JP2012062572A - 銅または銅合金用エッチング液 - Google Patents

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Abstract

【課題】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるエッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）、過酸化水素（Ｂ）、およびオキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）を必須成分とする銅または銅合金用エッチング液。
【選択図】 図４

Description

本発明は電子基板から銅または銅合金をエッチングするエッチング液に関するものであって、特に銅または銅合金とニッケルからなる電極（バンプ）を有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングするエッチング液に関する。
電子デバイスは性能向上のため素子の微細化、高密度化が進んでいるが、特に半導体デバイスでは微細化技術が限界に近づきつつある。高密度化の技術として従来のワイヤボンディング、フリップチップやバンプを用いて３次元構造のデバイスが実用化されているが、さらなる高密度化が望まれている。そこでシリコンを貫通している細いビアを作成し、銅などの導電体を充填し電極を作成する技術（ＴＳＶ技術）の開発が進んでいる（非特許文献１）。
一般的にＴＳＶ技術において銅を電極とする場合、シリコン基板に孔を空け、孔の内壁にシリコン酸化膜、チタン等のバリヤメタル層を作成した後、有機金属気相成長法や物理的気相成長法により銅のシード層を作成する（図１）。次に電極を形成する部位以外の銅のシード層の上にレジスト樹脂により保護膜を形成する（図２）。さらに保護膜が形成されていない部分に銅などの金属を埋め込み、バンプの形成が行われる。しかし、銅のままであると表面酸化現象などで接続信頼性が劣るため、一般的にニッケル層と金や錫および銀の合金からなる半田層がそれぞれ積層される（図３）。このあとレジスト樹脂を除去することでバンプが形成される（図４）。
ところで銅のシード層とバリヤメタル層はシリコン基板の孔の内部だけでなくシリコン基板表面にも形成されており、レジストを除去した後も残ったままである。このため、エッチング液により除去しなければならない（図５）。
このうち銅のシード層をウェットエッチングする方法として、硫酸と過酸化水素混合液などの酸と酸化剤からなるエッチング液を用いた方法が広く用いられている（特許文献１、特許文献２）。また、塩化第二銅や塩化第二鉄を含むエッチング液を用いた方法も広く知られている（特許文献３）。
しかしながら特許文献１〜３のようなエッチング方法では、電子基板に形成された銅のシード層をバンプ形成後にエッチングする場合、バンプ形成のために使用したニッケルもエッチングしてしまうため、バンプが変形するという問題があった。
「三次元実装のためのＴＳＶ技術」（傳田精一著、２００９年、工業調査会発行）の１２〜１６頁
特開２０００−２８６５３１号公報 特開２００９−１２０８７０号公報 特開２００８−２８５７２０号公報
本発明は、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるエッチング液を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）、過酸化水素（Ｂ）、およびオキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）を必須成分とする銅または銅合金用エッチング液；並びにこのエッチング液を用いて、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から選択的に銅または銅合金をエッチングする工程を含むことを特徴とする電子基板の製造方法である。
本発明は銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金をエッチングする工程において、銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができる。
図１は、シリコン基板に孔を空け、孔の内壁にシリコン酸化膜、チタン層、銅シード層の各層が積層されている断面図である。
図２は、図１のシリコン基板の上にレジスト樹脂を塗布し保護膜を形成した後の断面図である。
図３は、図２のシリコン基板にさらに、ニッケルと金の金属を積層した後の断面図である。
図４は、図３のシリコン基板からレジスト樹脂を除去した後の断面図である。
図５は、図４のシリコン基板から銅シード層を除去した後の断面図である。
図６は、図５のシリコン基板からバリヤメタル（チタン）層を除去した後の断面図である。
本発明の銅または銅合金用エッチング液は、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）、過酸化水素（Ｂ）、およびオキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）を必須成分とする。
本発明において、エッチングされる銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板としては、半導体、フラットパネルディスプレーに使用されるものが挙げられ、銅としては化学気相成長法（ＣＶＤ法）、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、原子層堆積法（ＡＬＤ法）、めっきで形成されたもの等が挙げられる。また、ニッケルも上記の方法で形成されたもの等が挙げられる。
本発明において、銅または銅合金のエッチング処理方法としては、浸漬式エッチングや枚葉式エッチングなどが挙げられる。
本発明のエッチング液は通常１０〜１００℃の範囲、好ましくは２０℃〜８０℃の温度条件で使用する。１０℃以上であればエッチング速度の点で好ましく、１００℃以下の温度であればエッチング速度にバラツキが生じない点で好ましい。
本発明の銅または銅合金用エッチング液の第１の必須成分である酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）は銅または銅合金のエッチング速度を高める作用がある。
本発明のおける酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）は、キレート効果を有するための官能基を２個以上有するものであって、そのうちの１個以上が酸基であれば、他の官能基として酸基でもよいし、例えば中性の水酸基、フェノール性水酸基などでもよい。
本発明のおけるキレート剤（Ａ）中の酸基としては、カルボキシル基、ホスホン基、スルホン基、リン酸基、硫酸基、硝酸基、ホウ酸基などが挙げられる。
酸基としてカルボキシル基を２個以上含む有機酸またはその塩（Ａ１）、酸基としてホスホン酸基を２個以上含む有機酸またはその塩（Ａ２）、酸基としてスルホン酸基を２個以上含む有機酸またはその塩（Ａ３）、酸基としてカルボキシル基とホスホン酸基をそれぞれ１個以上含む有機酸またはその塩（Ａ４）などが挙げられる。
また、酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）としては、キレート効果を示す水酸基を分子内に有するものであれば、酸基としてカルボキシル基、ホスホン酸基またはスルホン酸基を１個だけ含むキレート剤（Ａ５）であっても差しつかえない。
酸基としてカルボキシル基を２個以上含む有機酸またはその塩（Ａ１）としては、エチレンジアミンテトラ酢酸（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（塩）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（塩）、ニトリロ酸酢酸（塩）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）、シクロペンタンテトラカルボン酸（塩）などが挙げられる。
酸基としてホスホン酸基を２個以上含む有機酸またはその塩（Ａ２）としては、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、テトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）等が挙げられる。
酸基としてスルホン酸基を２個以上含む有機酸またはその塩（Ａ３）としては、メタンジスルホン酸（塩）、エタンジスルホン酸（塩）、フェノールジスルホン酸（塩）、ナフタレンジスルホン酸（塩）、ピペラジン‐１，４‐ビス（２‐エタンスルホン酸）（塩）等が挙げられる。
酸基としてカルボキシル基とホスホン酸基をそれぞれ１個以上含む有機酸またはその塩（Ａ４）としては、ホスホノ酢酸（塩）、２−ヒドロキシ−２−ホスホノ酢酸（塩）、カルボキシホスホン酸（塩）、３−ホスホノプロピオン酸（塩）、４−（３−ホスホノプロピル）−２−ピペラジンカルボン酸（塩）等が挙げられる。
