒ１を構成する配線体１、及びその製造方法について、図２Ａ〜図３を参照しながら、詳細に説明する。以下に開示する数値（寸法等）は、単なる一例であり、限定されるものではない。

［配線体の構造］
配線体１は、図２Ａに示すように、センサ電極Ａ２を構成する複数の導電体２と、絶縁体３と、基材１０と、を備えている。図２Ａは、配線体１の一部のみの断面図を示し、特に、説明の便宜上、３つの導電体２のみを示す。各導電体２が、略菱形状の複数の領域Ｒ３（図１Ａ参照）を形成する金属細線の１本に相当する。図２Ａは、各導電体２（金属細線）の長手方向と直交する平面で、配線体１を切った模式的な断面図である。図２Ａでは、３つの導電体２が、概ね等間隔で横方向に並んでいる。

以下では一例として、図２Ａに示すように、互いに直交するＸ軸及びＹ軸の２軸を設定し、特に３つの導電体２が並ぶ並び方向に沿った方向を「Ｘ軸」方向、絶縁体３の厚み方向に沿った方向を「Ｙ軸」方向とする。導電体２の長手方向は、Ｘ軸方向とＹ軸方向の両方に直交する方向となる。Ｘ軸及びＹ軸は、いずれも仮想的な軸であり、図面中の「Ｘ」、「Ｙ」を示す矢印は、説明のために表記しているに過ぎず、いずれも実体を伴わない。また、これらの方向は配線体１の使用時の方向を限定する趣旨ではない。また以下では、特に断りの無い限り、ある１つの導電体２に着目して説明する。

導電体２は、導電性を有した部位である。導電体２は、その断面がＸ軸方向に沿って長尺の、略矩形状となっている。つまり、導電体２の厚み方向は、Ｙ軸方向に沿っている。導電体２は、概ねその全部が絶縁体３の表面３０において埋め込まれるように配置される。つまり、絶縁体３は、表面３０に、導電体２が収まるための収容部３１を有している。収容部３１は、表面３０から断面が略半円形状に凹んで形成されている。収容部３１の断面積は、導電体２の断面積と概ね等しい。

絶縁体３は、電気的絶縁性を有した部位である。絶縁体３は、例えば、樹脂層である。絶縁体３は、透光性樹脂等から形成されている。絶縁体３の厚み方向は、Ｙ軸方向に沿っている。ここでは、導電体２における絶縁体３との接触部位２０は、Ｙ軸の負の向きにおける端面（曲面）に相当する。接触部位２０は、その断面が収容部３１の内面に沿うように概ね円弧状となっている。

基材１０は、導電体２及び絶縁体３を支持する部位である。基材１０は、透光性を有した板材であり、例えば、ガラス、又は透光性樹脂等から形成されている。基材１０の厚み方向は、Ｙ軸方向に沿っている。絶縁体３は、基材１０のＹ軸の正の向きにおける表面に積層されている。

また本実施形態の配線体１は、絶縁体３と導電体２との界面に配置される、密着性を有した密着層４を更に備えている。そして、接触部位２０は、密着層４を介して、絶縁体３と接触する。

ここで導電体２は、図２Ａに示すように、絶縁体３と接触する接触部位２０とは反対側の面２０２の、中央部２００に凹部Ｖ１を有している。導電体２は、銅、又は銅ニッケル（ＣｕＮｉ）の合金により形成されている。導電体２の厚みは、例えば、約１μｍ〜１．５μｍである。凹部Ｖ１の横幅Ｗ１（Ｘ軸方向における寸法）は、例えば、約２μｍである。

ところで、本実施形態の導電体２は、図２Ｂに示すように、２層構造となっていてもよい。具体的には、導電体２は、接触部位２０及び凹部Ｖ１を有した第１導電層２１と、凹部Ｖ１内に配置される第２導電層２２と、を含んでもよい。第２導電層２２は、第１導電層２１のＹ軸の正の向きにおける表面上において、凹部Ｖ１内に埋め込まれるように積層されている。第２導電層２２のＹ軸の正の向きにおける表面２２０は、絶縁体３の表面３０と略面一となっている。

図２Ｂの第１導電層２１は、図２Ａの導電体２に相当し、銅、又は銅ニッケル（ＣｕＮｉ）の合金により形成されている。第１導電層２１の厚みは、例えば、約１μｍ〜１．５μｍである。

第２導電層２２は、ニッケルとボロンとを含む層（例えば、ＮｉＢ層）として形成されている。第２導電層２２の厚みは、例えば、約０．３μｍである。したがって、第２導電層２２は、第１導電層２１とは材質が異なる層である。

導電体２は、ニッケルを含むことが好ましい。図２Ａの構成であれば、導電体２は、銅ニッケル（ＣｕＮｉ）の合金により形成されていることが好ましい。図２Ｂの構成であれば、導電体２は、第１導電層２１及び第２導電層２２のうち少なくとも一方の層に、ニッケルを含むことが好ましい。この場合、導電体２に関する信頼性（導電性、及び耐食性等）の向上を図れる。

ここでは、密着層４は、銅の酸化物である。密着層４は、例えば、酸化銅（ＣｕＯ）を想定するが、銅の酸化物であれば、酸化銅（ＣｕＯ）に限定されない。また密着層４は、黒化層に相当する。導電体２（図２Ｂの場合、第１導電層２１）の表面（接触部位２０）の一部に対して黒化処理を施すことで、その一部が、黒化層（密着層４）となる。要するに、密着層４が銅の酸化物であることで、配線体１に対して、黒色の付与が可能となり、低反射化を図ることができる。その結果、本実施形態のように、例えば、配線体１がタッチセンサＡ１に適用される場合、視認性が損なわれる可能性を低下できる。

導電体２の横幅Ｍ２（Ｘ軸方向における寸法）は、例えば、約３μｍ〜４μｍである。密着層４の厚みを含めて導電体２の厚みＬ２（Ｙ軸方向における寸法）は、例えば、約１μｍ〜２μｍである。

また図２Ｂに示す配線体１においては、図２Ｃに示すように、第１導電層２１の表面（接触部位２０とは反対側の面）に、密着性を有した密着層Ｚ１が形成されていてもよい。言い換えれば、配線体１は、導電体２における中央部２００の周囲の領域２０１を覆うように配置される密着層Ｚ１を更に備えてもよい。ここでは一例として、密着層Ｚ１は、密着層４と同様に、銅の酸化物である。密着層Ｚ１は、例えば、酸化銅（ＣｕＯ）を想定するが、銅の酸化物であれば、酸化銅（ＣｕＯ）に限定されない。また密着層Ｚ１は、黒化層に相当する。

配線体１においては、図２Ｄに示すように、絶縁体３とは別の絶縁体３Ｘ（樹脂層）を絶縁体３の表面３０上に形成して、フィルム体Ｆ１を製造してもよい。絶縁体３Ｘは、図２Ｂ又は図２Ｃに示す配線体１における絶縁体３の表面３０上に形成されてもよい。なお、上述した密着層Ｚ１が設けられていれば、このような絶縁体３Ｘが配線体１に形成される場合に、絶縁体３Ｘとの密着性が向上し得る。

このように本実施形態では、導電体２が中央部２００に凹部Ｖ１を有している。そのため、凹部Ｖ１の内面で光散乱が起きる可能性が高くなる。したがって、配線体１を見る人の目に直進する光（反射光）の光量が低減され得る。特に、中央部２００に黒化処理が施されなかった場合に、反射光の抑制を図ることができる。結果的に、本実施形態に係る配線体１は、導電体２による反射光に関する改善を図ることができるという利点がある。

また図２Ｂのように導電体２が２層構造となっていれば、導電体２による反射光に関する改善を図りつつ、第２導電層２２を外部（例えば外部端子）と電気的接続を行うための接続端子として機能させやすくなる。

