JP2012154734A5 - - Google Patents

Description

また、第１の撮像手段および第２の撮像手段のそれぞれは、波長変換部材から出射されるシンチレーション光を集光する集光レンズ部と、集光されたシンチレーション光を撮像する撮像部と、を有すると好適である。この場合、波長変換部材の入射面および反対側の面の各面に焦点が合うように集光することで、エネルギー分別が良好で、明るい放射線画像を取得することができる。
第１の撮像手段の集光レンズ部は、入射面に焦点を合わせ、入射面から出射されたシンチレーション光を撮像部に向けて集光し、第２の撮像手段の集光レンズ部は、反対側の面に焦点を合わせ、反対側の面から出射されたシンチレーション光を撮像部に向けて集光してもよい。

ここで、第１の撮像手段は、入射面の法線方向に出射されるシンチレーション光を集光すると共に、第２の撮像手段は、反対側の面の法線方向に対して傾斜した方向に出射されるシンチレーション光を集光すると好適である。この場合、第１の撮像手段により取得される放射線画像は、波長変換部材の入射面付近で変換されるシンチレーション光による像であるため、波長変換部材の内部で生じるボケの影響が低減され、ボケの少ない鮮明な画像となる。よって、あおりがなく、且つボケの少ない放射線画像を基準画像にできるので、第２の撮像手段により取得される放射線画像のあおりを補正するにあたり、より良好な基準画像を用いることができる。
第１の撮像手段の集光レンズ部の光軸は、入射面に対して直交し、第２の撮像手段の集光レンズ部の光軸は、反対側の面に対して所定の角度をなしてもよい。
第１の撮像手段は、入射面に対峙すると共に、入射面の法線上に配置されてもよい。

また、放射線源は、入射面の法線上に配置されると共に、第１の撮像手段は、入射面の法線から外れた位置に配置され、波長変換部材と放射線源との間に配置された反射ミラーを介してシンチレーション光を集光すると好適である。この場合、上記したように、あおりがなく、且つボケの少ない放射線画像を基準画像にできる。しかも、放射線源が入射面の法線上に配置されるため、波長変換部材への投影像にもあおりが生じず、投影像のあおりを補正するための演算が不要となる。さらには、放射線による第１の撮像手段の被曝を抑制することができ、第１の撮像手段の内部におけるノイズの発生を抑制できる。
第１の撮像手段は、入射面の法線方向に対して傾斜した方向に出射されるシンチレーション光を集光すると共に、第２の撮像手段は、反対側の面の法線方向に出射されるシンチレーション光を集光してもよい。
第２の撮像手段の集光レンズ部の光軸は、反対側の面に対して直交してもよい。
第２の撮像手段は、反対側の面に対峙すると共に、反対側の面の法線上に配置されてもよい。

また、波長変換部材の反対側の面と第２の撮像手段との間には、反対側の面に対面させてテーパファイバが配置されていると好適である。この場合、テーパファイバによって反対側の面側のシンチレーション光を高い集光効率で集光できる。さらには、テーパファイバによって放射線が遮断され、第２の撮像手段の被爆を防止することができる。よって、第２の撮像手段により取得される放射線画像を基準画像にする場合においても、良好な基準画像とすることができる。
入射面から第１の撮像手段までの光路長と、反対側の面から第２の撮像手段までの光路長とは等しくてもよい。
第１の撮像手段および第２の撮像手段は、同時に撮像を行うように構成されてもよい。
第１の撮像手段および第２の撮像手段のそれぞれから出力される画像信号に基づいて画像処理を実行する画像処理手段を更に備えてもよい。

また、上記作用を効果的に奏する構成としては、一方の撮像手段によって撮像された画像を基準画像として、他方の撮像手段によって撮像された画像を補正する補正手段を更に備える構成が挙げられる。
補正手段は、一方の撮像手段によって撮像された画像を基準画像として、他方の撮像手段によって撮像された画像のあおりを補正してもよい。

また、対象物は半導体デバイスであり、上記放射線画像取得装置は、当該半導体デバイスを検査対象とする半導体故障検査装置に適用されると好適である。この場合、検査対象となる半導体デバイスを透過した放射線が撮像部（画像取得用の撮像素子）によりカットされることがないため、半導体デバイスの故障などを精度良く検出することができる。
対象物は電子部品であってもよい。

Claims (19)