水酸基と酸基としてカルボキシル基、ホスホン酸基またはスルホン酸基を１個だけ含むキレート剤（Ａ５）としては、乳酸（塩）、サリチル酸（塩）、没食子酸（塩）、２‐ヒドロキシエチルホスホン酸（塩）、２‐ヒドロキシエタンスルホン酸（塩）等が挙げられる。
酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）のうち銅または銅合金のエッチング速度の観点から好ましいものは酸基としてカルボキシル基を２個以上含む有機酸またはその塩（Ａ１）、酸基としてホスホン酸基を２個以上含む有機酸またはその塩（Ａ２）、酸基としてスルホン酸基を２個以上含む有機酸またはその塩（Ａ３）であり、さらに好ましいのは酸基としてホスホン酸基を２個以上含む有機酸（Ａ２）である。
酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）は単独または２つ以上を同時に併用することができる。
酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）含有量は銅または銅合金のエッチング速度の観点から、エッチング液の合計重量に基づいて、０．１〜５０重量％が好ましく、さらに好ましくは０．５〜３０重量％、特に好ましくは１〜２０重量％である。
本発明の第２の必須成分である過酸化水素（Ｂ）はエッチング速度を高める作用がある。過酸化水素（Ｂ）としては過酸化水素の水溶液を使用することができる。
過酸化水素（Ｂ）含有量は、エッチング速度の観点から、エッチング液の合計重量に基づいて、純分換算で０．０５〜２０重量％が好ましく、さらに好ましくは０．１〜１０重量％、特に好ましくは０．２〜５重量％である。
本発明の第３の必須成分であるオキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）は、分子内にオキシエチレン鎖を有するものであればよく、アルキルアミンのエチレンオキサイド（以下、エチレンオキサイドを「ＥＯ」と略記する。）付加物（Ｃ１）、１価アルコールのＥＯ付加物（Ｃ２）、多価アルコールのＥＯ付加物（Ｃ３）、エチレンオキサイドプロピレンオキサイド共重合体（Ｃ４）、アルキルフェノールのＥＯ付加物（Ｃ５）、脂肪酸のＥＯ付加物（Ｃ６）などのノニオン界面活性剤、アルキルアルコールのＥＯ付加物の末端を変性したアニオン界面活性剤（Ｃ７）、アルキルフェノールのＥＯ付加物の末端を変性したアニオン界面活性剤（Ｃ８）などを挙げることができる。
アルキルアミンのＥＯ付加物（Ｃ１）してはオクチルアミンのＥＯ付加物、ラウリルアミンのＥＯ付加物等が挙げられる。
１価アルコールのＥＯ付加物（Ｃ２）としては、ポリオキシエチレンオクチルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル等が挙げられる。
多価アルコールのＥＯ付加物（Ｃ３）としては、ショ糖のＥＯ付加物、ソルビトールのＥＯ付加物、ペンタエリスリトールのＥＯ付加物；ソルビタンのラウリン酸モノエステルのＥＯ付加物等が挙げられる。
エチレンオキサイドプロピレンオキサイド共重合体（Ｃ４）としては、ポリオキシプロピレングリコールのエチレンオキサイド付加物、ポリオキシエチレングリコールのプロピレンオキサイド付加物が挙げられる。エチレンオキサイドの付加モル数は１〜３００、プロピレンオキサイドの付加モル数は１〜３００のものが挙げられる。
エチレンオキサイドプロピレンオキサイド共重合体（Ｃ４）を（Ｃ）成分として用いると消泡剤としての効果も有しているため特に有益である。
アルキルフェノールのＥＯ付加物（Ｃ５）としてはポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル等が挙げられる。
脂肪酸のＥＯ付加物（Ｃ６）としてはモノステアリン酸ポリエチレングリコール、ジステアリン酸ポリエチレングリコール、モノオレイン酸ポリエチレングリコール、ジオレイン酸ポリエチレングリコール等が挙げられる。
アルキルアルコールのＥＯ付加物の末端を変性したアニオン界面活性剤（Ｃ７）としては、上記の１価アルコールのＥＯ付加物（Ｃ２）を有機酸で変性したアニオン界面活性剤であり、ポリオキシエチレンオクチルエーテル酢酸（塩）、ポリオキシエチレンラウリルエーテル酢酸（塩）、ポリオキシエチレンオクチルエーテルスルホコハク酸（塩）、ポリオキシエチレンラウリルエーテルスルホコハク酸（塩）ポリオキシエチレンオクチルエーテル硫酸エステル（塩）、ポリオキシエチレンラウリルエーテル硫酸エステル（塩）等が挙げられる。
アルキルフェノールのＥＯ付加物の末端を変性したアニオン界面活性剤（Ｃ８）としては、上記のアルキルフェノールのＥＯ付加物（Ｃ５）を有機酸で変性したアニオン界面活性剤であり、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル硫酸エステル（塩）、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル硫酸エステル（塩）等が挙げられる。
オキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）のＥＯの付加モル数としては、銅または銅合金とニッケルのエッチング速度比の観点から１〜２０、好ましくは２〜１５である。
オキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）のうち、銅または銅合金とニッケルのエッチング速度比の観点、銅めっき層（図４中の６）が銅シード（図４中の４）よりもエッチングが少ないという観点、ウエハへのエッチング液の濡れ広がりの良さの観点から好ましいものはアルキルアミンのＥＯ付加物（Ｃ１）、エチレンオキサイドプロピレンオキサイド共重合体（Ｃ４）、アルキルアルコールのＥＯ付加物の末端を変性したアニオン界面活性剤（Ｃ７）である。金属不純物が少ないという観点からアルキルアミンのＥＯ付加物（Ｃ１）がさらに好ましく、抑泡効果の観点からエチレンオキサイドプロピレンオキサイド共重合体（Ｃ４）がさらに好ましい。
オキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）は単独または２種以上を併用することができる。
本発明の酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）と過酸化水素（Ｂ）の重量比（Ａ）／（Ｂ）は銅または銅合金のエッチング速度の観点から好ましくは１〜３０、さらに好ましくは２〜２０、特に好ましくは３〜１０である。
本発明の酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）と界面活性剤（Ｃ）の重量比（Ａ）／（Ｃ）は銅または銅合金とニッケルのエッチング速度比と泡立ちの観点から好ましくは１〜１００、さらに好ましくは２〜５０、特に好ましくは５〜３０である。
本発明のエッチング液は（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を溶剤中に混合して使用することが望ましい。その溶剤としては水、アルコール、グリコールエーテル、エーテル、エステル、ケトン、カーボネート、アミド等が挙げられる。
アルコールとしては、メタノ−ル、エタノール、イソプロパノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ヘキサノール、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、テトラヒドロフルフリルアルコール、グリセリンなどが挙げられる。
グリコールエーテルとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
エーテルとしては、ジエチルエーテル、ジソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどが挙げられる。
エステルとしては、乳酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。
ケトンとしては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソピロピルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。
カーボネートとしては、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどが挙げられる。
アミドとしては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
エッチング液の溶剤として取り扱いやすさの観点から好ましいのは水である。
本発明のエッチング液は配線金属の保護の目的で必要に応じてトリアゾール類、イミダゾール類、チオール化合物、糖アルコール類などの腐食防止剤を添加することができる。
トリアゾール類としては、ベンゾトリアゾール、ｏ−トリルトリアゾール、ｍ−トリルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール、ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール等が挙げられる。