［配線体の製造方法］
次に配線体１の製造方法について、図３を参照しながら説明する。

配線体１の製造方法は、図３に示すように、ステップＳ１〜ステップＳ７を含む。ただし、ステップの数は、７つに限定されない。配線体１の製造方法は、ステップＳ１〜ステップＳ７に加えて、別のステップを更に含んでもよい。

本実施形態の配線体１は、例えば、ステップＳ１〜ステップＳ７の順で製造され得る。ただし、配線体１の製造は、厳密に、ステップＳ１〜ステップＳ７の順番で実行されることに限定されない。またここではステップＳ７の後に行われる仕上げ工程等については説明を省略する。

図３では、ある１つの導電体２のみに着目して説明するため、図示される導電体２は１つであるが、ステップＳ１〜ステップＳ７の工程を経て、複数の導電体２を備えた配線体１が形成され得る。

ここで本実施形態の配線体１は、パターン版５を用いて製造される。先にパターン版５の構成について説明する。本実施形態の製造方法は、パターン版５を用いて、例えば無電解メッキを行い、金属を表面に析出させて導電体２の導電層を成長させる工程を含む。

パターン版５は、全体として矩形のシート状となっている。パターン版５は、図３のステップＳ１に示すように、基材５０と、接着層５１と、母材５２（触媒６）と、樹脂層７と、有機被膜８とを備えている。

基材５０は、接着層５１及び母材５２を支持する部位である。基材５０は、例えば、透光性を有した矩形の板材であり、ガラス又は樹脂により形成されている。基材５０は、その厚み方向における両端面として、平坦な第１面５０１（表面）と平坦な第２面５０２（裏面）とを有している。

接着層５１は、基材５０に対して母材５２を固定する部位である。接着層５１は、電気絶縁性を有する（第１絶縁層）。接着層５１は、例えば、透光性を有した樹脂（接着剤）によって形成されている。接着層５１は、基材５０の第１面５０１に積層されている。接着層５１は、母材５２の表面５２０以外の面を覆うように形成されている。言い換えると、母材５２は、表面５２０が接着層５１から露出する形態で、接着層５１に埋め込まれている。接着層５１の表面５１０は、母材５２の表面５２０と略面一である。

母材５２は、配線体１の製造工程において、触媒機構により、母材５２近傍で還元剤と金属塩との電子移動反応を促進させて、メッキ液中から金属を取り出す、すなわち母材５２上に金属を析出させるための部位である。すなわち、母材５２は、触媒６として機能する部位である。

母材５２は、配線体１の製造工程において、電解メッキができる程度の導電性を有する金属から形成されている。母材５２の材質は、例えば、鉄とニッケルの合金である。母材５２は、鉄とニッケルとの合計が８０％以上の含有率であり、鉄とニッケルの比率は、鉄２０％に対してニッケル８０％である合金から形成されている。ただし、この比率に限定されず、例えば、鉄４０％に対してニッケル６０％である合金から形成されてもよいし、鉄６０％に対してニッケル４０％である合金から形成されてもよい。

樹脂層７は、易剥離性を有する層である。樹脂層７は、パターン版５の、触媒６が設けられている領域以外の領域に配置されている。つまり、樹脂層７は、接着層５１の上に積層されている。樹脂層７は、電気絶縁性を有する（第２絶縁層）。つまり、パターン版５は、２層構造で絶縁層（第１絶縁層の接着層５１と、第２絶縁層の樹脂層７）を有している。樹脂層７は、例えば、フッ素系樹脂により形成されている。なお、樹脂層７は、シリコン系の樹脂により形成されてもよい。

パターン版５の形成方法を簡単に説明すると次の通りである。

例えば、基板上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）のパターン形成を行う。そして、電解Ｆｅ−Ｎｉメッキ処理を行い、ＤＦＲを剥離することで、基板上に母材５２のみが残る。母材５２が形成された基板に対して、接着層５１となる接着剤で基材５０を貼付する。そして、基板から、基材５０、母材５２及び接着層５１を剥離する。

さらに、樹脂層７の材料となる感光性撥水材料（ここではフッ素系樹脂）を、接着層５１の表面５１０及び母材５２の表面５２０上に塗布する。そして、基材５０の第２面５０２の側（裏側）から紫外光（ＵＶ光）を照射する。ＵＶ光が、基材５０及び接着層５１を透過するため、接着層５１の表面５１０上の感光性撥水材料は硬化する。一方で、母材５２の表面５２０上の感光性撥水材料は、ＵＶ光が母材５２によって遮られ、硬化させるほどのＵＶ光が到達しにくい。結果的に、母材５２の表面５２０上の感光性撥水材料は、未硬化となる。その後、パターン版５を溶剤で洗浄することで、未硬化の感光性撥水材料は、除去される。最終的に、樹脂層７が、基材５０上に形成される。

有機被膜８は、易剥離性を有する極薄の膜である。有機被膜８は、母材５２（触媒６）の上に形成される。有機被膜８は、例えば、チアゾール系の離型剤により形成されている。有機被膜８は、母材５２の防錆剤としても機能する。有機被膜８の厚み寸法は、例えば、１００ｎｍ以下である。

このようなパターン版５を用いた配線体１の製造方法について、図３を参照しながら説明する。パターン版５は、配線体１の製造方法に適用される。以下では、図２Ｂに示した２層構造（第１導電層２１及び第２導電層２２）を作成し、その後に、例えば第２導電層２２を部分的に除去する場合を例に説明する。以下、第２導電層２２を「導電層Ｘ１」と呼ぶことがある。また第１導電層２１を「特定層Ｘ２」と呼ぶことがある。

本実施形態における配線体１の製造方法は、成長工程と、転写工程と、剥離工程と、を含む。成長工程にて、パターン版５に設けられた触媒６に対して配線体１の導電層Ｘ１を成長させる。転写工程にて、パターン版５における導電層Ｘ１を絶縁体３に転写する。剥離工程にて、絶縁体３と共に導電層Ｘ１を、パターン版５から剥離する。配線体１を複数製造する際に、同一のパターン版５を用いて、成長工程、転写工程、及び剥離工程を、繰り返し実行する。また本実施形態における配線体１の製造方法は、離型工程と、黒化工程と、除去工程（導電層の部分除去工程）とを更に含み、配線体１を複数製造する際には、これらの工程も、成長工程、転写工程、及び剥離工程と合わせて、繰り返し実行される。

以下、配線体１の製造方法について、図３において、ステップＳ１から順に説明する。

ステップＳ１は、離型工程である。ステップＳ１では、上述した有機被膜８を母材５２（触媒６）の上に形成する離型処理を行う。離型処理を行うことで、後述する剥離工程で、導電層Ｘ１（第２導電層２２）を、型から取り外す、つまりパターン版５から剥離しやすくなる。

ステップＳ２は、無電解めっきにより導電層Ｘ１（第２導電層２２）を成長させる工程である成長工程である。本実施形態では、成長工程は、導電層Ｘ１を成長させる第１成長工程に加えて、導電層Ｘ１の上に別の導電層としての特定層Ｘ２（第１導電層２１）を成長させる第２成長工程を更に含む。ステップＳ２が、第１成長工程に相当し、その次のステップＳ３が、無電解めっきにより特定層Ｘ２を成長させる第２成長工程に相当する。

ステップＳ２（第１成長工程）では、無電解メッキにより、表面に極薄の有機被膜８が形成された母材５２の上に、導電層Ｘ１を成長させる。つまり、金属塩と還元剤が共存するメッキ液に、パターン版５を浸漬させる。ここでは、ニッケルを含むメッキ液、例えば、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液中に、ステップＳ１（離型工程）を経たパターン版５を浸漬して、無電解メッキを行うことで、ニッケルを含む金属が析出されて、導電層Ｘ１が形成される。つまり、ここでは還元剤としてホウ素化合物をメッキ液中に含有させておく。その結果、上述した通り、ニッケルとボロンとを含む第２導電層２２（導電層Ｘ１）が形成される。