1. 放射線を出射する放射線源と、
   前記放射線源から出射され、対象物を透過した前記放射線の入射に応じてシンチレーション光を発生させる平板状の波長変換部材と、
   前記波長変換部材の前記放射線の入射面から出射されるシンチレーション光を集光して撮像する第１の撮像手段と、
   前記波長変換部材の前記入射面とは反対側の面から出射されるシンチレーション光を集光して撮像する第２の撮像手段と、を備え、
   前記第１の撮像手段および前記第２の撮像手段の一方は、前記入射面または前記反対側の面からその法線方向に出射されるシンチレーション光を集光し、
   前記第１の撮像手段および前記第２の撮像手段の他方は、前記入射面または前記反対側の面からその法線方向に対して傾斜した方向に出射されるシンチレーション光を集光する
   ことを特徴とする放射線画像取得装置。
2. 前記第１の撮像手段および前記第２の撮像手段のそれぞれは、
   前記波長変換部材から出射される前記シンチレーション光を集光する集光レンズ部と、
   集光された前記シンチレーション光を撮像する撮像部と、
   を有することを特徴とする請求項１記載の放射線画像取得装置。
3. 前記第１の撮像手段の集光レンズ部は、前記入射面に焦点を合わせ、前記入射面から出射されたシンチレーション光を撮像部に向けて集光し、
   前記第２の撮像手段の集光レンズ部は、前記反対側の面に焦点を合わせ、前記反対側の面から出射されたシンチレーション光を撮像部に向けて集光する
   ことを特徴とする請求項２記載の放射線画像取得装置。
4. 前記第１の撮像手段は、前記入射面の法線方向に出射されるシンチレーション光を集光すると共に、
   前記第２の撮像手段は、前記反対側の面の法線方向に対して傾斜した方向に出射されるシンチレーション光を集光する
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。
5. 前記第１の撮像手段の集光レンズ部の光軸は、前記入射面に対して直交し、
   前記第２の撮像手段の集光レンズ部の光軸は、前記反対側の面に対して所定の角度をなす
   ことを特徴とする請求項４記載の放射線画像取得装置。
6. 前記第１の撮像手段は、前記入射面に対峙すると共に、前記入射面の法線上に配置されている
   ことを特徴とする請求項４又は５に記載の放射線画像取得装置。
7. 前記放射線源は、前記入射面の法線上に配置されると共に、
   前記第１の撮像手段は、前記入射面の法線から外れた位置に配置され、前記波長変換部材と前記放射線源との間に配置された反射ミラーを介してシンチレーション光を集光する
   ことを特徴とする請求項４又は５に記載の放射線画像取得装置。
8. 前記第１の撮像手段は、前記入射面の法線方向に対して傾斜した方向に出射されるシンチレーション光を集光すると共に、
   前記第２の撮像手段は、前記反対側の面の法線方向に出射されるシンチレーション光を集光する
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。
9. 前記第２の撮像手段の集光レンズ部の光軸は、前記反対側の面に対して直交する
   ことを特徴とする請求項８記載の放射線画像取得装置。
10. 前記第２の撮像手段は、前記反対側の面に対峙すると共に、前記反対側の面の法線上に配置されている
    ことを特徴とする請求項８又は９に記載の放射線画像取得装置。
11. 前記第２の撮像手段は、前記反対側の面の法線から外れた位置に配置され、前記反対側の面の法線上に配置された反射ミラーを介して前記反対側の面の法線方向に出射されるシンチレーション光を集光する
    ことを特徴とする請求項８又は９記載の放射線画像取得装置。
12. 前記波長変換部材の前記反対側の面と前記第２の撮像手段との間には、前記反対側の面に対面させてテーパファイバが配置されている
    ことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の放射線画像取得装置。
13. 前記入射面から前記第１の撮像手段までの光路長と、前記反対側の面から前記第２の撮像手段までの光路長とは等しい
    ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。
14. 前記第１の撮像手段および前記第２の撮像手段は、同時に撮像を行うように構成されている
    ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。
15. 前記第１の撮像手段および前記第２の撮像手段のそれぞれから出力される画像信号に基づいて画像処理を実行する画像処理手段を更に備える
    ことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。
16. 前記一方の撮像手段によって撮像された画像を基準画像として、前記他方の撮像手段によって撮像された画像を補正する補正手段を更に備える
    ことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。
17. 前記補正手段は、前記一方の撮像手段によって撮像された画像を基準画像として、前記他方の撮像手段によって撮像された画像のあおりを補正する
    ことを特徴とする請求項１６に記載の放射線画像取得装置。
18. 前記対象物は半導体デバイスであり、
    当該半導体デバイスを検査対象とする半導体故障検査装置に適用される
    ことを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。
19. 前記対象物は電子部品である
    ことを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。