イミダゾール類としては、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ベンズイミダゾールカルボン酸、イミダゾール−２−カルボン酸、イミダゾール−４−カルボン酸、イミダゾール−２−カルボキシアルデヒド、イミダゾール−４−カルボキシアルデヒド、４−イミダゾールジチオカルボン酸等が挙げられる。
チオール化合物としては、メルカプトチアゾール、メルカプトエタノール、チオグリセロール等が挙げられる。
糖アルコールとしては、エリスリトール、トレイトール、アラビニトール、キシリトール、リビトール、マンニトール、ソルビトール、マルチトイノシトール等が挙げられる。
本発明のエッチング液は配線金属の保護の目的で必要に応じて酸化防止剤を添加することができる。
酸化防止剤としては、カテキン、トコフェロール、カテコール、メチルカテコール、エチルカテコール、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、没食子酸、没食子酸メチル、没食子酸プロピル等のフェノール類、３−ヒドロキシフラボン、アスコルビン酸等が挙げられる。
本発明のエッチング液には、ｐＨ調整の目的で塩基性化合物または酸性化合物を添加することができる。
その目的で添加する塩基性化合物は、アンモニア、アミンまたはテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、含窒素複素環式化合物である。また、その目的で添加する酸性化合物は、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸などの無機酸、酢酸などの有機酸である。
また、エッチング速度を安定化する目的で、無機酸またはその塩を添加することが有効である。このような無機酸としては、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸などが好ましい。
アミンとしては、脂肪族アミン、アルカノールアミン、アルキレンジアミン、ポリアルキレンポリアミン、芳香族アミン、脂環式アミン、グアニジンなどが挙げられる。
脂肪族アミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、ジメチルアミン、エチルメチルアミン、プロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、プロピルエチルアミン、ジイソプロピルアミン、トリメチルアミン、エチルジメチルアミン、ジエチルメチルアミン、トリエチルアミン、トリｎ−プロピルアミン、トリｎ−ブチルアミン等が挙げられる。
アルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノエタノール、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等が挙げられる。
アルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。
ポリアルキレンポリアミンとしては、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ヘキサメチレンヘプタミン、イミノビスプロピルアミン、ビス（ヘキサメチレン）トリアミン、ペンタエチレンヘキサミン等が挙げられる。
芳香族アミンとしては、アニリン、フェニレンジアミン、トリレンジアミン、キシリレンジアミン、メチレンジアニリン、ジフェニルエーテルジアミン、ナフタレンジアミン、アントラセンジアミン等が挙げられる。
脂環式アミンとしてはイソホロンジアミン、シクロヘキシレンジアミン、ピペラジン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、１，４−ジアミノエチルピペラジン等が挙げられる。
テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドとしては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等が挙げられる。
含窒素複素環式化合物としては、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、ピラジン、ビピリジン、フェナントロリン等が挙げられる。
本発明のエッチング液は配線金属の保護の目的で必要に応じて消泡剤を添加することができる。
消泡剤としては、シリコーン消泡剤、長鎖アルコール消泡剤、脂肪酸エステル消泡剤及び金属セッケン消泡剤等が挙げられる。前述のエチレンオキサイドプロピレンオキサイド共重合体（Ｃ４）も消泡剤として使用することができる。
腐食防止剤、酸化防止剤、ｐＨ調整剤、消泡剤は単独で使用しても、２種以上併用してもよい。
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、％は重量％、部は重量部を示す。
＜実施例１〜７および比較例１〜５＞
表１に記載したキレート剤（Ａ）、過酸化水素（Ｂ）、界面活性剤（Ｃ）、および水をポリプロピレン製の容器中で混合して、本発明のエッチング液と比較のためのエッチング液を得た。
Figure 2012062572
なお、表中の記号は以下の化合物を表す。
（Ａ−１）：クエン酸
（Ａ−２）：６０％１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸水溶液
（Ａ−３）：１，２−エタンジスルホン酸二水和物
（Ａ−４）：ニトリロトリスメチレンホスホン酸
（Ｂ−１）：３５％過酸化水素水
（Ｃ−１）：ラウリルアミンのＥＯ８モル付加物
（Ｃ−２）：ラウリルアルコールのＥＯ２．５モル付加物の硫酸エステルナトリウム塩
（Ｃ−３）：ポリオキシプロピレングリコールのＥＯ付加物（プロピレンオキサイド平均３１モル、エチレンオキサイド平均４５モル）
（Ｃ’−１）：塩化ステアリルトリメチルアンモニウム
性能評価として、銅のエッチング時間とニッケルのエッチング性能（エッチング量）を以下の方法で行った。
＜銅のエッチング時間＞
銅のエッチング時間を、以下の操作方法で銅シード層の光沢が消失するまでの時間で評価した。
（１）シリコン基板に加工を加えて図４の状態まで作成したウエハ（銅シード層の厚み１μｍ）を１５ｍｍ角の正方形に切断してテストピースを作成した。なお、走査型電子顕微鏡（日立ハイテク社製Ｓ−４８００）でウエハを１ｃｍ各に切断したテストピースの断面を観察したところ、バンプの幅は約３０μｍ、バンプの高さは約８μｍであった。銅シード層の厚みは１μｍであった。
（２）実施例１〜７および比較例１〜５で作成したエッチング液をポリプロピレン製の容器に入れて撹拌し、この中に上記のテストピースを浸漬する。
（３）液中に浸漬した状態でテストピースの表面を目視で観察し、銅シード層の全面の銅光沢が消失する（図５の３：チタン層の全面が見える状態）までの時間を測定する。
この目的で使用される本発明のエッチング液においては、 銅光沢の消失時間が１０分以内であることが好ましい。
なお、６０分で光沢が消失しなかったものは、６０分で浸漬を中止し、表１中には「＞６０」と表記した。
＜ニッケルのエッチング量＞
走査型電子顕微鏡（日立ハイテク社製Ｓ−４８００）で、銅シード層をエッチングする前のテストピースとエッチング後のテストピースのそれぞれニッケル層の浸食の程度とその幅が確認できる側面の写真撮影をした。そして、写真画像から、銅シード層をエッチングする前のテストピースのニッケル層（図４の７）の幅Ａ１（μｍ）と、エッチング後のテストピースのニッケル層（図５の７）の幅Ａ２（μｍ）を測定した。エッチング前後のニッケル層の幅の差Ａ１−Ａ２が１．０μｍ未満のものを○、差が１．０μｍ以上のものを×と判定した。
表１から明らかなように、実施例１〜７では、銅シード層のエッチングが速く、その反面、ニッケル部分のエッチングが認められず、所望のバンプを形成することができた。
一方、本発明のオキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）を含んでいない比較例１および比較例２は銅シード層のエッチングは速いものの、ニッケルをエッチングしてしまい、バンプが変形し、使用できなくなる。
また、本発明の本発明のキレート剤（Ａ）の代わりに硫酸を使用した比較例３についても銅シード層のエッチングは速いものの、ニッケルをエッチングしてしまい、バンプが変形し、使用できなくなる。
本発明のキレート剤（Ａ）を含まない比較例４については銅シード層もニッケルもエッチングしない。
過酸化水素（Ｂ）を含まない比較例５については銅シード層もニッケルもエッチングしない。
本発明の銅または銅合金用エッチング液は、銅または銅合金とニッケルを同時に有する物品に対して銅または銅合金のエッチングを高選択的に行うことができるという点で優れているため、プリント配線基板、フラットパネルディスプレー、ＭＥＭＳ、半導体装置などの電子基板製造時の工程用薬剤として有用である。
図１〜図６中の数字１〜９は、以下を表す。
１： シリコン基板
２： シリコン酸化膜
３： チタン層
４： 銅シード層
５： レジスト樹脂
６： 銅めっき層