第２導電層２２がボロンを含有することは必須ではなく、メッキ液は、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液以外にも、例えば、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液、又は無電解Ｃｕ−Ｎｉ（銅ニッケル）液でもよい。

またここでは、剥離性を考慮してニッケルを含むメッキ液を適用されているが、ニッケルを含むことに限定されない。つまり、適宜の無電解メッキにより、第２導電層２２が形成されてもよく、例えば、無電解銅メッキ液又は無電解銀メッキ液により、第２導電層２２が形成されてもよい。

ステップＳ２を経た導電層Ｘ１の横幅Ｍ１は、母材５２の横幅に略等しく、これは、図２Ａに示す配線体１の凹部Ｖ１の横幅Ｗ１（約２μｍ）とも略等しい。

ステップＳ３（第２成長工程）では、無電解メッキにより、導電層Ｘ１の上に、具体的には導電層Ｘ１及び導電層Ｘ１近傍の樹脂層７を覆うように、特定層Ｘ２（第１導電層２１）を成長させる。つまり、ステップＳ３でも、金属塩と還元剤が共存するメッキ液に、パターン版５を浸漬させる。ここでは、例えば、無電解Ｃｕ−Ｎｉ（銅ニッケル）メッキ液中に、ステップＳ２（第１成長工程）を経たパターン版５を浸漬して、無電解メッキを行うことで、金属（銅ニッケル）が析出されて、銅ニッケルの特定層Ｘ２が形成される。特定層Ｘ２は、導電層Ｘ１を覆うように、断面が略半円状に形成されている。ここでは、導電層Ｘ１は、特定層Ｘ２よりも薄い。例えば、特定層Ｘ２の厚みが約１μｍ〜１．５μｍであるのに対して、導電層Ｘ１の厚みは約０．３μｍである。

ステップＳ３を経た特定層Ｘ２の横幅Ｍ２は、導電層Ｘ１の横幅Ｍ１よりも大きく、例えば、約３μｍ〜４μｍである。なお、導電層Ｘ１の縁から特定層Ｘ２の縁までの距離Ｍ３は、例えば、約０．５μｍ〜１μｍである。

ステップＳ３におけるメッキ液は、ニッケルを含まなくてもよく、無電解Ｃｕ（銅）メッキ液でもよい。この場合、銅の特定層Ｘ２が形成される。

上記の例では、比較的導電性の高い金属として、銅を含む導電層Ｘ１及び特定層Ｘ２が形成されているが、銅の代わりに、例えば、銀、又は金を含む導電層Ｘ１及び特定層Ｘ２であってもよい。要するにメッキ液は、上記のものに限定されない。

このような成長工程により、導電層Ｘ１の形成を安定的に実現できる。特に、第１成長工程及び第２成長工程により、２層構造化を安定的に実現できる。

ステップＳ４は、黒化工程である。ステップＳ４では、ステップＳ３で形成された特定層Ｘ２の表面（表層）の一部を酸化させて、銅の酸化物（ここでは酸化銅）である黒化層（つまり密着層４）を形成する。言い換えると、ステップＳ４は、導電層Ｘ１のパターン版５とは反対側（ここでは導電層Ｘ１に積層された特定層Ｘ２の表面）において、密着性を有した密着層４を形成する形成工程に相当する。この酸化銅からなる密着層４は、例えば、特定層Ｘ２の表層を適宜の酸化処理液に漬けることで行われることで、特定層Ｘ２の表面粗化が進行して形成され得る。密着層４は、絶縁体３（樹脂層）に対して比較的密着性の高い層として期待できる。

なお、黒化層（密着層４）は、酸化銅によるものに限定されない。黒化層は、例えば、特定層Ｘ２の表層にエッチング処理等を施して表面粗化を行うことで形成されてもよいし、あるいはメッキ処理（例えばパラジウムの置換メッキ）によって形成されてもよい。なお、本開示において密着層４は必須の構成要素ではない。例えば、特定層Ｘ２自体が黒色であれば、黒化層（密着層４）は省略されてもよい。このように密着層４が形成されることで、次の転写工程において、導電層Ｘ１が密着層４によって絶縁体３に転写されやすくなる。また黒化層（密着層４）が形成されることで、配線体１における低反射化を図ることができる。なお、黒化層（密着層４）は、後工程で、部分的に除去されてもよい。

ステップＳ５は、転写工程である。ステップＳ５では、ステップＳ４を経たパターン版５に対して、転写材Ｔ１を圧着して、転写材Ｔ１に、導電層Ｘ１、特定層Ｘ２、及び密着層４を転写させる。転写材Ｔ１は、図２Ａに示す（完成後の）配線体１の基材１０及び絶縁体３となる部材である。転写材Ｔ１は、絶縁体３に相当する部材の表面（表面３０）を、パターン版５と対向するように向けて、押し付けられる。結果的に、導電層Ｘ１、特定層Ｘ２、及び密着層４は、転写材Ｔ１の絶縁体３に相当する部材に埋設されることになる。

ステップＳ６は、剥離工程である。ステップＳ６では、パターン版５から、転写材Ｔ１を剥離する。これにより、転写材Ｔ１には、導電層Ｘ１、特定層Ｘ２、及び密着層４が一体化して固定されることになる。この際に、上述の通り、パターン版５には、易剥離性を有する樹脂層７、及び有機被膜８が設けられているため、転写材Ｔ１をパターン版５から容易に剥離可能となっている。言い換えると、転写材Ｔ１、及びパターン版５に無理なストレスがかかりにくく、転写材Ｔ１を略均等に剥離でき、導電層Ｘ１、特定層Ｘ２、及び密着層４がパターン版５に部分的に残存してしまうことが抑制され得る。

特に、樹脂層７がフッ素系樹脂により形成されているため、剥離性を考慮する際に、転写材Ｔ１の絶縁体３及びパターン版５の接着層５１等の材料の選択肢が広がり得る。

ステップＳ７は、導電層Ｘ１の部分除去工程である。ステップＳ７では、適宜の手段（例えばエッチング処理等）によって、導電体２の長手方向における導電層Ｘ１の一部、又は全部を除去する。導電層Ｘ１は部分的に残存してもよい。

このようにして本実施形態における図２Ａに示す配線体１が製造される。本実施形態では、パターン版５が配線体１の製造方法に適用されることで、配線体１の品質に関する安定化を図ることができる。また同一のパターン版５を繰り返し用いて配線体１の製造が可能となることで、全体としてのコスト削減に貢献し得る。

ところで、ステップＳ６とステップＳ７との間に、ステップＳ４の黒化処理とは別に黒化処理を行うステップを設けてもよい。つまり、図２Ｃに示す密着層Ｚ１（黒化層：ＣｕＯ）を形成するためのステップを設けてもよい。導電層Ｘ１（第２導電層２２）は、ニッケルとボロンとを含む層（例えば、ＮｉＢ層）であるため、黒化処理（ＣｕＯ）を行っても、導電層Ｘ１は黒化（ＣｕＯ化）されない。つまり、密着層Ｚ１は、導電体２における中央部２００の周囲の領域２０１を覆うように形成されることになる。したがって、密着層Ｚ１（黒化層）を形成することで、視認性の低下を更に抑制しながらも、密着層Ｚ１が形成されない中央部２００において導電体２が露出され得る。そのため、例えば、配線体１が、タッチセンサＡ１の配線Ａ３を構成する場合、中央部２００において露出する部位（第２導電層２２）を、フレキシブル配線基板Ｆ２の入力端子と電気的接触を行う接触部位（接続端子）として機能させることができる。