７： ニッケルめっき層
８： 金めっき層
９： バンプ

Claims (7)

  1. 銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）、過酸化水素（Ｂ）、およびオキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）を必須成分とする銅または銅合金用エッチング液。
  2. 該キレート剤（Ａ）が、ホスホン酸基および／またはスルホン酸基を分子内に合計２個以上有する有機酸である請求項１記載のエッチング液。
  3. 該キレート剤（Ａ）がカルボキシル基を分子内に２個以上有する有機酸である請求項１記載のエッチング液。
  4. 該界面活性剤（Ｃ）が脂肪族アミンのエチレンオキサイド付加物である請求項１〜３いずれか記載のエッチング液。
  5. 該キレート剤（Ａ）と過酸化水素（Ｂ）の重量比（Ａ）／（Ｂ）が１〜３０である請求項１〜４いずれか記載のエッチング液。
  6. 該キレート剤（Ａ）と該界面活性剤（Ｃ）の重量比（Ａ）／（Ｃ）が１〜１００である請求項１〜５いずれか記載のエッチング液。
  7. 請求項１〜６いずれか記載の銅または銅合金用エッチング液を用いて、銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から選択的に銅または銅合金をエッチングする工程を含むことを特徴とする電子基板の製造方法。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9678430B2 (en) 2012-05-18 2017-06-13 Entegris, Inc. Composition and process for stripping photoresist from a surface including titanium nitride
US9765288B2 (en) 2012-12-05 2017-09-19 Entegris, Inc. Compositions for cleaning III-V semiconductor materials and methods of using same
JP2018184624A (ja) * 2017-04-24 2018-11-22 三洋化成工業株式会社 銅又は銅合金用エッチング液
US10138117B2 (en) 2013-07-31 2018-11-27 Entegris, Inc. Aqueous formulations for removing metal hard mask and post-etch residue with Cu/W compatibility
US10176979B2 (en) 2012-02-15 2019-01-08 Entegris, Inc. Post-CMP removal using compositions and method of use
JPWO2017188108A1 (ja) * 2016-04-27 2019-02-28 三洋化成工業株式会社 エッチング液及び電子基板の製造方法
US10340150B2 (en) 2013-12-16 2019-07-02 Entegris, Inc. Ni:NiGe:Ge selective etch formulations and method of using same
US10347504B2 (en) 2013-12-20 2019-07-09 Entegris, Inc. Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist
US10428271B2 (en) 2013-08-30 2019-10-01 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US10475658B2 (en) 2013-12-31 2019-11-12 Entegris, Inc. Formulations to selectively etch silicon and germanium
US10472567B2 (en) 2013-03-04 2019-11-12 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US10557107B2 (en) 2014-01-29 2020-02-11 Entegris, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
JP2020079444A (ja) * 2018-11-12 2020-05-28 三洋化成工業株式会社 銅又は銅合金用エッチング液及び電子基板の製造方法
US10920141B2 (en) 2013-06-06 2021-02-16 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
TW201716588A (zh) 2010-08-20 2017-05-16 恩特葛瑞斯股份有限公司 從電子廢棄物再生貴金屬和卑金屬之永續製程
KR101687342B1 (ko) * 2010-10-07 2016-12-19 엘에스전선 주식회사 동판 및 동선재용 도금액 조성물
WO2012097143A2 (en) 2011-01-13 2012-07-19 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for the removal of particles generated by cerium- containing solutions
JP5933950B2 (ja) 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
JP6198672B2 (ja) * 2013-05-02 2017-09-20 富士フイルム株式会社 エッチング方法、これに用いるエッチング液およびエッチング液のキット、ならびに半導体基板製品の製造方法
JP6110814B2 (ja) * 2013-06-04 2017-04-05 富士フイルム株式会社 エッチング液およびそのキット、これらを用いたエッチング方法、半導体基板製品の製造方法および半導体素子の製造方法
SG10201710610PA (en) * 2013-07-05 2018-02-27 Wako Pure Chem Ind Ltd Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid
CN103474393B (zh) * 2013-09-11 2015-07-08 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 免cmp的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法
CN103456685B (zh) * 2013-09-13 2015-03-18 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种不需使用cmp的tsv与第一层再布线层的制造方法
US9291910B2 (en) * 2013-09-27 2016-03-22 Dynaloy, Llc Aqueous solution and process for removing substances from substrates
US9287228B2 (en) * 2014-06-26 2016-03-15 Lam Research Ag Method for etching semiconductor structures and etching composition for use in such a method
KR102209423B1 (ko) * 2014-06-27 2021-01-29 동우 화인켐 주식회사 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR102204209B1 (ko) * 2014-06-27 2021-01-18 동우 화인켐 주식회사 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR20160001985A (ko) * 2014-06-30 2016-01-07 동우 화인켐 주식회사 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
CN104118871B (zh) * 2014-07-31 2017-02-15 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种石墨烯生长衬底的复合刻蚀液及其刻蚀方法
US10920143B2 (en) * 2015-08-26 2021-02-16 Adeka Corporation Etching liquid composition and etching method
CN108028198B (zh) * 2015-08-26 2022-10-18 株式会社Adeka 蚀刻液组合物以及蚀刻方法
CN108291314B (zh) * 2015-11-19 2020-09-11 Oci有限公司 铜蚀刻用组合物及过氧化氢类金属蚀刻用组合物
CN105624685A (zh) * 2015-12-31 2016-06-01 芜湖市金宇石化设备有限公司 一种汽车铝制踏板防腐蚀处理用防腐基础液的制备方法
CN105568275A (zh) * 2015-12-31 2016-05-11 芜湖市金宇石化设备有限公司 一种汽车铝制踏板防腐蚀处理用防腐基础液
CN105463438A (zh) * 2015-12-31 2016-04-06 芜湖市金宇石化设备有限公司 一种汽车铝制踏板防腐蚀处理方法
KR102583609B1 (ko) * 2016-03-28 2023-10-06 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막용 식각액 조성물, 이를 이용한 표시장치용 어레이 기판의 제조방법
CN105848421A (zh) * 2016-04-18 2016-08-10 王靖 一种用于半加成法制备精细线路的差分蚀刻溶液
KR102340997B1 (ko) * 2016-10-21 2021-12-21 가부시키가이샤 아데카 에칭액 조성물 및 에칭 방법
CN108018556A (zh) * 2016-10-31 2018-05-11 易案爱富科技有限公司 蚀刻组合物
CN106757033B (zh) * 2017-03-28 2019-01-04 江苏和达电子科技有限公司 一种铜或铜合金的选择性蚀刻液
KR102368365B1 (ko) * 2017-03-28 2022-02-28 동우 화인켐 주식회사 구리계 금속막용 식각액 조성물, 이를 이용한 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법, 및 박막 트랜지스터 어레이 기판
JP6736088B2 (ja) * 2017-05-22 2020-08-05 メック株式会社 エッチング液、補給液および銅配線の形成方法
CN107287594A (zh) * 2017-06-01 2017-10-24 东莞市达诚显示材料有限公司 一种铜镍多层薄膜用蚀刻液
KR102048495B1 (ko) * 2018-03-27 2019-11-25 김용석 Msap 기판 제조용 에칭액
CN109112541A (zh) * 2018-10-29 2019-01-01 深圳市中南环保科技控股有限公司 环保型高效双液型酸性蚀刻液
CN109536962B (zh) * 2018-11-20 2023-06-16 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 一种cvd石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液
TWI831869B (zh) * 2018-11-20 2024-02-11 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 用以選擇性蝕刻銅及銅合金之蝕刻液及使用此蝕刻液之半導體基板之製造方法
JP7233217B2 (ja) * 2018-12-28 2023-03-06 関東化学株式会社 酸化亜鉛および銀を有する積層膜の一括エッチング液組成物
CN110079803B (zh) * 2019-04-24 2020-11-24 深圳市华星光电技术有限公司 刻蚀液、刻蚀组合液以及刻蚀方法
US10947473B2 (en) * 2019-05-17 2021-03-16 Vanderbilt Chemicals, Llc Less corrosive organic compounds as lubricant additives
CN110644001A (zh) * 2019-10-22 2020-01-03 湖北兴福电子材料有限公司 一种铜蚀刻液
CN110819991B (zh) * 2019-11-08 2022-07-15 日月光半导体(上海)有限公司 蚀刻液及使用其的封装基板的制造方法
CN110923713B (zh) * 2019-12-31 2020-12-08 成都中电熊猫显示科技有限公司 一种用于铜钼及合金膜的刻蚀液及其制备方法
CN111519190B (zh) * 2020-05-27 2022-03-18 湖北兴福电子材料有限公司 一种铜制程面板中稳定蚀刻锥角的蚀刻液及稳定方法
CN111979546A (zh) * 2020-08-19 2020-11-24 江苏科林泰电子有限公司 一种有效的金属镁、银的剥离清洗剂
CN112030165B (zh) * 2020-08-28 2022-05-20 武汉迪赛新材料有限公司 Tft-lcd制程用铜钼合层蚀刻液
CN112080747B (zh) * 2020-09-02 2021-10-08 Tcl华星光电技术有限公司 蚀刻钼/铜/钼或钼合金/铜/钼合金三层金属配线结构的蚀刻液组合物及其应用
CN112362437B (zh) * 2020-10-30 2023-12-19 万华化学集团股份有限公司 一种金相侵蚀剂以及金相组织显示方法
CN113445052A (zh) * 2021-07-28 2021-09-28 南通群安电子材料有限公司 适用于msap制程的差异性蚀刻药水
CN113718256B (zh) * 2021-08-06 2022-11-11 浙江奥首材料科技有限公司 一种铜蚀刻液及其在晶圆级封装中的应用
CN114774004B (zh) * 2022-04-07 2023-10-10 湖州飞鹿新能源科技有限公司 一种硅片抛光添加剂、抛光液及其制备方法和应用
CN115058715B (zh) * 2022-07-19 2023-12-22 上海天承化学有限公司 一种用于压延铜箔表面的微蚀液及其制备方法和应用
CN115418642B (zh) * 2022-08-23 2023-06-02 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种铜钼蚀刻液及其制备方法
CN116103655B (zh) * 2022-12-25 2024-06-28 江苏中德电子材料科技有限公司 一种集成电路用金属碱性蚀刻液及其制备方法
CN116497355B (zh) * 2023-04-10 2024-03-22 珠海市裕洲环保科技有限公司 一种酸性铜蚀刻液及其应用
CN117305841B (zh) * 2023-11-29 2024-02-02 深圳市板明科技股份有限公司 用于印制线路板的闪蚀药水及其闪蚀方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49113799A (ja) * 1973-03-02 1974-10-30
JPS5920471A (ja) * 1982-07-23 1984-02-02 Electroplating Eng Of Japan Co 剥離剤
JPS5943879A (ja) * 1982-09-07 1984-03-12 エフ・エム・シ−・コ−ポレ−シヨン 過酸化水素含有硫酸溶液を用いるプリント回路エツチングのための組成物及びその方法
JPH116083A (ja) * 1997-06-13 1999-01-12 Hitachi Ltd 銅または銅合金用溶解液、その製造方法、銅または銅合金のエッチング方法、化学研磨方法および形成方法、ならびに、プリント配線基板の製造方法
JP2002241968A (ja) * 2000-11-01 2002-08-28 Lg Phillips Lcd Co Ltd エッチング剤及びこのエッチング剤を用いた電子機器用基板の製造方法
JP2005105410A (ja) * 2003-09-08 2005-04-21 Mitsubishi Chemicals Corp 銅エッチング液及びエッチング方法
JP2008277723A (ja) * 2007-03-30 2008-11-13 Fujifilm Corp 金属用研磨液及び研磨方法
US20080286701A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Ibm Corporation (Yorktown) Method for kinetically controlled etching of copper
JP2009019270A (ja) * 2007-06-14 2009-01-29 Mec Kk 表面粗化剤

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4378270A (en) * 1981-10-29 1983-03-29 Learonal, Inc. Method of etching circuit boards and recovering copper from the spent etch solutions
US4375384A (en) * 1982-03-08 1983-03-01 Rockwell International Corporation Method for penetrant inspection employing an etchant penetrant