（２．３）配線体の適用
以下に配線体１の適用について説明する。

［有機ＥＬディスプレイ］
先ず本実施形態に係る配線体１を備えたタッチセンサＡ１（タッチパネル）が、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ３００に適用される場合について、図４Ａ及び図４Ｂを参照しながら説明する。

図４Ａは、有機ＥＬディスプレイ３００の層構造を示す模式的な拡大図である。有機ＥＬディスプレイ３００は、ガラス等の基材３０１と、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）３０２と、アノード（電極）３０３と、赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）の（有機ＥＬ）発光層３０４と、絶縁層３０５と、カソード（電極）３０６とを備えている。また有機ＥＬディスプレイ３００は、封止膜３０７と、充填剤３０８と、タッチセンサＡ１と、光学フィルム３０９と、ガラス等のカバー部材３１０とを更に備えている。

配線体１を備えたタッチセンサＡ１は、有機ＥＬディスプレイ３００と一体化されている。特に図４Ａに示すように、タッチセンサＡ１は、光学フィルム（偏光フィルム）３０９よりも下側で、封止膜３０７及び充填剤３０８よりも上側に配置されていて、いわゆるオンセル方式で有機ＥＬディスプレイ３００と一体化されている。

有機ＥＬディスプレイ３００においては、導電体２の表面は、発光層３０４側を向くように配置されている。言い換えると、黒化層（密着層４）は、カバー部材３１０側を向くように配置されている。したがって、導電体２による反射光によってカバー部材３１０側からの視認性が低下してしまうことが抑制される。

有機ＥＬディスプレイ３００においては、図４Ａに示すように、複数（図示例では３つ）のＲＧＢの発光層３０４のうち互いに隣り合う２つの発光層３０４は、所定の間隔を空けて配置されている。

ここで、この有機ＥＬディスプレイ３００においては、正面側（図４Ａでは上側）から見たときに、センサ電極Ａ２（導電体２）が、ＲＧＢの発光層３０４の各層と重なりにくいように、隣り合う２つの発光層３０４の間に配置されている。つまり、正面側から見たときに、センサ電極Ａ２（導電体２）が、隣り合う２つの発光層３０４の間に介在する絶縁層３０５と重なるように配置されている。そのため、有機ＥＬディスプレイ３００では、各発光層３０４から放射される光が、導電体２によって遮光されにくい配置構造となっている。上記の所定の間隔が、例えば１０μｍであると想定すると、導電体２の横幅Ｍ２（図２Ａ参照）が例えば約３μｍ〜４μｍであるため、上記の配置構造も実現可能となっている。

このようにタッチセンサＡ１がオンセル方式で有機ＥＬディスプレイ３００と一体化される場合、アウトセル方式に比べて、上記の配置構造をより容易に実現しやすく、実質的に透過率１００％に近いディスプレイを提供できる。

ところで、図４Ｂは、タッチセンサＡ１及びその周辺を拡大した模式的な図である。タッチセンサＡ１は、２つのフィルム体Ｆ１からなる両面フィルムを備えてもよい。具体的には、２つのフィルム体Ｆ１は、送信電極（Ｔｘ）として機能する複数のセンサ電極Ａ２（導電体２）を有する第１フィルム体と、受信電極（Ｒｘ）として機能する複数のセンサ電極Ａ２（導電体２）を有する第２フィルム体とを一体的に含む。

上の「（２．２）配線体、及びその製造方法」の欄で説明した「絶縁体３とは別の絶縁体３Ｘ（樹脂層）」は、第１フィルム体の絶縁体３の上に一体的に形成される第２フィルム体の絶縁体（樹脂層）に相当してもよい。あるいは「絶縁体３とは別の絶縁体３Ｘ（樹脂層）」は、配線体１の表面を保護する保護層でもよい。

［液晶ディスプレイ］
次に本実施形態に係る配線体１を備えたタッチセンサＡ１（タッチパネル）が、液晶ディスプレイ４００に適用される場合について、図５Ａ及び図５Ｂを参照しながら説明する。

図５Ａは、液晶ディスプレイ４００の層構造を示す模式的な拡大図である。液晶ディスプレイ４００は、バックライト４０１と、偏光板４０２と、ガラス等の基材４０３と、ＴＦＴ４０４と、駆動電極４０５と、絶縁層４０６と、液晶４０７と、を備えている。また液晶ディスプレイ４００は、赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）のＣＦ（Color Filter）着色層４０８と、ＢＭ（Black Matrix）層４０９と、タッチセンサＡ１と、ＣＦ基材４１０と、光学フィルム４１１と、ガラス等のカバー部材４１２とを更に備えている。

配線体１を備えたタッチセンサＡ１は、液晶ディスプレイ４００と一体化されている。特に図５Ａに示すように、タッチセンサＡ１は、ＣＦ基材４１０よりも下側に配置されていて、いわゆるインセル方式で液晶ディスプレイ４００と一体化されている。

液晶ディスプレイ４００においては、図５Ａに示すように、複数（図示例では３つ）のＲＧＢのＣＦ着色層４０８のうち互いに隣り合う２つのＣＦ着色層４０８は、所定の間隔を空けて配置されている。

ここで、この液晶ディスプレイ４００においては、正面側（図５Ａでは上側）から見たときに、センサ電極Ａ２（導電体２）が、ＲＧＢのＣＦ着色層４０８の各層と重なりにくいように、隣り合う２つのＣＦ着色層４０８の間に配置されている。つまり、正面側から見たときに、センサ電極Ａ２（導電体２）が、隣り合うＣＦ着色層４０８の間に介在するＢＭ層４０９と重なるように配置されている。そのため、液晶ディスプレイ４００では、各ＣＦ着色層４０８を介して出射される光が、導電体２によって遮光されにくい配置構造となっている。なお、上記の所定の間隔が、例えば１０μｍであると想定すると、導電体２の横幅Ｍ２（図２Ａ参照）が例えば約３μｍ〜４μｍであるため、上記の配置構造も実現可能となっている。

このようにタッチセンサＡ１がインセル方式で液晶ディスプレイ４００と一体化される場合、アウトセル方式に比べて、上記の配置構造をより容易に実現しやすく、実質的に透過率１００％に近いディスプレイを提供できる。

ところで、図５Ｂは、タッチセンサＡ１及びその周辺を拡大した模式的な図である（ただし、図５Ａとは上下を逆さにしている）。タッチセンサＡ１は、図５Ｂに示すように、２つのフィルム体Ｆ１からなる両面フィルムを備えてもよい。具体的には、２つのフィルム体Ｆ１は、送信電極（Ｔｘ）として機能する複数のセンサ電極Ａ２（導電体２）を有する第１フィルム体Ｆ１１と、受信電極（Ｒｘ）として機能する複数のセンサ電極Ａ２（導電体２）を有する第２フィルム体Ｆ１２とを含む。なお、図５Ｂの例では、導電体２の表面がＢＭ層４０９側を向くように配置される。

また図５Ｃは、タッチセンサＡ１及びその周辺を拡大した模式的な図である（ただし、図５Ａとは上下を逆さにしている）。図５Ｃに示すタッチセンサＡ１も、第１フィルム体Ｆ１１と第２フィルム体Ｆ１２とを含む両面フィルムを備えている。

ここで、図５Ｃに示すタッチセンサＡ１は、図５Ａに示すタッチセンサＡ１と異なり、ＣＦ基材４１０よりも上側（図５Ｃでは下側）に配置された、いわゆるオンセル方式で液晶ディスプレイ４００と一体化されている。なお、図５Ｃの例では、導電体２の表面がＢＭ層４０９とは反対側を向くように配置される。

［（半導体）実装基板］
本実施形態に係る配線体１は、タッチセンサＡ１に適用されることに限定されない。例えば、図６に示すように、（半導体）実装基板Ｂ１に適用されてもよい。

実装基板Ｂ１は、少なくとも１つの回路部品Ｂ２が実装される。実装基板Ｂ１は、配線体１を備えている。導電体２は、回路部品Ｂ２が電気的に接続される導体パターンＢ３を構成している。なお、図６は、実装基板Ｂ１の裏面Ｂ１０を示しており、図６では実装基板Ｂ１の表面に実装されている回路部品Ｂ２を想像線で示している。

この構成においても、密着性の改善を図ることが可能な配線体１を備える実装基板Ｂ１を提供できる。

（２．４）パターン版の繰り返し性
ところで、本実施形態に係る配線体１を複数製造する際、上述した通り、同一のパターン版５を用いて、製造工程（ステップＳ１〜ステップＳ７）が繰り返し実行される。

本発明者らは、同一のパターン版５の再利用が実際に可能であるかを検証する実験を行った。具体的には、母材（触媒）の材料等を変えた「試験版」を準備し、また無電解メッキ液を変えながら、無電解メッキの析出性、及び試験版からの剥離性の検証実験を行った。その結果が以下の表１の通りである。

表１中の離型処理（チアゾール）は、ステップＳ１に相当する処理であり、欄内の「有」及び「無」は、有機被膜８の有無の区別を示す。また「温室／２ｍｉｎ」は、離型処理時の環境と処理時間を示す。

また本発明者らは、母材（触媒）に「Ｃｕ（銅）」を用いた試験版を用意して、転写試験を行った。その結果が、以下の表２の通りである。

すなわち、母材金属が「Ｃｕ（銅）」で、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液の場合、「Ｎｉ−Ｂ」の析出が可能であり、剥離性も良好であった。なお、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ液でも行ったが、「Ｎｉ−Ｐ」の析出が不可能だった。

また本発明者らは、試験版を２つ用意し、各試験版を用いて、転写試験を２回（転写して剥離する試験を１セットとして２セット）行った。その結果が、以下の表３の通りである。なお、いずれの試験版も、母材（触媒）は、「Ｆｅ：６０％、Ｎｉ：４０％」の合金を用いた。また無電解メッキ液は、各試験版における転写１回目、転写２回目も全て無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液を用いた。

つまり、転写２回目に関して、チアゾール（有機被膜８）が「有」の場合、メッキ膜自体が析出されず、チアゾール（有機被膜８）が「無」の場合、メッキ膜は析出されたが、剥離の繰り返し性は発現しなかった。

ここでさらに発明者らは、「Ｎｏ．１１」と同等の条件で、ただし、転写１回目と、転写２回目との間に、試験版に対して「リセット処理」を実行する試験を行った。リセット処理は、「Ｏ_２アッシング」、すなわち酸素ガスを使ったプラズマアッシング処理（６００ワット、９０ｓｅｃ）である。その結果、析出の繰り返し性だけでなく、剥離の繰り返し性の発現を確認できた。

上記の試験から、同一のパターン版５を用いて配線体１を複数製造する際には、合間にリセット処理を実行することが望ましいことを確認できた。また、剥離性、及び母材の選択肢の広がりを考慮すると、無電解Ｎｉ−Ｂメッキ液を用いて、メッキ膜として、第２導電層２２（ＮｉＢ層）を形成することが望ましいことが確認できた。

（３）変形例
上記実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上記実施形態の変形例を列挙する。以下では、上記実施形態を「基本例」と呼ぶこともある。以下に説明する各変形例は、基本例又は他の変形例と適宜組み合わせて適用可能である。

（３．１）変形例１
本変形例（変形例１）に係る配線体１Ａについて、図７Ａ〜図８を参照しながら説明する。以下では、基本例の配線体１と実質的に共通する構成要素について、同じ参照符号を付して、適宜にその説明を省略することがある。また製造方法についても、基本例の配線体１の製造方法と実質的に共通する工程（ステップ）については、適宜にその説明を省略することがある。

基本例の配線体１では、導電体２の表面（第２導電層２２の表面２２０）が、Ｙ軸方向において、絶縁体３の表面３０と略面一となっている。本変形例の配線体１Ａでは、導電体２Ａの表面が、Ｙ軸方向において、絶縁体３の表面３０よりも突出している点で、基本例の配線体１と相違する。

［配線体の構造］
本変形例の配線体１Ａは、図７Ａに示すように、第１導電層２１Ａ及び第２導電層２２を有する導電体２Ａと、絶縁体３と、基材１０と、を備えている。

ここで配線体１Ａは、図７Ａに示すように、導電体２Ａの、接触部位２０とは反対側において、接触部位２０から離れる方向に、表面３０よりも突出する凸構造Ｈ１を備えている。本変形例の導電体２Ａは、Ｙ軸方向における寸法が、基本例の配線体１の導電体２よりも大きい。つまり、第１導電層２１Ａの大きさ（収容部３１の底に対する高さ）に依存した凸構造Ｈ１が形成されている。したがって、導電体２Ａの厚みＬ２（Ｙ軸方向における寸法）は、基本例の導電体２の厚みＬ２よりも大きい。

この構成では、凸構造Ｈ１の体積に応じて、電気抵抗（配線抵抗）を低くすることができる。結果的に、例えば配線体１ＡがタッチセンサＡ１に適用される場合、タッチセンサの大型化も図りやすくなる。

特にこの構成では、凸構造Ｈ１が設けられていることで、図７Ｂに示すように、絶縁体３と絶縁体３Ｘとが合わさったときに、導電体２の重心が、これらの樹脂の中点に配置できる可能性が高くなる。結果的に、フィルム体Ｆ１の屈曲時の応力を緩和しやすくなる。

なお、導電体２Ａは、２層構造であることに限定されず、図７Ｃに示すように、導電体２Ａは、第１導電層２１Ａのみを含んでもよい。この場合、第１導電層２１Ａの表面２１０が、Ｙ軸方向において、絶縁体３の表面３０よりも絶縁体３の表面３０よりも突出している。

ところで、導電体２Ａは、図７Ｄに示すように、接触部位２０を有する第１導電層２１と、第１導電層２１の、接触部位２０とは反対側に配置される第２導電層２２と、第３導電層２３と、を含んでもよい。第３導電層２３は、第１導電層２１と第２導電層２２との間に介在する。凸構造Ｈ１は、第３導電層２３により構成される。要するに、図７Ｄに示す導電体２Ａは、３層構造となっている。この場合、第３導電層２３は、銅とニッケルとを含む。またこの場合、第１導電層２１は、銅を含み、ただし、第３導電層２３とは違ってニッケルを含まなくてもよい。第２導電層２２は、ニッケルとボロンとを含む層（例えば、ＮｉＢ層）として形成されている。要するに、第３導電層２３の材質は、第１導電層２１とも第２導電層２２とも異なる。

この図７Ｄに示す導電体２Ａの構成によれば、凸構造Ｈ１を実現しやすくなる。また電気抵抗（配線抵抗）をより低くすることができる。

［配線体の製造方法］
次に本変形例の配線体１Ａの製造方法について、図８を参照しながら説明する。

本変形例の配線体１Ａの製造方法は、図８に示すように、ステップＳ１〜ステップＳ６を含む。配線体１Ａは、例えば、ステップＳ１〜ステップＳ６の順で製造され得る。ただし、配線体１Ａの製造は、厳密に、ステップＳ１〜ステップＳ６の順番で実行されることに限定されない。

本変形例の配線体１Ａは、パターン版５Ａを用いて製造される。ここでパターン版５Ａは、基本例の配線体１の製造で用いたパターン版５と比べて、上述した凸構造Ｈ１を形成するために、母材５２（触媒６）は、その表面５２０が、接着層５１の表面５１０よりも、基材５０に近づく方向に低くなるように形成されている。なお、図８の例では、母材５２の厚みが、基本例の母材５２（図３参照）の厚みよりも小さく設定しているが、母材５２の厚みは同じに設定し、代わりに接着層５１の厚みや母材５２が収まる凹所５１１の深さを大きくしてもよい。