TW263531B (ja) * 1992-03-11 1995-11-21 Mitsubishi Gas Chemical Co
US5320709A (en) 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
JP3481379B2 (ja) 1995-08-23 2003-12-22 メック株式会社 電気めっき法
US7534752B2 (en) 1996-07-03 2009-05-19 Advanced Technology Materials, Inc. Post plasma ashing wafer cleaning formulation
US6244785B1 (en) 1996-11-12 2001-06-12 H. B. Zachry Company Precast, modular spar system
JPH10158869A (ja) * 1996-11-27 1998-06-16 Nippon Hyomen Kagaku Kk 鉄−ニッケル系合金又は鉄−ニッケル−コバルト系合金の化学研磨液および化学研磨方法
US6755989B2 (en) 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6896826B2 (en) 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US5993685A (en) 1997-04-02 1999-11-30 Advanced Technology Materials Planarization composition for removing metal films
AU7147798A (en) 1997-04-23 1998-11-13 Advanced Chemical Systems International, Inc. Planarization compositions for cmp of interlayer dielectrics
US6346741B1 (en) 1997-11-20 2002-02-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and structures for chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors and method of fabricating FeRAM capacitors using same
US6284309B1 (en) * 1997-12-19 2001-09-04 Atotech Deutschland Gmbh Method of producing copper surfaces for improved bonding, compositions used therein and articles made therefrom
US6280651B1 (en) 1998-12-16 2001-08-28 Advanced Technology Materials, Inc. Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent
US6211126B1 (en) 1997-12-23 2001-04-03 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent for stripping residues from semiconductor substrates
JP4226216B2 (ja) 1998-05-18 2009-02-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 半導体基板用の剥離用組成物
US6875733B1 (en) 1998-10-14 2005-04-05 Advanced Technology Materials, Inc. Ammonium borate containing compositions for stripping residues from semiconductor substrates
TW467953B (en) * 1998-11-12 2001-12-11 Mitsubishi Gas Chemical Co New detergent and cleaning method of using it
US6395194B1 (en) 1998-12-18 2002-05-28 Intersurface Dynamics Inc. Chemical mechanical polishing compositions, and process for the CMP removal of iridium thin using same
US6086779A (en) * 1999-03-01 2000-07-11 Mcgean-Rohco, Inc. Copper etching compositions and method for etching copper
JP2000286531A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Matsushita Electric Works Ltd プリント配線板の製造方法
US20010054706A1 (en) * 1999-07-19 2001-12-27 Joseph A. Levert Compositions and processes for spin etch planarization
US6630433B2 (en) * 1999-07-19 2003-10-07 Honeywell International Inc. Composition for chemical mechanical planarization of copper, tantalum and tantalum nitride
CN100335580C (zh) * 1999-08-13 2007-09-05 卡伯特微电子公司 含有阻化化合物的抛光系统及其使用方法
US6344432B1 (en) 1999-08-20 2002-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
JP4063475B2 (ja) * 1999-11-10 2008-03-19 メック株式会社 銅または銅合金のエッチング剤
US6599370B2 (en) 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
US6566315B2 (en) 2000-12-08 2003-05-20 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
US6692546B2 (en) 2001-08-14 2004-02-17 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same
US7029373B2 (en) 2001-08-14 2006-04-18 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for metal and associated materials and method of using same
US6800218B2 (en) 2001-08-23 2004-10-05 Advanced Technology Materials, Inc. Abrasive free formulations for chemical mechanical polishing of copper and associated materials and method of using same
US6802983B2 (en) 2001-09-17 2004-10-12 Advanced Technology Materials, Inc. Preparation of high performance silica slurry using a centrifuge
TWI276682B (en) * 2001-11-16 2007-03-21 Mitsubishi Chem Corp Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method
US6773873B2 (en) 2002-03-25 2004-08-10 Advanced Technology Materials, Inc. pH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials
US6936543B2 (en) * 2002-06-07 2005-08-30 Cabot Microelectronics Corporation CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants
JP2004043895A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Mitsubishi Chemicals Corp 銅エッチング液
US6849200B2 (en) 2002-07-23 2005-02-01 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material
US7300601B2 (en) 2002-12-10 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization
US8236485B2 (en) 2002-12-20 2012-08-07 Advanced Technology Materials, Inc. Photoresist removal
JP4018559B2 (ja) 2003-02-27 2007-12-05 メック株式会社 電子基板の製造方法
CN101371339A (zh) 2003-05-12 2009-02-18 高级技术材料公司 用于步骤ⅱ的铜衬里和其他相关材料的化学机械抛光组合物及其使用方法
US7736405B2 (en) 2003-05-12 2010-06-15 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same
US7335239B2 (en) 2003-11-17 2008-02-26 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical planarization pad
KR20060115896A (ko) 2003-12-02 2006-11-10 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 레지스트, ｂａｒｃ 및 갭 필 재료 스트리핑 케미칼 및방법
US7465408B1 (en) * 2003-12-03 2008-12-16 Advanced Micro Devices, Inc. Solutions for controlled, selective etching of copper
US7255810B2 (en) * 2004-01-09 2007-08-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system comprising a highly branched polymer
US7390744B2 (en) * 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US8338087B2 (en) 2004-03-03 2012-12-25 Advanced Technology Materials, Inc Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate
US20060154186A1 (en) 2005-01-07 2006-07-13 Advanced Technology Materials, Inc. Composition useful for removal of post-etch photoresist and bottom anti-reflection coatings
CN101098989A (zh) * 2005-03-29 2008-01-02 三菱化学株式会社 铜的蚀刻液以及蚀刻方法
US20070251551A1 (en) 2005-04-15 2007-11-01 Korzenski Michael B Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems
WO2006133249A2 (en) 2005-06-06 2006-12-14 Advanced Technology Materials, Inc. Integrated chemical mechanical polishing composition and process for single platen processing
TWI622639B (zh) 2005-06-07 2018-05-01 恩特葛瑞斯股份有限公司 金屬及介電相容犠牲抗反射塗層清洗及移除組成物
KR20080015027A (ko) 2005-06-13 2008-02-15 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 금속 규화물 형성 후 금속 또는 금속 합금의 선택적인제거를 위한 조성물 및 방법
TW200714696A (en) 2005-08-05 2007-04-16 Advanced Tech Materials High throughput chemical mechanical polishing composition for metal film planarization
KR101444468B1 (ko) 2005-10-05 2014-10-30 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 에칭후 잔류물을 제거하기 위한 산화성 수성 세정제
EP1949424A2 (en) 2005-10-05 2008-07-30 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for selectively etching gate spacer oxide material
KR20080059442A (ko) 2005-10-13 2008-06-27 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 금속 상용성 포토레지스트 및/또는 희생 반사방지 코팅제거 조성물
WO2007111694A2 (en) 2005-11-09 2007-10-04 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon
TW200734448A (en) 2006-02-03 2007-09-16 Advanced Tech Materials Low pH post-CMP residue removal composition and method of use
KR100816651B1 (ko) * 2006-03-31 2008-03-27 테크노세미켐 주식회사 제올라이트를 함유하는 구리 화학 기계적 연마 조성물
TW200745313A (en) * 2006-05-26 2007-12-16 Wako Pure Chem Ind Ltd Substrate etching liquid
EP2082024A4 (en) 2006-09-25 2010-11-17 Advanced Tech Materials COMPOSITIONS AND METHODS FOR REMOVING A PHOTORESISTANT AGENT FOR RECYCLING A SILICON GALETTE
US20080125342A1 (en) 2006-11-07 2008-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for cleaning memory device structures
TWI509690B (zh) 2006-12-21 2015-11-21 Entegris Inc 選擇性移除氮化矽之組合物及方法
US20100087065A1 (en) 2007-01-31 2010-04-08 Advanced Technology Materials, Inc. Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications
TWI516573B (zh) 2007-02-06 2016-01-11 安堤格里斯公司 選擇性移除ＴｉＳｉＮ之組成物及方法
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
JP4967800B2 (ja) 2007-05-17 2012-07-04 凸版印刷株式会社 銅溶解液およびそれを用いた銅または銅合金のエッチング方法
TW200916571A (en) * 2007-08-02 2009-04-16 Advanced Tech Materials Non-fluoride containing composition for the removal of residue from a microelectronic device
KR20100056537A (ko) 2007-08-20 2010-05-27 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 이온-주입된 포토레지스트를 제거하기 위한 조성물 및 방법
JP5329786B2 (ja) * 2007-08-31 2013-10-30 株式会社東芝 研磨液および半導体装置の製造方法