本変形例では、母材５２上に形成される有機被膜８も、樹脂層７に比べて、基材５０に近づく方向に低く形成されている。

要するに、パターン版５Ａは、母材５２の表面５２０が接着層５１の表面５１０よりも低い位置に設定されることで、配線体１の凸構造Ｈ１を形成するための凹部構造を備えている。したがって、パターン版５Ａは、電気抵抗（配線抵抗）を低くすることが可能な配線体１の製造を容易に実現可能となっている。

このようなパターン版５Ａを用いた配線体１Ａの製造方法について、図８を参照しながら説明する。以下では、第２導電層２２を「導電層Ｘ１」と呼ぶことがある。また第１導電層２１Ａを「特定層Ｘ２」と呼ぶことがある。

ステップＳ１は、離型工程である。ステップＳ１では、上述した有機被膜８を母材５２（触媒６）の上に形成する離型処理を行う。

ステップＳ２（第１成長工程）では、無電解メッキにより、表面に極薄の有機被膜８が形成された母材５２の上に、導電層Ｘ１を成長させる。

ステップＳ３（第２成長工程）では、無電解メッキにより、導電層Ｘ１の上に、具体的には導電層Ｘ１及び導電層Ｘ１近傍の樹脂層７を覆うように、特定層Ｘ２（第１導電層２１Ａ）を成長させる。特定層Ｘ２は、導電層Ｘ１を覆うように形成されている。具体的には、特定層Ｘ２は、断面が略半円状に形成された傘部Ｘ２１と、傘部Ｘ２１の下側において傘部Ｘ２１より幅狭で、かつ断面が略矩形状に形成された基部Ｘ２２とからなる。傘部Ｘ２１は、樹脂層７にわたって（樹脂層７の縁部における上面と部分的に重なるように）形成されている。基部Ｘ２２は、凹所５１１内に埋没している。

なお、図７Ｄに示した３層構造の導電体２Ａを製造する場合、ステップＳ２とステップＳ３との間に、無電解メッキにより第３導電層２３を成長させるステップ（第３成長工程）を設ければよい。

ステップＳ４は、黒化工程である。ステップＳ４では、ステップＳ３で形成された特定層Ｘ２の表面（表層）の一部を酸化させて、銅の酸化物（ここでは酸化銅）である黒化層（つまり密着層４）を形成する。

ステップＳ５は、転写工程である。ステップＳ５では、ステップＳ４を経たパターン版５Ａに対して、転写材Ｔ１を圧着して、転写材Ｔ１に、導電層Ｘ１、特定層Ｘ２、及び密着層４を転写させる。

ステップＳ６は、剥離工程である。ステップＳ６では、パターン版５Ａから、転写材Ｔ１を剥離する。これにより、転写材Ｔ１には、導電層Ｘ１、特定層Ｘ２、及び密着層４が一体化して固定されることになる。特定層Ｘ２のうち傘部Ｘ２１は、絶縁体３内に埋め込まれ、一方基部Ｘ２２は、凸構造Ｈ１の一部を構成する部位として、絶縁体３の表面３０よりも突出している。基部Ｘ２２の横幅（導電層Ｘ１の横幅Ｍ１と概ね等しい）は、傘部Ｘ２１の横幅（特定層Ｘ２の横幅Ｍ２に相当）よりも狭い。

この後に基本例と同様に、更に導電体２Ａの表面を黒化する黒化処理（密着層Ｚ１の形成）を実行するステップが設けられてもよい。第２導電層２２は、上述の通り、ニッケルとボロンとを含む層（例えば、ＮｉＢ層）であるため、黒化処理（ＣｕＯ）を行っても、第２導電層２２は黒化されにくい。そこで、もし第２導電層２２の表層も黒化させる場合には、例えばニッケルエッチング処理を行った後、導電体２Ａの表層を適宜の酸化処理液に漬けることで行われる。また黒化層（密着層Ｚ１）は、後工程で、部分的に除去されてもよい。例えば、配線体１が、タッチセンサＡ１の配線Ａ３を構成する場合、フレキシブル配線基板Ｆ２の入力端子との電気的接触に関する信頼性を高めるために、接触部位については黒化層を除去して導電体２の一部を接続端子として機能させてもよい。

ところで、本変形例では、特定層Ｘ２のうち傘部Ｘ２１は、絶縁体３内に埋め込まれ、一方基部Ｘ２２は、凸構造Ｈ１の一部を構成する部位として、絶縁体３の表面３０よりも突出している。導電体２が傘部Ｘ２１及び基部Ｘ２２を備えた状態の配線体１Ａの上に、別の絶縁体３Ｘが形成されてもよいし、タッチセンサＡ１のフィルム体Ｆ１等に適用されてもよい。要するに、導電体２が傘部Ｘ２１と傘部Ｘ２１より幅狭の基部Ｘ２２とを備えた構成の配線体１Ａにおいて、基本例で説明した凹部Ｖ１が設けられていることは必須の構造ではない。この場合、傘部Ｘ２１の表面に形成された黒化層（密着層４）が、導電体２の反射をより広範囲で覆い隠すことができ、更に視認性が向上する。つまり、傘部Ｘ２１の形成により、配線体１Ａに、更に低反射化を実現可能とする「ひさし構造」を付与できる。

（３．２）変形例２
本変形例（変形例２）に係る配線体１Ｂについて、図９Ａ〜図１０を参照しながら説明する。以下では、基本例の配線体１と実質的に共通する構成要素について、同じ参照符号を付して、適宜にその説明を省略することがある。また製造方法についても、基本例の配線体１の製造方法と実質的に共通する工程（ステップ）については、適宜にその説明を省略することがある。

本変形例では、配線体１Ｂを製造するために用いられるパターン版５Ｂが、基本例の配線体１を製造するために用いられるパターン版５と相違する。具体的には、図９Ａに示すように、Ｘ軸方向における樹脂層７が設けられていない領域Ｒ１００の第１幅Ｑ１が、接着層５１における母材５２が収まる凹所５１１の第２幅Ｑ２よりも広い点で、パターン版５と相違する。すなわち、基本例では、第１幅Ｑ１と第２幅Ｑ２とが略等しかった。なお、本変形例では、第２幅Ｑ２は、母材５２の横幅に概ね等しく、また導電層Ｘ１の横幅Ｍ１にも概ね等しい。言い換えれば、本変形例では、Ｘ軸方向において、樹脂層７は、触媒６（母材５２）から所定の距離だけ離れている。

また本変形例のパターン版５Ｂは、凹所５１１に、密着層５３（金属層）を有している。母材５２は、凹所５１１において、密着層５３の上に積層されている。要するに、母材５２及び密着層５３は、接着層５１に埋め込まれている。母材５２は、密着層５３によって凹所５１１内で安定的に保持されている。

また本変形例の樹脂層７は、厚みが基本例の樹脂層７厚みよりも大きく設定されている。

図９Ａの例では、変形例１と同様に、母材５２（触媒６）は、その表面５２０が、接着層５１の表面５１０よりも、基材５０に近づく方向に低くなるように形成されている。ただし、図９Ｂに示すように、母材５２の表面５２０が、接着層５１の表面５１０と略面一であってもよい。

［配線体の製造方法］
次に本変形例におけるパターン版５Ｂを用いた配線体１Ｂの製造方法について、図１０を参照しながら説明する。

本変形例の配線体１Ｂの製造方法は、ステップＳ１〜ステップＳ８を含む。配線体１Ｂは、例えば、ステップＳ１〜ステップＳ８の順で製造され得る。ただし、配線体１Ｂの製造は、厳密に、ステップＳ１〜ステップＳ８の順番で実行されることに限定されない。

本変形例の配線体１Ｂは、変形例１の配線体１Ａに近い構造を有している。すなわち、配線体１Ｂも、第１導電層２１Ｂの大きさ（収容部３１の底に対する高さ）に依存した凸構造Ｈ１を備えている。なお、配線体１Ｂでは、配線体１Ａと違って、絶縁体３に段部Ｋ１が形成されている。以下では、第２導電層２２を「導電層Ｘ１」と呼ぶことがある。また第１導電層２１Ｂを「特定層Ｘ２」と呼ぶことがある。

ステップＳ１は、離型工程である。ステップＳ１では、有機被膜８を母材５２（触媒６）の上に形成する離型処理を行う。

ステップＳ２（第１成長工程）では、無電解メッキにより、表面に極薄の有機被膜８が形成された母材５２の上に、導電層Ｘ１を成長させる。

ステップＳ３（第２成長工程）では、無電解メッキにより、導電層Ｘ１の上に、具体的には導電層Ｘ１及び導電層Ｘ１近傍の樹脂層７を覆うように、特定層Ｘ２（第１導電層２１Ｂ）を成長させる。特定層Ｘ２は、導電層Ｘ１を覆うように形成される。特定層Ｘ２は、導電層Ｘ１を覆うように形成されている。具体的には、特定層Ｘ２は、断面が略半円状に形成された傘部Ｘ２１と、傘部Ｘ２１の下側において傘部Ｘ２１より幅狭で、かつ断面が略矩形状に形成された基部Ｘ２２とからなる。基部Ｘ２２は、凹所５１１内に埋没している。

ここで、特定層Ｘ２の傘部Ｘ２１は、樹脂層７が設けられていない領域Ｒ１００（図９Ａ参照）内に収まるように成長され得る。変形例１では、傘部Ｘ２１が樹脂層７の縁部における上面と部分的に重なるように、つまり、領域Ｒ１００からはみ出るように形成されているため、本変形例は、この点で変形例１と相違する。

ステップＳ４は、黒化工程である。ステップＳ４では、ステップＳ３で形成された特定層Ｘ２の表面（表層）の一部を酸化させて、銅の酸化物（ここでは酸化銅）である黒化層（つまり密着層４）を形成する。

ステップＳ５は、転写工程である。ステップＳ５では、ステップＳ４を経たパターン版５Ｂに対して、転写材Ｔ１を圧着して、転写材Ｔ１に、導電層Ｘ１、特定層Ｘ２、及び密着層４を転写させる。

ステップＳ６は、剥離工程である。ステップＳ６では、パターン版５Ｂから、転写材Ｔ１を剥離する。これにより、転写材Ｔ１には、導電層Ｘ１、特定層Ｘ２、及び密着層４が一体化して固定されることになる。

ステップＳ７は、除去工程（エッチング工程）である。ステップＳ７では、絶縁体３の表面３０に、エッチング処理を施して、導電体２Ｂの両側に溝部Ｇ１を形成する。

つまり、配線体１の製造方法は、エッチング工程を更に含んでもよい。ステップＳ７では、絶縁体３の表面３０に、エッチング処理を施して、導電体２の両側に溝部Ｇ１を形成する。つまり、除去工程は、特定層Ｘ２の一部を除去する工程である。ここでは選択性エッチングを行って、特定層Ｘ２の一部（及び密着層４の一部）を除去する一方で、導電層Ｘ１及び絶縁体３を除去せずにほぼ無傷のままに維持する。ただし、導電層Ｘ１も部分的に除去されてもよく、除去工程は、導電層Ｘ１の一部を除去する工程であってもよい。

特にこの除去工程では、エッチング液をエアレーションすることで、エッチング除去を行う。ここでは例えば、アミン系エッチャントが用いられる。エアレーションとは、エッチング液内に空気（酸素）を含ませることである。例えば、エッチング液をスプレーによって噴霧状にして絶縁体３の表面３０に塗布することで、エアレーションを実行可能である。具体的には、エッチング液の流動性の高い所では、エッチング液中に酸素濃度が十分に確保されるため、エッチング除去が進行する。しかし、エッチング液の流動性の低い所では、酸素濃度が十分に確保できないため、エッチング除去が進行し難くなる。

この流動性の違いをコントロールすることで、Ｙ軸方向の正の側から導電層Ｘ１（第２導電層２２）を見たときに導電層Ｘ１よりも両側にはみ出ている特定層Ｘ２の一部（及び密着層４の一部）が、導電層Ｘ１よりも先に浸食されることになる。結果的に、導電層Ｘ１、（Ｙ軸方向の正の側から見て）特定層Ｘ２のうち導電層Ｘ１と概ね重なる部位、並びに、（Ｙ軸方向の正の側から見て）密着層４のうち導電層Ｘ１と概ね重なる部位が残る。最終的に、導電体２は、全体として、導電層Ｘ１の横幅Ｍ１と略等しい寸法の線幅を有したものとなる。

要するに、ここでは一例として、溝部Ｇ１は、エッチング処理により特定層Ｘ２の一部（及び密着層４の一部）が除去されたことによって出来る溝である。このような除去工程により、特定層Ｘ２の周囲に溝部Ｇ１を形成できて、配線体１の上に別の絶縁体３Ｘを形成する場合に、その絶縁体３Ｘとの密着性の改善を図ることができる。特に除去工程では、エッチング液をエアレーションすることで、エッチング除去による進行を容易にコントロールできる。

本変形例では、導電体２が２層構造（第１導電層２１と第２導電層２２）を有していることで、２つ以上の特性（例えば易剥離性と、黒化処理に適していること）を実現させやすくなる。

また本変形例では、導電体２が２層構造を有していることで、選択性エッチングの実行が可能となり、さらにエアレーション効果を利用することで、高いアスペクト（比）の導電体２を有した配線体１を提供できる。ここでいうアスペクト比は、導電体２における、Ｙ軸方向の寸法（高さ）に対するＸ軸方向の寸法（横幅）である。出来るだけ高いアスペクトの導電体２を実現することで、配線抵抗における低抵抗化により貢献し得る。

また本変形例では、パターン版５が配線体１の製造方法に適用されることで、配線体１の品質に関する安定化を図ることができる。

ステップＳ８は、ステップＳ４が第１黒化工程とすれば、このステップＳ８は、第２黒化工程となる。ステップＳ８では、導電体２の表層を適宜の酸化処理液に漬けることで行われる。例えば導電層Ｘ１がニッケルボロン合金のようなニッケルを含む金属で構成され、第２黒化工程での黒化処理を銅の酸化処理とする場合、ニッケルは酸化されずに特定層Ｘ２の側部の銅のみ酸化処理により黒化することが可能となる（黒化層Ｊ１の形成）。この場合、配線体１Ｂの正面又は側方から見たときの視認性が更に向上されるうえ、フレキシブル配線基板Ｆ２の入力端子との接続部においてはニッケル合金のまま導電性のある状態を保持できる。そのため、酸化銅を除去する工程等を必要とせずに入力端子との接続が可能となる。

ただし、ステップＳ８では、ニッケルを含む金属で構成された導電層Ｘ１に対して例えばニッケルエッチング処理を行った後、導電体２の表層を適宜の酸化処理液に漬けることで行われてもよい。結果的に、黒化層Ｊ１が、第１導電層２１Ｂの側面及び第２導電層２２の表面に形成されてもよい。この場合、導電体２の表面及び側面を黒化できて、更なる低反射化が期待できる。黒化層Ｊ１は、後工程で部分的に除去されてもよい。