JP5182612B2 (ja) 2007-11-12 2013-04-17 凸版印刷株式会社 エッチング液及び該エッチング液を用いた配線基板の製造方法
EP2253740A1 (en) * 2008-01-15 2010-11-24 Mitsubishi Paper Mills Limited Etchant for copper or copper alloy, liquid for etching pretreatment, and etching method
KR20100123757A (ko) 2008-03-07 2010-11-24 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 비-선택적 산화물 에칭용 습윤 세정 조성물 및 사용 방법
EP2288965A4 (en) 2008-05-01 2011-08-10 Advanced Tech Materials LOW PH MIXTURES FOR REMOVAL OF HIGH DENSITY IMPLANTED RESERVE
CN102216854A (zh) 2008-08-04 2011-10-12 高级技术材料公司 环境友好型聚合物剥离组合物
WO2011078335A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 三菱瓦斯化学株式会社 エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2013533631A (ja) 2010-07-16 2013-08-22 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド エッチング後残渣を除去するための水性洗浄剤
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
SG10201508015RA (en) 2010-10-06 2015-10-29 Entegris Inc Composition and process for selectively etching metal nitrides
US9416338B2 (en) 2010-10-13 2016-08-16 Advanced Technology Materials, Inc. Composition for and method of suppressing titanium nitride corrosion
WO2012097143A2 (en) 2011-01-13 2012-07-19 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for the removal of particles generated by cerium- containing solutions

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49113799A (ja) * 1973-03-02 1974-10-30
JPS5920471A (ja) * 1982-07-23 1984-02-02 Electroplating Eng Of Japan Co 剥離剤
JPS5943879A (ja) * 1982-09-07 1984-03-12 エフ・エム・シ−・コ−ポレ−シヨン 過酸化水素含有硫酸溶液を用いるプリント回路エツチングのための組成物及びその方法
JPH116083A (ja) * 1997-06-13 1999-01-12 Hitachi Ltd 銅または銅合金用溶解液、その製造方法、銅または銅合金のエッチング方法、化学研磨方法および形成方法、ならびに、プリント配線基板の製造方法
JP2002241968A (ja) * 2000-11-01 2002-08-28 Lg Phillips Lcd Co Ltd エッチング剤及びこのエッチング剤を用いた電子機器用基板の製造方法
JP2005105410A (ja) * 2003-09-08 2005-04-21 Mitsubishi Chemicals Corp 銅エッチング液及びエッチング方法
JP2008277723A (ja) * 2007-03-30 2008-11-13 Fujifilm Corp 金属用研磨液及び研磨方法
US20080286701A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Ibm Corporation (Yorktown) Method for kinetically controlled etching of copper
JP2009019270A (ja) * 2007-06-14 2009-01-29 Mec Kk 表面粗化剤

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10176979B2 (en) 2012-02-15 2019-01-08 Entegris, Inc. Post-CMP removal using compositions and method of use
US9678430B2 (en) 2012-05-18 2017-06-13 Entegris, Inc. Composition and process for stripping photoresist from a surface including titanium nitride
US9765288B2 (en) 2012-12-05 2017-09-19 Entegris, Inc. Compositions for cleaning III-V semiconductor materials and methods of using same
US10472567B2 (en) 2013-03-04 2019-11-12 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US10920141B2 (en) 2013-06-06 2021-02-16 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US10138117B2 (en) 2013-07-31 2018-11-27 Entegris, Inc. Aqueous formulations for removing metal hard mask and post-etch residue with Cu/W compatibility
US10428271B2 (en) 2013-08-30 2019-10-01 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US10340150B2 (en) 2013-12-16 2019-07-02 Entegris, Inc. Ni:NiGe:Ge selective etch formulations and method of using same
US10347504B2 (en) 2013-12-20 2019-07-09 Entegris, Inc. Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist
US10475658B2 (en) 2013-12-31 2019-11-12 Entegris, Inc. Formulations to selectively etch silicon and germanium
US10557107B2 (en) 2014-01-29 2020-02-11 Entegris, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use
JPWO2017188108A1 (ja) * 2016-04-27 2019-02-28 三洋化成工業株式会社 エッチング液及び電子基板の製造方法
JP2018184624A (ja) * 2017-04-24 2018-11-22 三洋化成工業株式会社 銅又は銅合金用エッチング液
JP2020079444A (ja) * 2018-11-12 2020-05-28 三洋化成工業株式会社 銅又は銅合金用エッチング液及び電子基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170140420A (ko) 2017-12-20
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US10570522B2 (en) 2020-02-25
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KR101891941B1 (ko) 2018-08-27
TWI565834B (zh) 2017-01-11
CN103080382A (zh) 2013-05-01
WO2012024300A3 (en) 2012-05-31

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