本変形例の配線体１Ｂにおいては、絶縁体３とは別の絶縁体３Ｘ（樹脂層）を、絶縁体３の上に形成する場合に、絶縁体３Ｘの一部が溝部Ｇ１内に入り込む。結果的に、絶縁体３Ｘが弾かれにくくなり、また絶縁体３Ｘが導電体２及び絶縁体３から剥がれにくくなる。したがって、密着性の改善を図ることができるという利点がある。

さらに本変形例では、パターン版５Ｂにおいて、樹脂層７が設けられていない領域Ｒ１００の第１幅Ｑ１が、接着層５１における母材５２が収まる凹所５１１の第２幅Ｑ２よりも広い。つまり、Ｘ軸方向において、樹脂層７が触媒６（母材５２）から所定の距離だけ離れているため、樹脂層７が、成長工程における成長の妨げになる可能性を低減できる。そのため、成長工程におけるメッキ液が、母材５２（触媒６）に接触しやすくなる。結果的に、安定した配線成長が可能となる。

（３．３）その他の変形例
変形例２において溝部Ｇ１が形成される点を説明した。基本例における配線体１も、エッチング処理を施して、例えば図１１Ａに示すように、溝部Ｇ１を備えてもよい。すなわち、絶縁体３は、導電体２の接触部位２０の周囲に、表面３０から凹んだ溝部Ｇ１を有してもよい。この場合、配線体１に、別の絶縁体３Ｘを形成する場合に、絶縁体３Ｘとの密着性の改善を図れる。この場合、凹部Ｖ１の底面が、実質的に導電体２の表面となる。導電体２は、その長手方向において、凹部Ｖ１が残存する領域と、溝部Ｇ１が部分的に形成された領域とを含んでもよい。

また変形例１において凸構造Ｈ１が設けられている点を説明した。基本例における配線体１も、例えば図１１Ｂに示すように、導電体２の、接触部位２０とは反対側において、接触部位２０から離れる方向に、表面３０よりも突出する凸構造Ｈ１を備えてもよい。この場合、凹部Ｖ１は、凸構造Ｈ１の端面に設けられる。この構成においても、凸構造Ｈ１の体積に応じて、電気抵抗（配線抵抗）を低くすることができる。この凹部Ｖ１内にも第２導電層２２が埋め込まれてもよい。

（４）まとめ
以上説明したように、第１の態様に係る配線体（１）は、導電体（２）と、絶縁体（３）と、を備える。導電体（２）は、その少なくとも一部が絶縁体（３）の表面（３０）において埋め込まれるように配置される。導電体（２）は、絶縁体（３）と接触する接触部位（２０）とは反対側の面（２０２）の、中央部（２００）に凹部（Ｖ１）を有する。第１の態様によれば、導電体（２）による反射光に関する改善を図ることができる。

第２の態様に係る配線体（１）に関して、第１の態様において、導電体（２）は、接触部位（２０）及び凹部（Ｖ１）を有した第１導電層（２１）と、凹部（Ｖ１）内に配置される第２導電層（２２）と、を含む。第２の態様によれば、導電体（２）による反射光に関する改善を図りつつ、その第２導電層（２２）を外部と電気的接続を行うための接続端子として機能させやすくなる。

第３の態様に係る配線体（１）に関して、第１の態様又は第２の態様において、絶縁体（３）は、導電体（２）の接触部位（２０）の周囲に、表面（３０）から凹んだ溝部（Ｇ１）を有する。第３の態様によれば、配線体（１）に、別の絶縁体（３Ｘ）（例えば樹脂層）を形成する場合に、絶縁体（３Ｘ）との密着性の改善を図れる。

第４の態様に係る配線体（１）は、第１の態様〜第３の態様のいずれか１つにおいて、導電体（２）における中央部（２００）の周囲の領域（２０１）を覆うように配置される、密着性を有した密着層（Ｚ１）を更に備える。第４の態様によれば、配線体（１）に、例えば別の絶縁体（３Ｘ）を形成する場合に、絶縁体（３Ｘ）との密着性が向上し得る。

第５の態様に係る配線体（１）は、第１の態様〜第４の態様のいずれか１つにおいて、導電体（２）の、接触部位（２０）とは反対側において、接触部位（２０）から離れる方向に、表面（３０）よりも突出する凸構造（Ｈ１）を備える。第５の態様によれば、凸構造（Ｈ１）の体積に応じて、電気抵抗（配線抵抗）を低くすることができる。結果的に、例えば配線体（１）がタッチセンサに適用される場合、タッチセンサの大型化も図りやすくなる。

第６の態様に係る配線体（１）に関して、第１の態様〜第５の態様のいずれか１つにおいて、導電体（２）は、ニッケルを含む。第６の態様によれば、導電体（２）に関する信頼性（導電性、及び耐食性等）の向上を図れる。

第７の態様に係るタッチセンサ（Ａ１）は、操作体（Ｕ１）のタッチを検知可能である。タッチセンサ（Ａ１）は、第１の態様〜第６の態様のいずれか１つにおける配線体（１）を備える。導電体（２）は、タッチを検知するセンサ電極（Ａ２）、及びセンサ電極（Ａ２）と電気的に接続されて電気信号を外部に出力する配線（Ａ３）のうちの、少なくとも一方を構成する。第７の態様によれば、導電体（２）による反射光に関する改善を図ることが可能な配線体（１）を備えるタッチセンサ（Ａ１）を提供できる。

第８の態様に係る実装基板（Ｂ１）は、少なくとも１つの回路部品（Ｂ２）が実装される。実装基板（Ｂ１）は、第１の態様〜第６の態様のいずれか１つにおける配線体（１）を備える。導電体（２）は、回路部品（Ｂ２）が電気的に接続される導体パターン（Ｂ３）を構成する。第８の態様によれば、導電体（２）による反射光に関する改善を図ることが可能な配線体（１）を備える実装基板（Ｂ１）を提供できる。

第２〜第６の態様に係る構成については、配線体（１）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。

１ 配線体
２ 導電体
２０ 接触部位
２１ 第１導電層
２２ 第２導電層
２００ 中央部
２０１ 領域
２０２ 面
３ 絶縁体
３０ 表面
Ａ１ タッチセンサ
Ａ２ センサ電極
Ａ３ 配線
Ｂ１ 実装基板
Ｂ２ 回路部品
Ｂ３ 導体パターン
Ｇ１ 溝部
Ｈ１ 凸構造
Ｚ１ 密着層
Ｖ１ 凹部
Ｕ１ 操作体

Claims (8)

1. 導電体と、絶縁体と、
   を備え、
   前記導電体は、その少なくとも一部が前記絶縁体の表面において埋め込まれるように配置され、
   前記導電体は、前記絶縁体と接触する接触部位とは反対側の面の、中央部に凹部を有する、
   配線体。
2. 前記導電体は、
   前記接触部位及び前記凹部を有した第１導電層と、
   前記凹部内に配置される第２導電層と、
   を含む、
   請求項１に記載の配線体。
3. 前記絶縁体は、前記導電体の前記接触部位の周囲に、前記表面から凹んだ溝部を有する、
   請求項１又は請求項２に記載の配線体。
4. 前記導電体における前記中央部の周囲の領域を覆うように配置される、密着性を有した密着層を更に備える、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線体。
5. 前記導電体の、前記接触部位とは反対側において、前記接触部位から離れる方向に、前記表面よりも突出する凸構造を備える、
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線体。
6. 前記導電体は、ニッケルを含む、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線体。
7. 操作体のタッチを検知可能なタッチセンサであって、
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線体を備え、
   前記導電体は、前記タッチを検知するセンサ電極、及び前記センサ電極と電気的に接続されて電気信号を外部に出力する配線のうちの、少なくとも一方を構成する、
   タッチセンサ。
8. 少なくとも１つの回路部品が実装される実装基板であって、
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線体を備え、
   前記導電体は、前記回路部品が電気的に接続される導体パターンを構成する、
   実装基板。

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